CN103832826A - 浮起搬送热处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供能够在短时间内对加热后的基板进行冷却的浮起搬送热处理装置。浮起搬送热处理装置(1)排列有多个浮起搬送单元,各所述浮起搬送单元依次在对基板进行超声波振动浮起的同时进行热处理并进行搬送,该浮起搬送单元具有:振动板部,其通过超声波振动使基板浮起;超声波产生部,其对振动板部赋予超声波振动;搬送部,其支撑基板的端部并在与基板的浮起方向垂直的方向上搬送基板,该浮起搬送热处理装置具有加热区域(2)和冷却区域(3),在该加热区域中,浮起搬送单元具有对该浮起搬送单元的振动板部进行加热的加热器部,在该冷却区域中,浮起搬送单元不具有加热器部。

Description

浮起搬送热处理装置
技术领域
本发明涉及对基板进行浮起搬送的同时进行基板的加热和冷却的浮起搬送热处理装置。
背景技术
在液晶显示器或等离子显示器等平板显示器中使用在基板上涂布有抗蚀剂液而成的基板(称之为涂布基板)。通过以下方式生产该涂布基板:利用涂布装置在基板上均匀地涂布抗蚀剂液而形成涂布膜,然后利用热处理装置使涂布膜干燥。
该热处理装置中存在例如专利文献1和图11所示的浮起搬送热处理装置。如图11所示,浮起搬送热处理装置90具有加热区域91,通过在利用超声波振动使基板W浮起的状态下,加热区域91借助加热区域91自身的温度对基板W进行加热,从而能够以非接触的方式对基板W进行加热,因此能够使基板W上的涂布膜干燥而不会产生干燥不均。
另外,通过设置多个设定温度不同的干燥装置91,从而在对基板W进行浮起搬送的期间不仅能够进行涂布膜的干燥,还能够进行烧成(烘烤)。
由这样的浮起搬送热处理装置90所加热的基板W,例如通过将基板W搬送至通过喷射空气来进行空冷的空气浮起单元或水冷后的金属板那样的冷却单元92,并载置于冷却单元92从而将其冷却至接近室温,然后搬送至下游的处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-248755号公报
然而,在上述专利文献1和图11示出的浮起搬送热处理装置90中,存在基板的冷却花费时间的问题。具体地说,为了将基板W从浮起搬送热处理装置90搬送至冷却单元92,需要位于浮起搬送热处理装置90与冷却单元92之间的搬送机械手93从浮起搬送热处理装置90接受基板W,然后搬送机械手93将基板W载置于冷却单元92上,因此,如果将该时间包括在基板W的冷却时间中,则有可能无法收纳在用户能够准备的冷却时间的范围。
发明内容
本发明正是鉴于上述问题点而作出的,其目的在于,提供能够在短时间内对加热后的基板进行冷却的浮起搬送热处理装置。
为了解决上述课题,本发明的浮起搬送热处理装置排列有多个浮起搬送单元,各所述浮起搬送单元依次在对基板进行超声波振动浮起的同时进行热处理并进行搬送,所述浮起搬送单元具有:振动板部,其通过超声波振动使基板浮起;超声波产生部,其对所述振动板部赋予超声波振动;搬送部,其支撑基板的端部并在与基板的浮起方向垂直的方向上搬送基板,所述浮起搬送热处理装置的特征在于,该浮起搬送热处理装置具有加热区域和冷却区域,在所述加热区域中,所述浮起搬送单元具有对该浮起搬送单元的振动板部进行加热的加热器部,在所述冷却区域中,所述浮起搬送单元不具有所述加热器部。
根据上述浮起搬送热处理装置,能够通过冷却区域在短时间内对在加热区域中加热后的基板进行冷却。具体地说,在加热区域和冷却区域中,浮起搬送单元通过超声波振动使基板浮起,从而使基板和振动板部之间的气体产生强制对流。虽然经由该强制对流的气体在基板和振动板部之间进行热传递,但是由于强制对流是通过超声波振动产生的,因此能够高速地进行热传递。由此,在冷却区域中,能够在短时间内对基板进行冷却。另外,由于加热区域和冷却区域在浮起搬送热处理装置中是相邻的,因此与另外设置冷却区域的情况相比能够缩短从加热区域到冷却区域的基板的搬送时间,另外,搬送中也可以在从靠近冷却区域的部分开始基板的冷却,因此能够减少基板的搬送引起的时间损耗。
另外,也可以是,所述冷却区域的所述浮起搬送单元在所述振动板部的使基板浮起的面的背面侧具有振动板冷却部,所述振动板冷却部用于对所述振动板部进行冷却,所述振动板冷却部具有与所述振动板部的背面对置的冷却对置面,所述冷却对置面配置为与所述振动板部的背面之间设置有预定间隔。
由此,能够防止振动板部的升温,能够在更短的时间内对基板进行冷却。具体地说,通过将振动板冷却部的冷却对置面配置为与振动板部的背面之间设定有预定间隔,从而在振动板部进行超声波振动以使基板浮起时,通过该振动板部的超声波振动使得冷却对置面与振动板部的背面之间的气体产生强烈的强制对流。由于通过该强制对流在振动板部与冷却对置面之间经由气体进行热传递,因此振动板冷却部能够对振动板部进行冷却。这样能够防止振动板部的升温,因此能够通过该冷却后的振动板部在短时间内对基板进行冷却。
另外,也可以构成为,所述振动板冷却部具有气体供给部,所述气体供给部向所述振动板冷却部与所述振动板部之间的空间提供气体。
由此,能够将由于与振动板部之间的热传递而升温的气体排出而提供低温的气体,能够使振动板冷却部与振动板部之间的空间维持在低温,因此通过强制对流能够更有效地对振动板部进行冷却。
另外,也可以是,所述冷却对置面的水平方向的尺寸大于等于所述振动板部的水平方向的尺寸。
由此,由于在振动板部的背面整个面进行基于气体的强制对流的热传递,因此能够有效地对振动板部进行冷却。
另外,也可以是,所述冷却区域相对于基板的搬送位于最下游侧。
由此,能够最终在冷却区域内充分地对加热后的基板进行冷却并交接至下一个工序。
根据本发明的浮起搬送热处理装置,能够在短时间内对加热后的基板进行冷却。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式中的浮起搬送热处理装置的示意图。
图2是本实施方式中的加热区域的立体图。
图3是本实施方式中的加热区域的侧视图。
图4是本实施方式中的冷却区域的立体图。
图5是示出本发明中的基板的冷却形态的示意图。
图6是示出本实施方式中的冷却区域的冷却性能的示例的图表。
图7是表示本实施方式中的基于浮起搬送热处理装置的基板的温度变化的示意图。
图8是另一实施方式的冷却区域的侧视图。
图9是示出另一实施方式的在冷却区域中对基板进行冷却的机构的示意图。
图10是示出另一实施方式的冷却区域的冷却效果的图表。
图11是示出以往的浮起搬送热处理装置和基于该浮起搬送热处理装置的基板的温度变化的示意图。
标号说明
1:浮起搬送热处理装置;2:加热区域;3:冷却区域;4:振动板部;5:加热器部;6:超声波产生部;7:搬送部;8:使基板浮起的面;9:使基板浮起的面的背面;10:振动板部;11:超声波产生部;12:搬送部;13:使基板浮起的面;14:振动板冷却部;21:振动板;31:加热器单元;32:间隔件;33:加热器集合体;41:超声波振子;42:变幅杆;51:手部;52:进退机构;61:冷却单元;62:间隔件;63:冷却单元集合体;64:冷却对置面;65:气体供给部;90:浮起搬送热处理装置;91:加热区域;92:冷却单元;W:基板。
具体实施方式
利用附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是本发明的一个实施方式中的浮起搬送热处理装置的示意图。
浮起搬送热处理装置1具有加热区域2和冷却区域3,其在对基板W进行超声波振动浮起的同时进行基板W的加热和冷却。
加热区域2是对基板W进行加热的区域。加热区域2中设置有设定温度不同的多个后述振动板部4,不仅进行基板W的干燥,还进行烧成。
冷却区域3相对于基板W的搬送位于最下游侧,通过将在加热区域2加热后的基板W冷却至接近室温,从而做好交接至下游的处理装置的准备。
另外,加热区域2和冷却区域3具有后述的搬送部7,基板W在加热区域2和冷却区域3的各个振动板部4上浮起预定时间后,由搬送部7搬送至相邻的振动板部4。通过重复进行此操作,基板W在浮起搬送热处理装置1内一边被搬送一边被加热和冷却。并且,在以下的说明中,设搬送基板W的方向为Y轴方向,设与Y轴方向在水平面上正交的方向为X轴方向,设与X轴和Y轴方向这两者正交的方向为Z轴方向继续进行说明。
图2和图3示出本实施方式中的加热区域2的示意图。
加热区域2具有振动板部4、加热器部5、超声波产生部6、以及搬送部7,振动板部4通过超声波产生部6进行超声波振动,通过由该振动产生的放射压使振动板部4上的基板W浮起。另外,通过加热器部5对振动板部4进行加热。另外,通过搬送部7将基板W搬入振动板部4,并从振动板部4搬出,并且,搬送至振动板部4上。
并且,在本说明中,也将振动板部4、超声波产生部6以及搬送部7统称为浮起搬送单元。
振动板部4具有多个振动板21。在本实施方式中,振动板21是铝制(铝合金制)的具有矩形板状的形状的金属板,这些振动板在基板搬送方向(Y轴方向)上连续地排列,由此形成振动板部4。
该振动板部4如上所述由加热器部5进行加热,因此能够通过辐射加热对在振动板部4上浮起的基板W进行加热。
此处,振动板部4的X轴方向的尺寸和Y轴方向的尺寸设定为,大于基板W载置于振动板21时的基板W的X轴方向和Y轴方向的尺寸。由此,基板W在振动板部4上浮起并同时被加热时,基板W不存在从振动板部4露出的部分,基板W的整个面都存在于振动板部4上,因此能够通过由加热器部5加热后的振动板部4对基板W均匀地进行加热。
加热器部5位于振动板部4的使基板W浮起的面8的背面9侧,具有多个加热器单元31和间隔件32。通过沿X轴方向和Y轴方向排列加热器单元31,从而形成一个加热器集合体33。另外,间隔件32设置于一部分的加热器单元31来支撑振动板21,另外,振动板部4和加热器集合体33通过间隔件32设定预定的间隔而分离。
在本实施方式中,加热器单元31是将筒式加热器或者铠装加热器插入矩形板状的铝板而构成的板式加热器,沿X轴方向和Y轴方向无间隙地排列这些加热器单元。并且,此处也可以用云母加热器代替板式加热器。
此处,加热器集合体33的X轴方向的尺寸大于振动板部4的X轴方向的尺寸,另外,加热器集合体33的Y轴方向的尺寸大于等于振动部4的Y轴方向的尺寸。进而,沿Z轴方向从振动板部4观察加热器集合体33时,配置成振动板部4的区域收纳在加热器集合体33的区域。由此,加热器集合体33能够同时对振动板部4的整个面进行加热,能够将振动板部4整体加热成均匀的温度。并且,也可以是形成加热器集合体33的各个加热器单元31在X轴方向和Y轴方向的尺寸小于振动板21在X轴方向和Y轴方向的尺寸。另外,也可以不采用集合体的形式,而采用只利用X轴方向和Y轴方向的尺寸大于振动板部4的1个加热器单元31来对振动板部4进行加热的方法。
间隔件32是例如树脂制的小径的块,在本实施方式中,通过间隔件32在振动板部4与加热器集合体33之间设置1mm的间隔。通过这样将振动板部4和加热器集合体33进行分离,由加热器集合体33对振动板部4的加热不是直接加热而是成为辐射加热和对流的热传递,与直接加热相比更容易使振动板部4整体的温度均匀。
另外,在振动板部4与加热器集合体33相接触的配置的情况下,由于两者的固有振动频率等振动特性的差异,加热器集合体33有时会妨碍振动板部4的振动,但是通过对两者进行分离,振动板部4的振动不会被加热器集合体33妨碍,能够按照设定进行振动。
此处,期望将间隔件32配置在加热器单元31上,使其在与振动板21的振动的节相当的位置对振动板21进行支撑。由此,能够使间隔件32从振动板21承受的振动极小,因此能够防止间隔件32由于与振动板21之间的干涉而产生磨损。
超声波产生部6具有超声波振子41和变幅杆(horn)42。从Z轴方向观察,超声波振子41相对于振动板21位于与加热器单元31相同侧,且配置于比加热器单元31更远离振动板21的位置。超声波振子41连接有变幅杆42,该变幅杆42穿过加热器单元31,并与振动板21接触。
超声波振子41是根据来自未图示的振荡器的振荡信号对对象物进行激振的部件,例如存在具有电极和压电元件的朗之万型振子。朗之万型振子通过由振荡器对电极施加驱动电压从而压电元件进行振动,并以预定的振幅和频率进行振荡。这样振荡的超声波振子41的振动经由变幅杆42传播至作为对象物的振动板21,并使振动板21振动。通过振动板21的振动,从振动板21发出放射声压,通过该放射声压对位于振动板21上的基板W施加向上的力。由此,能够使基板W保持以预定的浮起量在振动板21的上方浮起的状态。
另外,能够通过对振荡器所提供的驱动电压进行控制来调整超声波振子41的振动的振幅和频率,由此能够调整在振动板21上浮起的基板W的浮起量。在本实施方式中,基板W的浮起量为0.1mm左右。
变幅杆42采取圆柱或者多个圆柱相连而成的形状,一端与超声波振子41连接,另一端与振动板21接触,对超声波振子41所发出的振动的振幅进行放大或者减小并使其传播至振动板21。另外,由于变幅杆42配置为穿过加热器单元31,因此在加热器单元31的配置变幅杆42的位置设置有贯通孔或者缺口,避免其与变幅杆42之间的干涉。
另外,变幅杆42设置于超声波振子41和振动板21之间,由此还兼有将超声波振子41从加热器集合体33分离的作用。超声波振子41的耐热性弱,当加热时会产生压电元件的损伤等异常,因此利用变幅杆42使超声波振子41远离加热器集合体33,以使得来自加热器集合体33的热不会传递至超声波振子41。
此处,在本实施方式中,考虑到不妨碍基板W的搬送,从Z轴方向观察,超声波振子41相对于振动板21位于与加热器单元31相同侧,即在与基板W相反侧和振动板21接触,但是也可以在基板W相同侧和振动板21接触。即便使超声波振子41在与基板W相同侧和振动板21接触,也与本实施方式那样在与基板W相反侧接触的情况一样,能够得到使基板W振动浮起的效果。
搬送部7具有手部51和进退机构52。手部51具有例如L字型的块,在基板W的角部以与基板W的2个边接触的方式进行支撑。对于1张基板W的支撑,手部51以能够对基板W的对角进行定位来支撑的方式在基板W的对角方向设置有2个。另外,进退机构52是气缸等直动机构,其安装有手部51,在基板W的支撑时和支撑解除时使各手部51进行移动。通过该进退机构52,手部51在基板W的支撑时接近基板W,在支撑解除时从基板W退避。此处,在手部51退避的状态下,基板W处于被解除了X轴方向和Y轴方向的约束的状态,因此,下一次手部51接近时基板W的位置可能会偏离,与手部51冲突导致基板W和手部51破损。这种情况下,在振动板部4设置上下运动的销,在手部51退避并且基板W在振动板部4上的预定位置浮起时,销上升并约束基板W的位置,在振动板部4上方对基板W进行搬送时,销下降使得不妨碍搬送动作即可。
另外,进退机构52与未图示的Y轴方向的行走轴连接。在手部51接近基板W的角部并支持基板W的状态下,通过行走轴使手部51和进退机构52沿Y轴方向移动,从而将基板W沿Y轴方向搬送。
接着,利用图2和图3对超声波产生部6相对于振动板部4的安装位置进行说明。
如前述那样,为了向振动板21传播来自超声波振子41的振动,变幅杆42与振动板21接触,另外,在配置变幅杆42的位置上,在加热器单元31设置有贯通孔或者缺口。因此,在振动板21的变幅杆42所接触的部位及其附近,与其它部位相比,更不容易接受来自加热器单元31的加热,温度变低。这在使基板W浮起的一侧的面上也是一样的,在背面侧,变幅杆42所接触的部位及其附近,温度变低。当在这样的部位对基板W进行加热时,与其它部位相比不能充分地加热,因此基板W有可能会产生干燥不均。
因此,在本实施方式中,在上述那样的部位不对基板W进行加热,防止干燥不均的产生。具体地说,相对于如图2和图3中示出的、振动板部4的使基板W浮起的区域R1和与其背面侧相当的区域R2,在这些区域的外部、即对基板W进行加热的区域的外部,振动板21与变幅杆42接触。
接着,图4示出本实施方式中的冷却区域3的示意图。
冷却区域3具有振动板部10、超声波产生部11以及搬送部12。即,具有与前述的浮起搬送单元同样的结构,除了不具有加热器部以外,具有与加热区域2相同的结构。
振动板部10与加热区域2的振动板部4同样地通过超声波产生部11进行超声波振动,通过由该振动产生的放射压使振动板部4上的基板W浮起。另外,通过搬送部12将基板W搬入振动板部10,并从振动板部10搬出,并且,在振动板部10上进行搬送。
并且,在加热区域2中如前述那样为了防止产生基板W的干燥不均,提及了超声波产生部6的安装位置,但是由于完成干燥、烧成后的基板W上的涂布液很少会产生新的不均,因此这种情况下,在冷却区域3中也可以将超声波产生部11安装于与振动板部10的使基板W浮起的区域的背面侧相当的区域。
接着,图5示出本发明中的基板的冷却形态。
基板W在振动板部10上通过超声波振动浮起时,对置存在于振动板部10的使基板W浮起的面13与基板W之间的气体施加振动板部10的超声波振动这样的外力。通过该外力,如图中箭头所示,气体在振动板部10和基板W之间产生对流。即,产生强制对流。
该强制对流的气体在与基板W和振动板部10接触时,在气体与基板W之间,以及气体与振动板部10之间产生热传递。
因此,由加热区域2加热的基板W被搬送至冷却区域3的振动板部10上方,振动板部10使该基板W进行超声波振动浮起的情况下,由于上述强制对流而对基板W进行冷却。
并且,强制对流是对气体施加外力时产生的,例如从空气浮起单元喷出空气而使基板浮起的情况下,空气浮起单元与基板之间的气体也产生强制对流。因此,通过空气浮起单元使加热后的基板浮起的情况下,强制对流的气体与基板之间也进行热传递,基板W被冷却。与此相对,在振动板部10使基板W超声波振动浮起的情况下,振动板部10以数十kHz这样非常高的频率进行振动从而产生强制对流,因此与空气浮起单元相比对流速度快很多。因此,与空气浮起单元相比热传递的速度快很多,能够在短时间内进行基板W的冷却。
另外,如前述那样,冷却区域3设置于加热区域2的下游侧,能够通过加热区域2的搬送部7或者冷却区域3的搬送部12从加热区域2直接接受基板W。由此,与如图11示出的以往的例子那样,搬送机械手93从浮起搬送热处理装置90接受基板W,然后搬送机械手93将基板W载置于另外设置的冷却单元92的情况相比,能够缩短搬送至冷却区域3的时间。另外,在搬送中也可以从靠近冷却区域3的部分开始基板W的冷却,因此能够减少基板W的搬送的时间损失。
图6的图表示出该冷却区域3的冷却性能。
图6的图表中,实线表示通过本实施方式的冷却区域3对基板W进行了冷却的情况下的基板W的温度变化,虚线表示通过空气浮起单元使基板W浮起的情况下的基板W的温度变化。此处,冷却前的基板W的温度约为110℃,对基板W进行搬送前的振动板部10的温度和从空气浮起单元喷出的空气的温度约为20℃。
其结果如图示那样,基于超声波振动浮起的冷却效果大于空气浮起时的冷却效果,与空气浮起时相比,能够缩短将基板W的温度冷却至例如接近室温等预定温度所需的时间。
接着,图7示出本实施方式中的基于浮起搬送热处理装置1的基板的温度变化。
如前述那样,冷却区域3与加热区域2的下游侧相邻,从加热区域2搬送到冷却区域3的时间较短。因此,能够在加热区域2刚刚实施了基板W的干燥和烧成之后,立刻开始冷却区域3对基板W的冷却。
然后,如图6所示,利用了基于超声波振动的强制对流的本实施方式的冷却区域3的冷却性能较高,能够在短时间内对基板W进行冷却。
因此,将基板W从加热区域2(图11的以往例中加热区域91)到冷却区域3(图11的以往例中冷却单元92)的搬送时间和基板W在冷却区域上的载置时间合计的时间作为基板W的冷却所需时间的情况下,在本实施方式的浮起搬送热处理装置1中,能够使该基板W的冷却所需的时间比以往更短。
如此,能够将在浮起搬送热处理装置1的下游通过冷却区域3充分冷却的基板W以接近室温的基板温度交接至下一个工序。
接着,图8示出其它实施方式的冷却区域的侧视图。
该实施方式中的冷却区域3设置有振动板冷却部14来代替加热区域2中的加热器部5。
振动板冷却部14位于振动板部4的使基板W浮起的面8的背面9侧,具有多个冷却单元61和间隔件62。通过沿X轴方向和Y轴方向对冷却单元61进行排列,形成1个冷却单元集合体63。另外,间隔件62设置于一部分的冷却单元61来对振动板21进行支撑,另外,通过间隔件62对振动板部4和冷却单元集合体63设置预定的间隔而进行分离。
另外,如图8所示,振动板冷却部14具有包括冷却对置面64的形状,该冷却对置面64是与振动板部4的使基板W浮起的面的背面9对置的面,通过该冷却对置面64,将振动板冷却部14与振动板部4之间的空间利用彼此的面进行夹持而使其大致封闭。
冷却单元61是水冷式冷却板,通过在矩形板状的铝板的内部设置供冷却水流动的路径而构成,它们在X轴方向和Y轴方向无间隙地排列。
此处,冷却对置面64的X轴方向的尺寸大于振动板部4的X轴方向的尺寸,并且,冷却对置面64的Y轴方向的尺寸大于等于振动板部4的Y轴方向的尺寸,进而,配置为:沿Z轴方向从振动板部4观察冷却对置面64时,振动板部4所在的区域收纳在冷却对置面64所在的区域即可。由此,振动板冷却部14能够同时对振动板部4的整个面进行冷却,能够将整个振动板部4冷却为均匀的温度。另外,能够更有效地发挥后述的强制对流的效果。
并且,也可以是形成冷却对置面64的各个冷却单元61的X轴方向和Y轴方向的尺寸小于振动板部4的X轴方向和Y轴方向的尺寸。另外,也可以不采用集合体的形式,而采用只利用X轴方向和Y轴方向的尺寸大于振动板部4的1个冷却单元61对振动板部4进行冷却的方法。
另外,一部分或者全部的冷却单元61设置有气体供给部65。在该实施方式中,该气体供给部65是朝向振动板部4而设置的开口,经由配管与未图示的鼓风机等气体供给装置连接。通过从气体供给部65将该气体供给装置所提供的气体放出,能够向冷却对置面64与振动板部4的使基板W浮起的面8的背面9之间提供气体。并且,气体供给部65所提供的气体中使用了干燥空气、N2等,但是优选使用与形成冷却区域3周边的环境的气体相同的气体。
间隔件62与加热区域2中的间隔件32一样,例如是树脂制的小径块,通过间隔件62在振动板部4与冷却单元集合体63的冷却对置面64之间设置1mm的间隔。通过这样对振动板部4和冷却单元集合体63进行分离,冷却单元集合体63与振动板部4之间的热传递成为后述那样的基于对流的热传递,与振动板部4与冷却单元集合体63接触的配置而直接进行热传递的情况相比,更容易使振动板部4整体的温度均匀。
另外,在振动板部4与冷却单元集合体63接触配置的情况下,由于两者的固有振动频率等振动特性的差异,冷却单元集合体63有可能会妨碍振动板部4的振动,但是通过对两者进行分离,振动板部4的振动不会被冷却单元集合体63妨碍,能够按照设定进行振动。
此处,期望将间隔件62配置于冷却单元61上,使得其在与振动板21的振动的节相当的位置对振动板21进行支撑。由此,能够使间隔件62从振动板21接受的振动极小,因此能够防止间隔件62由于与振动板21之间的干涉而产生磨损。
接着,图9示出在图8的实施方式的冷却区域中对基板进行冷却的机构。
如前述那样,基板W在振动板部4上通过超声波振动浮起时,气体在振动板部4与基板W之间产生强制对流。
此处,该强制对流的气体与基板W和振动板部4接触时,在气体与基板W之间、以及气体与振动板部4之间产生热传递。
因此,由未图示的加热装置等所加热的基板W被搬送至振动板部4上方,振动板部4使该基板W进行超声波振动浮起的情况下,借助上述强制将对流基板W冷却,另外,振动板部4升温。
另一方面,如前述那样,该实施方式的冷却区域3在振动板部4的使基板W浮起的面的背面9侧具有振动板冷却部14。由此,和气体在振动板部4与基板W之间产生强制对流同样,在振动板冷却部14与振动板部4之间也产生由振动板部4的超声波振动产生的气体的强制对流。
另外,如上所述,振动板冷却部14具有与振动板部4对置的冷却对置面64,该冷却对置面64与振动板部4的使基板W浮起的面8的背面9设定预定间隔配置。由此,振动板冷却部14与振动板部4之间形成大致封闭的空间。通过在该大致封闭的空间中进行气体的强制对流,从而与空间未封闭的情况相比,更加频繁地产生振动板冷却部14和振动板部4与气体之间的热传递。
因此,振动板冷却部14能够经由该强制对流高速地对振动板部4进行冷却,能够抑制振动板部4由于高温的基板W而升温,从而将振动板部4的温度维持在低温。因此,能够防止由于基板的热而导致冷却性能变差。
此处,为了使振动板冷却部14有效地对振动板部4进行冷却,优选使其与振动板部4之间更频繁地产生强制对流,为了使其与振动板部4之间更频繁地产生强制对流,期望增大冷却对置面64的水平方向的尺寸(X轴方向、Y轴方向的尺寸)从而扩大其与振动板部4之间的封闭空间,例如如前述那样,配置为沿Z轴方向从振动板部4观察冷却对置面64时,振动板部4所在的区域收纳在冷却对置面64所在的区域,在振动板部4的整个背面进行基于气体的强制对流的热传递,因此是优选的。
另外,在该实施方式中,在振动板冷却部14设置有气体供给部65,能够向冷却对置面64与振动板部4之间提供气体。通过从该气体供给部65持续提供气体,将由于与振动板部4之间的热传递而升温的气体排出而提供低温的气体,能够使冷却对置面64与振动板部4之间的空间维持在低温,因此振动板冷却部14能够通过强制对流更有效地对振动板部4进行冷却。
接着,图10的图表示出图8的实施方式的冷却区域3的冷却效果。
图10的图表中,实线表示通过图9示出的实施方式的冷却区域3对基板W进行冷却的情况下的基板W的温度变化,单点划线表示对基板W进行超声波振动浮起而不使用振动板冷却部14的情况下的基板W的温度变化,虚线表示通过空气浮起单元使基板W浮起的情况下的基板W的温度变化。此处,冷却前的基板W的温度约为110℃,对基板W进行搬送前的振动板部4的温度、振动板冷却部14的温度、从空气浮起单元喷射的空气的温度、以及由振动板冷却部14的气体供给部65提供的气体的温度约为20℃。
其结果是,通过比较单点划线和虚线,如上述那样,能够确认基于超声波振动浮起的冷却效果大于基于空气浮起的冷却效果。另外,通过比较实线和单点划线,能够确认通过振动板冷却部14对振动板部4进行冷却进一步提高了基板W的冷却效果。
根据这样的冷却区域3,能够防止由于基板的热导致冷却性能变差,并能够在更短的时间内对基板进行冷却。
并且,在图5中示出冷却区域3的基板W的冷却形态,说明了通过振动板部10与基板W之间的气体的强制对流对基板W进行冷却,但是加热区域2的情况也一样,在图3所示的振动板部4与基板W之间产生基于振动板部4的超声波振动的气体的强制对流,通过经由基板W与振动板部4之间的气体的热传递对基板W进行加热。另外,这种情况下,通过从被加热器部5加热的高温的振动板部4对基板W的辐射热也能够对基板W进行加热。
另外,在加热区域2中,在振动板部4与加热器部5之间也由于振动板部4的超声波振动而发生气体强制对流,通过从该强制对流产生的热传递和从加热器部5对振动板部4的辐射热,加热器部5对振动板部4进行加热。
根据以上说明的浮起搬送热处理装置,能够在短时间内对加热后的基板进行冷却。
并且,在本实施方式中,冷却区域3只配置于浮起搬送热处理装置1的最下游侧,对通过加热区域2加热后的基板W充分地进行冷却并将基板W交接至下游的处理装置,但是冷却区域3的配置不限于最下游侧,也可以将冷却区域3设置于加热区域2的中间。即,例如也可以从上游侧起以加热区域2、冷却区域3、加热区域2、冷却区域3的顺序设置加热区域2和冷却区域3。

Claims (6)

1.一种浮起搬送热处理装置,该浮起搬送热处理装置排列有多个浮起搬送单元,各所述浮起搬送单元依次在对基板进行超声波振动浮起的同时进行热处理并进行搬送,
所述浮起搬送单元具有:
振动板部,其通过超声波振动使基板浮起;
超声波产生部,其对所述振动板部赋予超声波振动;以及
搬送部,其支撑基板的端部并在与基板的浮起方向垂直的方向上搬送基板,
所述浮起搬送热处理装置的特征在于,
该浮起搬送热处理装置具有加热区域和冷却区域,
在所述加热区域中,所述浮起搬送单元具有对该浮起搬送单元的振动板部进行加热的加热器部,
在所述冷却区域中,所述浮起搬送单元不具有所述加热器部。
2.根据权利要求1所述的浮起搬送热处理装置,其特征在于,
所述冷却区域的所述浮起搬送单元在所述振动板部的使基板浮起的面的背面侧具有振动板冷却部,所述振动板冷却部用于对所述振动板部进行冷却,所述振动板冷却部具有与所述振动板部的背面对置的冷却对置面,所述冷却对置面配置为与所述振动板部的背面之间设置有预定间隔。
3.根据权利要求2所述的浮起搬送热处理装置,其特征在于,
所述振动板冷却部具有气体供给部,所述气体供给部向所述振动板冷却部与所述振动板部之间的空间提供气体。
4.根据权利要求2所述的浮起搬送热处理装置,其特征在于,
所述冷却对置面的水平方向的尺寸大于等于所述振动板部的水平方向的尺寸。
5.根据权利要求4所述的浮起搬送热处理装置,其特征在于,
所述振动板冷却部具有气体供给部,所述气体供给部向所述振动板冷却部与所述振动板部之间的空间提供气体。
6.根据权利要求1~5的任意一项所述的浮起搬送热处理装置,其特征在于,
所述冷却区域相对于基板的搬送位于最下游侧。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105151780A (zh) * 2015-08-28 2015-12-16 武汉华星光电技术有限公司 一种超声波传送装置
CN107210200A (zh) * 2015-03-25 2017-09-26 住友化学株式会社 衬底处理装置及衬底处理方法
CN107777358A (zh) * 2016-08-26 2018-03-09 细美事有限公司 基板移送装置
CN108735629A (zh) * 2017-04-25 2018-11-02 细美事有限公司 集成板及包括其的基板处理装置
CN109516218A (zh) * 2019-01-22 2019-03-26 北京理工大学 一种低反射率的超声相控阵
CN109643681A (zh) * 2016-08-09 2019-04-16 近藤工业株式会社 半导体制造装置
CN110730753A (zh) * 2017-06-14 2020-01-24 韩国生产技术研究院 超声波浮起模块及利用超声波的对象物浮起装置
CN115818207A (zh) * 2023-02-10 2023-03-21 季华实验室 一种基板传送装置、控制方法及相关设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102544865B1 (ko) * 2016-07-19 2023-06-19 주식회사 케이씨텍 기판 가열 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006205064A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Dainippon Printing Co Ltd 乾燥装置
CN101101856A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置
CN101211756A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
CN102009033A (zh) * 2009-09-07 2011-04-13 东丽工程株式会社 预干燥装置及预干燥方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006205064A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Dainippon Printing Co Ltd 乾燥装置
CN101101856A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置
CN101211756A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP2008166359A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
CN102009033A (zh) * 2009-09-07 2011-04-13 东丽工程株式会社 预干燥装置及预干燥方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107210200A (zh) * 2015-03-25 2017-09-26 住友化学株式会社 衬底处理装置及衬底处理方法
CN105151780A (zh) * 2015-08-28 2015-12-16 武汉华星光电技术有限公司 一种超声波传送装置
CN109643681A (zh) * 2016-08-09 2019-04-16 近藤工业株式会社 半导体制造装置
CN109643681B (zh) * 2016-08-09 2022-11-29 剑桥过滤器有限公司 半导体制造装置
CN107777358A (zh) * 2016-08-26 2018-03-09 细美事有限公司 基板移送装置
CN108735629A (zh) * 2017-04-25 2018-11-02 细美事有限公司 集成板及包括其的基板处理装置
CN108735629B (zh) * 2017-04-25 2022-04-12 细美事有限公司 集成板及包括其的基板处理装置
CN110730753A (zh) * 2017-06-14 2020-01-24 韩国生产技术研究院 超声波浮起模块及利用超声波的对象物浮起装置
CN109516218A (zh) * 2019-01-22 2019-03-26 北京理工大学 一种低反射率的超声相控阵
CN115818207A (zh) * 2023-02-10 2023-03-21 季华实验室 一种基板传送装置、控制方法及相关设备

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