CN103782239A - 基板处理装置及基板处理方法、曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法、及平板显示器的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的对基板(P)进行曝光处理的曝光装置，具备：具有将基板(P)的一部分在确保平坦度的状态下保持的基板保持具(PH)、相对曝光位置(曝光区域(IA))于X轴方向移动的微动载台与将基板(P)驱动于XY平面内的Y轴方向的基板Y步进运送装置(88)。此场合，以基板保持具(PH)在确保平坦度的状态下保持基板(P)的一部分的微动载台相对曝光区域(IA)的X轴方向移动，在使用基板Y步进运送装置(88)的基板(P)于Y轴方向移动的前后进行，据以进行对基板(P)上的多个区域的曝光处理。

Description

基板处理装置及基板处理方法、曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法、及平板显示器的制造方法
技术领域
本发明是关于基板处理装置及基板处理方法、曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法及平板显示器的制造方法，尤关于相对处理位置使基板依序移动以对基板上的多个区域进行既定处理的基板处理装置及基板处理方法、相对曝光位置(处理位置)使基板依序移动以使基板上的多个区域曝光的曝光方法及曝光装置、以及使用上述基板处理装置、上述基板处理方法、上述曝光方法或曝光装置的元件制造方法及平板显示器的制造方法。
背景技术
一直以来，制造液晶显示元件、半导体元件(集成电路等)等电子元件(微元件)的光刻工艺，主要是使用步进重复(step&repeat)方式的投影曝光装置(所谓的步进机)、或步进扫描(step&scan)方式的投影曝光装置(所谓的扫描步进机(亦称扫描机))等。
此种曝光装置中，表面涂有感应剂的玻璃板、或晶片等(以下，统称为基板)被装载于基板载台装置上。而形成于掩膜(或标线片)的电路图案则是以经由投影透镜等光学系的曝光光的照射将之转印至基板。
近年来，曝光装置的曝光对象物的基板、尤其是液晶显示元件用基板(矩形玻璃基板)，其尺寸有日益大型化的倾向，随此倾向，曝光装置中保持基板的基板台亦大型化，伴随而来的重量増导致基板的位置控制日益困难。为解决此问题，发明人先前曾提出了一种将保持基板的基板台的自重以柱状构件构成的称为心柱的重量抵销装置(自重canveller)加以支承的曝光装置(例如，参照专利文献1)。
在包含上述专利文献1记载的曝光装置的现有曝光装置所具备的基板载台装置的开发时，基本的考量方式，为达成以高速且高精度的定位基板的目的，而使基板载台尽可能的轻量化、且排除干扰(振动)来加以实现。过去亦已开发出各种仅将基板、用以对此基板进行平面矫正的基板保持具、用以获知基板位置的干涉仪用移动镜、一体支承此等的台、以驱动该台的VCM(音圈电机)等为进行高精度定位控制的最低限度所须的零件装载于微动载台，而其他零件部件(电气基板及供应缆线类等)则装载于粗动载台的基板载台装置。
另一方面，例如液晶用玻璃基板，最新的第10世代一边已达3公尺以上等更为大型化的倾向，搭载有能吸附保持此大型基板全体的基板保持具的微动载台亦随之大型化且其重量亦増加，已无法再称为轻量。此种基板保持具及支承此的基板台等的大型化已逐渐成为各种不良情况的原因。例如，基板越加大型化、则使基板2维移动的基板载台装置的重量与移动量亦増加。因此，曝光装置益加大型化，造成制造成本増加、装置的制造及运送时间增加。此外，基板的移动耗费时间，而使得制造所需时间变长。因此，期望有一种能以高精度引导曝光对象物(基板)、能进一步谋求小型化、轻量化的载台装置的开发。
曝光装置中，在基板载台的基板更换，是在将基板从吸附保持基板的基板保持具上搬出(退避)后，并将新的基板搬入(投入)基板保持具上而成一动作。然而，现有曝光装置中，是使用具有与基板相同尺寸的保持面的基板保持具。因此，现有曝光装置若不将基板搬送与其尺寸相同的距离的话，即无法将基板从基板保持具上搬出、亦无法将基板搬入基板保持具上。
此外，如前所述，例如液晶用玻璃基板有益发大型化的倾向，因此，基板的更换须有相当程度的时间，因此更冀望开发出能实现基板更换时间的缩短的新装置。
基板更换时间的缩短不限于曝光装置，而是以玻璃基板等基板为处理对象的基板处理装置的共通课题。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]美国专利申请公开第2010／0018950号说明书。
发明内容
用以解决课题的手段
发明人为实现能以高速且高精度引导对象物(基板)、进一步谋求小型化、轻量化的载台装置，重新观察了载台装置。其结果，面积为3m对角且厚度0.7mm程度的基板重量略低于20kg，相对于此，支承基板的基板保持具的重量约为1吨。因此，支承基板保持具的台亦变得更重。亦重新认知到，若能将位于前端部的基板保持具轻量化的话，即能使连接在保持具下的各构成部分、亦即台、重量抵销装置(心柱)及导件等所有部分轻量化。
基板保持具的主要角色是将薄且易产生翘起及／或挠曲的基板矫正为平坦。因此，现有基板保持具具有与基板大致相同的面积，将基板以例如真空吸附方式贴在基板保持具表面(上面)。因此，作为平面基准的基板保持具表面须将平面度做得极高、且为确保刚性而增加厚度造成重量増加。
另一方面，于步进扫描方式的大型投影曝光装置等，可一次曝光的一次曝光区域(亦称照射区域)被设定成较基板全体的面积小，并无法以一次扫描曝光使基板全面曝光。因此，通过反复进行扫描曝光与不伴随曝光的步进移动来使基板全面曝光。然而，基板须维持平坦的仅是一次曝光的扫描范围内(照射区域)，严格来说，仅是以投影光学系照射的固定的照射范围。除此以外的范围及不伴随曝光的步进移动中，则无须特别在意基板的平坦性。
因此，发明人将用以矫正基板使之平坦的基板保持具作成与曝光场(field)大致同等的交叉扫描方向的宽度(较曝光场略宽程度)，扫描方向的长度作成至少较可一次曝光的扫描长度以上。同时认为当通过扫描的一次曝光结束时，即使下一个曝光的基板上的扫描曝光区域(照射区域)相移动至基板保持具上，每次在此时进行平面矫正与基板的对准以进行扫描曝光即可。如此一来，基板保持具的面积即能变小，支承的台亦变小、而使得微动载台全体小型轻量。
本发明，即是在发明人的上述考量下而成，采用了以下的构成。
本发明第1态样提供的第1基板处理装置，是用以处理基板，具备：第1移动体，具有将该基板的一部分在确保平坦度的状态下加以保持的保持部，相对基板处理位置移动于与该基板的面平行的既定面内的至少第1方向；以及步进驱动装置，将该基板在该既定面内驱动于与该第1方向正交的第2方向。
根据此发明，以保持部在确保平坦度的状态下保持基板的一部分的第1移动体相对基板处理位置的第1方向的移动，是在使用步进驱动装置的基板于第2方向移动的前后进行，据以进行对基板上的多个被处理区域的处理因此，能缩小保持基板的保持部、进而使具有该保持部的移动体小型且轻量化。据此，即能提升移动体的位置控制性、并降低基板处理装置的生产成本。
本发明第2态样提供的第2基板处理装置，是用以处理基板，具备：第1移动体，具有保持与水平面平行配置的该基板的被处理面相反侧的面的一部分的保持部，相对基板处理位置，往与该基板的面平行的既定面内的至少第1方向移动；一对第1支承装置，夹着该第1移动体在该既定面内与该第1方向正交的第2方向两侧分别配置，具有将该基板的至少一部分从下方加以支承、与该基板在该第1方向及第2方向的尺寸为同等以上的支承面；以及第1搬送装置，至少在将该基板从该第1移动体搬出时，以该基板于该第2方向位移的方式在该既定面内搬送该基板。
根据此发明，第1移动体的保持部保持基板的与被处理面相反侧的面的一部分。亦即，保持部的基板保持面设定为较基板小。因此，第1搬送装置在将基板从第1移动体搬出时，基板是以于第2方向位移的方式在既定面内被搬送，此时，第1搬送装置仅需使基板往第2方向位移较基板于第2方向的尺寸小的距离，继结束基板的搬出。因此，与现有技术相较，能缩短搬出距离缩短分的基板更换时间。
本发明第3态样提供一种元件制造方法，包含：在第1及第2态样的基板处理装置中的任一者，具备对配置在基板处理位置、经设定的处理区域照射能量束以使通过处理区域的基板曝光的曝光光学系时，使用该基板处理装置使基板曝光的动作，以及使曝光后的上述基板显影的动作。
本发明第4态样提供一种平板显示器的制造方法，包含：在第1及第2态样的基板处理装置中的任一者，具备对配置在基板处理位置、经设定的处理区域照射能量束以使通过处理区域的基板曝光的曝光光学系时，使用该基板处理装置使作为基板的用于平板显示器的基板曝光的动作，以及使曝光后的上述基板显影的动作。
本发明第5态样提供的第1基板处理方法，用以处理基板，包含：将该基板的一部分在确保平坦度的状态下保持于移动体，将该移动体相对基板处理位置驱动于与该基板的面平行的既定面内的第1方向，以对该基板的该一部分内的区域进行既定处理的动作；以及为使该基板上的未处理区域与该移动体对向，而进行将该基板相对该移动体在该既定面内往与该第1方向正交的第2方向驱动既定量的步进驱动的动作。
根据此方法，是通过在进行步进驱动的前后进行既定处理，以处理基板上的多个被处理区域。因此，能使保持基板的移动体小型且轻量化。如此，即能提升移动体的位置控制性、降低基板处理装置的生产成本。
本发明第6态样提供的第2基板处理方法，用以处理基板，包含：将配置成与水平面平行的该基板的与被处理面相反侧的面的一部分在确保平坦度的状态下保持于移动体，将该移动体相对基板处理位置驱动于与该基板的面平行的既定面内的第1方向，以对该基板的该一部分内的区域进行既定处理的动作；以及将施有该既定处理的该基板在该既定面内与该第1方向正交的第2方向，搬送较该基板的该第2方向的尺寸短的距离，将该基板从该移动体搬出的动作。
根据此方法，是将施有既定处理的基板(处理完成的基板)在既定面内与第1方向正交的第2方向搬送较基板于第2方向的尺寸短的距离，来将基板从移动体搬出。因此，与现有技术相较，能缩短搬出距离缩短分的基板更换时间。
本发明第7态样提供的第3基板处理方法，是用以处理基板，包含：将与水平面平行配置的该基板的被处理面相反侧的面在确保平坦度的状态下加以保持的移动体，相对基板处理位置驱动于与该基板的面平行的既定面内的第1方向，以对该基板上的多个被处理区域依序既定处理的动作；以及在根据该多个被处理区域在该基板上的配置与处理顺序所定的该第1方向的位置，往根据该配置与该顺序所定的方向搬送该基板以该移动体搬出的动作。
根据此方法，是将基板在根据基板上被处理区域的配置与处理顺序所定的既定面内的第1方向的位置，搬送于根据上述配置与上述顺序所定的方向，来从移动体搬出。因此，可沿搬出路径最短的路径将基板从移动体搬出。因此，不受基板上被处理区域的配置与处理顺序的拘束，而与恒在一定的第1方向位置往相同方向搬出的情形相较，能缩短基板更换时间。
本发明第8态样提供一种元件制造方法，包含在第5至第7态样的基板处理方法中任一者使基板曝光的方法时，使用该基板处理方法使基板曝光的动作，以及使曝光后的上述基板显影的动作。
本发明第9态样提供一种平板显示器的制造方法，包含：在第5至第7态样的基板处理方法中任一者使基板曝光的方法时，使用该基板处理方法使作为基板的用于平板显示器的基板曝光的动作，以及使曝光后的上述基板显影的动作。
本发明第10态样提供一种曝光方法，使多片基板曝光：于具有可个别保持2片基板的第1及第2保持区域的基板保持装置装载该2片基板，在该2片基板中的一基板的曝光开始至结束为止的期间，进行另一基板的至少一个处理区域的曝光。
根据此方法，与2片基板中的一基板的曝光结束后始开始另一基板的曝光的情形相较，能以更短时间结束对2片基板的曝光。
本发明第11态样提供一种元件制造方法，包含：以第10态样的曝光方法使基板曝光的动作，以及使曝光后的上述基板显影的动作。
本发明第12态样提供一种平板显示器的制造方法，包含：以第10态样的曝光方法使作为基板的用于平板显示器的基板曝光的动作，以及使曝光后的上述基板显影的动作。
本发明第13态样提供一种曝光装置，使基板上的多个区域曝光，具备：基板保持装置，具有可分别保持基板的一部分的第1及第2保持区域；移动体，于一部分设有该基板保持装置，移动于第1方向；以及第1基板运送装置，与该移动体一体的移动于该第1方向，并使该基板移动于与该第1方向交叉的第2方向。
根据此装置，可将2片基板各个的一部分分别装载于基板保持装置的第1保持区域、第2保持区域，上述基板保持装置可与设于其一部分的移动体移动于第1方向以使一基板的一部分的处理区域被扫描曝光的动作并行，使另一基板以第1基板运送装置相对基板保持装置移动于第2方向。如此一来，与针对第1片基板在一个处理区域(未曝光区域)的曝光结束后，使该基板步进移动以使下一个处理区域(未曝光区域)曝光的曝光及步进移动交互更迭以进行该基板的曝光，而针对第2片基板以相同程序进行曝光的情形相较，能缩短2片基板的曝光处理所耗时间。
本发明第14态样提供一种元件制造方法，包含：以第13态样的曝光装置使基板曝光的动作，以及使曝光后的上述基板显影的动作。
本发明第15态样提供一种平板显示器的制造方法，包含：以第13态样的曝光装置使作为基板的用于平板显示器的基板曝光的动作，以及使曝光后的上述基板显影的动作。
附图说明
图1是概略显示第1实施形态的曝光装置的构成的图。
图2是显示第1实施形态的曝光装置的部分省略俯视图。
图3是显示从图1的＋X方向观察第1实施形态的曝光装置、省略了一部分的概略侧视图。
图4是显示以第1实施形态的曝光装置的控制系为中心构成的主控制装置的输出入关系的方块图。
图5是用以说明以第1实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之1)。
图6是用以说明以第1实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之2)。
图7是用以说明以第1实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之3)。
图8是用以说明以第1实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之4)。
图9是用以说明以第1实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之5)。
图10是用以说明以第1实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之6)。
图11是用以说明以第1实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之7)。
图12是用以说明以第1实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之8)。
图13是用以说明以第1实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之9)。
图14是概略显示第2实施形态的曝光装置的构成的图。
图15是省略第2实施形态的曝光装置的一部分的俯视图。
图16是显示从图14的＋X方向观察第2实施形态的曝光装置的部分省略的概略侧视图。
图17是显示第3实施形态的曝光装置所具备的基板载台装置的俯视图。
图18是显示从图17的＋X方向观察第3实施形态的曝光装置的部分省略的概略侧视图
图19是用以说明第3实施形态的变形例的图。
图20是显示第4实施形态的曝光装置所具备的基板载台装置的俯视图。
图21是显示从图20的＋X方向观察第4实施形态的曝光装置的部分省略的概略侧视图
图22是概略显示第5实施形态的曝光装置的构成的图。
图23是显示第5实施形态的曝光装置的部分省略的俯视图。
图24是显示从图22的＋X方向观察第5实施形态的曝光装置的部分省略的概略侧视图
图25是显示第6实施形态的曝光装置的部分省略的俯视图。
图26是显示将第6实施形态的曝光装置的XZ剖面图予以部分省略的图，且是用以说明以该曝光装置进行基板处理时的一连串动作的图(之1)。
图27是用以说明以第6实施形态的曝光装置进行基板处理时的一连串动作的图(之2)。
图28是用以说明以第6实施形态的曝光装置进行基板处理时的一连串动作的图(之3)。
图29是用以说明以第6实施形态的曝光装置进行基板处理时的一连串动作的图(之4)。
图30是概略显示第7实施形态的曝光装置的构成的图。
图31是显示第7实施形态的曝光装置的部分省略的俯视图。
图32是显示从图30的＋X方向观察第7实施形态的曝光装置的侧视图(部分省略、部分以剖面显示的图)。
图33是显示以第7实施形态的曝光装置的控制系为中心构成的主控制装置的输出入关系的方块图。
图34是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之1)。
图35是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之2)。
图36是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之3)。
图37是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之4)。
图38是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之5)。
图39是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之6)。
图40是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之7)。
图41是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之8)。
图42是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之9)。
图43是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之10)。
图44是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之11)。
图45是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之12)。
图46是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之13)。
图47是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之14)。
图48是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之15)。
图49是用以说明以第7实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之16)。
图50是概略显示第8实施形态的曝光装置的构成的图。
图51是显示第8实施形态的曝光装置的部分省略的俯视图。
图52是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之1)。
图53是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之2)。
图54是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之3)。
图55是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之4)。
图56是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之5)。
图57是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之6)。
图58是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之7)。
图59是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之8)。
图60是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之9)。
图61是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之10)。
图62是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之11)。
图63是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之12)。
图64是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之13)。
图65是用以说明以第8实施形态的曝光装置进行的为基板处理的一连串动作的图(之14)。
图66是用以说明使用基板支承构件的变形例的图。
图67是概略显示第9实施形态的曝光装置的构成的图。
图68是显示第9实施形态的曝光装置的部分省略的俯视图。
图69是显示从图67的＋X方向观察第9实施形态的曝光装置的部分省略的概略侧视图。
图70是撷取图68的俯视图的一部分予以放大显示的图。
图71是显示以第9实施形态的曝光装置的控制系为中心构成的主控制装置的输出入关系的方块图。
图72是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之1)。
图73是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之2)。
图74是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之3)。
图75A～图75D是用以说明基板P2的照射区域SA1的曝光与基板P1的Y步进动作的并行处理的图。
图76是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之4)。
图77是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之5)。
图78是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之6)。
图79是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之7)。
图80是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之8)。
图81是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之9)。
图82是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之10)。
图83是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之11)。
图84是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之12)。
图85是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之13)。
图86是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之14)。
图87是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之15)。
图88是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之16)。
图89是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之17)。
图90是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之18)。
图91是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之19)。
图92是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之20)。
图93是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之21)。
图94是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之22)。
图95是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之23)。
图96是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之24)。
图97是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之25)。
图98是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之26)。
图99是以第9实施形态的曝光装置进行的曝光程序说明图(之27)。
图100是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之1)。
图101是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之2)。
图102是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之3)。
图103是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之4)。
图104是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之5)。
图105是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之6)。
图106是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之7)。
图107是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之8)。
图108是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之9)。
图109是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之10)。
图110是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之11)。
图111是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之12)。
图112是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之13)。
图113是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之14)。
图114是以第9实施形态的变形例的曝光装置进行的曝光程序说明图(之15)。
图115是第10实施形态的曝光装置的部分省略的俯视图。
图116是显示从图115的＋X方向观察第10实施形态的曝光装置的部分省略的概略侧视图。
图117是用以说明第10实施形态的曝光装置的效果的图。
图118是显示第10实施形态的变形例的曝光装置的概略侧视图。
图119是显示第10实施形态的变形例的曝光装置的部分省略的俯视图。
图120是概略显示第11实施形态的曝光装置的构成的图。
具体实施方式
《第1实施形态》
以下，根据图1～图13说明第1实施形态。
图1是概略显示第1实施形态的曝光装置100的构成的图，图2显示了省略曝光装置100的一部分的俯视图。图2相当于较图1的投影光学系PL下方的部分(较后述镜筒平台下方的部分)的俯视图。曝光装置100是用于例如平板显示器、液晶显示装置(液晶面板)等的制造。曝光装置100是以用于液晶显示装置的显示面板等的矩形(方型)玻璃基板P(以下，简称为基板P)为曝光对象物的投影曝光装置。
曝光装置100，具备照明系IOP、保持掩膜M的掩膜载台MST、投影光学系PL、搭载有掩膜载台MST及投影光学系PL等的机体BD(图1等中仅显示一部分)、包含保持基板P的微动载台26(基板台)的基板载台装置PST及该等的控制系等。以下，是设曝光时掩膜M与基板P相对投影光学系PL分别相对扫描的方向为X轴方向(X方向)、在水平面内与此正交的方向为Y轴方向(Y方向)、与X轴及Y轴正交的方向为Z轴方向(Z方向)，绕X轴、Y轴及Z轴的旋转(倾斜)方向则分别设为θx、θy及θz方向来进行说明。
照明系IOP，是与例如美国专利第6,552,775号说明书等所揭示的照明系相同的构成。亦即，照明系IOP是使从未图示的光源(例如水银灯)射出的光分别经由未图示的反射镜、分光镜、光闸(shutter)、波长选择滤波器、各种透镜等而作为曝光用照明光(照明光)IL照射于掩膜M。照明光IL，使用例如i线(波长365nm)、g线(波长436nm)、h线(波长405nm)等的光(或上述i线、ｇ线、ｈ线的合成光)。此外，照明光IL的波长可通过波长选择滤波器根据例如所要求的解析度适宜的加以切换。
于掩膜载台MST，以例如真空吸附(或静电吸附)方式固定有其图案面(图1的下面)形成有电路图案等的掩膜M。掩膜载台MST，通过例如固定在其底面的未图示的空气轴承以非接触状态支承在构成机体BD的一部分的未图示的掩膜平台上。掩膜载台MST通过例如包含线性电机的掩膜载台驱动系12(图1中未显示，参照图4)，以既定行程被驱动于扫描方向(X轴方向)并分别适当的被微驱动于Y轴方向及θz方向。掩膜载台MST于XY平面内的位置信息(含θz方向的旋转信息)是以掩膜激光干涉仪系统14(以下，称“掩膜干涉仪系统”)加以测量，此掩膜激光干涉仪系统14包含对设于(或形成于)掩膜载台MST的反射面照射测距光束的多个激光干涉仪。
投影光学系PL在掩膜载台MST的图1中的下方，被支承于机体BD的一部分的镜筒平台16。投影光学系PL具有与例如美国专利第6,552,775号说明书所揭示的投影光学系相同的构成。亦即，投影光学系PL包含掩膜M的图案像的投影区域配置成例如锯齿状的多个投影光学系(多透镜投影光学系)，其功能与具有以Y轴方向为长边方向的单一长方形状像场的投影光学系相等。本实施形态中，多个投影光学系的各个系使用以例如两侧远心的等倍是形成正立正像者。又，以下将投影光学系PL的配置成锯齿状的多个投影区域统称为曝光区域IA。
因此，当掩膜M上的照明区域被来自照明系IOP的照明光IL照明时，即藉由通过掩膜M的照明光IL，通过投影光学系PL将该照明区域内的掩膜M的电路图案的投影像(部分正立像)形成于配置在投影光学系PL的像面侧、表面涂有光阻剂(感应剂)的基板P上与上述照明区域共轭的照明光IL的照射区域(曝光区域)IA。并通过掩膜载台MST与保持基板P的后述基板保持具PH(微动载台26)的同步驱动，相对照明区域(照明光IL)使掩膜M移动于扫描方向(X轴方向)并相对曝光区域(照明光IL)使基板P移动于扫描方向(X轴方向)，进行基板P上1个照射(shot)区域(区划区域)的扫描曝光，于该照射(shot)区域转印掩膜M的图案。亦即，曝光装置100通过照明系IOP及投影光学系PL于基板P上生成掩膜M的图案，通过使用照明光IL的基板P上感应层(光阻层)的曝光于基板P上形成该图案。
机体BD，如图2及将从＋X方向观察曝光装置100的概略侧视图的一部分省略的图3所示，具备：由在地面F上于X轴方向相隔既定距离彼此平行且以Y轴方向为长边方向配置的长方体构件构成的一对(2个)基板载台架台(以下，简称为架台)18、于一对架台18上通过一对侧框20被支承为水平的镜筒平台16、以及未图示的掩膜平台。又，架台18并不限于2个，可以是1个、亦可以是3个以上。
各架台18是通过多个防振装置22设置在地面F上(参照图1及图3)。一对侧框20，如图2及图3所示，各个侧框20的下端分别连接于一对架台18上面的Y轴方向一端部与另一端部。镜筒平台16由与XY平面平行配置的以Y轴方向为长边方向的长方体状构件构成，在一对架台18上Y轴方向的两端部被一对侧框20从下方支承。
基板载台装置PST，如图1所示，具有粗动载台部24、微动载台26及重量抵销装置28等。重量抵销装置28，如图1及图3所示，配置在配置于一对架台18上与X导件82的XY平面平行的上面上。
粗动载台部24，如图3所示，具有2支(一对)X梁30A、30B、2个(一对)粗动台32A、32B、以及将2支X梁30A、30B的各个分别在地面F上加以支承的多个脚部34。
X梁30A、30B的各个由延伸于X轴方向、YZ剖面为矩形框状且内部具有肋部的中空构件构成，于Y轴方向以既定间隔彼此平行的配置(参照图1～图3)。X梁30A、30B的各个，如图1中针对X梁30A所示，在长边方向(X轴方向)两端部近旁与中央部的3处，通过3个脚部34于地面F上、从下方相对一对架台18以非接触加以支承。如此，粗动载台部24即相对一对架台18在振动上分离。又，脚部34的配置及数量可任意设定。此外，X梁30A、30B并不限于中空构件，可以是中实构件、亦可以是YZ剖面为I型的棒状构件。
于X梁30A、30B各个的上面，于Y轴方向以既定间隔彼此平行的固定有多个支(例如2支(一对))延伸于X轴方向的X线性导件36。又，在X梁30A、30B各个的上面、一对X线性导件36间的区域，固定有延伸于X轴方向的X固定子38A、38B。X固定子38A、38B的各个，具有包含例如于X轴方向以既定间隔排列的多个永久磁石的磁石单元。本实施形态中，如图2及图3所示，X梁30A、30B的剖面形状，虽＋Y侧的X梁30A较－Y侧的X梁30B的宽度大、亦即Y轴方向的长度较长，但亦可以是相同形状。
粗动台32A、32B，如图3所示，分别的配置在X梁30A、30B各个的上方。位于－Y侧的粗动台32B由俯视矩形的板状构件构成，位于＋Y侧的粗动台32A则由－Y侧端部具有凹部的俯视U字形的板状构件构成。图3中，粗动台32A与后述重量抵销装置28皆是部分的以剖面图显示。于粗动台32A、32B各个的下面，如图3所示，固定有与固定在X梁30A、30B各个的X固定子38A、38B隔着既定间隙(gap、clearance)对向的X可动子40A、40B。X可动子40A、40B的各个，例如包含未图示的线圈单元，与X固定子38A、38B一起分别构成将粗动台32A、32B以既定行程驱动于X轴方向的X线性电机42A、42B。
又，于粗动台32A、32B各个的下面，如图3所示，固定有包含未图示的滚动体(例如，多个球等)、对各X线性导件36以可滑动的方式卡合的多个滑件44。滑件44，对各X线性导件36于X轴方向以既定间隔设有例如4个(参照图1)，于粗动台32A、32B各个的下面，固定有例如合计8个滑件44。粗动台32A、32B的各个，通过包含X线性导件36与滑件44的多个X线性导件装置，直进引导于X轴方向。
此外，图1～图3中虽未图示，于X梁30A、30B的各个固定有以X轴方向为周期方向的X标尺(scale)，于粗动台32A、32B的各个，则固定有构成使用X标尺以求出粗动台32A、32B于X轴方向的位置信息的X线性编码器系统46A、46B(参照图4)的编码器读头。
粗动台32A、32B于X轴方向的位置，是根据上述编码器读头的输出以主控制装置50(参照图4)加以控制。又，虽然同样的于图1至图3中未图示，但于粗动台32A、32B的各个，安装有用以测量微动载台26对粗动台32A、32B于X轴及Y轴方向的相对移动量(相对位移量)的间隙感测器48A、48B(参照图4)等。主控制装置50，在以间隙感测器48A、48B测量的相对移动量达成既定限制值的情形时，立即停止微动载台26及粗动台32A、32B。当然，亦可取代间隙感测器48A、48B或再加上以机械方式限制微动载台26相对粗动台32A、32B的可移动量的机械制动器构件。
此处，说明顺序虽略有倒置，但接着说明微动载台26。微动载台26，由图1及图3可知，是由俯视矩形的板状(或箱形)构件构成，于其上面搭载基板保持具PH。基板保持具PH，其X轴方向的长度与基板P同等，Y轴方向的宽度(长度)则为基板P的约1／2(参照图2)。基板保持具PH，将基板P的一部分(此处，是基板P的Y轴方向约1／2部分)以例如真空吸附(或静电吸附)方式加以吸附保持，并可向上喷出加压气体(例如高压空气)以该喷出压力从下方以非接触(悬浮)方式支承基板P的一部分(基板P的约1／2)。基板保持具PH对基板P的高压空气的喷出与真空吸附的切换，是通过将基板保持具PH切换连接于未图示的真空泵与高压空气源的保持具吸排气切换装置51(参照图4)，以主控制装置50加以进行。
微动载台26可被包含多个音圈电机(或线性电机)的微动载台驱动系52(参照图4)，在粗动台32A上微驱动于6自由度方向(X轴、Y轴、Z轴、θx、θy及θz的各方向)。
详言之，如图1所示，于粗动台32A的＋X侧端部上面，通过支承构件33设有固定子56，与此对向的，于微动载台26的＋X侧侧面与固定子56一起固定有构成X音圈电机54X的可动子58。此处，实际上，是将相同构成的X音圈电机54X于Y轴方向相隔既定距离设置一对。
又，如图3所示，在粗动台32A上面于Y轴方向的大致中央位置，通过支承构件35设有固定子60，与此对向的，于微动载台26的＋Y侧侧面，与固定子60一起固定有构成Y音圈电机54Y的可动子62。此处，实际上，是将相同构成的Y音圈电机54Y于X轴方向相隔既定距离设置一对。
微动载台26，是通过主控制装置50，使用一对X音圈电机54X被支承于后述重量抵销装置28而与粗动台32A同步驱动(与粗动台32A于同方向以同速度驱动)，据以和粗动台32A一起以既定行程移动于X轴方向，使用一对Y音圈电机54Y加以驱动，来相对粗动台32A以微小行程移动于Y轴方向。
又，微动载台26，是通过控制装置50，使一对X音圈电机54X的各个或一对Y音圈电机54Y的各个产生彼此反方向的驱动力，来相对粗动台32A移动于θz方向。
本实施形态中，通过上述X线性电机42A、42B与微动载台驱动系52的各一对的X音圈电机54X及Y音圈电机54Y，可使微动载台26相对投影光学系PL(参照图1)于X轴方向以长行程移动(粗动)，且于X轴、Y轴及θz方向的3自由度方向微少移动(微动)。
又，微动载台驱动系52，如图1所示，具有用以将微动载台26微驱动于其余3自由度方向(θx、θy及Z轴的各方向)的多个、例如4个Z音圈电机54Z。多个Z音圈电机54Z的各个由固定在粗动台32A上面的固定子59、与固定在微动载台26下面的可动子57构成，配在对应微动载台26下面的四个角部处(图1中，仅显示4个Z音圈电机54Z中的2个，其他2个则省略图示。此外，图3中仅显示4个Z音圈电机54Z中的1个，其他3个则省略图示)。上述各音圈电机54X、54Y、54Z的固定子全部安装在粗动台32A。各音圈电机54X、54Y、54Z可以是动磁型、或动圈型的任一种。又，关于用以测量微动载台26的位置的位置测量系，留待后叙。
于粗动台32A、32B各个的上方，如图2及图3所示，配置了具有俯视矩形的支承面(上面)的4个气浮单元84，分别通过支承构件86固定在粗动台32A、32B的上面。
各气浮单元84的支承面(上面)，是多孔质体或具有机械的多个微小孔的盘式(thrust type)空气轴承构造。各气浮单元84通过来自气体供应装置85(参照图4)的加压气体(例如高压空气)的供应，而能将基板P的一部分悬浮支承。对各气浮单元84的高压空气的供应的on/off，是以图4所示的主控制装置50控制。此处，图4中，为求制图的方便而仅显示了单一气体供应装置85，但不限于此，可使用对各气浮单元84个别的供应高压空气的与气浮单元84同数的气体供应装置，或使用分别连接于多个气浮单元84的2个以上的气体供应装置。图4中，代表性的仅显示单一的气体供应装置85。无论何者，皆是由主控制装置50分别的控制气体供应装置85对各气浮单元84的高压空气的供应的on/off。
安装于粗动台32A、32B各个的各4个气浮单元84是配置在基板保持具PH的Y轴方向两侧。各气浮单元84的上面设定成与基板保持具PH的上面同高、或略低。
如图2所示，配置在基板保持具PH的Y轴方向一侧与另一侧的各4个气浮单元84，是在俯视与基板保持具PH大致相同面积(亦即基板P的约1／2)的矩形区域内，于X轴方向相距既定间隔、且于Y轴方向相隔些微间隙而以2行2列方式配置。此场合，上述各4个气浮单元84可将基板P的约1／2加以悬浮支承。
由上述说明可知，本实施形态中，可通过基板保持具PH与和基板保持具PH的两侧(±Y侧)相邻的各2个气浮单元84将基板P全体加以悬浮支承。此外，亦可通过基板保持具PH与基板保持具PH的单侧(＋Y侧或－Y侧)的4个气浮单元84将基板P全体加以悬浮支承。
上述基板保持具PH两侧(±Y侧)的各4个气浮单元84，可置换为俯视与基板保持具PH大致相同面积的1个大型的气浮单元，亦可将排列于Y轴方向的各2个气浮单元84分别置换为大致相同面积的1个气浮单元。不过，为确保后述基板Y步进运送装置的适当的配置空间，基板保持具PH的＋Y侧的气浮单元以整体与基板保持具PH在Y轴方向长度相同且具有X轴方向长度较基板保持具PH略短的矩形支承面、至少于X轴方向被2分割者较佳。
基板Y步进运送装置88是用以保持基板P使其往Y轴方向移动的装置，配置在基板保持具PH的＋Y侧4个气浮单元84中、＋X侧与－X侧的各2个气浮单元84彼此之间。基板Y步进运送装置88通过支承构件89固定于粗动台32A(参照图3)。
基板Y步进运送装置88，如图3所示，具备吸附基板P的背面往Y轴方向移动的可动部88a与固定于粗动台32A的固定部88b。可动部88a，例如是通过由设在可动部88a的可动子与设在固定部88b的固定子构成的线性电机所构成的驱动装置90(图3中未图示，参照图4)，相对粗动台32A被驱动于Y轴方向。于基板Y步进运送装置88，设有测量可动部88a的位置的编码器等的位置读取装置92(图3中未图示，参照图4)。又，驱动装置90并不限于线性电机，亦可由以使用滚珠螺杆或皮带的旋转电机作为驱动源的驱动机构构成。
基板Y步进运送装置88的可动部88a的Y轴方向移动行程为基板P的Y轴方向长度的约1／2，可吸附基板P的背面使基板P的曝光对象区域的全域位于基板保持具PH上。因此，在每一次基板P的Y轴方向的步进运送时，相对投影光学系PL的曝光区域IA将保持于基板保持具PH的基板P扫描于X轴方向，其结果，即能使基板P的曝光对象区域的全域曝光。
又，基板Y步进运送装置88的可动部88a(基板吸附面)由于需要吸附基板P的背面、或解除吸附而从基板P分离，因此亦能通过驱动装置90微驱动于Z轴方向。
又，本实施形态中，基板Y步进运送装置88虽是安装在粗动台32A，但不限于此，亦可安装于微动载台26。此外，上述说明中，由于基板Y步进运送装置88的可动部88a需进行与基板P的分离、接触，因此设定成亦能于Z轴方向移动，但不限于此，为进行可动部88a(基板吸附面)对基板P的吸附及与基板P的分离，亦可使微动载台26移动于Z轴方向。
重量抵销装置28，如图1及图3所示，由延伸于Z轴方向的柱状构件构成，亦称为心柱。重量抵销装置28通过后述称为调平装置的装置从下方支承微动载台26。重量抵销装置28配置在粗动台32A的凹部内，其上半部较粗动台32A(及32B)露出于上方，其下半部较粗动台32A(及32B)露出于下方。
重量抵销装置28，如图3所示，具有筐体64、空气弹簧66及Z滑件68等。筐体64由＋Z侧开口的有底筒状构件构成。于筐体64的下面，安装有轴承面朝向－Z侧的多个空气轴承(以下，称基垫(base pad))70。空气弹簧66被收容在筐体64的内部。于空气弹簧66，从外部供应加压气体(例如高压空气)。Z滑件68由延伸于Z轴方向、例如低高度的圆柱状构件构成，插入筐体64内，装载于空气弹簧66上。于Z滑件68，设有用以限制Z轴方向以外方向的运动的导件(未图示)。作为此导件，是使用例如空气轴承、或平行板弹簧等。平行板弹簧是由例如与XY平面平行的厚度较薄的弹性钢板等构成，例如使用6片板弹簧构成。将6片板弹簧中的3片板弹簧在Z滑件68上端部周围的3处配置成放射状，将其余3片板弹簧在Z滑件68下端部周围的3处以和上述3片板弹簧于上下方向重叠的方式，配置成放射状。并将各板弹簧的一端部安装在Z滑件68的外周面，将另一端部安装于筐体64。通过平行板弹簧的使用，以板弹簧的挠曲量决定行程，因此Z滑件68可作成于Z轴方向较短、亦即作为成低高度的构造。不过，Z滑件68无法像以空气轴承构成导件的场合般，对应较长的行程。于Z滑件68的上部(＋Z侧端部)，安装有轴承面朝向＋Z侧的未图示的空气轴承(以下，称密封垫seaking pad))。又，于筐体64周围，如图1及图3所示，固定有配置成放射状的多个腕71。于各腕71的前端部上面设有靶板72，此靶板72是用于安装在微动载台26下面的多个反射型光感测器(亦称水准感测器)74的各个。反射型光感测器74，实际上，是配置于不在一直线上的3处以上。通过此等多个反射型光感测器74，构成测量微动载台26的Z轴方向位置及倾斜量(θx及θy方向的旋转量)的Z倾斜测量系76(参照图4)。又，图3中为避免图面的错综复杂，反射型光感测器74仅显示1个。
调平装置78是将微动载台26倾斜自如(相对XY平面于θx及θy方向摆动自如)的加以支承的装置。调平装置78是具有固定部78a(图3中以长方体构件示意的显示)与可动部78b(图3中以球状构件示意的显示)的球面轴承、或拟似球面轴承构造体，固定部78a可一边从下方支承可动部78b、一边以微行程使可动部78b以水平面内的轴(例如X轴与Y轴)倾斜。此场合，可在例如固定部78a的上面形成容许可动部78b的θx方向及θy方向的倾斜的凹部。
可动部78b的上面(球面上半部)固定于微动载台26，使微动载台26可相对固定部78a倾动。固定部78a的下面被作成水平的平面，作为重量抵销装置28的上述密封垫的引导面，具有较密封垫全体的轴承面略大的面积。此外，固定部78a被安装在重量抵销装置28的Z滑件68的密封垫从下方非接触支承。
重量抵销装置28，通过空气弹簧66产生的重力方向朝上的力，通过Z滑件68及调平装置78来抵消(cancel)包含微动载台26的系的重量(重力方向朝下的力)，据以减轻上述多个Z音圈电机54Z的负载。
重量抵销装置28通过一对连结装置80连接于粗动台32A(参照图1)。一对连结装置80的Z位置与重量抵销装置28于Z轴方向的重心位置大致一致。各连结装置80包含与XY平面平行的薄厚度的钢板等，亦称为弯曲(flexure)装置。一对连结装置80的各个配置成与重量抵销装置28的＋X侧与－X侧彼此对峙。各连结装置80配置在重量抵销装置28的筐体64与粗动台32A之间配置成与X轴平行，将两者连结。因此，重量抵销装置28通过一对连结装置80的任一者被粗动台32A牵引，而与粗动台32A一体的往X轴方向移动。此外，以非接触方通过调平装置78被支承于重量抵销装置28的上部构成部分(微动载台26及基板保持具PH等)，通过一对X音圈电机54X的驱动而与粗动台32A一体的往X轴方向移动。此时，于重量抵销装置28，由于在包含与该Z轴方向的重心位置的XY平面平行的平面内会作用牵引力，因此不会有绕与移动方向(X轴)正交的轴(Y轴)的力矩(pitching moment)的作用。
如上所述，本实施形态中，包含粗动台32A、32B、重量抵销装置28、微动载台26及基板保持具PH等构成与基板P一体(保持基板P的一部分)移动于X轴方向的移动体(以下，适当的称基板载台(26、28、32A、32B、PH))。
又，关于包含调平装置78、连结装置80，本实施形态的重量抵销装置28的详细构成，已揭示于例如美国专利申请公开第2010／0018950号说明书(不过，本实施形态中，由于重量抵销装置28不往Y轴方向移动，因此无需Y轴方向的连结装置)。此外，虽未图示，但为避免重量抵销装置28单独的往Y轴方向移动，亦可通过Y轴方向的连结装置等来设一限制。
X导件82，如图1及图2所示，具有以X轴方向为长边方向的长方体形状。X导件82是在上述一对架台18的上面(＋Z侧面)，以横越一对架台18的方式配置并固定。X导件82的长边方向(X轴方向)尺寸设定为较在X轴方向以既定间隔配置的一对架台18各于X轴方向的尺寸、与一对架台18间的间隙的X轴方向尺寸的和略长(大致同等)。
X导件82的上面(＋Z侧的面)与XY平面平行且被作成平坦度非常的高。于X导件82上，如图1及图3所示，搭载重量抵销装置28，通过基垫70被悬浮支承(以非接触状态支承)。X导件82的上面被调整为与水平面(XY平面)大致平行，其功能是作为重量抵销装置28移动时的引导面。X导件82的长边方向尺寸被设定为较重量抵销装置28(亦即粗动台32A)的X轴方向可移动量略长。X导件82的上面的宽度方向尺寸(Y轴方向尺寸)被设定成可与多个基垫70所有的轴承面对向的尺寸(参照图3)。X导件82的材质及制造方法虽无特别限定，例如有以铸铁等的铸造形成的情形、以石材(例如辉长岩)形成的情形、以陶瓷或CFRP(Carbon Fiver Reinforced Plastics)材等形成的情形等。又，X导件82是以中实构件或内部具有肋部的中空构件、形状为长方体的构件形成。又，X导件82不限于长方体构件，亦可以是YZ剖面为I型的棒状构件。
于基板保持具PH的－X侧侧面，如图1及图2所示，通过未图示的反射镜保持部件固定有由具有与X轴正交的反射面的平面反射镜(或角隅棱镜)构成的一对X移动镜94X1、94X2。此处，一对X移动镜94X1、94X2亦可通过支座固定于微动载台26。
于微动载台26的－Y侧侧面，如图3所示，通过反射镜保持部件96固定有由具有与Y轴正交的反射面的长条状平面反射镜构成的Y移动镜94Y。微动载台26(基板保持具PH)的XY平面内的位置信息，以使用一对X移动镜94X1、94X2及Y移动镜94Y的激光干涉仪系统(以下，称基板载台干涉仪系统)98(参照图4)，以例如0.5～1nm程度的分解能力随时加以检测。又，实际上，基板载台干涉仪系统98，如图2及图4所示，具备对应一对X移动镜94X1、94X2的X激光干涉仪(以下，简称为X干涉仪)98X及对应Y移动镜94Y的Y激光干涉仪(以下，简称为Y干涉仪)98Y。X干涉仪98X及Y干涉仪98Y的测量结果被供应至主控制装置50(参照图4)。
X干涉仪98X，如图1所示，是以和一对X移动镜94X1、94X2对向的高度安装在一端固定在X导件82(或－X侧的架台18)的L字型干涉仪柱102的上端。作为X干涉仪98X，可使用对一对X移动镜94X1、94X2的各个分别照射干涉仪光束(测量光束)的一对干涉仪，亦可使用射出照射于一对X移动镜94X1、94X2各个的2条测量光束(测长光束)的多轴干涉仪。以下，是设定以多轴干涉仪来构成X干涉仪98X。
Y干涉仪98Y，如图3所示，配置在2个粗动台32A、32B之间，以和Y移动镜94Y对向的方式固定在下端固定于架台18的支承构件104上面。作为Y干涉仪98Y，可使用对Y移动镜94Y分别照射干涉仪光束(测量光束)的一对干涉仪，亦可使用对Y移动镜94Y照射2条测量光束的多轴干涉仪。以下，是设定以多轴干涉仪来构成Y干涉仪98Y。
此场合，由于Y干涉仪98Y于Z轴方向位于较基板P表面(于曝光时，是以此面与投影光学系PL的像面一致的方式，进行基板P的聚焦、调平控制)低的位置，因此Y位置的测量结果中会包含X轴方向移动时的微动载台26的姿势变化(rolling)造成的阿贝误差。此场合，虽未图示，但作为Y干涉仪98Y，亦可使用对Y移动镜94Y照射除了于X轴方向分离的2条测量光束外，亦包含相对此2条测量光束于Z轴方向分离的至少1条测量光束的3条干涉仪光束(测量光束)的多轴干涉仪。主控制装置50可藉该多轴干涉仪检测微动载台26的横摇(rolling)量，根据该检测结果，进行以Y干涉仪98Y测出的Y位置测量结果中所含的上述阿贝误差的修正。
又，微动载台26于θx、θy及Z轴方向的位置信息，是通过上述Z倾斜测量系76(固定在微动载台26下面的不在一直线上的3处以上的反射型光感测器74)，使用上述腕71前端的靶板72来加以求出。包含Z倾斜测量系76、上述微动载台26的位置测量系的构成，已揭示于例如美国专利申请公开第2010／0018950号说明书。因此，作为Y干涉仪98Y在使用不检测微动载台26的横摇量的型式的干涉仪的场合等，主控制装置50可根据以Z倾斜测量系76求出的微动载台26于θy方向的位置信息(横摇量)，进行以Y干涉仪98Y测量出的Y位置测量结果中所含的上述阿贝误差的修正。
除此之外，亦可不测量单一微动载台26于θx、θy及Z轴方向的位置信息，而通过固定在可视为与投影光学系PL一体的微动载台26上方的构件(机体BD的一部分，例如镜筒平台16)的未图示的斜入射方式的多点焦点位置检测系(焦点感测器)，从上方直接测量基板P于θx、θy及Z轴方向的位置信息。当然，亦可测量基板P与微动载台26于θx、θy及Z轴方向的位置信息。
在位于基板保持具PH上方的镜筒平台16的下端部，虽未图示，但设有多个对准检测系。对准检测系于X轴于Y轴方向以既定间隔配置有多个。基板保持具PH通过微动载台26的X轴方向的移动，而能通过多个对准检测系之下。至少一部分的对准检测系，可作成能根据基板P上图案区域的配置(照射数、取面数)而变更其XY方向的位置。
各对准检测系，具有例如具备CCD摄影机的显微镜，当预先设置在基板P的既定位置的对准标记进入显微镜的视野内时，即通过影像处理进行对准测量，将对准标记的位置信息(位置偏移信息)送至控制基板载台装置PST的可动部的位置的主控制装置50。
图4中，显示了以曝光装置100的控制系为中心构成、统筹控制构成各部的主控制装置50的输出入关系的方块图。图4中是显示与基板载台是相关连的构成各部。主控制装置50包含工作站(或微计算机)等，统筹控制曝光装置100的构成各部。
其次，说明以上述方式构成的本实施形态的曝光装置100进行的基板处理的一连串的动作。此处，作为一例，是针对对基板P进行第2层后的曝光的情形，根据图5～图13加以说明。又，图5～图13中所示的曝光区域IA，是曝光时照明光IL通过投影光学系PL照射的照明区域，实际上，在曝光以外时是不会形成的，但为使基板P与投影光学系PL间的位置关系明确，皆加以显示。
首先，在主控制装置50的管理下，通过未图示的掩膜搬送装置(掩膜装载器)进行将掩膜M装载至掩膜载台MST上的装载动作，并通过未图示的基板搬入装置，进行将基板P搬入(投入)基板载台装置PST上的动作。于基板P，在前层以前的曝光时，例如图5所示，除多个、例如4个照射区域SA1～SA4之外，于每一照射区域设有与各照射区域的图案同时被转印的多个对准标记(未图示)。
往基板载台装置PST上的搬入时，基板P，如图5所示，被装载成跨于基板保持具PH与基板保持具PH的＋Y侧的4个气浮单元84，基板保持具PH吸附固定基板P的一部分(整个基板P的约1／2)，4个气浮单元84则悬浮支承基板P的一部分(整个基板P其余的约1／2)。此时，为使基板P上的至少2个对准标记能进入任一对准检测系的视野、且位于基板保持具PH上，是将基板P装载成跨在基板保持具PH与基板保持具PH＋Y侧的4个气浮单元84。
之后，由主控制装置50以和现有相同的对准测量方法，求出微动载台26相对投影光学系PL的位置、与基板P相对微动载台26的大致的位置。又，基板P相对于微动载台26的对准测量可省略。
接着，主控制装置50根据上述测量结果，通过粗动台32A驱动微动载台26使基板P上的至少2个对准标记移动至任一对准检测系的视野内，进行基板P相对于投影光学系PL的对准测量，根据其结果，求助为进行基板P上的照射区域SA1的曝光的扫描开始位置。此处，为进行曝光的扫描，由于包含扫描曝光时的等速移动区间前后的加速区间及减速区间，因此严格来说，扫描开始位置是加速开始位置。接着，主控制装置50驱动粗动台32A、32B且微驱动微动载台26，将基板P定位在该扫描开始位置(加速开始位置)。此时，如图5中的十字箭头所示，进行微动载台26(基板保持具PH)相对粗动台32A的X轴、Y轴及θz方向(或6自由度方向)的精密的微定位驱动。图5中，显示了以此方式刚完成将基板P定位在用以进行基板P上照射区域SA1曝光的扫描开始位置(加速开始位置)的状态。
之后，进行步进扫描方式的曝光动作。
步进扫描方式的曝光动作，是对基板P上的多个照射区域SA1～SA4依序进行曝光处理。基板P，于扫描动作时是于X轴方向加速既定加速时间，之后等速驱动既定时间(此等速驱动中进行曝光(扫描曝光))，之后进行与加速时间相同时间的减速(以下，将此基板P的一连串动作称为X扫描动作)。又，基板P于步进动作时(照射区域间移动时)，是适当的被驱动于X轴或Y轴方向(以下，分别称X步进动作、Y步进动作)。本实施形态中，各照射区域SAn(n＝1、2、3、4)的最大曝光宽度(Y轴方向的宽度)为基板P的约1／2。
具体而言，曝光动作是如下进行。
从图5的状态，基板载台(26、28、32A、32B、PH)如图5中涂白箭头所示被驱动向－X方向，以进行基板P的X扫描动作。此时，掩膜M(掩膜载台MST)与基板P(微动载台26)同步被驱动向－X方向，而照射区域SA1通过投影光学系PL的掩膜M的图案的投影区域的曝光区域IA，因此，在此时进行对照射区域SA1的扫描曝光。扫描曝光是在微动载台26(基板保持具PH)往－X方向的加速后的等速移动中，透过掩膜M、投影光学系PL对基板P照射照明光IL来进行。
于上述X扫描动作时，主控制装置50在将基板P的一部分(基板P全体的约1／2)吸附固定于被搭载于微动载台26的基板保持具PH、并将基板P的一部分(基板P全体的约1／2)悬浮支承在粗动台32A上的4个气浮单元84上的状态下，驱动基板载台(26、28、32A、32B、PH)。此时，主控制装置50根据X线性编码器系统46A、46B的测量结果，通过X线性电机42A、42B将粗动台32A及32B驱动于X轴方向，并根据基板载台干涉仪系统98及／或Z倾斜测量系76的测量结果，驱动微动载台驱动系52(各音圈电机54X、54Y、54Z)。如此，基板P即与微动载台26成一体，在悬浮支承于被重量抵销装置28上的状态下被粗动台32A牵引而移动于X轴方向，并通过来自粗动台32A的相对驱动，而在X轴、Y轴、Z轴、θx、θy及θz的各方向(6自由度方向)被精密的进行位置控制。又，主控制装置50在X扫描动作时，与微动载台26(基板保持具PH)同步，根据掩膜干涉仪系统14的测量结果，将保持掩膜M的掩膜载台MST扫描驱动于X轴方向，且微驱动于Y轴方向及θz方向。图6中显示了对照射区域SA1的扫描曝光结束，保持基板P的一部分的基板载台(26、28、32A、32B、PH)处于停止的状态。
其次，主控制装置50为进行次一曝光的加速，如图6中涂白箭头所示，进行将基板P往＋X方向略微驱动的基板P的X步进动作。基板P的X步进动作，是由主控制装置50在与X扫描动作相同的状态下驱动(不过，移动中的位置偏差并不如扫描动作时严密的加以限制)基板载台(26、28、32A、32B、PH)来进行。图7中显示了基板载台(26、28、32A、32B、PH)移动至用以进行照射区域SA2的曝光的扫描开始位置的状态。主控制装置50，与基板P的X步进动作并行，使掩膜载台MST回到加速开始位置。
接着，主控制装置50，如图7中涂白箭头所示，开始基板P(基板载台(26、28、32A、32B、PH))与掩膜M(掩膜载台MST)的－X方向加速，以和上述同样的进行对照射区域SA2的扫描曝光。图8中显示了对照射区域SA2的扫描曝光结束，基板载台(26、28、32A、32B、PH)停止的状态。
其次，进行用以使基板P的未曝光区域移动至基板保持具PH上的Y步进动作。此基板P的Y步进动作，是由主控制装置50以基板Y步进运送装置88的可动部88a吸附保持处于图8所示状态的基板P的＋Y侧端部背面，并解除基板保持具PH对该基板P的吸附后，在通过来自基板保持具PH的高压空气的排气与气浮单元84接着的高压空气的排气使基板P悬浮的状态下，将基板Y步进运送装置88的可动部88a，如图9中涂黑箭头所示，往－Y方向驱动来据以进行。如此，相对基板保持具PH仅基板P往－Y方向移动，基板P的未曝光的照射区域SA3、SA4成为与基板保持具PH上对向、跨在基板保持具PH与－Y侧的4个气浮单元84而装载的状态。此时，基板P是被基板保持具PH与气浮单元84悬浮支承。接着，由主控制装置50将基板保持具PH从排气切换成吸气(吸引)。据此，成为以基板保持具PH吸附固定基板P的一部分(基板P全体的约1／2)、而以4个气浮单元84悬浮支承基板P的一部分(基板P全体的其余约1／2)的状态。紧接着在以上述基板保持具PH对基板P的吸附动作开始后，由主控制装置50解除基板Y步进运送装置88对基板P的吸附。
接着，进行基板P相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P上预先设置的次一照射区域用对准标记的测量。于此对准测量时，视需要进行上述基板P的X步进动作(参照图9中的涂白箭头)，以使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内。
基板P相对投影光学系PL的新的对准测量后，即由主控制装置50根据该结果，如图10中十字箭头所示，进行微动载台26相对粗动台32A的X轴、Y轴及θz方向(或6自由度方向)的精密的微定位驱动。
接着，由主控制装置50，如图10中涂白箭头所示，开始基板P与掩膜M的＋X方向的加速，进行与上述同样的对照射区域SA3的扫描曝光。图11中显示了对照射区域SA3的扫描曝光结束、基板载台(26、28、32A、32B、PH)停止的状态。
其次，为进行次一曝光的加速，由主控制装置50进行将基板载台(26、28、32A、32B、PH)，如图11中涂白箭头所示，略往－X方向驱动的X步进动作。图12中显示了基板载台(26、28、32A、32B、PH)移动至为进行照射区域SA4的曝光的扫描开始位置的状态。
接着，由主控制装置50，如图12中涂白箭头所示，开始基板P与掩膜M的＋X方向加速，以和上述同样的进行对照射区域SA4的扫描曝光。图13中显示了对照射区域SA4的扫描曝光结束、基板载台(26、28、32A、32B、PH)停止的状态。
如上所述，本实施形态的曝光装置100，通过反复扫描曝光与步进动作，据以进行对基板P全体(基板上的所有照射区域SA1～SA4)的曝光(掩膜M的图案的重叠转印)。
此处，对基板P上照射区域SA1～SA4的曝光顺序及扫描方向并不限于上述顺序、方向。此外，为了仅在掩膜载台MST与微动载台26往X轴方向的等速同步移动时进行透过投影光学系PL的照明光IL对基板P上的照射，亦进行未图示的遮蔽叶片(masking blade)的位置、或光闸的开关等。又，亦可将遮蔽叶片的开口宽度作成可变，以构成能变更曝光区域IA的宽度。
如以上的说明，本实施形态的曝光装置100，在装载基板P、并确保该基板P的平坦度的状态下加以吸附保持的基板保持具PH的基板保持面(基板装载面)，仅须现有基板保持具的约1／2面积即足够，因此可使基板保持具PH小型、轻量化。此外，用以支承经轻量化的基板保持具PH的微动载台26亦能小型、轻量化，而能提升使用各音圈电机54X、54Y、54Z进行的微动载台26的高速、高加减速驱动及位置控制性。又，由于基板保持具PH经小型化，因此能缩短该基板保持部的平面度加工时间、提升加工精度。再者，本实施形态中，由于微动载台26于Y轴方向不进行步进移动，而是通过粗动台32A上的基板Y步进运送装置88仅使基板P往Y轴方向以较低的精度步进移动，因此亦能使粗动台32A的构造简单且小型、轻量、低成本化。
本实施形态的曝光装置100所具备的基板载台装置PST，对于在基板P于交叉扫描方向(Y轴方向)配置多个照射区域的多面配置是非常有效的。
又，上述实施形态中，分别配置在基板保持具PH的＋Y侧及－Y侧的气浮单元的基板支承面面积(合计面积)，并不一定须为基板P的约1／2，此外，其交叉扫描方向的尺寸亦不一定须为基板P的约1／2尺寸。亦即，可以具有更小面积、尺寸的基板支承面的气浮单元来使基板P悬浮。此场合，作为气浮单元，可采用使气体刚性高的空气轴承构造，亦可采用气体刚性低的空气轴承构造并以负载容量大的风扇来产生气流、通过该气流使基板P悬浮的方式。
《第2实施形态》
其次，针对第2实施形态，根据图14～图16加以说明。此处，与上述第1实施形态相同或同等的构成部分赋予相同或类似符号，并简化或省略其说明。
图14中概略显示了第2实施形态的曝光装置200的构成，图15中显示了省略曝光装置200的一部分的俯视图。又，图16中显示了从＋X方向观察曝光装置200的部分省略的概略侧视图。不过，图16中，与上述图3同样的，粗动台32A是以剖面图显示。
本第2实施形态的曝光装置200，除了取代上述基板载台装置PST而设置基板载台装置PSTa的点与上述第1实施形态相异外，其他部分的构成等与上述第1实施形态相同。
基板载台装置PSTa，由图15及图16可知，与上述基板载台装置PST的相异处在于去掉了上述基板载台装置PST所具备的2个粗动台32A、32B中的－Y侧的粗动台32B，并随之将基板保持具PH－Y侧的气浮单元作成固定型而非可动。以下，以相异处为中心，说明第2实施形态的基板载台装置PSTa。
于基板保持具PH的－Y侧，如图15所示，气浮单元84A与气浮单元84B分别以一对于Y轴方向隔着些微间隙排列而构成一组，该组于X轴方向以既定顺序排列配置。气浮单元84A具有与上述气浮单元84大致相同形状及大小的支承面，气浮单元84B具有与气浮单元84A在Y轴方向长度相同、X轴方向长度为1／3程度的支承面。
气浮单元84A及84B皆与气浮单元84同样构成。本第2实施形态中，使用了4组气浮单元84A、3组气浮单元84B，合计共7组。合计7组的气浮单元84A、84B，是在Y轴方向宽度为基板P的Y轴方向宽度的约1／2、X轴方向长度为与基板保持具PH扫描移动时的移动范围大致同等长度的矩形区域内，于X轴方向以既定间隔配置。合计7组的气浮单元84A、84B，如图16所示，为避免与架台18接触，固定在固定于地面F的框架110上。
如图15所示，曝光区域IA的中心与合计7组的气浮单元84A、84B的配置区域中心的X位置大致一致，于X轴方向中央配置有1组(一对)气浮单元84B。从此1组气浮单元84B与该1组气浮单元84B相邻的X轴方向两侧的气浮单元84A之间的间隙，将来自Y干涉仪98Y的于X轴方向分离的一对测量光束照射于Y移动镜94Y。此场合，Y干涉仪98Y固定在较7组气浮单元84A、84B位于－Y侧的机体BD的侧框20。Y干涉仪98Y，是使用能测量微动载台26的横摇(rolling)量的多轴干涉仪(参照图16)。
又，如图14及图16所示，调平装置78的可动部以能在绕水平面内的轴(例如X轴和Y轴)以微小行程倾斜的方式安装于重量抵销装置28的Z滑件68。调平装置78可作成例如上面固定于(球面的上半部)固定于微动载台26，于Z滑件68的上面形成有容许调平装置78的θx方向及θy方向旋转(倾斜)的凹部。或者，与此相反的，调平装置78亦可作成例如将下面(球面的下半部)固定于Z滑件68，将容许微动载台26相对调平装置78的θx方向及θy方向的倾斜的凹部，形成于微动载台26。无论何者，调平装置78皆被Z滑件68从下方支承，容许微动载台26绕水平面内的轴(例如X轴和Y轴)微小角度范围内的倾动。
第2实施形态的基板载台装置PSTa中，Z滑件68兼作为调平装置78的固定部，未设置密封垫，重量抵销装置28与微动载台26是一体化。此外，由于重量抵销装置28与微动载台26一体化，因此并未设置限制重量抵销装置28单独运动的连结装置80(flexure装置)等。基板载台装置PSTa的其他部分的构成与基板载台装置PST相同。
根据以上述方式构成的本第2实施形态的曝光装置200，除了棱获得与上述第1实施形态的曝光装置100同等的效果外，由于并未将基板保持具PH－Y侧的气浮单元84A、84B搭载于粗动台32B而是固定于另行设置的框架110，因此不会有气浮单元84A、84B遮蔽Y干涉仪98Y的测量光束的情形。又，Y移动镜94Y亦可安装于基板保持具PH的侧面、或通过托架安装于微动载台26。
《第3实施形态》
其次，针对第3实施形态，依据图17及图18加以说明。此处，与上述第1、第2实施形态相同或同等的构成部分赋予相同或类似符号，并简化或省略其说明。
图17是显示本第3实施形态的曝光装置所具备的基板载台装置PSTb与机体BD的一部分的俯视图，图18是从＋X方向观察第3实施形态的曝光装置的概略侧视图，但省略了部分显示。但与上述图16同样的，图18中，粗动台32A(及32B)是以剖面图显示。
基板载台装置PSTb，如图18所示，与上述第1实施形态的基板载台装置PST同样的设有2个粗动台32A、32B，但于－Y侧的粗动台32B未搭载气浮单元，而与上述第2实施形态的基板载台装置PSTa同样的，基板保持具PH－Y侧的气浮单元是于另外设置的框架110安装在基板保持具PH的X方向移动范围的全部(参照图17)。此场合，－Y侧的气浮单元，亦是使用与第2实施形态同样配置的合计7组的气浮单元84A、84B。此外，一对X音圈电机54X及多个Z音圈电机54Z的一部分(图18中是显示1个Z音圈电机54Z的1个)，设在粗动台32B与微动载台26之间。
进一步的，Y移动镜94Y配置在基板保持具PH的－Y侧侧面、与X移动镜94X1、94X2大致相同高度的位置，通过托架96A固定在微动载台26的－Y侧的面。此场合，由于不会产生阿贝误差，因此Y干涉仪98Y不一定须进行横摇量的测量。
此场合，重量抵销装置28亦是与微动载台26一体化。基板载台装置PSTb的其他部分的构成及基板载台装置PSTb以外的各部构成，与上述第1实施形态、或第2实施形态相同。
根据以上述方式构成的本第3实施形态的曝光装置，除了能获得与上述第1及第2实施形态的曝光装置100、200同等的效果外，驱动微动载台26的X音圈电机54X及Z音圈电机54Z能以良好平衡分散配置在粗动台32A、32B的两方，而获得较第2实施形态更高刚性的电机配置(参照图18)。
又，上述第3实施形态中，虽是针对设有2个粗动台32A、32B的情形作了说明，但不限于此，亦可如图19所示，设置将粗动台32A、32B一体化的粗动台32，并将该粗动台32以可滑动的方式安装在2个X梁30A、30B上。
又，上述第1～第3实施形态及图19的变形例中，虽是将基板保持具PH的Y轴方向的至少一侧的气浮单元设计成搭载于粗动台32A或32上而能于X轴方向可动，但不限于此，亦可设置追随粗动台移动的另一移动体，于该另一移动体上搭载气浮单元作成于X轴方向可动。例如，上述第1实施形态中，可设置沿粗动台32A的移动路径的＋Y侧及／或粗动台32B的移动路径的－Y侧的移动路径移动的另一移动体，于该另一移动体上通过例如倒L字形的支承构件以在Y轴方向接近基板保持具PH的状态搭载气浮单元。
《第4实施形态》
其次，针对第4实施形态，依据图20及图21加以说明。此处，与上述第1、第2及第3实施形态相同或同等的构成部分赋予相同或类似符号，并简化或省略其说明。
图20以俯视图显示了本第4实施形态的曝光装置所具备的基板载台装置PSTc与机体的一部分，图21中显示了从图20的＋X方向观察第4实施形态的曝光装置的概略侧视图，但有一部分省略。
基板载台装置PSTc中，如图21所示，与图19同样的，被一体化的粗动台32以可滑动的方式安装在2个X梁30A、30B上，但于粗动台32上未搭载气浮单元。图21中，粗动台32是以剖面图显示。基板保持具PH的－Y侧及＋Y侧的气浮单元，与第2、第3实施形态的－Y侧的气浮单元同样的，为避免接触架台18而固定在设置于地面F上的框架110A、110B的各个。又，基板保持具PH的－Y侧及＋Y侧的各气浮单元，如图20所示，是在Y轴方向的宽度为基板P的Y轴方向宽度的约1／2、X轴方向的长度为与基板保持具PH扫描移动时的移动范围大致同等长度的矩形区域内，于X轴方向以既定间隔、在Y轴方向隔着些微间隙配置。此场合，作为－Y侧的气浮单元，是使用与第2、第3实施形态同样配置的合计7组气浮单元84A、84B。另一方面，作为＋Y侧的气浮单元，如图20所示，是使用在上述矩形区域内于X轴方向隔着既定间隙配置的4组(合计8个)气浮单元84D。气浮单元84D与上述气浮单元84同样的构成，Y轴方向的宽度与气浮单元84同等，但X轴方向长度则较气浮单元84略长。
在固定有＋Y侧的4组气浮单元84D的框架110A，于X轴方向以既定间隔设置有多个(图20中为3个)上述基板Y步进运送装置88。此处，为了作成在基板P位于可动区域内的任何位置(Y轴方向的位置)时皆能以可动部88a吸附基板P的背面将其送向Y轴方向，因此基板Y步进运送装置88设置多个。各基板Y步进运送装置88配置在X轴方向相邻的气浮单元84D间的间隙。各基板Y步进运送装置88的可动部88a的上面，可吸附悬浮在气浮单元84D上的基板P使其向Y轴方向移动并能解除吸附而从基板P分离。
基板载台装置PSTc的其他部分的构成及基板载台装置PSTc以外的各部的构成与上述第1、第2或第3实施形态相同样。
根据以上述方式构成的本第4实施形态的曝光装置，除能获得与上述各实施形态的曝光装置同等的效果外，不仅仅是基板保持具PH的－Y侧，位于＋Y侧的气浮单元84D及基板Y步进运送装置88与粗动台32分离固定在框架110A上，因此施加于粗动台32的负载减少，而能减少驱动粗动台32的推力。
《第5实施形态》
其次，针对第5实施形态，根据图22～图24加以说明。此处，与上述第1、第2、第3或第4实施形态相同或同等的构成部分赋予相同或类似符号，并简化或省略其说明。
图22中概略显示了第5实施形态的曝光装置500的构成，图23中显示了曝光装置500的部分省略的俯视图。又，图24显示了从图22的＋X方向观察曝光装置500的概略侧视图，但省略了一部分。图24中以剖面图显示了粗动台32。
本第5实施形态的曝光装置500，基本上与上述第4实施形态的曝光装置同样的构成，但基板载台装置PSTd与第4实施形态的基板载台装置PSTc部分相异。具体而言，基板载台装置PSTd，一对X移动镜94X1、94X2在微动载台26上的安装位置与基板载台装置PSTc相异，与此对应的，X干涉仪的构成等亦与基板载台装置PSTc相异。以下，以相异点为中心，说明第5实施形态的曝光装置500。
由图22、图23、图24可知，一对X移动镜94X1、94X2分别通过未图示的移动镜支承部件安装在微动载台26的Y轴方向两侧面的X轴方向中央附近。对应一对X移动镜94X1、94X2，安装有对向于一对X移动镜94X1、94X2各个的一对X干涉仪98X1、98X2。一对X干涉仪98X1、98X2的各个，如图24所示，分别固定在各个的一端部(下端部)固定于－X侧架台18的L字形的框架(X干涉仪框架)102A、102B的另一端(上端)。作为框架102A、102B，为避免与上述框架110A、110B及移动于X轴方向的粗动台32干涉而使用L字形者。
又，一对X移动镜94X1、94X2是设置在较基板保持具PH的－X侧端面更＋X侧且较基板P的上面(表面)低的位置，具体而言，是设置在仅较基板保持具PH的下面略低的位置。与一对X移动镜94X1、94X2对向，一对X干涉仪98X1、98X2配置在较基板P的上面低的位置、且于Y轴方向收容在基板保持具PH与气浮单元84D或84A间的间隙的位置。据此，本第5实施形态的基板载台装置PSTd中，一对X干涉仪98X1、98X2，例如比较图23与图20可知，与第4实施形态(及第1～第3实施形态)的X干涉仪98X相较，可将X干涉仪(一对X干涉仪98X1、98X2)配置在离－X侧的架台18较近的位置。
又，基板载台装置PSTd中，如图23所示，为避免＋Y侧的X移动镜94X1与将微动载台26微幅驱动于Y轴方向的Y音圈电机54Y彼此干涉，一对Y音圈电机54Y是安装在靠近微动载台26的X轴方向中心(中央)的位置。但不限于此，只要X移动镜94X1与Y音圈电机54Y不会彼此干涉，一对Y音圈电机54Y可安装在任意位置。虽未图示，例如可安装在微动载台26的X轴方向两侧面。此场合，一对Y音圈电机54Y的位置，最好是能将驱动力的合力作用于微动载台26的重心位置、亦即配置成可进行微动载台26的重心驱动较佳。
以上述方式构成的本第5实施形态的曝光装置500，除了能获得与上述第4实施形态的曝光装置同等的效果外，与第4实施形态(及第1～第3实施形态)的X干涉仪98X相较，能将一对X干涉仪98X1、98X2配置在较接近－X侧的架台18的位置，因此具有框架102A、102B的总重量较干涉仪柱102的重量轻、刚性増加的优点。
《第6实施形态》
其次，针对第6实施形态，根据图25～图29加以说明。此处，与上述第1、第2、第3、第4或第5实施形态相同或同等的构成部分赋予相同或类似符号，并简化或省略其说明。
图25中显示了第6实施形态的曝光装置的部分省略的俯视图。又，图26中显示了第6实施形态的曝光装置的XZ剖面图，但省略了一部分。
本第6实施形态的曝光装置，基本上，是与上述第5实施形态的曝光装置同样构成，但基板载台装置PSTe与第5实施形态的基板载台装置PSTd部分相异。
具体而言，基板载台装置PSTe，如图25所示，作为基板保持具PH，是使用不仅是Y轴方向尺寸，X轴方向尺寸亦较基板P的X轴方向尺寸小、例如为基板P的约1／2者。而于基板保持具PH的X轴方向两侧，配置有一对气浮单元(移动气浮单元)84C。一对气浮单元84C的各个，如图26所示，是以其上面与基板保持具PH大致同等(略低)高度的方式，通过支承构件112固定于粗动台32的上面。一对气浮单元84C的各个，例如Y轴方向长度与基板保持具PH同等(或较基板保持具PH些微的短)、X轴方向长度与基板保持具PH大致同等、或略短。
基板载台装置PSTe中，一对X移动镜94X1、94X2，由图25及图26可知，是通过未图示的移动镜支承构件固定在基板保持具PH的－X侧侧面的Y轴方向两端附近。基板载台装置PSTe的其他部分的构成与第4实施形态的基板载台装置PSTd相同。此场合，一对X干涉仪98X1、98X2，与第5实施形态同样的，是配置成能在与固定的气浮单元(84A、84B)与粗动台32上的气浮单元84C不产生干涉的情形下，接近一对X移动镜94X1、94X2。
又，一对X干涉仪98X1、98X2，可与第5实施形态同样的，安装在基板保持具PH的两侧面、X轴方向的中央附近。在此情形下，可将X干涉仪98X1、98X2配置的更靠＋X侧。此外，一对X移动镜94X1、94X2亦可不安装在基板保持具PH，而通过X移动镜支承框架安装于微动载台26。
接着，根据图26～图29，说明以本第6实施形态的曝光装置进行基板处理时的一连串的动作。此处，是举对上述第1实施形态的照射区域SA1及SA2(或照射区域SA3及SA4)最先进行曝光的情形来进行说明。又，图26至图29中，省略了固定气浮单元等的图示。此外，本第6实施形态中，包含粗动台32、重量抵销装置28、微动载台26及基板保持具PH等，与基板P一体(保持基板P的一部分)的构成往X轴方向移动的移动体，以下，将此移动体称为基板载台(26、28、32、PH)。
首先，在主控制装置50的管理下，以未图示的掩膜搬送装置(掩膜装载器)进行将掩膜M装载至掩膜载台MST上的装载动作，并以未图示的基板搬入装置进行将基板P搬入基板载台装置PSTe上的搬入动作。于基板P，在每一照射区域设有在前层之前的曝光时，例如图25所示，有多个与例如X轴方向2个、Y轴方向2个的合计4个照射区域SA1～SA4一起，与各照射区域的图案同时被转印的多个对准标记(未图示)。
首先，将基板P装载成跨于基板保持具PH、与＋Y侧的固定多个气浮单元84D的一部分与＋X侧的气浮单元84C。此时，从基板保持具PH、气浮单元84D及气浮单元84C的上面喷出高压空气，基板P被悬浮支承。接着，由主控制装置50将基板保持具PH从排气切换为吸气(吸引)。据此，即以基板保持具PH将基板P的一部分(对应包含照射区域SA1的区域的基板P全体的约1／4)吸附固定，成为以多个气浮单元84D的一部分及气浮单元84C悬浮支承基板P的一部分(基板P全体的其余约3／4)的状态。接着，以和上述第1实施形态相同的方法，进行对准动作(参照图26)。
其次，如图26中以涂白箭头所示，基板P(基板载台(26、28、32、PH))与掩膜M(掩膜载台MST)同步往－X方向移动，以和上述第1实施形态同样的，进行被吸附于基板保持具PH的基板P的最初的照射区域SA1的扫描曝光。图27中显示了照射区域SA1的曝光结束后，基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
其次，主控制装置50，于该时间点使用位于基板P的对向位置的基板Y步进运送装置88的可动部88a(图27中未图示，参照图25)吸附基板P的背面，在解除基板保持具PH对基板P的吸附后，以来自基板保持具PH的高压空气的排气与＋X侧的气浮单元84C接续的高压空气的排气使基板P悬浮。据此，基板P即成为仅被基板Y步进运送装置88的可动部88a保持的状态。
其次，主控制装置50，在维持仅以此基板Y步进运送装置88的可动部88a对基板P的保持状态下，将基板载台(26、28、32、PH)，如图27中的涂白箭头所示，驱动于＋X方向，开始基板P的X步进。据此，基板P即在停止于X步进开始前的位置的状态下，基板保持具PH相对此基板P移动于＋X方向。接着，主控制装置50在基板保持具PH到达基板P的次一照射区域SA2的正下方时，使基板载台(26、28、32、PH)停止(参照图28)。此时，基板P是被装载成跨于基板保持具PH与＋Y侧的固定多个气浮单元84D的一部分与－X侧的气浮单元84C。从基板保持具PH、多个气浮单元84D的一部分及气浮单元84C的上面喷出高压空气，基板P被悬浮支承。
与上述基板P为进行X步进的基板载台(26、28、32、PH)的驱动并行，主控制装置50使掩膜载台MST回到既定加速开始位置。
之后，进行基板保持具PH对基板P的吸附及基板Y步进运送装置88的可动部88a对基板P的吸附解除、使用基板P上新的对准标记的对准测量、使用微动载台26的基板P的定位。之后，基板载台(26、28、32、PH)与掩膜载台MST同步，如图28中涂白箭头所示，通过往－X方向移动，据以进行次一照射区域SA2的扫描曝光。图29中显示了照射区域SA2的曝光结束后，基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
之后，与上述第1实施形态的曝光装置100同样的，通过基板Y步进运送装置88进行基板P的Y步进动作，以对准进行定位后反复进行扫描曝光。
使用以上说明的本第6实施形态的曝光装置，获得与上述第5实施形态的曝光装置500同等的效果。除此之外，根据本第6实施形态的曝光装置，由于是将基板保持具PH作成与1个照射区域(一次曝光区域)同等大小，之外的区域则以气浮单元加以悬浮支承，因此搭载于微动载台26的基板保持具PH，与上述第1至第5实施形态相较，可更为小型、轻量。此外，由于基板载台(26、28、32、PH)仅扫描一个照射区域，因此基板载台(26、28、32、PH)的X轴方向行程较上述第1至第5实施形态短(约1／2)。因此，可谋求基板载台装置、以及具备该基板载台装置的曝光装置更进一步的小型化及轻量精巧化、以及成本的降低。
又，上述说明中，虽是在最先的照射区域的扫描曝光后，留下基板P，而为进行次一照射区域的曝光使基板载台(26、28、32、PH)往＋X方向移动(参照图27及图28)，但亦可留下基板载台(26、28、32、PH)而以未图示的基板X步进运送装置仅使基板往－X方向移动，之后，再通过基板载台(26、28、32、PH)往＋X方向的扫描来进行曝光。基板X步进运送装置可兼作为基板P的搬入、搬出装置。
又，上述说明，于第2实施形态至第6实施形态中，虽是将与粗动载台分离的气浮单元通过框架固定于地面，但产生振动之虞较少时，亦可将其固定于架台18。
针对上述详细说明的第1～第6各实施形态的基板载台装置及曝光装置，汇整如下。基板载台装置并非如现有装置般将吸附基板予以平面矫正的基板保持具作成与基板同等尺寸，而是作成与投影光学系的曝光场同等宽度(Y轴方向尺寸)，扫描方向(X轴方向)的长度则作成与基板的X轴方向长度同等或以一次扫描动作曝光的一次曝光区域的扫描长同等的长度。而基板的从基板保持具露出的部分则通过移动或固定的气浮单元加以悬浮支承。因此，基板保持具可容易的小型、轻量且高精度(高平面度)化，而能提升微动载台的控制性(位置速度控制性等)谋求高精度、高速化。此外，由于将粗动台作成是相对曝光场(照明光IL的照射区域(曝光位置))仅往1轴方向(X轴方向)移动的台(载台)，因此粗动载台部构成简单，可降低成本。
又，基板往Y方向的步进移动是作成通过基板Y步进运送装置仅使基板往Y方向移动，因此移动质量轻。此外，基板的Y步进定位是设计成以较粗略的精度进行，因此基板Y步进运送装置的成本亦低。构成简单的粗动载台部，由于是与微动载台分离，因此精度可较粗略，包含精度较粗略的可动部的构成部分(粗动载台部及基板Y步进运送装置等)无需使用轻量、高刚性的陶瓷构件，而可使用一般工业用材料来制作。因此，无需使用为了制作大型化的轻量、高刚性陶瓷构件所须的大的烧成炉、以及将其高精度加工所须的大型的研磨机具等。此外，包含精度较粗略的可动部的构成部分无需使用高精度导件及高刚性静压气体轴承等的任一者，而可使用球或滚轮等的滚珠导件等来加以制作。又，包含精度较粗略的可动部的构成部分，无需使用在以高速进行高精度定位时被认为必要的高推力、低涟波的无铁芯线性电机(音圈电机)等，而能使用有铁芯线性电机、滚珠螺杆驱动或皮带驱动等较价廉且较易大型化的构件。
再者，通过将微动载台与粗动载台部分离配置，可抑制振动往微动载台的传递。
此外，由于往X、Y方向的步进移动后的定位，是以对准检测系检测预先设于基板的对准标记，根据该检测结果来移动微动载台，因此曝光时的定位精度亦高。
《第7实施形态》
其次，针对第7实施形态，根据图30～图49加以说明。此处，与上述第1至第6各实施形态相同或同等的构成部分赋予相同或类似符号，并简化或省略其说明。
图30中省略后述气浮单元群等概略的显示了第7实施形态的曝光装置700的构成，图31显示了曝光装置700的部分省略的俯视图。图31相当于图30的较投影光学系PL下方部分(较镜筒平台下方的部分)的俯视图。又，图32显示了从图30的＋X方向观察曝光装置700的侧视图(部分省略、部分以剖面显示的图)。此外，图33显示了以曝光装置700的控制系为中心构成，统筹控制构成各部的主控制装置50的输出入关系的方块图。图33则显示了与基板载台相关联的构成各部。主控制装置50包含工作站(或微计算机)等，统筹控制曝光装置700的构成各部。
本第7实施形态的曝光装置700，与上述第1实施形态的相异处在于取代上述基板载台装置PST而设置了基板载台装置PSTf，其他部分的构成等则与上述第1实施形态相同。
基板载台装置PSTf的构成与上述说明的基板载台装置PST、PSTa、PSTb、PSTc、PSTd、PSTe中的上述第5实施形态的曝光装置500所具备的基板载台装置PSTd的构成最为接近。因此，以下，针对本第7实施形态的曝光装置700所具备的基板载台装置PSTf，以和基板载台装置PSTd的相异点为中心加以说明。
比较图23与图31可知，基板载台装置PSTf与基板载台装置PSTd的相异处在于基板保持具PH(微动载台26)的尺寸、配置在基板保持具PH的Y轴方向两侧的气浮单元群的配置及构成、以及在该Y轴方向两侧的气浮单元群的配置区域内各配置有1个基板X步进运送装置91。此外，比较图24与图32可知，基板载台装置PSTf所具有的一对X梁30A、30B的Y轴方向宽度较基板载台装置PSTd所具有的一对X梁的宽度窄(约一半程度)。
于X梁30A、30B各个的上面，如图32所示，于Y轴方向的中央仅固定有1支延伸于X轴方向的X线性导件36。本第7实施形态中，X线性导件36具有包含在X轴方向以既定间隔排列的多个永久磁石的磁石单元，兼作为X固定子。又，亦可在X线性导件36之外，设置具有磁石单元的X固定子。再者，亦可在X梁30A、30B上设置多个支、例如2支X线性导件。
粗动台32，如图32所示，与上述基板载台装置PSTd同样的，是配置在X梁30A、30B上。粗动台32由中央形成有贯通于Z轴方向的开口的俯视矩形板状构件构成。图32中，粗动台32与重量抵销装置28一起、以部分剖面图的方显示。于粗动台32下面，如图32所示，相对各X线性导件36于X轴方向以既定间隔固定有例如4个(参照图30)、合计8个滑件44。粗动台32，被包含X线性导件36与滑件44的多个X线性导件装置，直进引导于X轴方向。
又，此场合，各滑件44包含线圈单元，通过各滑件44所具有的合计8个线圈单元，与上述X固定子一起构成将粗动台32以既定行程驱动于X轴方向的X线性电机42(参照图33)。
又，亦可于滑件44之外，另行设置X可动子，在此场合，滑件44可包含滚动体(例如多个球等)、以可滑动的方式卡合于各X线性导件36。
又，图30～图32中虽未图示，在X梁30A、30B的既定一方，例如于X梁30A固定有以X轴方向为周期方向的X标尺，于粗动台32固定有构成使用X标尺求出粗动台32于X轴方向的位置信息的X线性编码器系统46(参照图33)的编码器读头。粗动台32于X轴方向的位置，是根据上述编码器读头的输出由主控制装置50(参照图33)加以控制。
此处，说明顺序虽略有倒置，但接着说明搭载在微动载台26上面的基板保持具PH。基板保持具PH，由图31可知，X轴方向长度与基板P同等、而Y轴方向宽度(长度)则为基板P的约1／3。基板保持具PH将基板P的一部分(此处，是基板P于Y轴方向的约1／3部分)以例如真空吸附(或静电吸附)方式加以吸附保持，并可向上喷出加压气体(例如高压空气)通过该喷出压力从下方以非接触(悬浮)方式支承基板P的一部分(基板P的约1／3)。基板保持具PH对基板P的高压空气的喷出与真空吸附的切换，是通过将基板保持具PH切换连接于未图示的真空泵与高压空气源的保持具吸排气切换装置51(参照图33)，由于主控制装置50进行。
本第7实施形态中，微动载台26亦包含多个音圈电机(或线性电机)、例如包含一对X音圈电机54X、一对Y音圈电机54Y及4个Z音圈电机54Z，通过与上述第1实施形态相同构成的微动载台驱动系52(参照图33)，在粗动台32上被微驱动于6自由度方向(X轴、Y轴、Z轴、θx、θy及θz的各方向)。又，本第7实施形态中，亦是通过上述X线性电机42与微动载台驱动系52的各一对X音圈电机54X及Y音圈电机54Y，使微动载台26可相对投影光学系PL(参照图30)于X轴方向以长行程移动(粗动)、且于X轴、Y轴及θz方向的3自由度方向微幅移动(微动)。
如图32所示，于X梁30A的＋Y侧及X梁30B的－Y侧，与上述第5实施形态的框架相较Y轴方向宽度(长度)较大的一对框架110A、110B的各个，以避免接触架台18的方式设置在地面F上。于一对框架110A、110B各个的上面设置有气浮单元群84E、84F。又，一对框架110A、110B亦可以是设置在架台18上。
气浮单元群84E、84F，如图31及图32所示，是配置在基板保持具PH的Y轴方向两侧。气浮单元群84E、84F的各个，如图31所示，是在Y轴方向的宽度与基板P的Y轴方向宽度同等、X轴方向的长度与基板保持具PH扫描移动时的移动范围大致同等长度的矩形区域内，于X轴方向以既定间隔、于Y轴方向隔着些微间隙分散配置的多个气浮单元构成。曝光区域IA的中心与气浮单元群84E、84F的中心的X位置大致一致。各气浮单元的上面是设定成与基板保持具PH上面同等、或略低。
分别构成气浮单元群84E、84F的各气浮单元，尺寸虽不同，但与上述第1实施形态的气浮单元84同样构成。对各气浮单元的高压空气供应的开、关(on、off)是由图33所示的主控制装置50加以控制。
由上述说明可知，本第7实施形态中，可通过基板保持具PH与基板保持具PH两侧(±Y侧)的气浮单元群84E、84F中的至少一方悬浮支承基板P的全体。此外，通过基板保持具PH单侧(＋Y侧或－Y侧)的气浮单元群84E或84F亦能悬浮支承基板P的全体。
又，气浮单元群84E、84F，若分别具有与上述Y轴方向的宽度与基板P的Y轴方向宽度同等、X轴方向的长度与基板保持具PH扫描移动时的移动范围大致同等长度的矩形区域大致同等的总支承面积的话，亦可置换为单一的大型气浮单元，或将各个气浮单元的大小作成与图31的情形不同而分散配置在上述矩形区域内。
在配置构成气浮单元群84E、84F各个的多个气浮单元的基板保持具PH的Y轴方向两侧的2个矩形区域内，如图31所示，相对通过曝光区域IA中心(投影光学系PL的中心)的X轴，非对称的配置有多个、例如3个基板Y步进运送装置88与1个基板X步进运送装置91。基板Y步进运送装置88及基板X步进运送装置91的各个，是在不与气浮单元干涉的情形下，配置在上述2个矩形区域内。此处，基板Y步进运送装置88的数量可以是2个、亦可以是4个以上。
基板Y步进运送装置88是用以保持基板P(例如吸附)使其向Y轴方向移动的装置，俯视下，于气浮单元群84E、88F各个的内部于X轴方向以既定间隔配置3个。各基板Y步进运送装置88分通过支承构件89固定在框架110A或110B上(参照图32)。各基板Y步进运送装置88，具备吸附基板P的背面移动于Y轴方向的可动部88a与固定在框架110A或110B的固定部88b。可动部88a，举一例而言，是通过以设于可动部88a的可动子与设于固定部88b的固定子构成的线性电机所构成的驱动装置90(图32中未图示，参照图33)，相对框架110A或110B被驱动于Y轴方向。于基板Y步进运送装置88设有测量可动部88a的位置的编码器等的位置读取装置92(图32中未图示，参照图33)。
各基板Y步进运送装置88的可动部88a的Y轴方向移动行程为基板P的Y轴方向长度的约2／3(略短)。本第7实施形态中，由于各基板Y步进运送装置88的可动部88a(基板吸附面)亦需吸附基板P的背面、或解除吸附以从基板P分离，因此亦可通过驱动装置90微驱动于Z轴方向。又，实际上，可动部88a虽是吸附基板P移动于Y轴方向，但以下说明中，除须特别加以区别的情形外，不区别基板Y步进运送装置88与可动部88a。
基板X步进运送装置91是用以保持(例如吸附)基板P使其往X轴方向移动的装置，俯视下，于气浮单元群84E、84F内部各配置有1个。各基板X步进运送装置91分别通过支承构件93固定于框架110A或110B上(参照图32)。
各基板X步进运送装置91，如图32所示，具备吸附基板P的背面移动于X轴方向的可动部91a与固定在框架110A或110B的固定部91b。可动部91a是通过例如由线性电机构成的驱动装置95(图32中未图示，参照图33)相对框架110A或110B驱动于X轴方向。于基板X步进运送装置91设有测量可动部91a的位置的编码器等的位置读取装置97(图32中未图示，参照图33)。又，驱动装置95不限于线性电机，亦可由以使用滚珠螺杆或皮带的旋转电机作为驱动源的驱动机构构成。
各基板X步进运送装置91的可动部91a的X轴方向移动行程，例如为基板P的X轴方向长度的约2倍。各固定部91b的＋X侧端部，从气浮单元群84E、84F往＋X侧露出既定长度。
又，由于各基板X步进运送装置91的可动部91a(基板吸附面)须吸附基板P的背面、和解除吸附以从基板P分离，因此亦能被驱动装置95微驱动于Z轴方向。又，实际上，可动部91a虽是吸附基板P移动于X轴方向，但以下说中，除特别须要区别的情形外，不区别基板X步进运送装置91与可动部91a。
又，上述说明中，基板Y步进运送装置88及基板X步进运送装置91各个的可动部，由于须进行与基板P的分离、接触，因此亦能移动于Z轴方向，但不限于此，为进行可动部(基板吸附面)对基板P的吸附及与基板P的分离，亦可以是吸附保持基板P的背面一部分的基板保持具PH(微动载台26)移动于Z轴方向。
重量抵销装置28通过调平装置78从下方支承微动载台26。重量抵销装置28配置在粗动台32的开口内，其上半部较粗动台32露出于上方、其下半部较粗动台32露出于下方。
重量抵销装置28，如图32所示，具有筐体64、空气弹簧66及Z滑件68等，例如具有与上述第2实施形态以后的各实施形态相同的构成。亦即，本第7实施形态的基板载台装置PSTf中，Z滑件68兼作为调平装置78的固定部，未设置密封垫，重量抵销装置28与微动载台26一体化。又，由于重量抵销装置28与微动载台26一体化，因此限制重量抵销装置28的单独运动的连结装置80(flexure装置)等并未设置。微动载台26，是通过具有图32中以球状构件示意显示的球面轴承、或拟似球面轴承构造体的调平装置78，倾斜自如(相对XY平面于θx及θy方向摆动自如)的被支承在Z滑件68上。
重量抵销装置28及通过调平装置78被支承在重量抵销装置28的上部构成部分(微动载台26及基板保持具PH等)，通过一对X音圈电机54X的作用，与粗动台32一体的移动于X轴方向。亦即，上部构成部分(微动载台26及基板保持具PH等)，通过主控制装置50的控制，使用一对X音圈电机54X被支承于重量抵销装置28与粗动台32同步驱动(与粗动台32同方向、同速度驱动)，据以和粗动台32一起以既定行程移动于X轴方向。又，上部构成部分(微动载台26及基板保持具PH等)，通过主控制装置50的控制，通过一对X音圈电机54X、一对Y音圈电机54Y及4个Z音圈电机54Z，相对粗动台32被微驱动于6自由度方向。
本第7实施形态中，包含粗动台32、重量抵销装置28、微动载台26及基板保持具PH等，构成与基板P一体移动于X轴方向的移动体(以下，适当的称基板载台(26、28、32、PH))。
如图30及图31所示，于微动载台26的Y轴方向两侧面的X轴方向中央附近，分别通过未图示的移动镜支承部件，与第5实施形态同样的安装有由具有与X轴正交的反射面的平面反射镜(或角隅棱镜)构成的一对X移动镜94X1、94X2。于微动载台26的－Y侧侧面，如图32所示，通过未图示的反射镜保持部件，固定有由具有与Y轴正交的反射面的长条状平面反射镜构成的Y移动镜94Y。
本第7实施形态中，微动载台26(基板保持具PH)的XY平面内的位置信息，是与上述各实施形态同样的通过基板载台干涉仪系统98(参照图33)，例如以0.5～1nm程度的分解能力随时加以检测。又，实际上，基板载台干涉仪系统98，如图31及图33所示，具备与一对X移动镜94X1、94X2对应的一对X激光干涉仪(以下，简称为X干涉仪)98X1、98X2及与Y移动镜94Y对应的一对Y激光干涉仪(以下，简称为Y干涉仪)98Y1、98Y2。X干涉仪98X1、98X2及Y干涉仪98Y1、98Y2的测量结果被供应至主控制装置50(参照图33)。
一对X干涉仪98X1、98X2的各个，如图32所示，是分别固定在各个的一端部(下端部)固定于－X侧架台18的从＋X方向干涉具有L字形的框架(X干涉仪框架)102A、102B的另一端(上端)。此处，作为框架102A、102B，由于是使用L字形的物，因此可避免框架102A、102B与上述框架110A、110B及移动于X轴方向的粗动台32的干涉。
又，一对X干涉仪98X1、98X2是与一对X移动镜94X1、94X2对向，在较基板P的上面低的位置于Y轴方向配置在能收容于基板保持具PH与气浮单元群84E或84F间的间隙的位置。据此，本实施形态的基板载台装置PSTf中，一对X干涉仪98X1、98X2与设置在基板保持具PH的X轴方向移动范围外的位置的情形相较，可配置在较接近－X侧的架台18的位置。
又，X干涉仪98X1、98X2中的既定一方，例如X干涉仪98X2，如图30所示，是使用将2条于Z轴方向分离的干涉仪光束(测量光束)照射于X移动镜94X2的多轴干涉仪。其理由留待后叙。
又，作为X干涉仪，并不限于对一对X移动镜94X1、94X2的各个分别照射干涉仪光束(测量光束)的一对X干涉仪98X1、98X2，亦可使用射出包含照射于一对X移动镜94X1、94X2的各个的至少各1条测量光束的多条测量光束的多轴干涉仪。
一对Y干涉仪98Y1、98Y2，如图31所示，是配置在构成气浮单元群84F的最接近基板保持具PH的第1列的气浮单元列及与此相邻的第2列的气浮单元列之间、且与构成第1列气浮单元列的位于X轴方向中心近旁的相邻气浮单元彼此间的2处间隙对向的位置。此2处间隙，是相对通曝光区域IA中心的Y轴成对称的间隙。一对Y干涉仪98Y1、98Y2，如图32所示，是以和Y移动镜94Y对向、且与构成气浮单元群84F的气浮单元分离(非接触)的方式，固定在设于上述框架110B上面的支承构件104’上面。本实施形态中，是从一对Y干涉仪98Y1、98Y2分别通过上述2处间隙对Y移动镜94Y照射测量光束(测长光束)。又，将支承Y干涉仪98Y1、98Y2的支承构件安装于框架110B的情形时，为使Y干涉仪的测量基准为投影光学系PL，框架110B最好是能设在与投影光学系PL一体化的架台18。或者，亦可不将支承Y干涉仪98Y1、98Y2的支承构件104’固定于设在地面的框架110B、而直接固定于架台18。
作为Y干涉仪，不限于对Y移动镜94Y个别的照射干涉仪光束(测量光束)的一对Y干涉仪98Y1、98Y2，亦可使用对Y移动镜94Y照射2条测量光束的多轴干涉仪。
本实施形态中，X干涉仪98X1、98X2于Z轴方向位于较基板P的表面(于曝光时，为使此面与投影光学系PL的像面一致，进行基板P的聚焦、调平控制)低的位置，因此X位置的测量结果中会包含因X轴方向移动时的微动载台26的姿势变化(pitching、俯仰)造成的阿贝误差。主控制装置50通过以上述多轴干涉仪构成的X干涉仪98X2检测微动载台26的俯仰量，根据该检测结果，进行X干涉仪98X1、98X2测得的X位置测量结果中所含的上述阿贝误差的修正。亦即，为进行该阿贝误差的修正，作为X干涉仪98X2，是使用对X移动镜94X2照射于Z轴方向分离的2条干涉仪光束(测量光束)、亦即可检测微动载台26的俯仰量的多轴干涉仪。
基板载台装置PSTf的其他部分的构成与基板载台装置PSTd相同。又，基板载台装置以外的构成各部与上述各实施形态相同(参照图30～图33)。
接着，说明以上述方式构成的本第7实施形态的曝光装置700进行的基板处理的一连串的动作。此处，作为一例，是针对对基板P进行第2层以后的曝光的情形，根据图34～图49加以说明。又，图34～图49中所示的曝光区域IA，是曝光时照明光IL透过投影光学系PL照射的照明区域，实际上，在曝光以外时不会形成，但为使基板P与投影光学系PL间的位置关系明确而随时加以显示。
首先，在主控制装置50的管理下，通过未图示的掩膜搬送装置(掩膜装载器)进行将掩膜M装载至掩膜载台MST上的装载动作，并通过未图示的基板搬入装置进行将基板P搬入(投入)基板载台装置PSTf上的搬入动作。于基板P，在每一照射区域设有在前层之前的曝光时，例如图31所示，有多个与例如X轴方向2个、Y轴方向3个的合计6个照射区域SA1～SA4一起，与各照射区域的图案同时被转印的多个对准标记(未图示)。
主控制装置50，如图34所示，将以基板搬入装置搬入－Y侧气浮单元群84F上方的基板P，使用气浮单元群84F将之悬浮支承、一边使用－Y侧的基板X步进运送装置91加以吸附保持，如图34中涂黑箭头所示，往－X方向搬送。
其次，主控制装置50，使用－Y侧的最＋X侧的基板Y步进运送装置88吸附保持被气浮单元群84F悬浮支承的基板P，并解除基板X步进运送装置91对基板P的吸附。接着，主控制装置50，使用基板Y步进运送装置88，如图34中虚线箭头所示将基板P搬送于＋Y方向。
据此，如图35所示，基板P即被装载成跨在基板保持具PH与基板保持具PH的－Y侧气浮单元群84F的一部分。此时，基板P是被基板保持具PH与气浮单元群84F的一部分悬浮支承。接着，由主控制装置50将基板保持具PH从排气切换为吸引。据此，即成为以基板保持具PH吸附固定基板P的一部分(基板P全体的约1／3)、以气浮单元群84F的一部分悬浮支承基板P的一部分(基板P全体的其余约2／3)的状态。此时，为使基板P上的至少2个对准标记进入任一对准检测系的视野、且来到基板保持具PH上，基板P被装载成跨在基板保持具PH与气浮单元群84F的一部分。
紧接着在上述基板保持具PH对基板P的吸附动作开始后，通过主控制装置50解除基板Y步进运送装置88对基板P的吸附，基板Y步进运送装置88(可动部88a)回到图36所示的－Y侧移动限度位置的待机位置。此时，基板X步进运送装置91(可动部91a)，亦被主控制装置50，送回至图36所示的－X侧移动限度位置的待机位置。
之后，通过主控制装置50，以和现有相同的对准测量方法求出微动载台26(基板保持具PH)相对投影光学系PL的位置、与基板P相对微动载台26的大概位置。又，基板P相于微动载台26的对准测量可省略。
接着，主控制装置50根据上述测量结果，通过粗动台32驱动微动载台26使基板P上的至少2个对准标记移动至任一对准检测系的视野内，以进行基板P相对投影光学系PL的对准测量，根据该结果，求出为进行基板P上的照射区域SA1的曝光的扫描开始位置。此处，为进行曝光的扫描，由于扫描曝光时的等速移动区间的前后包含加速区间及减速区间，因此严格来说，扫描开始位置是加速开始位置。接着，主控制装置50驱动粗动台32并微驱动微动载台26，将基板P定位于该扫描开始位置(加速开始位置)。此时，进行微动载台26(基板保持具PH)相对于粗动台32的X轴、Y轴及θz方向(或6自由度方向)的精密的微定位驱动。图36中显示了以此方式将基板P定位在为进行基板P上照射区域SA1的曝光的扫描开始位置(加速开始位置)后一刻的状态。
之后，进行步进扫描方式的曝光动作。
步进扫描方式的曝光动作是对基板P上的多个照射区域SA1～SA6依序进行曝光处理。基板P在扫描动作(X扫描动作)时，是于X轴方向加速既定加速时间，之后被既定时间等速驱动(此等速驱动中，进行曝光(扫描曝光))，之后则进行与加速时间相同时间的减速。又，基板在步进动作时(照射区域间移动时)，是被适当的驱动于X轴或Y轴方向(以下，分别称X步进动作、Y步进动作)。本实施形态中，各照射区域SAn(n＝1、2、3、4、5、6)的最大曝光宽度(Y轴方向的宽度)为基板P的约1／3。
具体而言，曝光动作是以下述方式进行。
从图36的状态，基板载台(26、28、32、PH)如图36中涂白箭头所示，被驱动向－X方向，进行P的X扫描动作。此时，掩膜M(掩膜载台MST)与基板P(微动载台26)同步被往－X方向驱动，照射区域SA1会通过投影光学系PL的掩膜M图案的投影区域的曝光区域IA，因此，于此时进行对照射区域SA1的扫描曝光。扫描曝光，是在微动载台26(基板保持具PH)往－X方向的加速后的等速移动中，经由掩膜M、投影光学系PL对基板P照射照明光IL来进行。
于上述X扫描动作时，主控制装置50在将基板P的一部分(基板P全体的约1／3)吸附固定于搭载在微动载台26的基板保持具PH、将基板P的一部分(基板P全体的约2／3)悬浮支承在气浮单元群84F上的状态下，驱动基板载台(26、28、32、PH)。此时，主控制装置50根据X线性编码器系统46的测量结果通过X线性电机42将粗动台32驱动于X轴方向，并根据基板载台干涉仪系统98、Z倾斜测量系76的测量结果，驱动微动载台驱动系52(各音圈电机54X、54Y、54Z)。据此，基板P即与微动载台26一起，在被一体的支承于重量抵销装置28的状态下，通过一对X音圈电机54X的作用与粗动台32一体的移动于X轴方向，并通过来自粗动台32的相对驱动，于X轴、Y轴、Z轴、θx、θy及θz的各方向(6自由度方向)进行精密的位置控制。此外，主控制装置50于X扫描动作时，与微动载台26(基板保持具PH)同步，根据掩膜干涉仪系统14的测量结果将保持掩膜M的掩膜载台MST扫描驱动于X轴方向，并微驱动于Y轴方向及θz方向。图37中显示了对照射区域SA1的扫描曝光结束，保持基板P的一部分的基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
接着，主控制装置50，为进行次一曝光的加速，图37中涂白箭头所示，进行将基板P略驱动于＋X方向的基板P的X步进动作。基板P的X步进动作，是由主控制装置50以和X扫描动作同样的状态驱动(不过，移动中的位置偏差并不如扫描动作般严格的加以限制)基板载台(26、28、32、PH)来进行。主控制装置50与基板P的X步进动作并行，使掩膜载台MST回到加速开始位置。
接着，在X步进动作后，主控制装置50开始基板P(基板载台(26、28、32、PH))与掩膜M(掩膜载台MST)的－X方向加速，与上述同样的对照射区域SA2进行扫描曝光。图38中显示了对照射区域SA2的扫描曝光结束，基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
接着，进行用以使基板P的未曝光区域移动至基板保持具PH上的Y步进动作。此基板P的Y步进动作，是由主控制装置50以－Y侧且最－X侧的基板Y步进运送装置88(可动部88a)吸附保持处于图38所示状态的基板P的背面，在解除基板保持具PH对该基板P的吸附后，在通过来自基板保持具PH的高压空气的排气与气浮单元群84F的接续的高压空气的排气使基板P悬浮的状态下，如图38中虚线箭头所示，以基板Y步进运送装置88将基板P往＋Y方向搬送据以进行。如此，相对基板保持具PH仅基板P往＋Y方向移动，如图39所示，基板P即被装载成未曝光的照射区域SA3、SA4对向于基板保持具PH、跨在基板保持具PH与气浮单元群84E的一部分与气浮单元群84F的一部分的状态。此时，基板P是被基板保持具PH与气浮单元群84E的一部分与气浮单元群84F的一部分悬浮支承。接着，由主控制装置50将基板保持具PH从排气切换为吸气(吸引)。据此，即成为以基板保持具PH吸附固定基板P的一部分(基板P全体的约1／3)、以气浮单元群84E的一部分与气浮单元群84F的一部分悬浮支承基板P的一部分(基板P全体的其余约2／3)的状态。紧接着在上述基板保持具PH对基板P的吸附动作开始后，由主控制装置50解除基板Y步进运送装置88对基板P的吸附。
接着，进行基板P相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P上预先设置的次一照射区域用对准标记的测量。于此对准测量时，为使测量对象的对准标记进入对准检测系的检测视野内，视需要进行上述基板P的X步进动作(参照图40的涂白箭头)。
接着，当基板P相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，即由主控制装置50根据该结果，进行微动载台26相对粗动台32的X轴、Y轴及θz方向(或6自由度方向)的精密的微定位驱动。
接着，由控制装置50开始基板P与掩膜M的＋X方向的加速(参照图41中的涂白箭头)，进行与上述相同的对照射区域SA3的扫描曝光。图41中显示了对照射区域SA3的扫描曝光结束，基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
其次，由主控制装置50为进行次一曝光的加速，而进行将基板载台(26、28、32、PH)往－X方向驱动的基板P的X步进动作及使掩膜载台MST回到加速开始位置的动作后，开始基板P与掩膜M的＋X方向加速(参照图42中的涂白箭头)，以和上述同样的方式进行对照射区域SA4的扫描曝光。图42中显示了对照射区域SA4的扫描曝光结束，基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
接着，进行用以使基板P的未曝光区域移动至基板保持具PH上的Y步进动作。于此基板P的Y步进动作时，主控制装置50以－Y侧且最＋X侧的基板Y步进运送装置88(可动部88a)吸附保持处于图42所示状态的基板P的背面，在解除基板保持具PH对该基板P的吸附后，在通过来自基板保持具PH的高压空气的排气与气浮单元群84E及84F的接续的高压空气的排气使基板P悬浮的状态下，如图42中涂黑箭头所示，以基板Y步进运送装置88往＋Y方向搬送基板P。如此，相对基板保持具PH仅基板P往Y轴方向移动(参照图43)。此时，在上述－Y侧的基板Y步进运送装置88的行程较短的场合，可由主控制装置50使用＋Y侧的基板Y步进运送装置88接续基板P的搬送(参照图44)。为进行此接续，主控制装置50可将＋Y侧的基板Y步进运送装置88(可动部88a)预先驱动于－Y方向，使其在基板保持具PH的近旁待机(参照图43)。
被基板Y步进运送装置88往＋Y方向驱动、未曝光的照射区域SA5、SA6移动至基板保持具PH上的基板P，其一部分(基板P全体的约1／3)通过基板保持具PH的吸附而再次被固定于基板保持具PH，而一部分(基板P全体其余的约2／3)则被气浮单元群84E的一部分悬浮支承。紧接着在上述基板保持具PH对基板P的吸附动作开始后，由主控制装置50解除基板Y步进运送装置88对基板P的吸附。接着，进行基板P相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P上预先设置的次一照射区域用对准标记的测量。于此对准测量时，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，视需要进行上述基板P的X步进动作(参照图45中的涂白箭头)。
在开始上述基板P的新的对准测量的前一刻，于－Y侧的气浮单元群84F，以未图示的基板搬入装置投入新的基板P(参照图45)。此时，－Y侧的基板X步进运送装置91的可动部91a移动至＋X侧的移动限度位置近旁的位置、亦即移动至新投入的基板P下方的位置，于该位置待机。又，－Y侧且最－X侧的基板Y步进运送装置88的可动部88a，是由主控制装置50，如图45中涂黑箭头所示，移至－Y侧的移动限度位置。
另一方面，对一部分被固定(保持)于基板保持具PH的基板P，当基板P相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，即由主控制装置50根据该结果，进行微动载台26相对粗动台32的X轴、Y轴及θz方向(或6自由度方向)的精密微定位驱动。接着，依照与上述第1照射区域SA1与SA2的场合同样的程序，由主控制装置50进行对最后2个照射区域SA5、SA6的曝光。图46中显示了紧接着对最后照射区域SA6的曝光结束后的状态。
与上述对照射区域SA5、SA6的曝光并行的，新投入的基板P由主控制装置50以－Y侧的基板X步进运送装置91加以吸附保持往－X侧搬送(参照图46)。
另一方面，结束了对所有照射区域SA1～SA6的曝光的基板P，主控制装置50使用＋Y侧且最－X侧的基板Y步进运送装置88，如图47中以虚线涂白箭头所示的往＋Y侧搬送，从基板保持具PH上完全退出而被搬运至气浮单元群84E上。与此大致同时，新投入的基板P则由主控制装置50使用－Y侧且最－X侧的基板Y步进运送装置88，如图47中涂黑箭头所示的往＋Y侧搬送，照射区域SA1、SA2位于基板保持具PH上(参照图47)。
被搬运至气浮单元群84E上的完成曝光的基板P，由主控制装置50使用＋Y侧的基板X步进运送装置91，如图48的涂黑箭头所示，往＋X方向搬送，以未图示的基板搬出装置往＋X方向搬出(参照图48、图49)。
与上述完成曝光的基板P的搬出并行的，在对基板保持具PH上的基板P进行与上述同样的对准动作后，即开始基板P与掩膜M的＋X方向加速，以和上述同样的方式进行对最初的照射区域SA2的扫描曝光(参照图48、图49)。之后，以和对上述第1片基板P的曝光时同样的程序，反复进行对第2片基板P上其余照射区域的对准(X步进、Y步进)、曝光等动作、以及对第3片以后的基板的对准(X步进、Y步进)、曝光等动作。
不过，关于第2片基板P，由上述关于对照射区域SA2的曝光最初进行的上述说明可知，本实施形态中，第1片(奇数片)基板P与第2片(偶数片)基板P在照射区域的曝光顺序上是不同的。第1片(奇数片)基板P的曝光顺序为照射区域SA1、SA2、SA3、SA4、SA5、SA6，相对于此，第2片(偶数片)基板P的曝光则为照射区域SA2、SA1、SA4、SA3、SA6、SA5的顺序。当然，曝光顺序并不限于此。
如以上的说明，根据本第7实施形态的曝光装置700，能获得与上述第1实施形态的曝光装置100同等的效果。除此之外，本第7实施形态的曝光装置700，搭载于微动载台26的基板保持具PH是保持与基板P的被曝光面(被处理面)相反侧的面的一部分。亦即，基板保持具PH的基板保持面较基板P小，具体而言，是设定为约1／3。因此，依据主控制装置50的指示，在基板Y步进运送装置88将基板P从微动载台26(基板保持具PH)搬出时，基板P是往Y轴方向位移的方式在XY平面内被搬送，此时，基板Y步进运送装置88仅使基板P移动较基板P的Y轴方向尺寸(宽度或长度)小的距离、亦即仅使基板P于Y轴方向位移与基板P的Y轴方向尺寸的约1／3的基板保持具PH的Y轴方向宽度相同距离，基板P的搬出即结束(例如参照图46、图47)。如此，本实施形态中，基板P搬出时的基板的移动距离(搬出距离)较基板的尺寸小，因此与现有技术相较，能缩短基板的搬出时间。
又，根据本第7实施形态的曝光装置700，在对基板P上最终照射区域的扫描曝光结束的时间点，微动载台26(基板保持具PH)可在某一X轴方向的位置使完成曝光的基板P滑至Y轴方向一侧以从基板保持具PH上搬出(退避)，与此并行(大致同时)的从Y轴方向另一侧使曝光前的基板P滑动以搬入(投入)基板保持具PH上(参照图46及图47)。
此外，在将曝光前的基板P搬入微动载台26(基板保持具PH)时，亦是使基板P往Y轴方向位移的方式，根据主控制装置50的指示，由基板Y步进运送装置88在XY平面内加以搬送，此时，基板Y步进运送装置88仅需使基板P往Y轴方向位移较基板P的Y轴方向尺寸(宽度或长度)小的距离、亦即与基板保持具PH的Y轴方向宽度(基板P的Y轴方向尺寸的约1／3)相同距离，即结束基板P的搬入。因此，除了基板的搬出时间外，基板的搬入时间亦能较先前缩短，其结果，能缩短基板的更换时间。
又，主控制装置50是在因应基板P上照射区域的配置及曝光顺序的基板保持具PH的X轴方向位置，进行基板P从基板保持具PH上往Y轴方向一侧的滑动搬出、与基板P从Y轴方向另一侧往基板保持具PH上的滑动搬入。因此，无须如现有基板更换时般，使基板保持具PH移动至决定的基板更换位置(例如，＋X方向的移动限度位置近旁的位置)。据此，能更进一步的缩短基板更换时间。
此处，上述实施形态中的说明，虽是例示曝光完成的基板P从基板保持具PH搬出的搬出方向，在任一基板时皆为＋Y方向的情形，但视基板上照射区域的配置及曝光顺序，当然可以将偶数片基板及奇数片基板中的至少一方，从基板保持具PH上往－Y方向搬出。亦即，本实施形态中，主控制装置50是以基板的更换时间为最短的方式，在根据基板P上照射区域的配置及曝光顺序的基板保持具PH的X轴方向位置，往因应基板P上照射区域的配置及曝光顺序的方向(＋Y方向或－Y方向)搬出基板P。因此，与无论基板上照射区域(被处理区域)的配置与处理顺序为何，皆在一定的X位置、往相同方向搬出的情形相较，可缩短基板更换时间。
又，基板保持具PH的Y轴方向两侧的气浮单元群84E、84F的支承面的Y轴方向尺寸，并不限于与基板P的Y轴方向尺寸同等，可较其大、亦可略小。
此外，基板保持具PH的基板保持面的Y轴方向尺寸并不限于基板P的Y轴方向尺寸的1／3，可以是1／2、1／4等，只要基板保持具PH的基板保持面的Y轴方向尺寸较基板P的Y轴方向尺寸小至某一程度以上即可。实际上，是设定为与基板P上形成的照射区域的尺寸同等(些微的大)。
《第8实施形态》
其次，针对第8实施形态，根据图50～图65加以说明。此处，与上述第1至第7各实施形态相同或同等的构成部分赋予相同或类似符号，并简化或省略其说明。
图50中，省略气浮单元群84E、84F等，概略的显示了第8实施形态的曝光装置800的构成。又，图51是省略了曝光装置800的一部分的俯视图。图51相当于较图50的投影光学系PL下方的部分(较镜筒平台16下方的部分)的俯视图。
本第8实施形态的曝光装置800，基本上与上述第7实施形态的曝光装置700同样构成，但基板载台装置PSTg与第7实施形态的基板载台装置PSTf有一部分相异。
具体而言，基板载台装置PSTg中，如图51所示，作为基板保持具PH，是使用不仅是Y轴方向尺寸、且X轴方向尺寸亦较基板P的X轴方向尺寸小(例如基板P的约1／2)的物。基板保持具PH的Y轴方向尺寸为基板P的Y轴方向尺寸的约1／2。此外，于基板保持具PH的X轴方向两侧配置有与基板保持具PH及微动载台26独立的一对气浮单元(移动气浮单元)84G。一对气浮单元84G的各个，如图50所示，是以其上面与基板保持具PH大致同等(仅略低)高度的方式，通过支承构件112固定在粗动台32的上面。一对气浮单元84G的各个，例如Y轴方向的长度与基板保持具PH同等(或较基板保持具PH略微的短)、且X轴方向长度为例如基板保持具PH的约1／2。
又，在基板保持具PH与一对气浮单元84G各个之间，如图51所示，配置有一对移动基板Y步进运送装置120。一对移动基板Y步进运送装置120的各个与上述基板Y步进运送装置88同样构成，如图50所示，搭载于粗动台32。各移动基板Y步进运送装置120的可动部120a可相对固定在粗动台32上的固定部120b移动于Y轴方向。因此，各移动基板Y步进运送装置120可与粗动台32一起移动于X轴方向，且可仅将基板P搬送于Y轴方向。
又，在配置于基板保持具PH的Y轴方向两侧的一对气浮单元群84E、84F的配置区域内部，分别配置有与第7实施形态相同的3个基板Y步进运送装置88与1个基板X步进运送装置91。不过，如图51所示，本第8实施形态中，气浮单元群84E、84F的配置区域各个的内部的3个基板Y步进运送装置88及1个基板X步进运送装置91，是相对通过曝光区域IA的中心的X轴对称配置。此外，由于采用了此种对称配置关系，一对Y干涉仪98Y1、98Y2的配置位置与上述第7实施形态相较，较偏于＋Y侧。
又，作为X梁30A、30B，是使用Y轴方向宽度较第7实施形态的X梁30A、30B略宽者。于X梁30A、30B的上面，例如与上述基板载台装置PST等同样的固定有各2支X线性导件36，于该2支X线性导件36之间固定有X固定子38。卡合于各2支X线性导件36各个的多个滑件44被固定在粗动台32的下面。于粗动台32的下面，固定有与X固定子38一起构成X线性电机的未图示的X可动子。
基板载台装置PSTg的其他部分的构成与第7实施形态的基板载台装置PSTf相同。此场合，一对X干涉仪98X1、98X2是固定成与固定的气浮单元群84E、84F及粗动台32上的气浮单元84G的任一者皆不会产生干涉，而能接近一对X移动镜94X1、94X2。
基板载台装置PSTg的其他部分的构成与第7实施形态的基板载台装置PSTf相同。因此，基板载台装置PSTg中，亦是包含粗动台32、重量抵销装置28、微动载台26及基板保持具PH等构成与基板P一体移动于X轴方向的移动体。本第8实施形态中，以下，亦将此移动体适当的称为基板载台(26、28、32、PH)。
其次，说明本第8实施形态的曝光装置800进行的基板处理的一连串的动作。此处，举一例而言，是针对对基板P进行第2层以后的曝光的场合，根据图52～图65加以说明。又，图52～图65中所示的曝光区域IA，是曝光时照明光IL透过投影光学系PL照射的照明区域，实际上，在曝光以外时不会形成，但为使基板P与投影光学系PL间的位置关系明确而随时加以显示。
首先，在主控制装置50的管理下，通过未图示的掩膜搬送装置(掩膜装载器)进行将掩膜M装载至掩膜载台MST上的装载动作，并通过未图示的基板搬入装置进行将基板P搬入(投入)基板载台装置PSTf上的搬入动作。于基板P，在每一照射区域设有在前层之前的曝光时，例如图51所示，有多个与例如X轴方向2个、Y轴方向2个的合计4个照射区域SA1～SA4一起，与各照射区域的图案同时被转印的多个对准标记(未图示)。
首先，依据与上述第7实施形态中第1片基板P相同的顺序，如图52所示，将基板P装载成跨于基板保持具PH与基板保持具PH的－Y侧的气浮单元群84F的一部分。此时，基板P是被基板保持具PH与气浮单元群84F的一部分与＋X侧的气浮单元84G悬浮支承。接着，由主控制装置50将基板保持具PH从排气切换为吸气(吸引)。据此，成为以基板保持具PH吸附固定基板P的一部分(对应包含照射区域SA1的矩形区域的基板P全体的约1／4)、以气浮单元群84F的一部分及气浮单元84G悬浮支承基板P的一部分(基板P全体其余的约3／4)的状态。此时，为使基板P上的至少2个对准标记进入任一对准检测系(未图示)的视野、且来到基板保持具PH上，基板P是装载成跨在基板保持具PH与气浮单元群84F的一部分与气浮单元84G。
紧接着在上述基板保持具PH对基板P的吸附动作开始后，由主控制装置50解除基板Y步进运送装置88对基板P的吸附。此时，基板Y步进运送装置88(可动部88a)及基板X步进运送装置91(可动部91a)，分别依主控制装置50的指示，回到－Y侧移动限度位置的待机位置、－X侧移动限度位置的待机位置。
之后，由主控制装置50以和现有相同的对准测量方法求出微动载台26相对投影光学系PL的位置、与基板P相对微动载台26的大概的位置。又，亦可省略基板P相对微动载台26的对准测量。
接着，主控制装置50根据上述测量结果通过粗动台32驱动微动载台26以使基板P上的至少2个对准标记移动至任一对准检测系的视野内，进行基板P相对投影光学系PL的对准测量，根据该结果求出为进行基板P上的照射区域SA1的曝光的扫描开始位置(加速开始位置)。接着，主控制装置50驱动粗动台32并微驱动微动载台26，将基板P定位于该扫描开始位置(加速开始位置)。此时，进行微动载台26相对粗动台32的X轴、Y轴及θz方向(或6自由度方向)的精密微定位驱动。图52中显示了以此方式刚完成将基板P定位在为进行基板P上的照射区域SA1的曝光的扫描开始位置(加速开始位置)后的状态。
之后，进行步进扫描方式的曝光动作。
步进扫描方式的曝光动作，是对基板P上的多个照射区域SA1～SA4依序进行曝光处理。本第8实施形态中，于扫描动作时，亦是进行基板P的上述X扫描动作，于步进动作时(照射区域间移动时)，进行基板P的X步进动作或Y步进动作。此处，本第8实施形态中，基板P的Y步进动作虽与第7实施形态相同，但基板P的X步进动作则如后所述的与第7实施形态相异。本第8实施形态中，各照射区域SAn(n＝1、2、3、4)的最大曝光宽度(Y轴方向的宽度)为基板P的约1／2。
具体而言，曝光动作是以下述方式进行。
基板载台(26、28、32、PH)，从图52的状态，如图52中涂白箭头所示，被驱动向－X方向，进行基板P的X扫描动作。此时，掩膜M(掩膜载台MST)是与基板P(微动载台26)同步被驱动向－X方向，照射区域SA1会通过投影光学系PL投影的掩膜M的图案的投影区域的曝光区域IA，因此，于此时进行对照射区域SA1的扫描曝光。扫描曝光是在微动载台26(基板保持具PH)往－X方向的加速后的等速移动中，透过掩膜M、投影光学系PL对基板P照射照明光IL来进行。
于上述X扫描动作时，主控制装置50在使基板P的一部分(基板P全体的约1／4)吸附固定于微动载台26上的基板保持具PH、使基板P的一部分(基板P全体的约3／4)悬浮支承于气浮单元群84F的一部分及＋X侧的气浮单元84G的状态下，驱动基板载台(26、28、32、PH)。此时，主控制装置50以和上述同样的方式，将粗动台32驱动于X轴方向并驱动微动载台驱动系52。据此，基板P即与微动载台26一起，在被一体的支承于重量抵销装置28的状态下，通过一对X音圈电机54X的作用，与粗动台32一体的移动于X轴方向，并通过来自粗动台32的相对驱动，进行于X轴、Y轴、Z轴、θx、θy及θz的各方向(6自由度方向)的精密位置控制。此外，主控制装置50于X扫描动作时，与微动载台26(基板保持具PH)同步将保持掩膜M的掩膜载台MST扫描驱动(于Y轴方向及θz方向微驱动)于X轴方向。图53中显示了对照射区域SA1的扫描曝光结束，基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
其次，进行用以使基板P的次一照射区域SA2移动至基板保持具PH上的X步进动作。此基板P的X步进动作，是由主控制装置50将图53所示的状态的基板P的背面以－Y侧的基板X步进运送装置91(可动部91a)加以吸附保持，并在解除基板保持具PH的吸附后，通过来自基板保持具PH的高压空气的排气与气浮单元群84F及＋X侧气浮单元84G的接续的高压空气的排气，使基板P悬浮。据此，基板P即成为仅被基板X步进运送装置91(可动部91a)保持的状态。
其次，主控制装置50在维持仅以基板X步进运送装置91对基板P的保持状态的情形下，如图53中涂白箭头所示，开始将基板载台(26、28、32、PH)驱动于＋X方向的基板P的X步进。据此，即在基板P停止于X步进开始前的位置的状态下，基板保持具PH相对此基板P移动于＋X方向。接着，主控制装置50在基板保持具PH到达基板P的次一照射区域SA2的正下方时，即使基板载台(26、28、32、PH)停止(参照图54)。此时，基板P是装载成跨于基板保持具PH与气浮单元群84F的一部分与－X侧的气浮单元84G。从基板保持具PH、气浮单元群84F及气浮单元84G的上面喷出高压空气，基板P被悬浮支承。
与上述为了基板P的X步进的基板载台(26、28、32、PH)的驱动并行，主控制装置50使掩膜载台MST回到既定加速开始位置。
之后，进行基板保持具PH对基板P的吸附及基板X步进运送装置91对基板P的吸附解除、与使用基板P上新的对准标记的对准测量、以及使用微动载台26的基板P的定位(参照图54中涂白箭头)。之后，基板载台(26、28、32、PH)与掩膜载台MST同步，如图55中涂白箭头所示，移动于－X方向，据以进行次一照射区域SA2的扫描曝光。图56中显示了照射区域SA2的曝光结束后，基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
其次，进行用以使基板P的次一照射区域SA3移动至基板保持具PH上的Y步进动作。此基板P的Y步进动作是如下进行。亦即，主控制装置50将处于图56所示状态的基板P的背面以－X侧的移动基板Y步进运送装置120(可动部120a)加以吸附保持，并解除基板保持具PH对基板P的吸附。之后，主控制装置50，在通过来自基板保持具PH的高压空气的排气与气浮单元群84F及气浮单元84G的接续的高压空气的排气使基板P悬浮的状态下，如图56中虚线涂白箭头所示，以－X侧的移动基板Y步进运送装置120将基板P往＋Y方向搬送。据此，仅基板P相对基板保持具PH往＋Y方向移动(参照图57)。此时，－X侧的移动基板Y步进运送装置120的行程不足的情形时，主控制装置50可使用位于最－X侧的＋Y侧的基板Y步进运送装置88来接续基板P的搬送(参照图58中的涂黑箭头)。
此时，基板P是装载成跨于基板保持具PH与气浮单元群84E的一部分与－X侧的气浮单元84G。从基板保持具PH、气浮单元群84E及气浮单元84G的上面喷出高压空气，基板P被悬浮支承。
之后，进行基板保持具PH对基板P的吸附及移动基板Y步进运送装置120对基板P的吸附解除、使用基板P上新的对准标记的对准测量、以及使用微动载台26的基板P的定位(参照图57或图58中的涂白箭头)。之后，基板载台(26、28、32、PH)与掩膜载台MST同步，如图59中涂白箭头所示，移动于＋X方向移动，据以进行次一照射区域SA3的扫描曝光。图60中显示了照射区域SA3的曝光结束后，基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
其次，进行用以使基板P的次一照射区域SA4移动至基板保持具PH上的X步进动作。此基板P的X步进动作是如下进行。
亦即，主控制装置50将处于图60所示状态的基板P的背面以＋Y侧的基板X步进运送装置91(可动部91a)加以吸附保持，并解除基板保持具PH的吸附后，来自基板保持具PH的高压空气的排气与气浮单元群84E及－X侧气浮单元84G的接续的高压空气的排气使基板P悬浮。据此，基板P成为仅被基板X步进运送装置91(可动部91a)保持的状态。
接着，主控制装置50在维持仅基板X步进运送装置91对基板P的保持状态的情况下，如图60中涂白箭头所示，开始将基板载台(26、28、32、PH)驱动于－X方向的X步进。据此，基板P，即在停止于基板载台(26、28、32、PH)的X步进开始前的位置的状态下，基板保持具PH相对此基板P移动于－X方向。接着，主控制装置50在基板保持具PH到达基板P的次一照射区域SA4的正下方时，使基板载台(26、28、32、PH)停止(参照图61)。此时，基板P是装载成跨于基板保持具PH与气浮单元群84E的一部分与＋X侧的气浮单元84G。从基板保持具PH、气浮单元群84E及气浮单元84G的上面喷出高压空气，基板P被悬浮支承。
与上述基板载台(26、28、32、PH)的步进驱动并行，主控制装置50使掩膜载台MST回到既定加速开始位置。
之后，进行基板保持具PH对基板P的吸附及基板X步进运送装置91对基板P的吸附解除、使用基板P上新的对准标记的对准测量、与使用微动载台26的基板P的定位(参照图61中涂白箭头)。之后，如图62中涂白箭头所示，通过基板载台(26、28、32、PH)与掩膜载台MST同步移动于＋X方向，据以进行次一照射区域SA4的扫描曝光。图63中显示了照射区域SA4的曝光结束后，基板载台(26、28、32、PH)停止的状态。
于上述基板P上的照射区域SA4的扫描曝光前，－Y侧的基板X步进运送装置91的可动部91a准备次一基板的搬入，由主控制装置50驱动至＋X侧的移动限度位置近旁的待机位置，于该位置待机(图62中涂黑箭头参照)。
接着，与上述基板P上的照射区域SA4的扫描曝光并行，通过未图示的基板搬入装置将新投入气浮单元群84F上的基板P，由主控制装置50以－Y侧的基板X步进运送装置91(可动部91a)加以吸附保持搬送向－X侧(参照图63中涂白箭头)。
另一方面，对所有照射区域SA1～SA4的曝光结束的基板P，由主控制装置50使用＋X侧的移动基板Y步进运送装置120，如图63中以虚线箭头所示的往＋Y侧搬送，从基板保持具PH上完全退出而搬运至＋Y侧的气浮单元群84E上。此时，在上述＋X侧的移动基板Y步进运送装置120的行程不足的情形时，主控制装置50可使用＋Y侧且最＋X侧的基板Y步进运送装置88来接续进行基板的搬送(参照图64)。与此大致同时，新投入的基板P，由主控制装置50使用－Y侧且最＋X侧的基板Y步进运送装置88，如图64中涂黑箭头所示，往＋Y侧搬送，使照射区域SA1位于基板保持具上(参照图64)。
被搬送至气浮单元群84E上的完成曝光的基板P，由主控制装置50使用＋Y侧的基板X步进运送装置91往＋X方向搬送，通过未图示的基板搬出装置往＋X方向搬出(参照图64、图65)。
与上述完成曝光的基板P的搬出并行，对一部分被保持于基板保持具PH的基板P，在进行与上述相同的对准动作后，即开始基板P与掩膜M的＋X方向的加速，以和上述同样的方式进行对最先的照射区域SA1的扫描曝光(参照图65)。之后，以和对上述第1片基板P的曝光时相同的顺序，反复进行对第2片以后的基板P上其余照射区域的对准(X步进、Y步进)、曝光等动作，以及对第3片以后的基板的对准(X步进、Y步进)、曝光等动作。此场合，奇数片的基板P及偶数片的基板P的任一者，皆是以照射区域SA1、SA2、SA3、SA4的顺序曝光。
根据以上说明的本第8实施形态的曝光装置800，除了能获得与上述第7实施形态的曝光装置700同等的效果外，可将基板保持具PH、搭载该基板保持具PH的微动载台26及支承此的重量抵销装置28，做的较第1实施形态更为轻量、精巧。
《变形例》
上述各实施形态的曝光装置中，亦可使用将基板P保持成一体、并可通过气浮单元使其与基板P一体悬浮的框状的基板支承构件。以下，作为一例，针对将此种基板支承构件适用于第8实施形态的曝光装置800的情形，根据图66加以说明。
基板支承构件69，如图66所示，具有俯视呈矩形(大致正方形状)的轮廓，由中央部具有于Z轴方向贯通的俯视矩形开口部、厚度方向尺寸小(薄)的框状构件构成。基板支承构件69，于Y轴方向以既定间隔具有一对以X轴方向为长边方向、与XY平面平行的平板状构件的X框构件61x，一对X框构件61x分别在＋X侧、－X侧的端部，以Y轴方向为长边方向的与XY平面平行的平板状构件的Y框构件61y加以连接。一对X框构件61x及一对Y框构件61y的各个，从确保刚性及轻量化的观点来看，以例如GFRP(Glass Fiber Reinforced Plastics)等纤维强化合成树脂材料、或陶瓷等形成者较佳。
于－Y侧的X框构件61x上面，固定有于－Y侧的面具有反射面的Y移动镜94Y。又，于－X侧的Y框构件61y的上面，固定有由在－X侧的面具有反射面的平面反射镜构成的X移动镜94X。此场合，于基板保持具PH及微动载台26的任一者皆无须设置X移动镜、Y移动镜。
基板支承构件69(亦即基板P)的XY平面内的位置信息(含θz方向的旋转信息)，是以包含对X移动镜94X的反射面照射测长光束的一对X干涉仪98X1、98X2及对Y移动镜94Y的反射面照射测长光束的一对Y干涉仪98Y1、98Y2的上述基板载台干涉仪系统98，以例如0.5nm程度的分解能力随时加以检测。
又，X干涉仪、Y干涉仪是考量分别在基板支承构件69的移动可能范围内，至少一个测长光束可照射到对应的移动镜，来设定其台数及／或测长光束的光轴数、或间隔。因此，各干涉仪的台数(光轴数)不限于2台，视基板支承构件的移动行程，例如可以仅是1台(1轴)、或3台(3轴)以上。
基板支承构件69具有多个、例如4个将基板P的端部(外周缘部)从下方以真空吸附加以保持的保持单元65。4个保持单元65是于X轴方向分离、在一对X框构件61x各个的彼此对向的对向面个安装有2个。又，保持单元的数量及配置不限于此，例如可视基板大小、易挠曲度等适当的追加。此外，保持单元亦可安装于Y框构件。保持单元65，具有例如其上面设有用来以真空吸附方式吸附基板P的吸附垫的剖面L字形基板装载构件、与将该基板装载构件连接于X框构件61x的平行板弹簧，基板装载构件构成为相对X框构件61x于X轴方向及Y轴方向通过平行板弹簧的刚性拘束其位置，且通过板弹簧的弹性能不往θx方向旋转而往Z轴方向位移(上下动)。与此种保持单元65及具备此的基板支承构件69相同构成的基板保持框，例如已详细的揭露于美国专利申请公开第2011／0042874号说明书。
图66的变形例中，在基板P的X步进或Y步进动作、或者基板P对基板载台装置PSTg的搬出入时，主控制装置50可通过基板X步进运送装置91的可动部91a或基板Y步进运送装置88的可动部88a，来吸附保持基板支承构件69的任一X框构件61x或任一Y框构件61y，亦可吸附保持基板P。
图66的变形例中，可通过固定于基板支承构件69的X移动镜94X、Y移动镜94Y以基板载台干涉仪系统98测量基板P的位置，因此，在使用此变形例的曝光装置对基板P进行第1层的曝光的情形时，亦能根据以基板载台干涉仪系统98测量的基板P的位置信息，依设计值以充分的高精度进行将基板P定位至为进行各照射区域的曝光的加速开始位置的定位。
此外，若能于基板支承构件69的Y框构件61y、X框构件61x形成相当于X移动镜94X、Y移动镜94Y的反射面的反射面的话，并不一定须要设置X移动镜94X、Y移动镜94Y。此场合，可使基板支承构件69轻量化不设置该等移动镜的份。
基板支承构件可仅用于对基板P的第1层的曝光时，亦可在第2层后的曝光时亦使用。前者的情形，于第2层后的曝光时，须以基板载台干涉仪系统98测量微动载台26的位置，因此须将例如由上述角隅棱镜构成的一对X移动镜94X1、94X2及由长条镜构成的Y移动镜94Y安装在与上述第8实施形态相同的位置。此外，于此场合，虽亦可将基板载台干涉仪系统98兼用于第一层的曝光时的基板支承构件69(基板P)及第2层的曝光时的微动载台26的位置信息的测量，但不限于此，亦可将测量基板支承构件69(基板P)的位置的基板干涉仪系统，与基板载台干涉仪系统98分开另行设置。
又，作为基板支承构件，并不限于框状的构件，亦可使用框的一部分有缺口的形状的基板支承构件。例如可使用上述美国专利申请公开第2011／0042874号说明书的第8实施形态中所揭露的俯视U字形的基板保持框。此外，只要是不会对基板扫描曝光时的动作带来不良影响的构成的话，可新设置辅助基板支承构件69的XY平面内的驱动、例如辅助X轴方向的长行程驱动的驱动机构。
又，上述说明中，虽是代表性的以第8实施形态为例做了说明，但上述第1～第7各实施形态中，当然亦可将上述基板支承构件用于基板P的支承。
又，上述第7、第8实施形态中，虽是针对在基板保持具PH的Y轴方向一侧与另一侧与粗动台32及微动载台26等分离配置的框架上设置气浮单元群84E、84F的情形做了说明，但亦可将气浮单元群84E、84F中的至少一方作成搭载于粗动台32上而能于X轴方向可动的构成，且不限于此，亦可设置另一追随粗动台移动的移动体，在该另一移动体上搭载气浮单元群而于X轴方向可动。此场合，亦可在追随搭载了气浮单元群的粗动台32或粗动台移动的另一移动体上，设置配置在气浮单元群内部的上述基板Y步进运送装置88。此外，气浮单元群84E、84F虽是通过框架设置于地面，但亦可设置于架台上。
《第9实施形态》
其次，针对第9实施形态，根据图67～图99加以说明。此处，与上述第1至第8各实施形态相同或同等的构成部分赋予相同或类似符号，并简化或省略其说明。
图67中省略气浮单元群等，概略的显示了第9实施形态的曝光装置900的构成。图68中显示了曝光装置900的部分省略的俯视图，亦即显示了图67的投影光学系PL下方部分(较后述镜筒平台下方的部分)的俯视图。图69显示了从图67的＋X方向观察本第9实施形态的曝光装置的部分省略的概略侧视图。图70是撷取图68的俯视图的一部分加以放大显示的图。图71是显示以曝光装置900的控制系为中心构成、统筹控制构成各部的主控制装置50的输出入关系的方块图。图71显示了与基板载台是相关联的构成各部。主控制装置50包含工作站(或微计算机)等，统筹控制曝光装置900的构成各部。
曝光装置900，具备照明系IOP、保持掩膜M的掩膜载台MST、投影光学系PL、搭载掩膜载台MST及投影光学系PL等的机体BD(图67等中仅显示一部分)、包含微动载台26(基板台)的基板载台装置PSTh、以及此等的控制系等，整体而言，与上述第1～第8实施形态的各曝光装置同样构成。然而，在基板载台装置PSTh可保持2片基板(图67中显示了基板P1及基板P2)各个的一部分的点，与上述基板载台装置PST～PSTg不同。
基板载台装置PSTh，如图67及图69所示，具有粗动载台部24、微动载台26及重量抵销装置28等。于微动载台26上面，由图67及图69可知，搭载有基板保持具PH。基板保持具PH，由图68可知，X轴方向的长度与基板(P1、P2)同等，Y轴方向的宽度(长度)则为基板(P1、P2)的约1／3。
于基板保持具PH上面的X轴方向中央部，如图70所示，设有将其上面分割为2个保持区域ADA1、ADA2的与Y轴平行的槽150。以槽150分割的2个保持区域ADA1、ADA2，可彼此独立的以例如真空吸附(或静电吸附)方式吸附保持基板P1、P2的一部分(此处，是基板P1、P2于Y轴方向的约1／3的部分、＋X侧或－X侧半部的各个基板的1／6的区域)，并向上喷出加压气体(例如高压空气)通过该喷出压力从下方以非接触(悬浮)方式支承基板P1、P2的一部分(各个基板的约1／6的区域)。
由基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2对各基板的高压空气的喷出与真空吸附的切换，是通过将基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2个别的切换连接于未图示的真空泵与高压空气源的保持具吸排气切换装置51A、51B(参照图71)，由主控制装置50进行。
粗动载台部24，如图69所示，具有2支(一对)X梁30A、30B、2个(一对)粗动台32A、32B、与在地面F上支承2支X梁30A、30B的各个的多个脚部34。粗动台32A、32B则与例如上述基板载台装置PST具备的2个粗动台同样构成。
于粗动台32A、32B各个的上方，如图68及图69所示，配置有多个、此处为各8个具有俯视矩形的支承面(上面)的气浮单元84H，分别通过支承构件86固定在粗动台32A、32B的上面。各8个气浮单元84H，分别在曝光区域IA(投影光学系PL)的＋Y侧、－Y侧，在于Y轴方向为基板P1、P2的尺寸的2／3、且于X轴方向为基板P1与P2的X轴方向合计尺寸大致同等尺寸的区域内，2维排列。各气浮单元84H的上面是设定为与基板保持具PH的上面同等、或略低。以下的说明中，将上述各8个气浮单元84H分别称为＋Y侧的气浮单元群84H、与－Y侧的气浮单元群84H。
又，于基板保持具PH的X轴方向两侧，如图68所示，配置有各一对气浮单元84I。各一对气浮单元84I，如图67所示，以其上面与基板保持具PH大致同等(仅略低)高度的方式，通过XZ剖面为L字形的支承构件112固定在粗动台32A的上面。各气浮单元84I，例如Y轴方向的长度较基板保持具PH的1／2略短、X轴方向的长度较基板保持具PH的1／2略短。
于X梁30A的＋Y侧及X梁30B的－Y侧，如图69所示，以和架台18不接触的方式，分别于地面F上设有一对框架110A、110B。于一对框架110A、110B各个的上面，设置有多个、例如各4个气浮单元84J(参照图68)。
各4个气浮单元84J，如图68及图69所示，分别配置在上述＋Y侧气浮单元群84H的＋Y侧、－Y侧气浮单元群84H的－Y侧。各4个气浮单元84J的各个，如图68所示，Y轴方向的宽度为基板P1、P2的Y轴方向长度的大致1／3、X轴方向的长度较基板保持具PH的X轴方向长度的1／2略短。以下的说明中，将上述各4个气浮单元84J分别称为＋Y侧的气浮单元群84J、－Y侧的气浮单元群84J。＋Y侧及－Y侧的气浮单元群84J的各个，是在Y轴方向尺寸为基板P的Y轴方向长度的大致1／3、且X轴方向尺寸为基板P1与P2的X轴方向合计尺寸大致同等尺寸的区域内，排列于X轴方向。曝光区域IA的中心与＋Y侧及－Y侧的气浮单元群84J的中心的X位置大致一致。各气浮单元84J的上面设定为与基板保持具PH的上面同等、或略低。
上述气浮单元84H、84I及84J各个的支承面(上面)是多孔质体或由机械的具有多个微小孔的盘式空气轴承构造。各气浮单元84H、84I及84J可通过来自气体供应装置85(参照图71)的加压气体(例如高压空气)的供应，悬浮支承基板(例如P1、P2)的一部分。对各气浮单元84H、84I及84J的高压空气供应的on／off，是由于图71所示的主控制装置50个别的加以控制。
由上述说明可知，本实施形态中，通过＋Y侧或－Y侧气浮单元群84H及84J可悬浮支承2片基板的全体。又，通过基板保持具PH的保持区域ADA1与＋X侧的一对气浮单元84I与＋Y侧或－Y侧的4个气浮单元84H可悬浮支承1片基板的全体。此外，通过基板保持具PH的保持区域ADA2与－X侧的一对气浮单元84I与＋Y侧或－Y侧的4个气浮单元84H可悬浮支承1片基板的全体。进一步的，通过基板保持具PH与该基板保持具PH的＋Y侧或－Y侧的4个气浮单元84H可悬浮支承1片基板的全体。
又，气浮单元群84H、84J若分别具有与上述各矩形区域大致同等的总支承面积的话，亦可置换为单一的大型气浮单元，或使各个气浮单元的大小作成与图68的情形相异将之分散配置在上述矩形区域内。亦可取代一对气浮单元84I使用支承面的面积为2倍的单一气浮单元。由于气浮单元使基板悬浮，因此无需于全面紧密铺设，只要视气浮单元的悬浮能力(负载容量)适当的以既定间隔配置于既定位置即可。
在＋X侧及－X侧的各一对气浮单元84I与基板保持具PH之间，如图68及图70所示，配置有一对基板Y步进运送装置88。
各基板Y步进运送装置88，是用以保持(例如吸附)基板(例如P1或P2)使其移动于Y轴方向的装置，固定在上述支承构件112的上面(参照图67)。各基板Y步进运送装置88，如图67及图70所示，具备通过支承构件112固定于粗动台32A延伸于Y轴方向的固定部88b、与吸附基板(例如P1或P2)背面而能于Y轴方向沿固定部88b移动的可动部88a。本实施形态中，各基板Y步进运送装置88的可动部88a于Y轴方向的移动行程与基板保持具PH的Y轴方向宽度同等。
又，实际上，可动部88a虽是吸附基板P移动于Y轴方向，但以下说明中，除了特别须加以区别的情形外，基板Y步进运送装置88与可动部88a不区别加以使用。
在＋Y侧及－Y侧的气浮单元群84H与基板保持具PH之间，如图68及图70所示，配置有一对基板X步进运送装置91。
基板X步进运送装置91是用以保持(例如吸附)基板(例如P1或P2)使其移动于X轴方向的装置，通过支承构件固定在配置于基板保持具PH的＋X侧半部的＋Y侧、－Y侧的一对气浮单元84H各个的与基板保持具PH对向侧的面(参照图69)。
各基板X步进运送装置91，如图69及图70所示，具备与气浮单元84H一起固定于粗动台32A或32B延伸于X轴方向的固定部91b、与吸附基板(例如P1或P2)背面可于X轴方向沿固定部91b移动的可动部91a。可动部91a是通过例如以线性电机构成的驱动装置95(图69及图70中未图示，参照图71)，相对粗动台32A或32B被驱动于X轴方向。于基板X步进运送装置91，设有测量可动部91a的位置的编码器等的位置读取装置97(图69及图70中未图示，参照图71)。当然，驱动装置95不限于线性电机，亦可由以使用滚珠螺杆或皮带的旋转电机作为驱动源的驱动机构构成。
各基板X步进运送装置91的可动部91a于X轴方向的移动行程为基板保持具的X轴方向长度的大致1／2(略长)。各固定部91b的－X侧端部，从分别被固定的气浮单元84H往－X侧突出既定长度。
又，由于各基板X步进运送装置91的可动部91a(基板吸附面)必须吸附基板P的背面、或解除吸附从基板P分离，因此亦可通过驱动装置95微驱动于Z轴方向。此外，实际上，可动部91a虽是吸附基板P移动于Y轴方向，但以下说明中，除了特别须加以区别的情形外，基板Y步进运送装置91与可动部91a不区别加以使用。
又，本实施形态中，为了基板Y步进运送装置88及基板X步进运送装置91各个的可动部(基板吸附面)对基板P的吸附及与基板分离，微动载台26亦可移动于Z轴方向。
重量抵销装置28，如图69所示，具有筐体64、空气弹簧66及Z滑件68等，例如与上述第2实施形态之后的各实施形态同样构成。亦即，本第9实施形态的基板载台装置PSTh中，Z滑件68兼作为调平装置78的固定部，未设置密封垫，而重量抵销装置28与微动载台26一体化。又，由于重量抵销装置28与微动载台26一体化，因此未设置限制重量抵销装置28单独运动的连结装置80(flexure装置)等。微动载台26，是通过图69中具有以球状构件示意显示的球面轴承、或拟似球面轴承构造体的调平装置78在Z滑件68上倾斜自如(相对XY平面于θx及θy方向摆动自如)的被支承。
通过调平装置78被支承于重量抵销装置28及重量抵销装置28的上部构成部分(微动载台26及基板保持具PH等)，通过一对X音圈电机54X的作用，与粗动台32A一体移动于X轴方向。亦即，亦即，上部构成部分(微动载台26及基板保持具PH等)，通过主控制装置50的控制，使用一对X音圈电机54X被支承于重量抵销装置28与粗动台32A同步驱动(与粗动台32A同方向、同速度驱动)，据以和粗动台32A一起以既定行程移动于X轴方向。又，上部构成部分(微动载台26及基板保持具PH等)，通过主控制装置50的控制，通过一对X音圈电机54X、一对Y音圈电机54Y及4个Z音圈电机54Z，相对粗动台32A被微驱动于6自由度方向。
本第9实施形态中，包含粗动台32A(及32B)、重量抵销装置28、微动载台26及基板保持具PH等，构成与基板(P1、P2)一体移动于X轴方向的移动体(以下，适当的称基板载台(PH、26、28、32A、32B))。
本第9实施形态的曝光装置900中，微动载台26(基板保持具PH)的XY平面内的位置信息，是通过基板载台干涉仪系统98(参照图71)，例如以0.5～1nm程度的分解能力随时加以检测。本第9实施形态的基板载台干涉仪系统98，比较图67～图69与图30～图32可知，是与上述第7实施形态的基板载台干涉仪系统98同样构成。不过，本第9实施形态的曝光装置900中，如图69所示，Y干涉仪98Y1、98Y2是在气浮单元84H下方，与Y移动镜94Y对向、于X轴方向以既定间隔配置。Y干涉仪98Y1、98Y2分别通过支承构件104固定在一对架台18的各个。
基板载台装置PSTh的其他部分的构成与例如基板载台装置PSTa、PSTf等相同。又，基板载台装置以外的构成各部与上述各实施形态相同(参照图67～图71)。
接着，说明以上述方式构成的本实施形态的曝光装置900进行的基板曝光处理的一连串动作。此处，举一例而言，是针对对基板P进行第2层以后的曝光的场合，根据相当于用以说明基板的曝光处理的一连串动作程序(亦即，曝光程序)的曝光程序说明图(之11～之27)的图72～图74、图76～图99、以及显示一基板的照射区域的曝光与另一基板的Y步进动作的并行动作的图75A～图75D来加以说明。又，图72～图99中，为使说明易于理解，进一步将图70予以简化而仅显示基板保持具PH、基板。此外，图72～图99中所示的曝光区域IA，是曝光时照明光IL透过投影光学系PL照射的照明区域，实际上，在曝光以外时不会形成，但为使基板P与投影光学系PL间的位置关系明确而随时加以显示。又，此处，是针对对各基板于X轴方向取2面(2扫描)、Y轴方向取3面(3扫描)的取6面(合计6扫描)曝光的情形加以说明。
首先，在主控制装置50的管理下，通过未图示的掩膜搬送装置(掩膜装载器)将掩膜M装载至掩膜载台MST上，并通过未图示的基板搬入装置将2片基板P1、P2搬入(投入)基板载台装置PSTh上。于基板P1、P2的各个在每一照射区域设有在前层之前的曝光时，例如图72等所示，设有多个与例如X轴方向2个、Y轴方向3个的合计6个照射区域SA1～SA6一起，与各照射区域的图案同时被转印的多个对准标记PM(参照图70)。又，图70中，省略了各照射区域的图示。
此场合，通过基板搬入装置将2片基板P2、P1，如图72中涂黑箭头及涂白箭头所示，搬送于＋Y方向及－Y方向，搬入图68、图70及图72所示位置。此场合，基板P2是装载成跨在基板保持具PH的保持区域ADA1与＋X侧的一对气浮单元84I与－Y侧的气浮单元群84H的一部分，而基板P1则装载成跨在基板保持具PH的保持区域ADA2与－X侧的一对气浮单元84I与＋Y侧的气浮单元群84H的一部分。此时，基板P2被基板保持具PH的保持区域ADA1与＋X侧的一对气浮单元84I与－Y侧的气浮单元群84H的一部分悬浮支承，基板P1则被基板保持具PH的保持区域ADA2与－X侧的一对气浮单元84I与＋Y侧的气浮单元群84H的一部分悬浮支承。当然，各基板并不一定必须从图72中各箭头的方向搬入。例如，亦可从上方(＋Z侧)或X轴方向的外侧搬入。
接着，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2从排气切换为吸引。据此，基板P2、P1的一部分(基板全体的约1／6)即被吸附固定于基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2，成为基板P2、P1的一部分(基板全体其余的约5／6)被一对气浮单元84I与气浮单元群84H的一部分悬浮支承的状态。
之后，由主控制装置50通过与现有相同的对准测量方法求出微动载台26(基板保持具PH)相对投影光学系PL的位置、与基板P1、P2相对微动载台26的大致位置。又，基板P1、P2对微动载台26的对准测量可省略。
接着，主控制装置50根据上述测量结果，通过粗动台32A驱动微动载台26以使基板P1上的至少2个对准标记PM(图72中未图示，参照图70)移动至任一对准检测系的视野内，进行基板P1相对投影光学系PL的对准测量，并根据该结果，求出为进行基板P1上照射区域SA1的曝光的扫描开始位置。此处，为进行曝光的扫描包含在扫描曝光时的等速移动区间前后的加速区间及减速区间，因此，严格来说，扫描开始位置是加速开始位置。接着，主控制装置50驱动粗动台32A、32B并微幅驱动微动载台26，将基板P1定位于该扫描开始位置(加速开始位置)。此时，进行微动载台26(基板保持具PH)对粗动台32A于X轴、Y轴及θz方向(或6自由度方向)的精密微定位驱动。图73中显示了以此方式将基板P1(及基板保持具PH)刚定位于为进行基板P1上照射区域SA1的曝光的扫描开始位置(加速开始位置)的状态。
接着，从图73状态，如图73中涂白箭头所示，将基板载台(PH、26、28、32A、32B)往－X方向驱动，进行基板P1的X扫描动作。此时，由主控制装置50将保持掩膜M的掩膜载台MST与基板保持具PH(微动载台26)同步往－X方向驱动，基板P1的照射区域SA1即通过投影光学系PL的掩膜M图案的投影区域的曝光区域IA，因此，于此时进行对照射区域SA1的扫描曝光。主控制装置50于X扫描动作时，实际上，是与微动载台26(基板保持具PH)同步，根据掩膜干涉仪系统14的测量结果，将掩膜载台MST扫描驱动于X轴方向、并微驱动于Y轴方向及θz方向。
扫描曝光是在微动载台26(基板保持具PH)往－X方向的加速后的等速移动中，透过掩膜M、投影光学系PL对基板P1照射照明光IL来进行。
于上述X扫描动作时，主控制装置50在使基板P1的一部分(基板P1全体的约1／6)吸附固定于基板保持具PH的保持区域ADA2，使基板P1的一部分(基板P1全体的约5／6)悬浮支承于＋Y侧的气浮单元群84H的一部分及－X侧的一对气浮单元84I，且使基板P2的一部分(基板P2全体的约1／6)吸附固定于基板保持具PH的保持区域ADA1，使基板P2的一部分(基板P2全体的约5／6)悬浮支承于－Y侧的气浮单元群84H的一部分及＋X侧的一对气浮单元84I的状态下，驱动基板载台(PH、26、28、32A、32B)。
此时，主控制装置50根据X线性编码器系统46A、46B的测量结果，分别通过X线性电机42A、42B将粗动台32A、32B驱动于X轴方向，并根据基板载台干涉仪系统98、Z倾斜测量系76的测量结果驱动微动载台驱动系52(各音圈电机54X、54Y、54Z)。据此，基板P1、P2即与微动载台26成一体，通过X音圈电机54X与粗动台32A一体的移动。又，重量抵销装置28亦与微动载台26成一体，被X音圈电机54X驱动。此外，基板P1、P2与微动载台26成一体，通过来自粗动台32A的相对驱动，于X轴、Y轴、Z轴、θx、θy及θz的各方向(6自由度方向)被精密地位置控制。
图74中显示了对基板P1的照射区域SA1的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。
接着，以和上述同样的进行基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P2上预先设置的次一曝光对象的照射区域(此场合，是基板P2上的照射区域SA1)用对准标记的测量。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，主控制装置50即根据该结果，为进行次一曝光的加速，如图74中涂白箭头所示，进行将基板P2(及基板保持具PH)稍微往＋X方向驱动的基板P2(及基板保持具PH)的X步进动作。基板P2的X步进动作是由主控制装置50以和X扫描动作同样的状态驱动(不过，移动中的位置偏差并不像扫描动作般严格限制)基板载台(PH、26、28、32A、32B)来进行。主控制装置50，与基板P2的X步进动作并行，使掩膜载台MST回到加速开始位置。图76中显示了以此方式将基板P2(及基板保持具PH)刚定位于为进行基板P2上照射区域SA1的曝光的扫描开始位置(加速开始位置)后的状态。
接着，X步进动作后，主控制装置50，如图76中涂白箭头所示，开始基板P2(基板载台(PH、26、28、32A、32B))与掩膜M(掩膜载台MST)的－X方向加速，以和上述同样的方式对照射区域SA1进行扫描曝光。与此并行的，主控制装置50，如图76中涂黑箭头所示，进行将基板P1在基板保持具PH上往－Y方向搬送的基板P1的Y步进动作。此基板P1的Y步进动作，是由主控制装置50将保持区域ADA2从吸引切换为排气、以解除基板P1的吸附，并使用－X侧的基板Y步进运送装置88将基板P1往－Y方向搬送与照射区域的Y轴方向宽度大致相等的Y步进距离来进行。此处，基板Y步进运送装置88，在保持区域ADA2从吸引切换为排气的时间点，吸附保持基板P1。
图75A～图75D中，显示了基板P2的照射区域SA1的曝光与基板P1的Y步进动作并行时、随时间经过的各基板的位置等的变化。从图75A～图75D目视可知，本实施形态中，一基板(P2)的扫描曝光与另一基板(P1)的Y步进动作是可以同时进行(并行)的。此是由于，用于Y步进的基板Y步进运送装置88是被固定于粗动台32A，而能与粗动台32A一体的与基板保持具PH同步移动之故。
此场合中，主控制装置50亦可在一基板的扫描曝光中，使另一基板的Y步进动作暂时停止，而在一基板的扫描曝光前后的加速中及减速中进行另一基板的Y步进动作。如此，即能确实防止另一基板的Y步进动作对一基板的扫描曝光造成不良影响(例如以基板Y步进运送装置88的驱动力的反作用力不致成为微动载台26的振动原因的方式驱动微动载台26的结果，导致扫描曝光中的微动载台26的位置控制精度(及掩膜M与基板P2的同步精度)降低等)。
图75D及图77中显示了对基板P2上的照射区域SA1的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P1结束了Y步进动作，基板P1上的照射区域SA2位于基板保持具PH的保持区域ADA2上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA2从排气切换为吸引，基板P1的包含照射区域SA2的1／6的部分，即被吸附固定于保持区域ADA2。此时，基板P1的其余部分(约5／6)是被＋Y侧的气浮单元群84H的一部分、－Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及－X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P1相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P1上预先设置的次一照射区域SA2用对准标记的测量。于此对准测量之前，进行与基板P1的上述相同的X步进动作(参照图77中涂白箭头)，以使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内。
接着，当基板P1相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P1(及基板保持具PH)定位于为进行基板P1上照射区域SA2的曝光的加速开始位置、以及微动载台26相对粗动台32A于X轴、Y轴及θz方向(或6自由度方向)的精密的微定位驱动。图78中显示了刚结束此定位后的状态。又，以下的说明中，针对微动载台26相对粗动台32A的精密的微定位驱动，省略其记载。
接着，由主控制装置50开始基板P1与掩膜M于＋X方向的加速(参照图78中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P1的照射区域SA2的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图78中涂黑箭头所示，将基板P2于基板保持具PH上往＋Y方向搬送的与基板P2的上述相同的Y步进动作。
图79中显示了对基板P1上的照射区域SA2的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P2结束了Y步进动作，基板P2上的照射区域SA2位于基板保持具PH的保持区域ADA1上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1从排气切换为吸引，基板P2的包含照射区域SA2的1／6的部分即被吸附固定于保持区域ADA1。此时，基板P2的其余部分(约5／6)则被＋Y侧的气浮单元群84H的一部分、－Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及＋X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P2上预先设置的次一照射区域SA2用对准标记的测量。于此对准测量的开始前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P2的与上述相同的X步进动作(参照图79中涂白箭头)。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P2(及基板保持具PH)定位于为进行基板P2上照射区域SA2的曝光的加速开始位置。图80中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P2与掩膜M的－X方向加速(参照图80中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P2的照射区域SA2的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图80中涂黑箭头所示，进行将基板P1于基板保持具PH上往－Y方向搬送的基板P1的上述相同的Y步进动作。
图81中显示了对基板P2上的照射区域SA2的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P1结束了Y步进动作，基板P1上的照射区域SA3位于基板保持具PH的保持区域ADA2上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA2从排气切换为吸引，基板P1的包含照射区域SA3的1／6部分即被吸附固定于保持区域ADA2。此时，基板P1的其余部分(约5／6)被－Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及－X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P1相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P1上预先设置的次一照射区域SA3用对准标记的测量。于此对准测量的开始前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P1的与上述相同的X步进动作(参照图81中涂白箭头)。
接着，当基板P1相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P1(及基板保持具PH)定位于为进行基板P1上照射区域SA3的曝光的加速开始位置。图82中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P1与掩膜M的＋X方向加速(参照图82中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P1的照射区域SA3的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图82中涂黑箭头所示，进行将基板P2于基板保持具PH上往＋Y方向搬送的基板P2的上述相同的Y步进动作。
图83中显示了对基板P1上的照射区域SA3的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P2结束了Y步进动作，基板P2上的照射区域SA3位于基板保持具PH的保持区域ADA1上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1从排气切换为吸引，基板P2的包含照射区域SA3的1／6部分即被吸附固定于保持区域ADA1。此时，基板P2的其余部分(约5／6)被＋Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及＋X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P2上预先设置的次一照射区域SA3用对准标记的测量。于此对准测量的开始前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P2的与上述相同的X步进动作(参照图83中涂白箭头)。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P2(及基板保持具PH)定位于为进行基板P2上照射区域SA3的曝光的加速开始位置。图84中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P2与掩膜M的－X方向加速(参照图84中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P2的照射区域SA3的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图84中涂黑箭头所示，进行将基板P1于基板保持具PH上往－Y方向搬送的基板P1的上述相同的Y步进动作。由于此Y步进动作，基板P1从基板保持具PH上完全脱离，全体被－Y侧的气浮单元群84H的一部分及－Y侧的气浮单元群84J的一部分悬浮支承。
图85中显示了对基板P2上的照射区域SA3的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P1从基板保持具PH上退出。
之后，主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1从吸引切换为排气，并以＋Y侧的基板X步进运送装置91(参照图70)吸附保持基板P2，如图85中涂白箭头所示，于－X方向搬送X步进距离(照射区域的X轴方向长度的大致2倍距离)。与此并行的，主控制装置50通过－Y侧的基板X步进运送装置91(参照图70)吸附保持基板P1，如图85中涂黑箭头所示，于＋X方向搬送X步进距离。此处，基板P1往＋X方向的搬送与基板P2往－X方向的搬送，是在不使两者干涉的情况下进行。
图86中显示了上述基板P1与基板P2的X步进距离搬送结束时，两基板P1、P2相对基板保持具PH的位置关系。
从图86的状态，由主控制装置50，使用＋X侧的基板Y步进运送装置88吸附保持基板P1，并解除－Y侧的基板X步进运送装置91对基板P1的吸附。此外，如图86中涂黑箭头所示，通过＋X侧的基板Y步进运送装置88进行基板P1的＋Y方向的步进移动。如此，基板P1与基板P2在、基板保持具PH上彼此的位置虽是逆转了，但在基板保持具PH上成为与图72相同的位置关系(参照图87)。
接着，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2从排气切换为吸引。据此，成为基板P1、P2的一部分(基板全体的约1／6)被吸附固定于基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2，通过一对气浮单元84I与气浮单元群84H的一部分悬浮支承基板P1、P2的一部分(基板全体其余的约5／6)的状态。
接着，以和上述同样的进行基板P1相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P1上预先设置的次一曝光对象的照射区域(此场合，是基板P1上的照射区域SA4)用对准标记的测量。
接着，当基板P1相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，主控制装置50即根据该结果，驱动粗动台32A、32B并微驱动微动载台26，为进行次一曝光的加速，将基板P1(及基板保持具PH)定位于该扫描开始位置(加速开始位置)。图87中显示了以此方式将基板P1(及基板保持具PH)刚定位于为进行基板P1上照射区域SA4的曝光的扫描开始位置(加速开始位置)后的状态。
接着，主控制装置50，如图87中涂白箭头所示，开始基板P1(基板载台(PH、26、28、32A、32B))与掩膜M(掩膜载台MST)的＋X方向加速，和上述同样的进行对照射区域SA4的扫描曝光。
图88中显示了对基板P1的照射区域SA4的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。
接着，以和上述同样的进行基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P2上预先设置的次一曝光对象的照射区域(此场合，是基板P2上的照射区域SA4)用对准标记的测量。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，主控制装置50及根据该结果，为进行次一曝光的加速，如图88中涂白箭头所示，以和上述同样的进行将基板P2(及基板保持具PH)略往－X方向驱动的基板P2(及基板保持具PH)的X步进动作。图89中显示了以此方式进行将基板P2(及基板保持具PH)刚定位于为进行基板P2上照射区域SA4的曝光的扫描开始位置(加速开始位置)后的状态。
接着，主控制装置50，如图89中涂白箭头所示，开始基板P2(基板载台(PH、26、28、32A、32B))与掩膜M(掩膜载台MST)的＋X方向加速，以和上述同样的对照射区域SA4进行扫描曝光。与此并行的，主控制装置50，如图89中涂黑箭头所示，将基板P1在基板保持具PH上往＋Y方向搬送进行与基板P1的与上述同样的Y步进动作。
图90中显示了对基板P2上照射区域SA4的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P1结束了Y步进动作，基板P1上的照射区域SA5位于基板保持具PH的保持区域ADA1上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1从排气切换为吸引，基板P1的包含照射区域SA5的1／6部分即被吸附固定于保持区域ADA1。此时，基板P1的其余部分(约5／6)是由＋Y侧的气浮单元群84H的一部分、－Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及＋X侧的一对气浮单元84I加以悬浮支承。
接着，进行基板P1相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P1上预先设置的次一照射区域SA5用对准标记的测量。于此对准测量的开始前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P1的与上述相同的X步进动作(参照图90中涂白箭头)。
接着，当基板P1相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P1(及基板保持具PH)定位于为进行基板P1上照射区域SA5的曝光的加速开始位置。图91中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P1与掩膜M的－X方向加速(参照图91中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P1的照射区域SA5的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图91中涂黑箭头所示，进行将基板P2于基板保持具PH上往－Y方向搬送的基板P2的上述相同的Y步进动作。
图92中显示了对基板P1上照射区域SA5的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P2结束了Y步进动作，基板P2上的照射区域SA5位于基板保持具PH的保持区域ADA2上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA2从排气切换为吸引，基板P2的包含照射区域SA5的1／6的部分即被吸附固定于保持区域ADA2。此时，基板P2的其余部分(约5／6)是被＋Y侧的气浮单元群84H的一部分、－Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及－X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P2上预先设置的次一照射区域SA5用对准标记的测量。于此对准测量的开始前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P2的与上述相同的X步进动作(参照图92中涂白箭头)。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P2(及基板保持具PH)定位于为进行基板P2上照射区域SA5的曝光的加速开始位置。图93中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P2与掩膜M的＋X方向加速(参照图93中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P2的照射区域SA5的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图93中涂黑箭头所示，进行将基板P1于基板保持具PH上往＋Y方向搬送的基板P1的上述相同的Y步进动作。
图94中显示了对基板P2上的照射区域SA5的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P1结束了Y步进动作，基板P1上的照射区域SA6位于基板保持具PH的保持区域ADA1上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1从排气切换为吸引，基板P1的包含照射区域SA6的1／6部分即被吸附固定于保持区域ADA1。此时，基板P1的其余部分(约5／6)是被＋Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及＋X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P1相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P1上预先设置的次一照射区域SA6用对准标记的测量。于此对准测量的开始前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P1的与上述相同的X步进动作(参照图94中涂白箭头)。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P1(及基板保持具PH)定位于为进行基板P1上照射区域SA6的曝光的加速开始位置。图95中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P1与掩膜M的－X方向加速(参照图95中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P1的照射区域SA6的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图95中涂黑箭头所示，进行将基板P2于基板保持具PH上往－Y方向搬送的基板P2的上述相同的Y步进动作。
图96中显示了对基板P1上照射区域SA6的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P2结束了Y步进动作，基板P2上的照射区域SA6位于基板保持具PH的保持区域ADA2上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA2从排气切换为吸引，基板P2的包含照射区域SA6的1／6部分即被吸附固定于保持区域ADA2。此时，基板P2的其余部分(约5／6)是被－Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及－X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P2上预先设置的次一照射区域SA6用对准标记的测量。于此对准测量的开始前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P2的与上述相同的X步进动作(参照图96中涂白箭头)。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P2(及基板保持具PH)定位于为进行基板P2上照射区域SA6的曝光的加速开始位置。图97中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P2与掩膜M的＋X方向的加速(参照图97中涂白箭头)，进行对基板P2的照射区域SA6与上述同样的扫描曝光。
图98中显示了对基板P2上照射区域SA6的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2从吸引切换为排气，并以－X侧的基板Y步进运送装置88(参照图70)吸附保持基板P2，如图98中涂黑箭头所示的，往－Y方向搬出(搬送)。与此并行的，主控制装置50以＋X侧的基板Y步进运送装置88(参照图70)吸附保持基板P1，如图98中涂白箭头所示，往＋Y方向搬出(搬送)。
接着，如图99所示，将完成曝光的基板P1、P2搬出、并将新的基板P3、P4与图72同样的搬至(搬入)基板保持具PH上。此场合，各基板的搬入及搬出方向，亦不一定必须是图99中的箭头方向。例如，亦可从上方或X轴方向搬入及／或搬出。
如以上的说明，本第9实施形态的曝光装置900，由于是作成使搭载了小型(基板的1／3尺寸)基板保持具PH的微动载台26移动于1轴(X轴)方向，而仅使基板移动于2轴(X轴与Y轴)方向，因此能使基板载台装置PSTh小型轻量化，与上述各实施形态同样的，获得伴随基板保持具PH及基板载台装置PSTh的小型化而来的各种效果。再者，本第9实施形态的曝光装置900，主控制装置50可将2片基板各自的一部分分别搭载于基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2，基板保持具PH，与构成其一部分的基板载台往X轴方向移动以使一基板的部分照射区域扫描曝光的动作并行，以基板Y步进运送装置88使另一基板相对基板保持具PH往Y轴方向移动。据此，与针对第1片基板，交替的反复进行在1个照射区域(未曝光区域)的曝光结束后，使该基板步进移动以使次一照射区域(未曝光区域)曝光的曝光及步进移动来进行该基板的曝光，而针对第2片基板以同样程序进行曝光的情形相较，能缩短2片基板的曝光处理所需时间。此外，本实施形态，能交互的进行2片基板的曝光，使一基板的Y步进时间与另一基板的X扫描时间完全重叠，因此针对1片基板考量的话，能以(1照射区域的扫描曝光所需时间＋对准时间)×扫描次数(照射区域的数)＋α，具体而言，能与不进行基板在基板保持具上的更替的现有步进扫描方式进行曝光处理者大致同程度的时间，进行曝光处理。
又，上述第9实施形态中，是将2片基板同时搬入基板保持具PH(基板载台装置PST)上、且同时从基板保持具PH(基板载台装置PSTh)上搬出。然而，曝光装置900中，亦可如以下说明的变形例般，将2片基板每次一片交互的搬入及从基板保持具PH(基板载台装置PSTh)搬出。
《第9实施形态的变形例》
图100是相当于上述第9实施形态中曝光程序说明图(之13)的图85的图，根据主控制装置50的指示，通过搬出装置(未图示)将基板P1在此时间点搬出至基板载台装置PSTh的外部(参照图100中的涂黑粗箭头)。基板P1的－X侧一半，如图100所示，可以是尚未曝光的状态、亦可以是预先经曝光。
主控制装置50，在基板P1被搬出途中从基板保持具PH上完全退出时，以＋Y侧的基板X步进运送装置91(参照图70)吸附保持基板P2，如图100中涂白箭头所示，于－X方向搬送X步进距离(照射区域的X轴方向长度大致2倍的距离)。
图101中显示了上述基板P2的X步进距离搬送结束时基板P2相对基板保持具PH的位置关系。此时，新的基板P3已搬入－Y侧的气浮单元群84H及84J上。
从图101的状态，由主控制装置50控制，使用＋X侧的基板Y步进运送装置88吸附保持基板P3，如图101中涂黑箭头所示，进行基板P3的＋Y方向步进移动。据此，成为图102所示状态，基板P2与基板P3在基板保持具PH上成为与图72中基板P1与基板P2相同的位置关系。
接着，主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2从排气切换为吸引。据此，基板P3、P2的一部分(基板全体的约1／6)即被吸附固定于基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2，成为以一对气浮单元84I与气浮单元群84H的一部分悬浮支承基板P3、P2的一部分(基板全体其余的约5／6)的状态。
其次，基板P3相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即基板P3上预先设施的次一曝光对象的照射区域(此场合，是基板P3上的照射区域SA1)用对准标记的测量，即和上述同样的进行。
接着，当基板P3相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，主控制装置50即根该结果，驱动粗动台32A、32B并微驱动微动载台26，为进行次一曝光的加速，将基板P3(及基板保持具PH)定位于该扫描开始位置(加速开始位置)。图102中显示了以此方式将基板P3(及基板保持具PH)刚定位于为进行基板P3上照射区域SA1的曝光的扫描开始位置(加速开始位置)后的状态。
接着，主控制装置50，如图102中涂白箭头所示，开始基板P3(基板载台(PH、26、28、32A、32B))与掩膜M(掩膜载台MST)的＋X方向的加速，和上述同样的对照射区域SA1进行扫描曝光。
图103中显示了对基板P3的照射区域SA1的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。
其次，基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即基板P2上预先设施的次一曝光对象的照射区域(此场合，是基板P2上的照射区域SA4)用对准标记的测量，即和上述同样的进行。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，主控制装置50即根该结果，驱动粗动台32A、32B并微驱动微动载台26，为进行次一曝光的加速，将基板P2(及基板保持具PH)，如图103中涂白箭头所示，以和上述同样的进行略往－X方向驱动的基板P2(及基板保持具PH)的X步进动作。图104中显示了以此方式将基板P2(及基板保持具PH)刚定位于为进行基板P2上照射区域SA4的曝光的扫描开始位置(加速开始位置)后的状态。
接着，主控制装置50，如图104中涂白箭头所示，开始基板P2(基板载台(PH、26、28、32A、32B))与掩膜M(掩膜载台MST)的＋X方向的加速，和上述同样的对照射区域SA4进行扫描曝光。与此并行的，主控制装置50，如图104中涂黑箭头所示，将基板P3于基板保持具PH上往＋Y方向搬送以进行基板P3的与上述相同的Y步进动作。
图105显示了对基板P2上照射区域SA4的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P3结束了步进动作，基板P3上的照射区域SA2位于基板保持具PH的保持区域ADA1上。
之后，主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1从排气切换为吸引，基板P3的包含照射区域SA2的1／6部分即被吸附固定于保持区域ADA1。此时，基板P3的其余部分(约5／6)被＋Y侧的气浮单元群84H的一部分、－Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及＋X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P3相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P3上预先设置的次一照射区域SA2用对准标记的测量。于此对准测量之前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P3的上述X步进动作(参照图105中涂白箭头)。
接着，当基板P3相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P3(及基板保持具PH)定位于为进行基板P3上照射区域SA2的曝光的加速开始位置。图106中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P3与掩膜M的－X方向加速(参照图106中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P3的照射区域SA2的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图106中涂黑箭头所示，进行将基板P2于基板保持具PH上往－Y方向搬送的基板P2的上述相同的Y步进动作。
图107中显示了对基板P3上照射区域SA2的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P2结束了Y步进动作，基板P2上的照射区域SA5位于基板保持具PH的保持区域ADA2上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA2从排气切换为吸引，基板P2的包含照射区域SA5的1／6部分即被吸附固定于保持区域ADA2。此时，基板P2的其余部分(约5／6)是被－Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及－X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P2上预先设置的次一照射区域SA5用对准标记的测量。于此对准测量之前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P2的上述X步进动作(参照图107中涂白箭头)。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P2(及基板保持具PH)定位于为进行基板P2上照射区域SA5的曝光的加速开始位置。图108中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P2与掩膜M的＋X方向加速(参照图108中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P2的照射区域SA5的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图108中涂黑箭头所示，进行将基板P2于基板保持具PH上往＋Y方向搬送的基板P3的上述相同的Y步进动作。
图109中显示了对基板P2上照射区域SA5的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P3结束了Y步进动作，基板P3上的照射区域SA3位于基板保持具PH的保持区域ADA1上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1从排气切换为吸引，基板P3的包含照射区域SA3的1／6部分即被吸附固定于保持区域ADA1。此时，基板P2的其余部分(约5／6)是被＋Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及＋X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P3相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P3上预先设置的次一照射区域SA3用对准标记的测量。于此对准测量之前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P3的上述X步进动作(参照图109中涂白箭头)。
接着，当基板P3相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P3(及基板保持具PH)定位于为进行基板P3上照射区域SA3的曝光的加速开始位置。图110中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P3与掩膜M的－X方向加速(参照图110中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P3的照射区域SA3的扫描曝光。与此并行的，由主控制装置50，如图110中涂黑箭头所示，进行将基板P2于基板保持具PH上往－Y方向搬送的基板P2的上述相同的Y步进动作。
图111中显示了对基板P3上照射区域SA3的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。此时，基板P2结束了Y步进动作，基板P2上的照射区域SA6位于基板保持具PH的保持区域ADA2上。
之后，由主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA2从排气切换为吸引，基板P2的包含照射区域SA6的1／6部分即被吸附固定于保持区域ADA2。此时，基板P2的其余部分(约5／6)是被－Y侧的气浮单元群84H的一部分、以及－X侧的一对气浮单元84I悬浮支承。
接着，进行基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量、亦即进行基板P2上预先设置的次一照射区域SA6用对准标记的测量。于此对准测量之前，为使测量对象的对准标记位于对准检测系的检测视野内，进行基板P2的上述X步进动作(参照图111中涂白箭头)。
接着，当基板P2相对投影光学系PL的新的对准测量结束时，由主控制装置50根据该结果，进行将基板P2(及基板保持具PH)定位于为进行基板P2上照射区域SA3的曝光的加速开始位置。图112中显示了刚结束此定位后的状态。
接着，由主控制装置50开始基板P2与掩膜M的＋X方向加速(参照图110中涂白箭头)，进行与上述相同的对基板P2的照射区域SA6的扫描曝光。
图113显示了对基板P2上照射区域SA6的扫描曝光结束，基板载台(PH、26、28、32A、32B)停止的状态。
之后，主控制装置50将基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2从吸引切换为排气，并以－X侧的基板Y步进运送装置88(参照图70)吸附保持基板P2，如图113中涂黑箭头所示，往－Y方向搬出(搬送)。与此并行的，主控制装置50以＋Y侧的基板X步进运送装置91(参照图70)吸附保持基板P3。接着，在基板P2从基板保持具PH上完全退出的时间点，主控制装置50，如图113中涂白箭头所示，进行基板P3于－X方向的X步进距离搬送。
之后，如图114所示，将基板全面的曝光结束的基板P2搬出、于基板保持具PH的保持区域ADA1上搬入新的基板P4。
之后，对3个照射区域的曝光结束的基板P3及未曝光的基板P4，反复进行与上述基板P2与基板P3相同的处理。
如以上所述，本变形例由于不进行基板的2片同时更换(搬入、搬出)，因此曝光对象的照射区域变更及基板更换作业的效率较良好。具体而言，于上述第9实施形态的曝光程序中的之13及之14(图85及图86)所示，无原来在基板P1实施的X轴与Y轴的2轴移动。又，由于基板的搬入与搬出是每次进行1片，即使基板搬入及搬出所需的未图示的搬入装置及搬出装置仅各1台，亦能以短时间进行更换作业。
又，上述第9实施形态及其变形例中，虽是以将基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2分别作成基板的约1／6面积，对应X轴方向2面(2扫描)且Y轴方向3面(3扫描)的取6面(曝光扫描数)的情形作了说明，但不限于此，亦可将基板保持具PH的保持区域ADA1、ADA2分别设定为基板的约1／4面积。此场合，亦可对应X轴方向2面(2扫描)且Y轴方向2面(2扫描)的取4面的情形。
又，上述基板保持具PH上配置的2片基板的配置关系及曝光区域变更的顺序仅为一例，并不限定于此。例如，上述第9实施形态及其变形例中，虽是针对交互进行对2片基板中的一方与另一方的扫描曝光(因此，另一基板与一基板的Y步进动作是与此并行的交互进行)的情形做了说明，但对2片基板中的一方与另一方的扫描曝光并不一定需交互进行。不过，最好是能将2片基板装载于基板保持具PH上的保持区域ADA1、ADA2，一基板的至少1个照射区域的扫描曝光与另一基板的Y步进动作至少部分是并行，且最好是能在2片基板中的一基板的曝光开始至结束为止的期间，进行另一基板的至少1个照射区域的曝光。如此，与2片基板中的一基板的曝光结束后才开始另一基板的曝光的情形相较，能以更短时间结束对2片基板的曝光。
此外，上述第9实施形态及变形例中，虽是举使用具有以槽部2分割的2个保持区域的基板保持具PH的情形为例，但不限于此，亦可将独立的2个基板保持具排列固定在1个微动载台上。
又，基板X步进运送装置91及基板Y步进运送装置88虽是配置在基板保持具PH的周边，但只要能使2片基板相对基板保持具PH移动而成为与上述同样的位置关系的话，基板X步进运送装置91及基板Y步进运送装置88的配置、数量等皆可任意选择。不过，基板Y步进运送装置88必须同时进行(并行)对一基板上照射区域的扫描曝光与另一基板的Y步进运送，因此必须设置在搭载基板保持具PH的微动载台26或与基板保持具PH一体移动的移动体上。
《第10实施形态》
其次，针对第10实施形态，根据图115～图117加以说明。此处，与上述第9实施形态相同或同等的构成部分赋予相同或类似符号，并简化或省略其说明。
图115是省略了第10实施形态的曝光装置1000的一部分的俯视图。又，图116是从＋X方向观察曝光装置1000、省略了一部分的概略侧视图。不过，图116中，与上述图69同样的，粗动台32与重量抵销装置28皆是部分的以剖面图显示。
本第10实施形态的曝光装置1000，与上述第9实施形态相异处在于，取代上述基板载台装置PSTh而设置了基板载台装置PSTi，其他部分的构成等则与上述第9实施形态相同。
基板载台装置PSTi，如图116所示，取代上述粗动载台部24而具备粗动载台部24’。粗动载台部24’，如图116所示，具有2支(一对)X梁30A’、30B’、粗动台32、以及将2支X梁30A’、30B’的各个在地面F上加以支承的多个脚部34。
粗动台32是取代例如上述基板载台装置PSTh所具备的2个粗动台32A及32B而设置者，由图115及图116可知，具有将粗动台32A及32B一体化且缩小Y轴方向尺寸的形状。
粗动载台部24’的各部构成，由于与例如之前说明的第4实施形态的曝光装置所具备的基板载台装置PSTc相同，因此省略详细说明。
基板载台装置PSTi中，如图116所示，基板保持具PH的Y轴方向两侧的气浮单元与粗动台32分离、设置在地面F上。再者，随此变更，一对基板Y步进运送装置88及一对基板X步进运送装置91的安装于微动载台26。
于X梁30A’的＋Y侧及X梁30B’的－Y侧，如图116所示，一对框架110A’、110B’的各个以不会与架台18接触的方式设置在地面F上。于一对框架110A’、110B’的上面，设有一对气浮单元群84H’的各个。
一对气浮单元群84H’的各个，如图115及图116所示，配置在基板保持具PH的Y轴方向两侧。一对气浮单元群84H’的各个，如图115所示，是在Y轴方向宽度较基板(例如P1或P2)的Y轴方向宽度略短、X轴方向长度与基板保持具PH和后述一对气浮单元群84I’于曝光程序中移动范围大致同等长度的矩形区域内，由在X轴方向及Y轴方向相隔既定间隙分散配置的多个气浮单元构成。曝光区域IA的中心与一对气浮单元群84H’各个的中心的X位置大致一致。一对气浮单元群84H’的各气浮单元的上面，是设定成与基板保持具PH的上面同等、或略低。
又，基板载台装置PSTi中，于基板保持具PH的X轴方向两侧，取代上述各一对气浮单元84I配置有一对气浮单元群84I’的各个。一对气浮单元群84I’，如图115所示，分别由在X轴方向以既定间隔配置的多个、例如3个于Y轴方向细长的矩形气浮单元构成。各气浮单元的Y轴方向长度较一对气浮单元群84H’彼此间的间隔略短。一对气浮单元群84I’的各个，是与气浮单元84I同样的方式固定在粗动台32的上面。
分别构成一对气浮单元群84H’及一对气浮单元群84I’的各气浮单元的支承面(上面)，与上述气浮单元84同样的，是多孔质体或机械性的具有多个微小孔的盘式空气轴承构造。各气浮单元可通过来自上述气体供应装置的加压气体(例如高压空气)的供应，悬浮支承基板的一部分。对各气浮单元的高压空气供应的on／off，是由主控制装置50加以控制。
本第10实施形态中，通过上述一对气浮单元群84H’及一对气浮单元群84I’，即使是在基板以基板载台(PH、26、28、32)于X轴方向、例如全行程移动时，亦能防止基板的垂下，悬浮支承基板。
又，一对气浮单元群84H’，只要分别具有与上述矩形区域大致同等的总支承面积的话，可置换为单一的大型气浮单元，亦可将各个气浮单元的形状或大小作成不同于图115所示者，分散配置上述矩形区域内。同样的，针对一对气浮单元群84I’，亦可将各个气浮单元的形状或大小作成与图115所示者不同。
又，基板载台装置PSTi中，如图116所示，一对基板X步进运送装置91是配置在基板保持具PH的Y轴方向两侧，通过支承构件固定于微动载台26。同样的，一对基板Y步进运送装置88亦配置在基板保持具PH的X轴方向两侧，通过支承构件固定于微动载台26(参照图115)。
进一步的，一对Y干涉仪98Y1、98Y2，如图115所示，是在构成－Y侧气浮单元群84H’的接近基板保持具PH的第1列多个气浮单元中、位于X轴方向中心近旁的相邻气浮单元彼此间的2处间隙对向的位置，固定于侧框20。2处间隙，是相对通过曝光区域IA中心的Y轴成对称的间隙。本实施形态中，从一对Y干涉仪98Y1、98Y2分别通过上述2处间隙，将测量光束(测长光束)照射于Y移动镜94Y。
基板载台装置PSTi的其他部分的构成与上述基板载台装置PSTh相同。
此外，亦可在一对气浮单元群84H’的近旁，设置与上述基板X步进运送装置91及基板Y步进运送装置88不同的另一基板运送装置(未图示)，通过此装置进行基板的搬入及搬出。
本第10实施形态的曝光装置1000，是以和上述第9实施形态的曝光装置900相同的程序进行基板更换、对准及曝光等一连串的动作。
根据上述说明的本第10实施形态的曝光装置1000，可获得与上述第9实施形态的曝光装置900同等的效果。除此之外，曝光装置1000中，由于基板保持具PH的Y轴方向两侧的气浮单元群84H’是由固定、且于X轴方向广范围配置的多个气浮单元构成，因此于基板更换时，能使基板预先在固定的气浮单元群84H’上待机，而能更有效率且以短时间进行基板更换。图117中，作为一例，显示将上述第9实施形态的变形例中的曝光程序说明图(之15)所示的基板更换(参照图114)，以本第10实施形态的曝光装置1000进行的情形的俯视图。此场合，由图117可知，于曝光程序15之前，可以曝光程序14(参照图113)，使新的基板P4待机在图示的位置。此外，在进行上述第9实施形态的曝光程序说明图(之27)所示的2片基板同时更换(参照图99)的情形时，亦可预先使2片新的基板在一对气浮单元群84H’上待机，因此能有效率且高速的进行基板更换。
又，根据本第10实施形态的曝光装置1000，由于是使基板保持具PH的Y轴方向两侧的气浮单元群84H’从基板载台(粗动台32)分离，因此能减轻基板载台(粗动台32)的负载，提升基板载台的控制性。此外，由于气浮单元群84H’的各气浮单元是不动的，因此并无测量微动载台26的Y轴方向位置的Y干涉仪98Y1、98Y2的测量光束被气浮单元遮蔽之虞。因此，可将Y干涉仪98Y1、98Y2设置在气浮单元群84H’外侧(－Y侧)的装置本体的侧框20(参照图115、图116)。
又，本第10实施形态的曝光装置1000中，可将可动的气浮单元、基板X步进运送装置91及基板Y步进运送装置88安装在与基板保持具PH(亦即微动载台26)机械性分离的粗动台32，亦可一体的安装于基板保持具PH或微动载台26。
《第10实施形态的变形例》
又，第10实施形态中，亦可将构成一对气浮单元群84H’的多个气浮单元的一部分安装于基板载台(粗动台32或微动载台26)，如上述第1实施形态般，作成可动的气浮单元。例如，可如图118及图119所示的变形例，以固定的气浮单元构成基板保持具PH的－Y侧的气浮单元群84H’，将基板保持具的＋Y侧的气浮单元群84H搭载于基板载台(粗动台32)而作成可动。此外，固定的气浮单元群84H’，于图118中，虽是与搭载基板载台的机体BD(曝光装置本体)机械上及振动上分离而设在地面F上，但亦可设置于机体BD上。
《第11实施形态》
其次，针对第11实施形态，根据图120加以说明。图120中概略的显示了本第11实施形态的曝光装置1100的构成。如此图120所示，曝光装置1100，与上述各实施形态的曝光装置不同处在于，将检测基板的对准标记的多个对准检测系AL设在装载基板P1、P2等的基板保持具PH。
用于本第11实施形态的曝光装置1100的基板P1、P2等，于背面(－Z侧的面)的对应多个对准检测系AL中任一者的既定位置设有至少2个对准标记。各对准标记，例如具有多个刻度线，可通过对准检测系AL测定基板相对基板保持具PH的位置(或偏离基准位置的位置偏移量)。
曝光装置1100的其他部分、包含基板载台装置PSTh，是与上述第9实施形态的曝光装置900同样构成。因此，根本第11实施形态的曝光装置1100，能获得与第9实施形态的曝光装置900同等的效果。除此之外，曝光装置1100中，即使是在包含微动载台26的基板载台的移动中，亦能进行基板的对准测量。具体而言，主控制装置50可在对2片基板、例如对基板P1、P2中的一基板进行X扫描中进行对另一基板相对基板保持具PH的对准测量。因此，主控制装置50可在一基板的X扫描结束后，根据上述对准测量的结果立即使另一基板与微动载台26(基板保持具PH)一起微幅移动，据以修正该另一基板的位置。如此一来，即能在一基板的扫描曝光结束后立即开始另一基板的扫描曝光，而能提升生产率。
又，曝光装置1100中，对准检测系AL并不限于设在基板保持具PH，亦可设在搭载基板保持具PH的微动载台26。
又，上述第9～第11各实施形态的曝光装置中，亦可将搭载于粗动台上的气浮单元、基板Y步进运送装置、基板X步进运送装置等搭载于微动载台上，或设置追随粗动台移动的另一移动体，于该另一移动体上搭载气浮单元以作成于X轴方向可动的构成。此场合，亦可于搭载气浮单元、追随粗动台移动的另一移动体上，设置上述基板Y步进运送装置88。此外，上述第9～第11各实施形态中，亦可将基板X步进运送装置91配置在基板载台外部。
又，上述第1～第11各实施形态中，虽将基板保持具PH的Y轴方向宽度设为基板的约1／3或1／2，但基板保持具PH的Y轴方向宽度只要是较基板保持具PH的Y轴方向宽度明显的短的话，并不限于此。基板保持具PH的Y轴方向宽度只要是与投影光学系的曝光场宽度(Y方向)同程度以上即可。例如，投影光学系的曝光场宽度(Y方向)若是基板的约1／n(n为2以上的整数)的话，则可将基板保持具PH的宽度亦作成基板的Y方向尺寸的约1／n。此场合，配置在基板保持具PH的Y轴方向两侧的气浮单元的Y轴方向宽度，为抑制基板的挠曲，最好是分别作成基板的Y轴方向尺寸的约(n－1)／n。此外，基板Y步进运送装置，亦以具有足可使基板全体在基板保持具上的区域移动的Y行程较佳。
又，上述各实施形态中，虽是针对为防止基板P的挠曲的目的而使用气浮单元的情形做了说明，但不限于此，亦可以具备接触型滚动轴承(使用滚筒或球等)的基板垂下防止装置，来替换上述各实施形态的气浮单元的至少一部分。为防止基板P的挠曲，亦可使用具备气浮单元、滚动轴承以外的轴承构件的基板垂下防止装置。
又，上述各实施形态中，重量抵销装置(心柱)可如第1实施形态般，使用与微动载台分离者(参照图1、图3)、亦可如第2～第11实施形态般使用与微动载台一体型者。此外，亦可无水准感测器的靶用的腕。又，调平机构与重量抵销机构部可上下相反配置。如前所言，重量抵销装置的构造并限定于上述各实施形态。
又，上述各实施形态虽是针对于微动载台26搭载基板保持具PH的情形做了说明，但不限于此，作为微动载台的材料使用陶瓷等之情时，可于其上部施以蚀刻加工等，将具有与保持基板的上述基板保持具PH同等机能的保持部与微动载台一体构成。
又，上述各实施形态共通具备的构成部分，亦有并非一定须由曝光装置所具备者。例如，将基板P保持成与水平面垂直的面平行来进行曝光的所谓的纵置型曝光装置等的情形时，由于不会产生基板自重导致之垂下，因此气浮单元等的基板支承装置并不一定必须设置。此外，重量抵销装置亦非必须。此场合，用以使基板保持具移动的移动载台虽是必须的，但该移动载台可以是所谓的粗微动载台、或单独的6DOF载台。重要的是，移动载台可在XY平面内(至少于X轴方向)驱动基板保持具即可，当然，若能进行6自由度方向的驱动的话，更佳。再者，只要构成彼此不会矛盾，上述第1～第11实施形态的构成各部可以任意的加以组合。
又，上述各实施形态，虽针对曝光装置系进行伴随基板P的步进扫描动作的扫描型曝光的投影曝光装置的场合做了说明，但不限于此，上述各实施形态亦可适用于步进接合(step&stitch)方式的投影曝光装置、以及不使用投影光学系的近接(proximity)方式的曝光装置。
又，上述各实施形态的曝光装置中，照明光可以是ArF准分子激光(波长193nm)、KrF准分子激光(波长248nm)等的紫外光、F2激光(波长157nm)等的真空紫外光。此外，作为照明光，可使用例如将从DFB半导体激光或光纤激光振荡出的红外线带、或可见光带的单一波长激光，以例如掺杂有铒(或铒及镱两者)的光纤放大器加以放大作为真空紫外光，并以非线性光学结晶将其转换波长成紫外光的谐波。此外，亦可使用固体激光(波长：355nm、266nm)等。
又，各上述实施形态，虽是针对投影光学系PL具备多个光学系(投影光学单元)的多透镜方式的投影光学系的情形做了说明，但投影光学单元的数量不限于此，只要有1个以上即可。此外，不限于多透镜方式的投影光学系，亦可以是例如使用offner型大型反射镜的投影光学系等。
又，上述各实施形态中的投影光学系PL，虽是针对使用投影倍率为等倍的情形做了说明，但不限于此，投影光学系亦可以是缩小系或放大系的任一种。
又，上述各实施形态中，虽是使用于光透射性的掩膜基板上形成有既定遮光图案(或相位图案、减光图案)的光透射型掩膜，但亦可取代此掩膜而使用例如美国专利第6,778,257号说明书所揭露的根据待曝光图案的电子数据形成透射图案、反射图案或发光图案的电子掩膜(可变成形掩膜)、例如使用非发光型影像显示元件(亦称为空间光变调器)的一种的DMD(Digital Micro-mirror Device)可变成形掩膜。
又，上述各实施形态的曝光装置，特别是对使尺寸(包含外径、对角线、一边中的至少一个)为500mm以上的基板、例如液晶显示元件等平板显示器(FPD)用大型基板曝光的曝光装置尤其有效。此是因本发明乃因应基板大型化而成之故。
此外，可使用上述各实施形态的曝光装置，制造微元件的液晶显示元件。首先，将图案像形成于感光性基板(涂有光阻的玻璃基板等)、所谓的光刻工艺。通过此光刻工艺，于感光性基板上形成包含多个电极等的既定图案。之后，经曝光的基板经由显影步骤、蚀刻步骤、光阻剥步骤等各步骤，于基板上形成既定图案。接着，经彩色滤光片形成步骤、单元组装步骤及模块组装步骤等，获得微元件的液晶显示元件。
又，上述各实施形态，作为基板处理装置虽是针对曝光装置做了说明，但不限于此，亦可于例如具备喷墨式机能性液体赋予装置的元件制造装置、或检査装置等曝光装置以外的基板处理装置，适用上述第1至第11实施形态中的至少部分实施形态。
此外，援用以上说明所引用的关于曝光装置等的所有公报、国际公开、美国专利申请公开说明书及美国专利说明书的揭示作为本说明书记载的一部分。
产业上的可利用性
本发明的基板处理装置及基板处理方法适合于大型基板的处理。又，本发明的曝光方法及曝光装置适合于大型基板的曝光。此外，本发明的元件制造方法及平板显示器的制造方法适合于液晶显示元件等的制造。

Claims (116)

1.一种基板处理装置，用以处理基板，具备：
第1移动体，具有将该基板的一部分在确保平坦度的状态下加以保持的保持部，相对基板处理位置移动于与该基板的面平行的既定面内的至少第1方向；以及
步进驱动装置，将该基板在该既定面内驱动于与该第1方向正交的第2方向。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，该保持部保持该基板的该第2方向1／2以下范围的该第1方向的至少一部分。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，该基板配置成与水平面平行，该保持部从下方保持与该基板的被处理面相反侧的面的一部分；
并进一步具备夹着该第1移动体分别配置在该第2方向两侧，从下方支承该基板未被保持于该保持部的部分的至少一部分的一对第1支承装置。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，该第1移动体具有构成该保持部的保持装置、与和该保持装置一起于该既定面内的至少第1方向可动的可动部。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，该可动部包含于该第1方向以既定行程移动的粗动载台、与可相对该粗动载台于该既定面内的3自由度方向和该保持装置一体微动的微动载台。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，该保持装置的基板保持面的尺寸，于该第2方向为该基板的约1／2或约1／3。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，该一对第1支承装置支承该基板于该第2方向的1／2或2／3的部分。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其进一步具备第2支承装置，此第2支承装置搭载在该粗动载台上，于该保持装置的该第1方向的一侧及另一侧的至少一方支承该基板的一部分。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其中，该保持装置的基板保持面的尺寸，为该基板的约1／4或约1／6。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，该第2支承装置于该粗动载台上在该第1方向夹着该保持装置配置有一对，该一对第2支承装置的各个分别支承该基板的约1／4或约1／6的部分。
11.如权利要求8至10中任一项所述的基板处理装置，其中，该第2支承装置包含对该基板从下方喷出加压气体，通过该加压气体的压力从下方支承该基板的一部分的气浮单元。
12.如权利要求5至11中任一项所述的基板处理装置，其中，该可动部进一步包含通过该粗动载台驱动于该第1方向、用以支承该微动载台的自重的重量抵销装置；
进一步具备支承该重量抵销装置、并具有该重量抵销装置的移动面的平台导件。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其中，该微动载台与该重量抵销装置为一体化。
14.如权利要求5至13中任一项所述的基板处理装置，其进一步具备测量该微动载台的位置的载台干涉仪系统；
于该载台干涉仪系统使用的该第1方向的位置测量用移动镜，安装在该微动载台及该保持装置中一方的该第2方向两侧。
15.如权利要求3至14中任一项所述的基板处理装置，其中，该一对第1支承装置搭载在该第1移动体或追随该第1移动体往该第1方向移动的第2移动体上。
16.如权利要求3至14中任一项所述的基板处理装置，其中，该一对第1支承装置的一方搭载在该第1移动体或追随该第1移动体往该第1方向移动的第2移动体上，另一方则与该第1移动体的移动路径邻接、配置在该第1移动体的外部。
17.如权利要求15或16所述的基板处理装置，其中，搭载在该第1移动体或该第2移动体上的该第1支承装置，支承该基板于该第2方向的1／2或2／3的部分。
18.如权利要求15至17中任一项所述的基板处理装置，其中，该步进驱动装置搭载在该第1移动体或该第2移动体上。
19.如权利要求1至17中任一项所述的基板处理装置，其中，该步进驱动装置在该第1移动体的外部配置多个。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其中，该一对第1支承装置配置在该第1移动体的外部。
21.如权利要求3至20中任一项所述的基板处理装置，其中，该第1支承装置包含对该基板从下方喷出加压气体，藉该加压气体的压力将该基板的一部分从下方支承的气浮单元。
22.如权利要求1至21中任一项所述的基板处理装置，其进一步具备测量该基板的位置的基板干涉仪系统；
该基板与吸附其外周缘部的至少一部分加以支承的基板支承构件一体化，于该基板支承构件设有于该基板干涉仪系统使用的反射面。
23.如权利要求22所述的基板处理装置，其中，该步进驱动装置将该基板与该基板支承构件一体驱动于该第2方向。
24.如权利要求1至23中任一项所述的基板处理装置，其进一步具备配置在该处理位置、对经设定的处理区域照射能量束以使通过该处理区域的该基板曝光的曝光系。
25.如权利要求24所述的基板处理装置，其进一步具备与保持该基板的该第1移动体往该第1方向的移动同步，保持该掩膜往与该第1方向对应的方向移动的第3移动体。
26.一种元件制造方法，包含：
使用权利要求24或25所述的基板处理装置使基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
27.一种平板显示器的制造方法，包含：
使用权利要求24或25所述的基板处理装置使作为该基板的用于平板显示器的基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
28.一种基板处理装置，用以处理基板，具备：
第1移动体，具有保持与水平面平行配置的该基板的被处理面相反侧的面的一部分的保持部，相对基板处理位置，往与该基板的面平行的既定面内的至少第1方向移动；
一对第1支承装置，夹着该第1移动体在该既定面内与该第1方向正交的第2方向两侧分别配置，具有将该基板的至少一部分从下方加以支承、与该基板在该第1方向及第2方向的尺寸为同等以上的支承面；以及
第1搬送装置，至少在将该基板从该第1移动体搬出时，以该基板于该第2方向位移的方式在该既定面内搬送该基板。
29.如权利要求28所述的基板处理装置，其中，该保持部保持该基板的该第2方向1／2以下范围的该第1方向的至少一部分。
30.如权利要求28或29所述的基板处理装置，其中，该第1移动体具有构成该保持部的保持装置、与和该保持装置一起在该既定面内的至少第1方向可动的可动部。
31.如权利要求30所述的基板处理装置，其中，该可动部包含于该第1方向以既定行程移动的粗动载台、与可相对该粗动载台于该既定面内的3自由度方向和该保持装置一体微动的微动载台。
32.如权利要求31所述的基板处理装置，其中，该保持装置的基板保持面的尺寸，于该第2方向为该基板的约1／2或约1／3。
33.如权利要求31或32所述的基板处理装置，其进一步具备搭载于该粗动载台上、在该保持装置的该第1方向的一侧及另一侧中的至少一方支承该基板的一部分的第2支承装置。
34.如权利要求33所述的基板处理装置，其中，该保持装置的基板保持面的尺寸为该基板的约1／4或约1／6。
35.如权利要求34所述的基板处理装置，其中，该第2支承装置在该粗动载台上于该第1方向夹着该保持装置配置一对，该一对第2支承装置的各个，分别支承该基板的约1／4或约1／6的部分。
36.如权利要求33至35中任一项所述的基板处理装置，其中，该第2支承装置包含对该基板从下方喷出加压气体，通过该加压气体的压力从下方支承该基板的一部分的气浮单元。
37.如权利要求33至36中任一项所述的基板处理装置，其进一步具备步进驱动装置，此步进驱动装置搭载于该粗动载台上，在该保持装置的该第2方向的至少一侧与该第2支承装置相邻配置，并从下方吸附保持该基板将其驱动于该第2方向。
38.如权利要求31至37中任一项所述的基板处理装置，其中，该可动部进一步具备通过该粗动载台驱动于该第1方向、支承该微动载台的自重的重量抵销装置。
39.如权利要求28至38中任一项所述的基板处理装置，其中，该一对第1支承装置搭载于该第1移动体或追随该第1移动体移动于该第1方向的第2移动体上。
40.如权利要求28至38中任一项所述的基板处理装置，其中，该一对第1支承装置中的一方搭载于该第1移动体或追随该第1移动体移动于该第1方向的第2移动体上，另一方则与该第1移动体的移动路径相邻，配置在该第1移动体的外部。
41.如权利要求39或40所述的基板处理装置，其中，该第1搬送装置搭载于该第1移动体或该第2移动体上。
42.如权利要求28至38中任一项所述的基板处理装置，其中，该第1搬送装置配置在该第1移动体的外部。
43.如权利要求42所述的基板处理装置，其中，该一对第1支承装置配置在该第1移动体的外部。
44.如权利要求42或43所述的基板处理装置，其中，该第1搬送装置包含多个将该基板在该既定面内驱动于与该第1方向交叉的方向的第1基板驱动装置。
45.如权利要求44所述的基板处理装置，其中，该第1搬送装置进一步包含将该基板驱动于第1方向的第2基板驱动装置。
46.如权利要求28至45中任一项所述的基板处理装置，其进一步具备第2搬送装置，此第2搬送装置至少在将该基板搬入该第1移动体上时，以该基板往该第2方向位移与较该基板于该第2方向的尺寸短的该保持部于该第2方向的尺寸同等距离的方式，于该既定面内搬送该基板。
47.如权利要求46所述的基板处理装置，其中，该第2搬送装置包含多个于该既定面内将该基板驱动于与该第1方向交叉的方向的第3基板驱动装置。
48.如权利要求47所述的基板处理装置，其中，该第2搬送装置进一步包含将该基板驱动于第1方向的第4基板驱动装置。
49.如权利要求46至48中任一项所述的基板处理装置，其中，该第1及该第2搬送装置中的至少一方，在该基板往该第1移动体上的搬入时及从该第1移动体搬出时，将该基板搬送于与该第1方向交叉的方向。
50.如权利要求28至49中任一项所述的基板处理装置，其进一步具备在根据该基板上的被处理区域的配置与处理顺序的该第1方向的位置，通过该第1搬送装置将该基板从该第1移动体搬出的控制装置。
51.如权利要求2至25或28至50中任一项所述的基板处理装置，其中，该第1支承装置包含对该基板从下方喷出加压气体，通过该加压气体的压力从下方支承该基板的一部分的气浮单元。
52.如权利要求46至49中任一项所述的基板处理装置，其进一步具备测量该基板的位置的基板干涉仪系统；
该基板与吸附其外周缘部至少一部分来加以支承的基板支承构件一体化，于该基板支承构件设有用于该基板干涉仪系统的反射面。
53.如权利要求52所述的基板处理装置，其中，该第2搬送装置与该基板支承构件一体搬送该基板。
54.如权利要求28至45、50、51中任一项所述的基板处理装置，其进一步具备测量该基板的位置的基板干涉仪系统；
该基板与吸附其外周缘部至少一部分来加以支承的基板支承构件一体化，于该基板支承构件设有用于该基板干涉仪系统的反射面。
55.如权利要求52所述的基板处理装置，其中，该第1搬送装置与该基板支承构件一体搬送该基板。
56.如权利要求28至55中任一项所述的基板处理装置，其进一步具备配置在该基板处理位置、对经设定的处理区域照射能量束以使通过该处理区域的该基板曝光的曝光系。
57.如权利要求56所述的基板处理装置，其进一步具备与保持该基板的该第1移动体往该第1方向的移动同步，保持该掩膜往对应该第1方向的方向移动的第3移动体。
58.一种元件制造方法，包含：
使用权利要求56或57所述的基板处理装置使基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
59.一种平板显示器的制造方法，包含：
使用权利要求56或57所述的基板处理装置使作为该基板的用于平板显示器的基板曝光的动作：以及
使曝光后的该基板显影的动作。
60.一种处理基板的基板处理方法，包含：
将该基板的一部分在确保平坦度的状态下保持于移动体，将该移动体相对基板处理位置驱动于与该基板的面平行的既定面内的第1方向，以对该基板的该一部分内的区域进行既定处理的动作；以及
为使该基板上的未处理区域与该移动体对向，而进行将该基板相对该移动体在该既定面内往与该第1方向正交的第2方向驱动既定量的步进驱动的动作。
61.如权利要求60所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是在进行该步进驱动的前后至少各进行一次。
62.如权利要求60或61所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是将该基板的该第2方向1／2以下范围的该第1方向的至少一部分在确保平坦度的状态下保持于移动体，将该移动体驱动于该第1方向。
63.如权利要求60至62中任一项所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是将该基板的该第2方向1／2以下范围的该第1方向的一部分在确保平坦度的状态下保持于移动体时，进一步包含在该既定处理的结束后，将该基板与该移动体于该第1方向相对驱动既定量的动作。
64.如权利要求60至63中任一项所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是将该基板在配置成与水平面平行、其与被处理面相反侧的面的一部分被该移动体从下方保持且未被该移动体保持的部分的至少一部分被支承装置支承的状态下，驱动于该第1方向。
65.如权利要求64所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是将该基板的未被该移动体保持的部分的至少一部分，以和该移动体连动移动于该第1方向的该支承装置加以支承。
66.如权利要求64或65所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是将该基板的未被该移动体保持的部分的至少一部分，以和该移动体分离、固定在该移动体外部的该支承装置加以支承。
67.如权利要求60至66中任一项所述的基板处理方法，其中，该基板与吸附其外周缘部的至少一部分来加以支承的基板支承构件一体化；
该既定处理的进行，是以对设于该基板支承构件的反射面照射测量光束的基板干涉仪系统，测量该基板的位置。
68.如权利要求67所述的基板处理方法，其中，该步进驱动的进行，是与该基板支承构件一体将该基板驱动于该第2方向。
69.如权利要求60至68中任一项所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是从配置于该处理位置的曝光系对经设定的处理区域照射能量束，以使通过该处理区域的该基板曝光。
70.一种元件制造方法，包含：
使用权利要求69所述的基板处理方法使基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
71.一种平板显示器的制造方法，包含：
使用权利要求69所述的基板处理方法使作为该基板的用于平板显示器的基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
72.一种处理基板的基板处理方法，包含：
将配置成与水平面平行的该基板的与被处理面相反侧的面的一部分在确保平坦度的状态下保持于移动体，将该移动体相对基板处理位置驱动于与该基板的面平行的既定面内的第1方向，以对该基板的该一部分内的区域进行既定处理的动作；以及
将施有该既定处理的该基板在该既定面内与该第1方向正交的第2方向，搬送较该基板的该第2方向的尺寸短的距离，将该基板从该移动体搬出的动作。
73.如权利要求72所述的基板处理方法，其进一步包含为使该基板上的未处理区域与该移动体对向，而进行将该基板相对该移动体在该既定面内与该第1方向正交的第2方向驱动既定量的步进驱动的动作。
74.如权利要求72或73所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是将该基板的该第2方向1／2以下范围的该第1方向的至少一部分在确保平坦度的状态下保持于移动体，将该移动体驱动于该第1方向。
75.如权利要求72至74中任一项所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，在将该基板的该第2方向1／2以下范围的该第1方向的一部分在确保平坦度的状态下保持于移动体的情形时，进一步包含：
在该既定处理结束后，将该基板与该移动体于该第1方向相对驱动既定量的动作。
76.如权利要求72至75中任一项所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，该基板是在被该移动体从下方保持与该被处理面相反侧的面的一部分，未被该移动体保持的部分的至少一部分被支承装置支承的状态下，被驱动于该第1方向。
77.如权利要求76所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是将该基板未被该移动体保持的部分的至少一部分，以和该移动体连动移动于该第1方向的该支承装置加以支承。
78.如权利要求76或77所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是将该基板未被该移动体保持的部分的至少一部分，以和该移动体分离、固定在该移动体外部的该支承装置加以支承。
79.如权利要求72至78中任一项所述的基板处理方法，其中，该搬出，是在对应该基板上被处理区域的配置与处理顺序的该第1方向的位置，将该基板从该移动体搬出。
80.如权利要求72至79中任一项所述的基板处理方法，其进一步包含与该基板被从该移动体的搬出并行，将该基板在该既定面内于该第2方向搬送较该基板的该第2方向尺寸短的该保持部的该第2方向尺寸相等的距离，并将另一基板搬入该移动体上的动作。
81.如权利要求80所述的基板处理方法，其中，该基板与吸附其外周缘部至少一部分加以支承的基板支承构件一体化；
该既定处理的进行，是通过对设于该基板支承构件的反射面照射测量光束的基板干涉仪系统，测量该基板的位置。
82.如权利要求81所述的基板处理方法，其中，在开始往该移动体上的搬入至从该移动体搬出为止的期间，该基板与该基板支承构件一体在与该既定面平行的面内被搬送。
83.如权利要求72至82中任一项所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是从配置在该处理位置的曝光系对经设定的处理区域照射能量束，以使通过该处理区域的该基板曝光。
84.一种元件制造方法，包含：
以权利要求83所述的基板处理方法使基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
85.一种平板显示器的制造方法，包含：
以权利要求83所述的基板处理方法使作为该基板的用于平板显示器的基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
86.一种处理基板的基板处理方法，包含：
将与水平面平行配置的该基板的被处理面相反侧的面在确保平坦度的状态下加以保持的移动体，相对基板处理位置驱动于与该基板的面平行的既定面内的第1方向，以对该基板上的多个被处理区域依序既定处理的动作；以及
在根据该多个被处理区域在该基板上的配置与处理顺序所定的该第1方向的位置，往根据该配置与该顺序所定的方向搬送该基板以从该移动体搬出的动作。
87.如权利要求86所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，该基板在该第2方向的一部分被该移动体保持的状态下驱动于该第1方向。
88.如权利要求86或87所述的基板处理方法，其进一步包含与该基板被从该移动体的搬出并行，将该基板在该既定面内于该第2方向搬送较该基板的该第2方向尺寸短的该保持部的该第2方向尺寸相等的距离，并将另一基板搬入该移动体上的动作。
89.如权利要求88所述的基板处理方法，其中，该基板与吸附其外周缘部至少一部分加以支承的基板支承构件一体化；
该既定处理的进行，是通过对设于该基板支承构件的反射面照射测量光束的基板干涉仪系统，测量该基板的位置。
90.如权利要求89所述的基板处理方法，其中，在开始往该移动体上的搬入至从该移动体搬出为止的期间，该基板是与该基板支承构件一体在与该既定面平行的面内被搬送。
91.如权利要求86至90中任一项所述的基板处理方法，其中，该既定处理的进行，是从配置在该处理位置的曝光系对设定的处理区域照射能量束，以使通过该处理区域的该基板曝光。
92.一种元件制造方法，包含：
以权利要求91所述的基板处理方法使基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
93.一种平板显示器的制造方法，包含：
以权利要求91所述的基板处理方法使作为该基板的用于平板显示器的基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
94.一种曝光方法，使多片基板曝光：
于具有可个别保持2片基板的第1及第2保持区域的基板保持装置装载该2片基板，在该2片基板中的一基板的曝光开始至结束为止的期间，进行另一基板的至少一个处理区域的曝光。
95.如权利要求94所述的曝光方法，其中，是将包含该一基板的该一个处理区域的一部分保持于该基板保持装置的该第1保持区域以使该处理区域曝光的动作、与将包含该另一基板的该一个处理区域的一部分保持于该基板保持装置的该第2保持区域以使该处理区域曝光的动作，针对该一基板的曝光对象的处理区域与该另一基板的曝光对象的处理区域，依序变更不同的处理区域来实施。
96.如权利要求95所述的曝光方法，其中，该一基板的该处理区域的曝光与该另一基板的该处理区域的曝光交互进行；
该另一基板的曝光对象处理区域的变更与该一基板的曝光对象处理区域的变更，是与上述并行的交互进行。
97.如权利要求96所述的曝光方法，其中，该一基板的一个处理区域的曝光一边使该一基板与该基板保持装置一体移动于第1方向一边进行，与此并行的使该另一基板移动于与该第1方向交叉的第2方向以进行该另一基板的该处理区域的变更；
该另一基板的一个处理区域的曝光一边使该另一基板与该基板保持装置一体移动于第1方向一边进行，与此并行的使该一基板移动于该第2方向以进行该一基板的该处理区域的变更。
98.如权利要求97所述的曝光方法，其进一步包含使装载有该2片基板的该基板保持装置移动于该第1方向，以将曝光对象的处理区域从该一基板的一个处理区域变更为该另一基板的一个处理区域的动作。
99.一种元件制造方法，包含：
以权利要求94至98中任一项所述的曝光方法使该基板曝光的动作：以及
使曝光后的该基板显影的动作。
100.一种平板显示器的制造方法，包含：
以权利要求94至98中任一项所述的曝光方法使作为该基板的用于平板显示器的基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
101.一种曝光装置，使基板上的多个区域曝光，具备：
基板保持装置，具有可分别保持基板的一部分的第1及第2保持区域；
移动体，于一部分设有该基板保持装置，移动于第1方向；以及
第1基板运送装置，与该移动体一体的移动于该第1方向，并使该基板移动于与该第1方向交叉的第2方向。
102.如权利要求101所述的曝光装置，其中，该第1基板运送装置对应该第1及第2保持区域的各个而设有一对。
103.如权利要求101或102所述的曝光装置，其中，该移动体具有搭载该基板保持装置的微动载台、与相对驱动该微动载台的粗动载台。
104.如权利要求103所述的曝光装置，其中，于该基板保持装置的该第1、第2保持区域装载2片基板各个的一部分；
并进一步具备在不妨碍该移动体的移动的情形下，支承该2片基板各个的其余部分的多个支承装置。
105.如权利要求104所述的曝光装置，其中，该多个支承装置搭载于该粗动载台。
106.如权利要求104所述的曝光装置，其中，该多个支承装置的一部分搭载于该粗动载台，该多个支承装置的一部分与该移动体分离设置。
107.如权利要求104所述的曝光装置，其中，该多个支承装置与该移动体分离设置。
108.如权利要求103至106中任一项所述的曝光装置，其进一步具备使该基板往该第1方向移动的第2基板运送装置。
109.如权利要求108所述的曝光装置，其中，该第2基板运送装置对应该第1及第2保持区域的各个而设有一对。
110.如权利要求108或109所述的曝光装置，其中，该第2基板运送装置搭载于该粗动载台上。
111.如权利要求103至110中任一项所述的曝光装置，其中，于该粗动载台上搭载有该第1基板运送装置。
112.如权利要求101至111中任一项所述的曝光装置，其中，该基板保持装置于该第1及第2保持区域的各个，独立的吸附该基板且使该基板悬浮。
113.如权利要求101至112中任一项所述的曝光装置，其中，该基板保持装置具有独立的多个基板保持具。
114.如权利要求101至113中任一项所述的曝光装置，其进一步具备设于该基板保持装置、测量设在基板背面的标记的多个标记检测系。
115.一种元件制造方法，包含：
使用权利要求101至114中任一项所述的曝光装置使基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
116.一种平板显示器的制造方法，包含：
使用权利要求101至114中任一项所述的曝光装置使作为该基板的用于平板显示器的基板曝光的动作；以及
使曝光后的该基板显影的动作。
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