CN103794616A - 发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置 - Google Patents

发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种发光二极管阵列结构，包含基板及多个发光晶闸管。发光晶闸管线性排列于基板上。各发光晶闸管包含彼此连接的带状部及板状部，且相邻的发光晶闸管的板状部彼此交错。借以维持发光晶闸管的排列密度并扩大发光晶闸管的分布面积。一种包含前述发光二极管阵列结构的打印头及打印装置，也在此提出，以借由分布面积扩大而提高出光量的发光晶闸管，增进打印装置的感光与打印速度。

Description

发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置
技术领域
本发明涉及一种二极管阵列结构，特别是涉及一种发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置。
背景技术
复印机、打印机传真机及多功能事务机利用电子写真技术（Electro-photography）作为打印文件的核心技术，意即借由特定波长的光改变静电荷（electrostatic charge）的分布而产生写真（photographic）影像。
参照图1，为彩色打印的发光二极管（LED）打印机100的示意图。发光二极管打印机100具有分别对应于黑色、洋红色、青色及黄色的感光鼓（Photoconductive drum）（110K、110M、110C、110Y，总称110）、打印头（Printing head）（120K、120M、120C、120Y，总称120）及墨粉盒（Tonercartridge）（130K、130M、130C、130Y，总称130）。经过布电机构，感光鼓110表面会产生一层均匀的电荷。打印前的扫描程序需经过曝光程序，使得要打印的文件中的图案像素转换成可见光明暗数据。打印头120中具有多个一维排列的发光二极管，其发出的光照射到感光鼓110上时，未曝光区会维持原有电位，但曝光区的电荷则因曝光而产生差异。曝光区的电位变化差异可吸附墨粉盒130提供的带有正/负电荷的碳粉，借以达到打印目的。
为了提高打印分辨率，打印头120中的发光二极管紧密排列。例如，若要达到600DPI（Dots Per Inch，点每英寸）的打印分辨率，则需使发光二极管间距为42.3微米（μm）。进而限制了发光二极管的面积，使得发光二极管的出光量受到限制。因此，如何增进发光二极管的面积，以提高发光二极管的出光量，为本领域的研究人员致力研究的课题。
发明内容
鉴于以上的问题，本发明在于提供一种发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置，借以提高发光二极管的出光量，以增进感光与打印速度。
本发明的一实施例提供一种发光二极管阵列结构，包含基板及多个发光晶闸管。发光晶闸管位于基板上并线性排列。各发光晶闸管包含彼此连接的带状部及板状部，且相邻的发光晶闸管的板状部彼此交错。
本发明的一实施例另提供一种打印头，包含前述的发光二极管阵列结构。
本发明的一实施例再提供一种打印装置，包含感光鼓、透镜及具有前述发光二极管阵列结构的打印头。透镜位于感光鼓与打印头之间，用以将打印头发出的光聚焦在感光鼓上。
综上所述，根据本发明的发光二极管阵列结构及其打印头与打印装置，发光二极管阵列结构中两相邻的发光晶闸管的板状部分别位于对应的带状部上不同位置。借此，可维持发光晶闸管的排列密度并扩大发光晶闸管的分布面积，以提高发光晶闸管的出光量，而增进打印装置的感光与打印速度。
附图说明
图1为彩色打印的发光二极管打印机的示意图；
图2为根据本发明一实施例的打印装置的感光示意图；
图3为根据本发明一实施例的打印头的外观示意图；
图4为根据本发明一实施例的发光芯片的电路示意图；
图5为根据本发明一实施例的发光芯片接收的频率信号示意图；
图6为根据本发明一实施例的发光二极管阵列结构的示意图；
图7为根据图6所示的A-A线的剖面图；
图8为根据图6所示的B-B线的剖面图；
图9为根据图6所示的C-C线的剖面图；
图10为根据本发明一实施例的发光二极管阵列结构的另一示意图；
图11为根据本发明一实施例的发光二极管阵列结构的再一示意图；
图12为根据本发明一实施例的发光二极管阵列结构的又一示意图。
附图标记
100：发光二极管打印机
110、110K、110M、110C、110Y：感光鼓
120、120K、120M、120C、120Y：打印头
122：发光芯片                130K、130M、130C、130Y：墨粉盒
140：轴线                    150：透镜
210：带状部                  220：板状部
230：基板                    231：第一半导体层
232：第二半导体层            233：第三半导体层
234：第四半导体层            235：第五半导体层
261：阴极电极                262：栅极电极
263：电阻电极                264：阴极电极
B1、B2：缓冲器               D1、D2、D3、D4、D5：二极管
R1、R2、R3、R4、R5：电阻     T1、T2、T3、T4、T5：发光晶闸管
φ11、φ12、φ21、φ22、φ1、φ2、φS：信号
t1、t2、t3：点亮时间         VGA：电压
具体实施方式
图2为根据本发明一实施例的打印装置的感光示意图。
如图2所示，打印装置包含感光鼓110、打印头120及透镜150。透镜150位于感光鼓110与打印头120之间，用以将打印头120发出的光聚焦在感光鼓110上，以实现前述的曝光程序。
于此，感光鼓110、打印头120及透镜150的数量可为一个，以进行黑白打印。但本发明的实施例非限于此，其也可分别为四个，以分别对应黑色、洋红色、青色及黄色的彩色打印用途。打印装置可为打印机、复印机、多功能事务机等。
图3为根据本发明一实施例的打印头120的外观示意图。
如图3所示，打印头120包含沿轴线140排列的多个发光芯片122。一般而言，每一发光芯片122包含数千个直线排列的发光晶闸管。当发光芯片122沿轴线140排列时，发光晶闸管也同样沿轴线140排列，借此可达到高DPI的打印分辨率。例如，如要达到600DPI的分辨率，则需要在每英寸排列有600个发光晶闸管。
图4为根据本发明一实施例的发光芯片122的电路示意图。图5为根据本发明一实施例的发光芯片122接收的频率信号示意图。
如图4所示，发光芯片122包含发光晶闸管（T1、T2、T3等，总称T）、二极管（D1、D2、D3等，总称D）、电阻（R1、R2、R3等，总称R）及缓冲器（B1、B2）。
发光晶闸管T具有栅极、阴极与阳极。当栅极与阴极之间为顺向偏压且电压差超过扩散电压时，发光晶闸管T点亮。与一般晶闸管相同的是，发光晶闸管T开启后（即点亮），栅极电位与阳极电位近乎相同，当栅极与阴极之间的电位差回归至零伏特时，发光晶闸管T才关闭（即不发光）。
每一个发光晶闸管T的栅极经由一相对应的二极管D耦接至另一个发光晶闸管T（如发光晶闸管T1经由二极管D1耦接至发光晶闸管T2）。每一个发光晶闸管T的阴极间隔地经由缓冲器（B1或B2）对应耦接信号φ11与φ12或信号φ21与φ22。例如，发光晶闸管T1的阴极经由缓冲器B1耦接信号φ11与φ12；发光晶闸管T2的阴极经由缓冲器B2耦接信号φ21与φ22。每一个发光晶闸管T的栅极与对应的二极管D的耦接处还各自经由一对应的电阻R而耦接至电压VGA（如发光晶闸管T1的栅极与二极管D1的耦接处经由电阻R1而耦接至电压VGA）。
其中，发光晶闸管T1的栅极还耦接信号φS。二极管D的阳极端耦接邻近信号φS的相邻的发光晶闸管T，其阴极端耦接相邻的另一发光晶闸管T。例如，二极管D1的阳极端耦接发光晶闸管T1，其阴极端耦接发光晶闸管T2。
信号φ11、φ12、φ21、φ22、φS以及电压VGA由打印装置中的控制模块提供（如图5所示的频率信号），以控制每一个发光晶闸管T的点亮时间（如发光晶闸管T1的点亮时间t1、发光晶闸管T2的点亮时间t2及发光晶闸管T3的点亮时间t3）。也就是说，控制模块可根据所要曝光的点依序使对应的发光晶闸管T点亮一段时间。于此，控制模块可为控制芯片、驱动电路或其组成来实现。
在一实施例中，于同一打印头120中，多个发光芯片122可共享同一缓冲器B 1与同一缓冲器B2，以接收信号φ1与信号φ2。
图6为根据本发明一实施例的发光二极管阵列结构的示意图。
合并参照图3、4图及图6，打印头120的发光二极管阵列结构可包含基板230及多个发光晶闸管T。如图6所示，发光晶闸管T线性排列于基板230上，即沿一维方向排列。各发光晶闸管T包含彼此连接的带状部210及板状部220。相邻的发光晶闸管T的板状部220彼此交错。借由发光晶闸管T中带状部210与板状部220连接所形成的凹部与相邻的另一发光晶闸管T的板状部220凹凸对应，以于增加发光晶闸管T的面积之余，有效利用基板230上的空间。其中，带状部210的长轴与发光晶闸管T的排列方向垂直。
在一实施例中，板状部220大概呈矩形，但本发明的实施例非以此为限。
如图6所示，发光晶闸管T（如发光晶闸管T1、T2、T3、T4等）的板状部220位于带状部210的末端。其中，排列位置在奇数的发光晶闸管T（如发光晶闸管T1、T3等）相较于排列位置在偶数的发光晶闸管（如发光晶闸管T2、T4等），具有较长的带状部210，以使奇数与偶数的发光晶闸管T之间可以其板状部220彼此交错。
于此，本发明的实施例非以相邻的发光晶闸管T具有长度不同的带状部210为限，也可具有相同长度的带状部210，只是于垂直于发光晶闸管T的排列方向上，相邻的发光晶闸管T交错排列。
图7为根据图6所示的A-A线的剖面图，显示奇数的发光晶闸管T的剖面图。如图7所示，带状部210及板状部220均包含依序堆栈的第一半导体层231、第二半导体层232及第三半导体层233，板状部220还包含堆栈于第三半导体层233上的第四半导体层234。也就是说，发光晶闸管T为由下往上依次层叠的第一半导体层231、第二半导体层232、第三半导体层233及第四半导体层234所堆栈而成。其中，第四半导体层位于板状部220。
于此，第一半导体层231与第三半导体层233为相同导电型；第二半导体层232与第四半导体层234为相同导电型。且第一半导体层231与第二半导体层232为不同导电型。举例而言，第一半导体层231与第三半导体层233可为P型半导体，第二半导体层232与第四半导体层234可为N型半导体。
如此一来，各发光晶闸管T包含阳极电极（图未示）、阴极电极261与栅极电极262。阴极电极261设置于板状部220上。栅极电极262设置于带状部210上。阳极电极则设置于发光晶闸管T与基板230的接触面上。
如图6及图7所示，各发光晶闸管T的带状部210还包含堆栈于第三半导体层233上的第五半导体层235。第五半导体层235与第三半导体层233为不同导电型，以形成前述的二极管D。例如，当第三半导体层233为P型半导体时，第五半导体层235为N型半导体。此时，二极管D的阴极电极264位于第五半导体层235上，以打线（wire-bonding）至其它电子元件。
图8为根据图6所示的B-B线的剖面图，显示偶数的发光晶闸管T的剖面图。如图8所示，排列位置在偶数的发光晶闸管T与图7所示的排列位置在奇数的发光晶闸管T相似，也具有四层导电型互异交错层叠的导电层。图7与图8的差异在于，排列位置在偶数的发光晶闸管T的带状部210较排列位置在奇数的发光晶闸管T的带状部210短。但本发明的实施例非以此为限，也可为奇数的发光晶闸管T的带状部210较偶数的发光晶闸管T的带状部210短。
图9为根据图6所示的C-C线的剖面图。合并参照图6与图9所示，发光二极管阵列结构还包含前述的多个电阻R。各电阻R位于两相邻的发光晶闸管T的带状部210之间，即板状部220凸出于带状部210的宽度之间。
如图9所示，电阻R也可包含前述的第一半导体层231、第二半导体层232及第三半导体层233。因此，在制作发光二极管阵列结构时，可依序与基板上230形成第一半导体层231、第二半导体层232及第三半导体层233，再将此三层半导体层切割而形成前述的发光晶闸管T与电阻R。
于此，第三半导体层233上可设置电阻电极263，以打线连接电阻R至其它电子元件。
图10为根据本发明一实施例的发光二极管阵列结构的另一示意图。
如图10所示，排列位置在奇数的发光晶闸管T（如发光晶闸管T1、T3等）的板状部220位于带状部210的末端，即奇数的发光晶闸管T的一端的宽度较另一端的宽度窄。排列位置在偶数的发光晶闸管T（如发光晶闸管T2、T4等）的板状部220位于（即跨越）带状部210的中段。也就是说，偶数的发光晶闸管T的两端的宽度较中间的宽度窄。
于此，排列位置在奇数的发光晶闸管T的分布面积与排列位置在偶数的发光晶闸管T的分布面积相同。也就是说，各发光晶闸管T之间，板状部220的分布面积与带状部210的分布面积的总和相同。借此，各发光晶闸管T的寄生电容将为相同，使得点亮各发光晶闸管T所需的时间相同。因此，各发光晶闸管T的出光量可为一致。
图11为根据本发明一实施例的发光二极管阵列结构的再一示意图。图11与图10大致相同，差异在于各发光晶闸管T的板状部220位置与图10所示不同。
如图11所示，排列位置在第N个发光晶闸管T的板状部220位于带状部210的末端；排列位置在第N+1个发光晶闸管T的板状部220位于带状部210的中段；排列位置在第N+2个发光晶闸管T的板状部220位于带状部210的头端，其中N为正整数。
图12为根据本发明一实施例的发光二极管阵列结构的又一示意图。图12与图11大致相同，差异在于各发光晶闸管T的板状部220位置与图11所示不同。
如图12所示，排列位置在偶数的发光晶闸管T的板状部220位于带状部210的中段；排列位置在第4M+1个发光晶闸管T的板状部220位于带状部210的末端；排列位置在第4M+3个发光晶闸管T的板状部220位于带状部210的头端，其中M为0或正整数。
综上所述，根据本发明的发光二极管阵列结构及其打印头120与打印装置，发光二极管阵列结构中两相邻的发光晶闸管T的板状部220分别位于对应的带状部210上不同位置。借此，可维持发光晶闸管T的排列密度并扩大发光晶闸管的分布面积，以提高发光二极管的出光量，而增进打印装置的感光与打印速度。
虽然本发明以前述的实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉相关技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的变更与修饰，因此本发明的专利保护范围应当由本说明书所附的权利要求书所界定为准。

Claims (10)

1.一种发光二极管阵列结构，其特征在于，包含：
一基板；及
多个发光晶闸管，线性排列于该基板上，各该发光晶闸管包含彼此连接的一带状部及一板状部，且相邻的该发光晶闸管的该板状部彼此交错。
2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，排列位置在奇数的该些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的末端，排列位置在偶数的该些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的中段。
3.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，排列位置在第N个该些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的末端，排列位置在第N+1个该些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的中段，排列位置在第N+2个该些发光晶闸管的该板状部位于该带状部的头端，N为正整数。
4.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，该板状部大概呈矩形。
5.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，各该发光晶闸管之间，该板状部的分布面积与该带状部的分布面积的总和相同。
6.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，该板状部及该带状部均包含依序堆栈的一第一半导体层、一第二半导体层及一第三半导体层，该板状部还包含堆栈于该第三半导体层上的一第四半导体层，其中该第一半导体层与该第三半导体层为相同导电型，该第二半导体层与该第四半导体层为相同导电型，该第一半导体层与该第二半导体层为不同导电型。
7.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，还包含多个电阻，各该电阻位于两相邻的该些发光晶闸管的该带状部之间。
8.根据权利要求1所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，各该些发光晶闸管的该带状部还包含一第五半导体层，堆栈于该第三半导体层上，该第五半导体层与该第三半导体层为不同导电型，以形成一二极管。
9.一种打印头，其特征在于，包含根据权利要求1至8中任一项所述的发光二极管阵列结构。
10.一种打印装置，其特征在于，包含：
一感光鼓；
一个根据权利要求9所述的打印头；及
一透镜，位于该感光鼓与该打印头之间，用以将该打印头发出的光聚焦在该感光鼓上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI604638B (zh) * 2016-07-20 2017-11-01 日昌電子股份有限公司 閘流體、閘流體的製造方法以及其列印頭
TWI688841B (zh) * 2018-11-30 2020-03-21 虹光精密工業股份有限公司 利用電容特性操作之移位電路及其列印頭與列印裝置
TWI785780B (zh) * 2021-09-06 2022-12-01 虹光精密工業股份有限公司 發光晶片打件偏差之調節方法及列印頭

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5821567A (en) * 1995-12-13 1998-10-13 Oki Electric Industry Co., Ltd. High-resolution light-sensing and light-emitting diode array
US6252351B1 (en) * 1997-12-25 2001-06-26 Hitachi Cable Ltd Light emitting diode array
CN1320082A (zh) * 1999-08-30 2001-10-31 日本板硝子株式会社 自扫描式发光装置
CN102019766A (zh) * 2009-09-18 2011-04-20 富士施乐株式会社 发光装置、打印头以及图像形成装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2790631B2 (ja) * 1988-07-01 1998-08-27 日本板硝子株式会社 自己走査形発光素子アレイ
JP2777442B2 (ja) * 1989-12-22 1998-07-16 三洋電機株式会社 発光ダイオードアレイ
JP2000289250A (ja) * 1999-04-13 2000-10-17 Oki Data Corp Ｌｅｄアレイチップおよびｌｅｄアレイプリントヘッド
JP2001010110A (ja) * 1999-06-29 2001-01-16 Kyocera Corp 記録ヘッド
WO2010130051A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 4233999 Canada, Inc. System for and method of providing high resolution images using monolithic arrays of light emitting diodes

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5821567A (en) * 1995-12-13 1998-10-13 Oki Electric Industry Co., Ltd. High-resolution light-sensing and light-emitting diode array
US6252351B1 (en) * 1997-12-25 2001-06-26 Hitachi Cable Ltd Light emitting diode array
CN1320082A (zh) * 1999-08-30 2001-10-31 日本板硝子株式会社 自扫描式发光装置
CN102019766A (zh) * 2009-09-18 2011-04-20 富士施乐株式会社 发光装置、打印头以及图像形成装置

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Denomination of invention: Light emitting diode array structure, and printing head and printing device thereof

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