CN103760724B - 有源元件阵列基板 - Google Patents

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Abstract

一种有源元件阵列基板包含基板、第一像素电极与第一垫高结构。第一像素电极位于基板上或上方，且此第一像素电极包含第一主干电极、第二主干电极与多个第一分支电极。第二主干电极与第一主干电极交错，以于第一主干电极与第二主干电极的交错处形成第一交点。第一分支电极连接第一主干电极与第二主干电极，以定义出多个第一配向领域，其中第一分支电极至少相对于第二主干电极呈非对称分布。第一垫高结构至少介于第一交点与基板之间，以至少于第一交点处形成第一隆起部。

Description

有源元件阵列基板
【技术领域】
本发明是有关于一种有源元件阵列基板。
【现有技术】
多区域垂直配向(Multi-domainVerticalAlignment；MVA)技术是透过设计像素结构与电场分布，让液晶分子倾倒于多个方向达到多域分割(Multi-domain)，进而提升大视角的光学表现。然而，在部分应用多区域垂直配向技术的面板中，因为液晶分子的节点无法确实锁在像素电极的主干电极的交错处，因而使得液晶分子的倒向不稳定。这种液晶分子的倒向不稳定会严重影响画面品质。
【发明内容】
因此，本发明的一技术态样是在提供一种有源元件阵列基板，用以解决以上现有技术所提到的困难。
根据本发明一或多个实施方式，一种有源元件阵列基板包含基板、扫描线、数据线、有源元件、第一像素电极与第一垫高结构。扫描线位于基板上或上方。数据线位于基板上或上方。有源元件电性连接扫描线与数据线。第一像素电极位于基板上或上方，并电性连接有源元件。第一像素电极包含第一主干电极、第二主干电极与多个第一分支电极。第二主干电极与第一主干电极交错并电性连接有源元件，以于第一主干电极与第二主干电极的交错处形成第一交点。第一分支电极连接第一主干电极与第二主干电极，以定义出多个第一配向领域，其中第一分支电极至少相对于第二主干电极呈非对称分布。第一垫高结构至少介于第一交点与基板之间，以至少于第一交点处形成第一隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，位于上述的第二主干电极相对两侧的第一配向领域的大小不同。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一主干电极被第二主干电极区分为第一区段与第二区段，第二区段的长度较第一区段的长度长。第一垫高结构更介于第一区段与基板之间，使得第一区段亦形成第一隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一垫高结构更介于至少部分的第二区段与基板之间，使得部分的第二区段亦形成第一隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第二主干电极被第一主干电极区分为第一区段与第二区段，第一垫高结构更介于至少部分第二主干电极的第一区段与基板之间与至少部分第二主干电极的第二区段与基板之间，使得第二主干电极的部分第一区段与部分第二区段亦形成第一隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一垫高结构更介于全部的第二主干电极与与基板之间，使得全部的第二主干电极均形成第一隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一垫高结构更介于全部的第一区段与基板之间，使得全部的第一区段均形成第一隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一垫高结构更介于全部的第二主干电极与基板之间，使得全部的第二主干电极形成第一隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第二主干电极被第一主干电极区分为第一区段与第二区段。第一垫高结构更介于至少部分第二主干电极的第一区段与基板之间与至少部分第二主干电极的第二区段与基板之间，使得第二主干电极的部分第一区段与部分第二区段亦形成第一隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一像素电极更包含第三主干电极与多个第二分支电极。第一主干电极与第三主干电极交错，以于第一主干电极与第三主干电极的交错处形成第二交点，其中第二主干电极与第三主干电极相互平行并分别邻近相邻的两数据线。第二分支电极连接第一主干电极与第三主干电极，以定义出多个第二配向领域，其中位于第三主干电极相对两侧的第二配向领域的大小不同。
在本发明一或多个实施方式中，上述的有源元件阵列基板更包含第二垫高结构，此第二垫高结构至少介于第二交点与基板之间，以至少于第二交点处形成第二隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一主干电极被第三主干电极区分为第一区段与第二区段，第二区段的长度较第一区段的长度长。第二垫高结构更介于第一区段与基板之间，使得第一区段亦形成第二隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第二垫高结构更介于至少部分的第二区段与基板之间，使得部分的第二区段亦形成第二隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第三主干电极被第一主干电极区分为第一区段与第二区段。第二垫高结构更介于至少部分第三主干电极的第一区段与基板之间与至少部分第三主干电极的第二区段与基板之间，使得第三主干电极的部分第一区段与部分第二区段亦形成第二隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第二垫高结构更介于全部的第三主干电极与基板之间，使得全部的第三主干电极均形成第二隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第二垫高结构更介于全部的第一区段与基板之间，使得全部的第一区段均形成第二隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第二垫高结构更介于全部的第三主干电极与基板之间，使得全部的第三主干电极均形成第二隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第三主干电极被第一主干电极区分为第一区段与第二区段，第二垫高结构更介于至少部分第三主干电极的第一区段与基板之间与至少部分第三主干电极的第二区段与基板之间，使得第三主干电极的部分第一区段与部分第二区段亦形成第二隆起部。
在本发明一或多个实施方式中，上述的有源元件阵列基板更包含第二像素电极与龙骨电极。第二像素电极位于基板上或上方。龙骨电极电性连接第二像素电极与有源元件，其中第一像素电极的第一分支电极在基板上的正投影，与龙骨电极在基板上的正投影不重叠。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一像素电极的第一主干电极横跨龙骨电极。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一分支电极与龙骨电极在基板上的正投影之间的最短距离大于约2μm。
在本发明一或多个实施方式中，上述的有源元件阵列基板更包含第二像素电极与龙骨电极。第二像素电极位于基板上或上方。龙骨电极电性连接第二像素电极与有源元件，其中第一像素电极的第一主干电极在龙骨电极处断开为第一子部与第二子部。第一子部与第二子部在基板上的正投影，与龙骨电极在基板上的正投影不重叠。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一像素电极更包含第三主干电极、第二分支电极与桥接电极。第三主干电极与第一主干电极的第二子部交错。第二主干电极则与第一主干电极的第一子部交错。第二分支电极连接第一主干电极的第二子部与第三主干电极。第一分支电极则连接第一主干电极的第一子部与第二主干电极。桥接电极横跨龙骨电极，而连接第一分支电极其中至少一与第二分支电极其中至少一。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一像素电极的第二主干电极与第三主干电极相互平行并分别邻近相邻的两数据线，且其在基板上的正投影，与龙骨电极在基板上的正投影不重叠。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一子部与龙骨电极两者在基板上的正投影之间的最短距离大于约2μm。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第二子部与龙骨电极两者在基板上的正投影之间的最短距离大于约2μm。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一主干电极位于第一像素电极的边缘，第二主干电极位于第一像素电极的边缘，第一交点位于第一像素电极的角落。
在本发明一或多个实施方式中，上述的第一垫高结构介于全部的第一主干电极与基板之间，使得全部的第一主干电极均形成第一隆起部。
【附图说明】
图1绘示依照本发明第一实施方式的有源元件阵列基板的单一像素的局部俯视图。
图2绘示图1的第一像素电极的局部俯视图。
图3绘示沿图2的线段I的剖面图。
图4绘示第一实施方式的有源元件阵列基板的液晶倒向模拟结果。
图5绘示第一实施方式的有源元件阵列基板的光学显微镜影像模拟结果。
图6绘示依照本发明第二实施方式的第一像素电极的局部俯视图。
图7绘示第二实施方式的有源元件阵列基板的液晶倒向模拟结果。
图8绘示第二实施方式的有源元件阵列基板的光学显微镜影像模拟结果。
图9绘示依照本发明第三实施方式的第一像素电极的局部俯视图。
图10绘示依照本发明第四实施方式的第一像素电极的局部俯视图。
图11绘示第四实施方式的有源元件阵列基板的实际像素影像。
图12绘示依照本发明第五实施方式的第一像素电极的局部俯视图。
图13绘示第五实施方式的有源元件阵列基板的实际像素影像。
图14绘示依照本发明第六实施方式的第一像素电极的局部俯视图。
图15绘示依照本发明第七实施方式的第一像素电极的局部俯视图。
图16绘示第七实施方式的有源元件阵列基板的液晶倒向模拟结果。
图17绘示第七实施方式的有源元件阵列基板的光学显微镜影像模拟结果。
【符号说明】
100：有源元件阵列基板
110：基板
120：扫描线
130：数据线
140：有源元件
150：第一像素电极
152：第一主干电极
152F：第一部
152S：第二部
152T：第三部
152R：第四部
154：第二主干电极
154F：第一区段
154S：第二区段
156：第一分支电极
157：第二分支电极
158：第三主干电极
158F：第一区段
158S：第二区段
160：第一垫高结构
165：第二垫高结构
170：绝缘层
180：第二像素电极
190：龙骨电极
195：共享栅极线
197：共享有源元件
199：储存电容
N1：第一交点
N2：第二交点
D1：第一配向领域
D2：第二配向领域
I：线段
【具体实施方式】
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，该多个实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，该多个实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些已知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。
关于本文中所使用的「约」、「大约」或「大致」，一般是指数值的误差或范围于百分之二十以内，较好地是于百分之十以内，更佳地是于百分之五以内。文中若无明确说明，所提及的数值皆视为近似值，即具有如「约」、「大约」或「大致」所表示的误差或范围。
第一实施方式
图1绘示依照本发明第一实施方式的有源元件阵列基板100的单一像素的局部俯视图。图2绘示图1的第一像素电极150的局部俯视图。图3绘示沿图2的线段I的剖面图。如第1～3图所示，一种有源元件阵列基板100包含基板110、扫描线120、数据线130、有源元件140、第一像素电极150与第一垫高结构160。扫描线120位于基板110上或上方，数据线130位于基板110上或上方，扫描线120与数据线130交错配置，有源元件140电性连接扫描线120与数据线130。第一像素电极150位于基板110上或上方，并电性连接有源元件140。第一像素电极150包含第一主干电极152、第二主干电极154与多个第一分支电极156，第二主干电极154为纵向配置，例如与数据线130平行配置，用以电性连接第一像素电极150与有源元件140，第一主干电极152与第二主干电极154交错，以于第一主干电极152与第二主干电极154的交错处形成第一交点N1。第一分支电极156连接第一主干电极152与第二主干电极154，以定义出多个第一配向领域D1其中第一分支电极156至少相对于第二主干电极154呈非对称分布。第一垫高结构160至少介于第一交点N1与基板110之间，以至少于第一交点N1处形成第一隆起部。
以上第一隆起部应解释为：「至基板110的垂直高度较其周围区域高的部分」。由于第一隆起部的存在，使得第一像素电极150所形成的电场的等电位线也顺着第一隆起部隆起。以距离基板110相同高度的液晶分子来说，越靠近第一隆起部，所感受到的电场就越强，液晶分子的倾倒程度也越高。因此，这种电场分布会强迫液晶分子向第一隆起部倾倒，所以能够确实地将液晶分子的节点锁在第一主干电极152与第二主干电极154的交错处(亦即，第一交点N1)，并稳定液晶分子的倒向，进而改善画面的品质。
此外，在部分情况下，若第一分支电极156相对于第二主干电极154呈对称分布，则可能会使得液晶分子在第一配向领域D1的边界处产生配向不佳的问题。因此，在本实施方式中，第一分支电极156可相对于第二主干电极154呈非对称分布，使得位于第二主干电极154相对两侧的第一配向领域D1的大小不同，让液晶分子的配向更为理想。
如图2所绘示，第一主干电极152具有第一部152F、第二部152S、第三部152T及第四部152R。此外，第一主干电极152被第二主干电极154区分为第一区段(亦即，第一部152F)与第二区段(亦即，第二部152S、第三部152T及第四部152R)，第二区段(亦即，第二部152S、第三部152T及第四部152R)的长度较第一区段(亦即，第一部152F)的长度长。第一垫高结构160更介于第一区段(亦即，第一部152F)与基板110之间，使得第一区段(亦即，第一部152F)亦形成第一隆起部。在本实施方式中，上述的第一垫高结构160介于全部的第一区段(亦即，第一部152F)与基板110之间，使得全部的第一区段(亦即，第一部152F)均形成第一隆起部。
上述的第一垫高结构160可为有源元件阵列基板100的第一金属层或第二金属层的一部分。更具体地说，上述的第一垫高结构160可与扫描线120或数据线130属于同一图案化金属层。在本实施方式中，上述的第一垫高结构160与扫描线120属于同一图案化金属层。而且，在实际操作时，上述的第一垫高结构160可电性连接共通电位源，以避免第一垫高结构160所产生的电场影响液晶分子的倒向。应了解到，以上第一垫高结构160的材质与操作均仅为例示，而非用以限制本发明，实际上第一垫高结构160的材质也可以是透明导电材料或绝缘材料。本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择第一垫高结构160的材质与操作方式。
如图3所示，当第一垫高结构160电性连接共通电位源时，第一垫高结构160与第一像素电极150之间可具有一绝缘层170。
请回到图1～3，在本实施方式中，第一像素电极150更包含第三主干电极158与多个第二分支电极157，第三主干电极158亦为纵向配置，例如与数据线130平行配置，且第三主干电极158与第二主干电极154分别位于第一像素电极150的相对两侧且分别邻近相邻的两条数据线130。第三主干电极158与第一主干电极152交错，以于第一主干电极152与第三主干电极158的交错处形成第二交点N2。第二分支电极157连接第一主干电极152与第三主干电极158，以定义出多个第二配向领域D2，其中位于第三主干电极158相对两侧的第二配向领域D2的大小不同。此外，本实施方式的有源元件阵列基板100更包含第二垫高结构165。此第二垫高结构165至少介于第二交点N2和基板110之间，以至少于第二交点N2处形成第二隆起部。
同样地，以上第二隆起部应解释为：「至基板110的垂直高度较其周围区域高的部分」。由于第二隆起部的存在，使得第一像素电极150所形成的电场的等电位线也顺着第二隆起部隆起。以距离基板110相同高度的液晶分子来说，越靠近第二隆起部，所感受到的电场就越强，液晶分子的倾倒程度也越高。因此，这种电场分布会强迫液晶分子向第二隆起部倾倒，所以能够确实地将液晶分子的节点锁在第一主干电极152与第三主干电极158的交错处(亦即，第二交点N2)，并稳定液晶分子的倒向，进而改善画面的品质。
此外，在部分情况下，若第二分支电极157相对于第三主干电极158呈对称分布，则可能会使得液晶分子在第二配向领域D2的边界处产生配向不佳的问题。因此，在本实施方式中，第二分支电极157可相对于第三主干电极158呈非对称分布，使得位于第三主干电极158相对两侧的第二配向领域D2的大小不同，让液晶分子的配向更为理想。
如图2所绘示，第一主干电极152被第三主干电极158区分为第一区段(亦即，第四部152R)与第二区段(亦即，第一部152F、第二部152S及第三部152T)。第二垫高结构165更介于至少部分的第一区段(亦即，第四部152R)与基板110之间，使得部分的第一区段(亦即，第四部152R)亦形成第二隆起部。在本实施方式中，上述的第二垫高结构165介于全部的第一区段(亦即，第四部152R)与基板110之间，使得全部的第一区段(亦即，第四部152R)均形成第二隆起部。上述的第二垫高结构165可为有源元件阵列基板100的第一金属层或第二金属层的一部分。更具体地说，上述的第二垫高结构165可与扫描线120或数据线130属于同一图案化金属层。在本实施方式中，上述的第一垫高结构160与第二垫高结构165可属于同一图案化金属层。而且，在实际操作时，上述的第二垫高结构165可电性连接一共通电位源，以避免第二垫高结构165所产生的电场影响液晶分子的倒向。应了解到，以上第二垫高结构165的材质与操作均仅为例示，而非用以限制本发明，实际上第二垫高结构165的材质也可以是透明导电材料或绝缘材料。本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择第二垫高结构165的材质与操作方式。如图3所示，当第二垫高结构165电性连接共通电位源时，上述的绝缘层170可介于第二垫高结构165与第一像素电极150之间。
回到图1～2，在本实施方式中，有源元件阵列基板100更可包含第二像素电极180与龙骨电极190，第二像素电极180位于基板110上或上方，龙骨电极190电性连接第二像素电极180与有源元件140。于本实施例中，龙骨电极190是由第一金属层所构成再利用上方的导电层桥接而与有源元件140电性连接；然而本发明并不以此为限，龙骨电极190可由第二金属层构成，亦即直接由有源元件140的源/漏极延伸而形成。
在部分情况下，若龙骨电极190与第一像素电极150重叠，则在龙骨电极190与第一像素电极150的重叠处将可能会产生寄生电容，导致电荷在此累积。为了因应这种状况，本实施方式的第一像素电极150的第一分支电极156及/或第二分支电极157将退开而未与龙骨电极190重叠。换言之，第一分支电极156及/或第二分支电极157在基板110上的正投影，与龙骨电极190在基板110上的正投影不重叠。
在本实施方式中，第一分支电极156及/或第二分支电极157与龙骨电极190在基板100上的正投影之间的最短距离可大于约2μm。应了解到，以上所举的最短距离范围仅为例示，而非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性决定第一分支电极156及/或第二分支电极157与龙骨电极190在基板100上的正投影之间的最短距离。
此外，在本实施方式中，第二主干电极154及/或第三主干电极158亦将退开而未与龙骨电极190重叠。换言之，第二主干电极154及/或第三主干电极158在基板110上的正投影，与龙骨电极190在基板110上的正投影不重叠。
为了维持第一像素电极150的电性连接，在本实施方式中，第一主干电极152仍会横跨龙骨电极190。但是，对于本实施方式的第一像素电极150来说，只有第一主干电极152横跨龙骨电极190的地方会与龙骨电极190重叠，因此两者之间寄生电容所产生的影响将能有效降低。
回到图1，在本实施方式中，有源元件阵列基板100尚可包含一共享栅极线(SharingGateLine)195、一共享有源元件197与一储存电容199。此共享有源元件197的栅极电性连接共享栅极线195，共享有源元件197的源极电性连接龙骨电极190，共享有源元件197的漏极电性连接储存电容199。在操作时，扫描线120会在第N个时序打开有源元件140，使得数据线130将第一像素电极150与第二像素电极180充电至数据线电位。在第N+1个时序时，共享栅极线195会将共享有源元件197开启，使得第二像素电极180的电位被拉低至较低的电位，让第一像素电极150与第二像素电极180具有不同的电位，进而改善色偏(ColorWashout)的问题。
图4绘示第一实施方式的有源元件阵列基板的液晶倒向模拟结果。图5绘示第一实施方式的有源元件阵列基板的光学显微镜影像模拟结果。由图4～5可知，具有垫高结构的有源元件阵列基板确实能够将液晶分子的节点锁在主干电极的交错处。
第二实施方式
图6绘示依照本发明第二实施方式的第一像素电极的局部俯视图。本实施方式与第一实施方式的不同点在于：本实施方式的第二主干电极154被第一主干电极152区分为第一区段154F与第二区段154S，且第一垫高结构160更介于至少部分的第一区段154F与基板110之间，使得部分的第一区段154F亦形成第一隆起部。此外，第一垫高结构160亦介于至少部分的第二区段154S与基板110之间，使得部分的第二区段154S亦形成第一隆起部。
同样地，本实施方式的第三主干电极158也被第一主干电极152区分为第一区段158F与第二区段158S，且第二垫高结构165更介于至少部分的第一区段158F与基板110之间，使得部分的第一区段158F亦形成第二隆起部。此外，第二垫高结构165亦介于至少部分的第二区段158S与基板110之间，使得部分的第二区段158S亦形成第二隆起部。至于其他相关的结构与材质细节，均与第一实施方式相同，因此不再重复赘述的。
图7绘示第二实施方式的有源元件阵列基板的液晶倒向模拟结果。图8绘示第二实施方式的有源元件阵列基板的光学显微镜影像模拟结果。由图7～8可知，具有垫高结构的有源元件阵列基板确实能够将液晶分子的节点锁在主干电极的交错处。
第三实施方式
图9绘示依照本发明第三实施方式的第一像素电极的局部俯视图。本实施方式与第二实施方式的不同点在于：本实施方式的第一垫高结构160更介于至少部分的第二部152S与基板110之间，使得部分的第二部152S亦形成第一隆起部。此外，第二垫高结构165亦介于至少部分的第三部152T与基板110之间，使得部分的第三部152T亦形成第二隆起部。至于其他相关的结构与材质细节，均与第二实施方式相同，因此不再重复赘述的。
第四实施方式
图10绘示依照本发明第四实施方式的第一像素电极的局部俯视图。本实施方式与第三实施方式的不同点在于：本实施方式的第一垫高结构160更介于全部的第一区段154F与基板110之间，使得全部的第一区段154F均形成第一隆起部。此外，第一垫高结构160亦介于全部的第二区段154S与基板110之间，使得全部的第二区段154S均形成第一隆起部。
同样地，本实施方式的第二垫高结构165更介于全部的第一区段158F与基板110之间，使得全部的第一区段158F均形成第二隆起部。此外，第二垫高结构165亦介于全部的第二区段158S与基板110之间，使得全部的第二区段158S均形成第二隆起部。至于其他相关的结构与材质细节，均与第三实施方式相同，因此不再重复赘述的。
图11绘示第四实施方式的有源元件阵列基板的实际像素影像。由图11可知，具有垫高结构的有源元件阵列基板确实能够将液晶分子的节点锁在主干电极的交错处，而且亮区的亮度也很均匀。
第五实施方式
图12绘示依照本发明第五实施方式的第一像素电极的局部俯视图。本实施方式与第四实施方式的不同点在于：本实施方式的第一垫高结构160更介于几乎全部的第二部152S与基板110之间，惟第一垫高结构160仍与龙骨电极190之间保留预定间隙，使得几乎全部的第二部152S均形成第一隆起部。此外，本实施方式的第二垫高结构165更介于几乎全部的第三部152T与基板110之间，惟第二垫高结构165仍与龙骨电极190之间保留预定间隙，使得几乎全部的第三部152T均形成第二隆起部。其中，第一垫高结构160及/或第二垫高结构165与龙骨电极190之间的预定间隙须大于约5μm。至于其他相关的结构与材质细节，均与第四实施方式相同，因此不再重复赘述的。
图13绘示第五实施方式的有源元件阵列基板的实际像素影像。由图13可知，具有垫高结构的有源元件阵列基板确实能够将液晶分子的节点锁在主干电极的交错处，而且亮区的亮度也很均匀。
第六实施方式
图14绘示依照本发明第六实施方式的第一像素电极的局部俯视图。本实施方式与第一实施方式的不同点在于：本实施方式的第一主干电极152在龙骨电极190处断开为第一子部(亦即，第一部152F与第二部152S)与第二子部(亦即，第三部152T与第四部152R)。第一子部(亦即，第一部152F与第二部152S)与第二子部(亦即，第三部152T与第四部152R)在基板110上的正投影，与龙骨电极190在基板110上的正投影不重叠。
在本实施方式中，第一子部(亦即，第一部152F与第二部152S)及/或第二子部(亦即，第三部152T与第四部152R)与龙骨电极190两者在基板100上的正投影之间的最短距离可大于约2μm。应了解到，以上所举的最短距离范围仅为例示，而非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性决定第一子部(亦即，第一部152F与第二部152S)及/或第二子部(亦即，第三部152T与第四部152R)与龙骨电极190两者在基板100上的正投影之间的最短距离。
为了维持第一像素电极的电性连接，在本实施方式中，第一像素电极可包含桥接电极159，此桥接电极159横跨龙骨电极190，而连接第一分支电极156其中至少一与第二分支电极157其中至少一。但是，对于本实施方式的第一像素电极来说，只有桥接电极159横跨龙骨电极190的地方会与龙骨电极190重叠，因此两者之间寄生电容所产生的影响将能有效降低。至于其他相关的结构与材质细节，均与第一实施方式相同，因此不再重复赘述之。
第七实施方式
图15绘示依照本发明第七实施方式的第一像素电极的局部俯视图。本实施方式与第一实施方式的不同点在于：本实施方式的第一主干电极152与第二主干电极154均位于第一像素电极的边缘，使得第一主干电极152与第二主干电极154的交错处(亦即，第一交点N1)位于第一像素电极的角落。此外，本实施方式的第一垫高结构160介于全部的第一主干电极152及/或第二主干电极154与基板110之间，使得全部的第一主干电极152及/或第二主干电极154均形成第一隆起部。
图16绘示第七实施方式的有源元件阵列基板的液晶倒向模拟结果。图17绘示第七实施方式的有源元件阵列基板的光学显微镜影像模拟结果。由第16～17图可知，具有垫高结构的有源元件阵列基板确实能够让液晶分子被电场强迫倒向主干电极，因此不但液晶分子的节点能够被锁在第一像素电极的十字中心，而且中间黑线也明显变小，让开口率上升。

Claims (27)

1.一种有源元件阵列基板，其特征在于，包含：
一基板；
至少一扫描线，位于该基板上或上方；
至少一数据线，位于该基板上或上方；
至少一有源元件，电性连接该扫描线与该数据线；
至少一第一像素电极，位于该基板上或上方，并电性连接该有源元件，该第一像素电极包含：
至少一第一主干电极；
至少一第二主干电极，与该第一主干电极交错并电性连接该有源元件，以于该第一主干电极与该第二主干电极的交错处形成一第一交点；以及
多个第一分支电极，连接该第一主干电极与该第二主干电极，以定义出多个第一配向领域其中该多个第一分支电极至少相对于该第二主干电极呈非对称分布；以及
至少一第一垫高结构，至少介于该第一交点与该基板之间，以至少于该第一交点处形成一第一隆起部。
2.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于，位于该第二主干电极相对两侧的该多个第一配向领域的面积大小不同。
3.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一主干电极被该第二主干电极区分为一第一区段与一第二区段，该第二区段的长度较该第一区段的长度长，该第一垫高结构更介于该第一区段与该基板之间，使得该第一区段亦形成该第一隆起部。
4.如权利要求3所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一垫高结构更介于至少部分的该第二区段与该基板之间，使得该部分的该第二区段亦形成该第一隆起部。
5.如权利要求4所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第二主干电极被该第一主干电极区分为一第一区段与一第二区段，其中该第一垫高结构更介于至少部分该第二主干电极的该第一区段与该基板之间与至少部分该第二主干电极的该第二区段与该基板之间，使得该第二主干电极的该部分第一区段与该部分第二区段亦形成该第一隆起部。
6.如权利要求4所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一垫高结构更介于全部的该第二主干电极与该基板之间，使得全部的该第二主干电极均形成该第一隆起部。
7.如权利要求3所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一垫高结构更介于全部的该第一区段与该基板之间，使得全部的该第一区段均形成该第一隆起部。
8.如权利要求7所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一垫高结构更介于全部的该第二主干电极与该基板之间，使得全部的该第二主干电极均形成该第一隆起部。
9.如权利要求3所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第二主干电极被该第一主干电极区分为一第一区段与一第二区段，该第一垫高结构更介于至少部分该第二主干电极的该第一区段与该基板之间与至少部分该第二主干电极的该第二区段与该基板之间，使得该第二主干电极的该部分第一区段与该部分第二区段亦形成该第一隆起部。
10.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一像素电极更包含：
至少一第三主干电极，与该第一主干电极交错，以于该第一主干电极与该第三主干电极的交错处形成一第二交点，其中该第二主干电极与该第三主干电极相互平行并分别邻近相邻的两数据线；以及
多个第二分支电极，连接该第一主干电极与该第三主干电极，以定义出多个第二配向领域其中位于该第三主干电极相对两侧的该多个第二配向领域的面积大小不同；
该有源元件阵列基板更包含：
至少一第二垫高结构，至少介于该第二交点与该基板之间，以至少于该第二交点处形成一第二隆起部。
11.如权利要求10所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一主干电极被该第三主干电极区分为一第一区段与一第二区段，该第二区段的长度较该第一区段的长度长，该第二垫高结构更介于该第一区段与该基板之间，使得该第一区段亦形成该第二隆起部。
12.如权利要求11所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第二垫高结构更介于至少部分的该第二区段与该基板之间，使得该部分的该第二区段亦形成该第二隆起部。
13.如权利要求12所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第三主干电极被该第一主干电极区分为一第一区段与一第二区段，该第二垫高结构更介于至少部分该第三主干电极的该第一区段与该基板之间与至少部分该第三主干电极的该第二区段与该基板之间，使得该第三主干电极的该部分第一区段与该部分第二区段亦形成该第二隆起部。
14.如权利要求12所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第二垫高结构更介于全部的该第三主干电极与该基板之间，使得全部的该第三主干电极均形成该第二隆起部。
15.如权利要求11所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第二垫高结构更介于全部的该第一区段与该基板之间，使得全部的该第一区段均形成该第二隆起部。
16.如权利要求15所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第二垫高结构更介于全部的该第三主干电极与该基板之间，使得全部的该第三主干电极均形成该第二隆起部。
17.如权利要求11所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第三主干电极被该第一主干电极区分为一第一区段与一第二区段，该第二垫高结构更介于至少部分该第三主干电极的该第一区段与该基板之间与至少部分该第三主干电极的该第二区段与该基板之间，使得该第三主干电极的该部分第一区段与该部分第二区段亦形成该第二隆起部。
18.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于，更包含：
至少一第二像素电极，位于该基板上或上方；以及
至少一龙骨电极，电性连接该第二像素电极与该有源元件，其中该第一像素电极的该多个第一分支电极在该基板上的正投影，与该龙骨电极在该基板上的正投影不重叠。
19.如权利要求18所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一像素电极的该第一主干电极横跨该龙骨电极。
20.如权利要求18所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该多个第一分支电极与该龙骨电极在该基板上的正投影之间的最短距离大于2μm。
21.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于，更包含：
至少一第二像素电极，位于该基板上或上方；以及
至少一龙骨电极，电性连接该第二像素电极与该有源元件，其中该第一像素电极的该第一主干电极在该龙骨电极处断开为一第一子部与一第二子部，该第一子部与该第二子部在该基板上的正投影，与该龙骨电极在该基板上的正投影不重叠。
22.如权利要求21所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一像素电极更包含：
至少一第三主干电极，与该第一主干电极的该第二子部交错，该第二主干电极则与该第一主干电极的该第一子部交错；
多个第二分支电极，连接该第一主干电极的该第二子部与该第三主干电极，该多个第一分支电极则连接该第一主干电极的该第一子部与该第二主干电极；以及
至少一桥接电极，横跨该龙骨电极，而连接该多个第一分支电极其中至少一个与该多个第二分支电极其中至少一个。
23.如权利要求22所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一像素电极的该第二主干电极与该第三主干电极相互平行并分别邻近相邻的两数据线，且其在该基板上的正投影与该龙骨电极在该基板上的正投影不重叠。
24.如权利要求21所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一子部与该龙骨电极两者在该基板上的正投影之间的最短距离大于2μm。
25.如权利要求24所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第二子部与该龙骨电极两者在该基板上的正投影之间的最短距离大于2μm。
26.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一主干电极位于该第一像素电极的边缘，该第二主干电极位于该第一像素电极的边缘，该第一交点位于该第一像素电极的角落。
27.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于，该第一垫高结构介于全部的该第一主干电极与该基板之间，使得全部的该第一主干电极均形成该第一隆起部。
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