CN103730461A - 一种具有高维持电压的scr结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种具有高维持电压的SCR结构及其制作方法。所述SCR结构包括P型衬底，P型衬底上设有N阱和P阱，所述P阱上设有条形第一N+注入区，第一N+注入区的周边设有环状的第一P+注入区，第一N+注入区与第一P+注入区之间设有第三场氧隔离区，所述N阱上设有并列的第二N+注入区、第二P+注入区，第二N+注入区与P型衬底之间设有第一场氧隔离区，第二P+注入区与第一P+注入区之间设有第二场氧隔离区，第一P+注入区与P型衬底之间设有第四场氧隔离区。本发明采用环形的阴极（阳极）保护环，可以大大提高SCR结构的维持电压，使芯片远离闩锁风险。并且制作工艺简单、操作方便。

Description

一种具有高维持电压的SCR结构及其制作方法

技术领域

本发明属于电子技术半导体集成电路领域，特别涉及一种具有高维持电压的SCR结构及其制作方法。

背景技术

ESD（Electro-Static Discharge）即“静电放电”。当带了静电荷的物体跟其他物体接触时，这两个具有不同电位的物体依据电荷中和的原则，存在着电荷流动，传送足够的电量以抵消电压。这个高速电量的传送过程中，将产生潜在的破坏电压、电流及电磁场，严重时将其中的物体击毁，这就是静电放电。ESD是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一。据统计IC失效(包括功能失效和潜在损伤)约40％跟ESD/EOS(Electrical Over Stress)有关。随着集成电路设计步入深亚微米时代，芯片内ESD保护设计面临许多更加复杂、更加难以预料的问题。目前随着器件尺寸的减小和集成电路复杂程度的提高，寻求到占用芯片面积小且泄放效率高的静电防护器件成为了摆在IC设计工程师面前的新的任务和挑战。

晶闸管，又叫可控硅(Silicon controlled rectifier--SCR)，单位面积能够承受很高的ESD电流，作为一种常用的ESD防护器件，具有鲁棒性强、寄生电容小等优点，但是却受限于它本身过高的触发电压和过低的维持电压。二者将使得内部电路得不到有效的保护并且容易引发闩锁问题。尤其是维持电压过低使得电源轨箝位ESD器件的设计不能采用SCR器件，否则会影响芯片内部被保护的电路的功能和安全。设计时应当使得SCR的维持电压高于电源电压才能克服闩锁问题。

传统SCR ESD保护结构的剖面图及等效电路如图1。典型的CMOS工艺下SCR中有三个串接的PN结（P+/N-well、N-well/P-well、P-well/N+）。当外加正向电压较小时，P+-NW结和PW-N+结均为零偏，NW-PW结反偏，SCR处于关断的状态。此时类似于二极管的反向特性，只能通过较小的电流；若外加电压增大到使NW-PW结上的压降到达雪崩击穿电压，NW-PW结发生雪崩击穿。击穿电流流经衬底和阱的寄生串联电阻产生的压降，使P+-NW结和PW-N+结由零偏变为正偏，此刻SCR被触发进入导通阶段，开始泄放ESD电流。内阻的减小导致了SCR电压的下降，表现为负阻效应。SCR的触发对应两个等效双极晶体管都进入正向导通，它们构成的正反馈结构使电流反复放大，不断增加；最终，两个晶体管进入饱和区，SCR的三个结均变为正偏。在这一过程中，SCR始终开启，内阻保持较小的值，因此电压仍维持在很低的水平。当电流最终增大到使器件热失效时，当电流最终增大到使器件热失效时，发生二次击穿，这时SCR ESD器件就彻底失效。

发明内容

为了解决SCR作为静电防护器件时维持电压过低的技术问题，本发明提供一种具有高维持电压的SCR结构及其制作方法。采用环形的阴极（阳极）保护环不仅能够增加改善维持电压的ESD电流泄放路径，也提高了寄生BJT晶体管的基极有效面积，同时环形的形状增大了发射极的扩散系数D_E，从而通过晶体管电流放大系数的影响，抬高SCR结构的维持电压。

本发明解决上述技术问题的解决方案是：一种具有高维持电压的SCR结构，包括P型衬底，P型衬底上设有N阱和P阱，所述P阱上设有条形第一N+注入区，第一N+注入区的周边设有环状的第一P+注入区，第一N+注入区与第一P+注入区之间设有第三场氧隔离区，所述N阱上设有并列的第二N+注入区、第二P+注入区，第二N+注入区与P型衬底之间设有第一场氧隔离区，第二P+注入区与第一P+注入区之间设有第二场氧隔离区，第一P+注入区之间与P型衬底之间设有第四场氧隔离区。

一种具有高维持电压的SCR结构，包括P型衬底，P型衬底上设有N阱和P阱，所述N阱上设有条形第一P+注入区，第一P+注入区的周边设有环状的第一N+注入区，第一P+注入区与第一N+注入区之间设有第二场氧隔离区，所述P阱上设有并列的第二P+注入区、第二N+注入区，第一N+注入区与P型衬底之间设有第一场氧隔离区，第二N+注入区与第一N+注入区之间设有第三场氧隔离区，第二P+注入区与P型衬底之间设有第四场氧隔离区。

一种具有高维持电压的SCR结构的制作方法，包括以下步骤：

在P衬底上注入形成相邻的N阱和P阱；

在P阱内形成环状的第一P+注入区，第一P+注入区环形内部形成条状的第一N+注入区，第一P+注入区与第一N+注入区之间形成场氧隔离层；

在N阱内形成相邻的第二N+注入区、第二P+注入区；

在N阱和P阱之中未进行注入的区域形成场氧隔离层；

从N阱中第二N+注入区、第二P+注入区引出电极作为阴极；

从P阱中第一P+注入区、第一N+注入区引出电极作为阳极。

一种具有高维持电压的SCR结构的制作方法，包括以下步骤：

在P衬底上注入形成相邻的N阱和P阱；

在N阱内形成环状的第一N+注入区，第一N+注入区环形内部形成条状的第一P+注入区，第一P+注入区与第一N+注入区之间形成场氧隔离层；

在P阱内形成相邻的第二N+注入区、第二P+注入区；

在P阱和N阱之中未进行注入的区域形成场氧隔离层；

从N阱中第一P+注入区、第一N+注入区引出电极作为阳极；

从P阱中第二N+注入区、第二P+注入区引出电极作为阴极。

本发明的有益效果在于：

（1）本发明采用环形的阴极（阳极）保护环能够增加维持电压的ESD电流泄放路径，要为原本SCR的正反馈泻放机制提供足够的反馈电流，就需要更高的维持电压。

（2）采用环形的阴极（阳极）保护环一方面提高了寄生BJT晶体管的基极有效面积，另一方面，环形的形状增大了发射极的扩散系数DE，从发射极注入效率的角度出发，通过对晶体管电流放大系数增大的影响，抬高SCR结构的维持电压。

（3）本发明的制作工艺简单，操作方便。制作出的带阴阳极保护环的SCR结构既不需要打破版图设计规则也不会用到标准CMOS工艺以外的层次，就使得SCR能够运用在全芯片ESD防护设计中，远离闩锁风险。

附图说明

图1为传统SCR结构的剖面接寄生结构示意图。

图2为本发明实施例中用于全芯片ESD保护的带阴极保护环的SCR结构图。

图3为本发明实施例中用于全芯片ESD保护的带阳极保护环的SCR结构图。

图4为本发明实施例用于全芯片ESD保护的带阴极保护环的SCR结构的三维寄生结构示意图。

图5为本发明实施例用于全芯片ESD保护的带阴极保护环的SCR结构的等效电路即ESD电流泄放路径。

图6为本发明实施例用于全芯片ESD保护的带阳极保护环的SCR结构的三维寄生结构示意图。

图7为本发明实施例用于全芯片ESD保护的带阳极保护环的SCR结构的等效电路即ESD电流泄放路径。

图8为本发明实施例用于全芯片ESD保护的带阴极保护环的SCR结构的俯视图。

图9为本发明实施例用于全芯片ESD保护的带阳极保护环的SCR结构的俯视图。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案以及有益效果更加清晰明白，以下结合附图对本发明进行进一步的详细说明。

实施例1

参见图2，图2为本发明中带阴极保护环的SCR结构图。它包括P型衬底101，P型衬底上设有N阱102和P阱103，所述P阱103上设有条形第一N+注入区104，第一N+注入区104的周边设有环状的第一P+注入区105，第一N+注入区104与第一P+注入区105之间设有第三场氧隔离区203，所述N阱102上设有并列的第二N+注入区106、第二P+注入区107，第二N+注入区106与P型衬底之间设有第一场氧隔离区201，第二P+注入区107与第一P+注入区105之间设有第二场氧隔离区202，第一P+注入区105之间与P型衬底之间设有第四场氧隔离区204。

带阴极保护环的SCR结构制作方法如下：在P型硅衬底101上先用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，减缓下一步淀积的氮化硅与硅晶圆间造成的应力，然后利用化学气相沉积技术沉积一层氮化硅，用来作为离子注入的掩膜板及后续工艺中定义N型阱的区域。

将光刻胶涂在晶圆片上，利用光刻技术定义N型阱区102，干法刻蚀掉N型阱区102上的氮化硅，注入磷离子形成N阱102，利用硫酸溶液去除光刻胶，并对晶圆做退火处理，在N型阱区102上用热氧化法生长二氧化硅薄膜，作为掩埋层从而阻挡在P阱注入时对N阱的注入。

将光刻胶涂在晶圆片上，利用光刻技术定义P型阱区103，其与N型阱区102相邻,干法刻蚀掉P型阱区103上的氮化硅，注入硼离子形成P型阱区103，利用硫酸溶液去除光刻胶，并对晶圆做退火处理。

采用场氧（LOCOS）隔离，先用热氧化法生长二氧化硅薄膜作为缓冲层，然后利用LPCVD技术沉积氮化硅，将光刻胶涂在晶圆片上，利用光刻技术定义第一场氧隔离区201，第二场氧隔离区202，第三场氧隔离区203和第四场氧隔离区204。接着反应离子刻蚀掉场氧区201，202，203和204上的氮化硅，再进行场区注入以防止场区开启。

所述第三场氧隔离区203完全位于P型阱区103中，其在水平面上是一个环形结构；

所述第一场氧隔离区201左半部分位于所述P-SUB101的表面区域，所述第一场氧隔离区201右半部分位于所述N型阱区102的表面区域；

所述第二场氧隔离区202左半部分位于所述N型阱区102的表面区域，所述第二场氧隔离区202右半部分位于所述P型阱区103的表面区域；

所述第四场氧隔离区204左半部分位于所述P型阱区103的表面区域，所述第四场氧隔离区204右半部分位于所述P-SUB101的表面区域；

利用硫酸溶液去除光刻胶，在晶圆上用热氧化法生长二氧化硅薄膜，利用化学气相沉积技术沉积氮化硅，将光刻胶涂在晶圆片上，利用光刻技术定义N型阱区102中的N+注入区106和P型阱区103中的N+注入区104，干法刻蚀掉N+注入区106和104上的氮化硅，注入磷离子形成第一N+注入区104和第二N+注入区106，利用硫酸溶液去除光刻胶，并对晶圆做退火处理，在第一N+注入区104和第二N+注入区106上用热氧化法生长二氧化硅薄膜，作为掩埋层从而阻挡在P+注入时对N+区的注入。

利用光刻技术定义N型阱区102中的P+注入区107和P型阱区103中的P+注入区105，干法刻蚀掉P+注入区107和105上的氮化硅，注入硼离子形成第一P+注入区105和第二P+注入区107，利用硫酸溶液去除光刻胶，并对晶圆做退火处理。

所述P阱中的第一P+注入区105在水平面上是一个环形结构，通过环形的第三场氧隔离区203，使之与环形中间位置的条状第一N+注入区104隔离开来，第三场氧隔离区203在水平面上也是一个环形结构；如图4，该环形形状结构的存在使得SCR增加了一条泻放电流的路径，也提高了寄生PNP BJT晶体管的基极有效面积，从发射极注入效率的计算公式角度出发，通过晶体管电流放大系数的影响，将抬高SCR结构的维持电压；

所述第二N+注入区106和第二P+注入区107分别与金属层1的207208相连接，所述金属层1的207208与金属层2的301相连接，并从所述金属2层的301引出一电极303，作为器件的阳极；

所述第一P+注入区105和第一N+注入区104分别与金属层1的206205相连接，所述金属层1的206在水平面上是一个环形结构，所述金属层1的206205与金属层2的302相连接，并从所述金属2层的302引出一电极304，作为器件的阴极；

当高压ESD脉冲降临到器件所述阳极，所述阴极接地电位时，所述的第二P+注入区107、所述NW102和所述PW103将构成一横向PNP结构，同时所述NW102、所述PW103所述第一N+注入区104又将构成一个纵向的NPN结构，横向PNP结构的基极与纵向的NPN结构的集电极通过所述NW102的寄生电阻相连，而纵向的NPN结构的基极与横向PNP结构的集电极通过所述PW103的寄生电阻相连，即所述的横向PNP结构和所述的纵向的NPN结构形成了背对背的两个BJT晶体管结构，也就是晶闸管SCR结构；

基于所述第一P+注入区105在水平面上是一个环形结构，在传统SCR结构的基础上，所述带阴极保护环的SCR结构在PNP结构的集电极上形成一条新的电阻通路直接到达阴极而不经过纵向的NPN结构，这就是新增的泄放ESD电流的路径，它直接影响所述器件的维持电压。

实施例2：参见图2，图2为本发明中带阳极保护环的SCR结构图。它包括P型衬底111，P型衬底上设有N阱112和P阱113，所述N阱112上设有条形第一P+注入区114，第一P+注入区114的周边设有环状的第一N+注入区115，第一P+注入区114与第一N+注入区115之间设有第二场氧隔离区212，所述P阱113上设有并列的第二P+注入区116、第二N+注入区117，第一N+注入区115与P型衬底之间设有第一场氧隔离区211，第二N+注入区117与第一N+注入区115之间设有第三场氧隔离区213，第二P+注入区116与P型衬底之间设有第四场氧隔离区214。

其制作步骤如下：

在P型硅衬底111上先用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，减缓下一步淀积的氮化硅与硅晶圆间造成的应力，然后利用化学气相沉积技术沉积一层氮化硅，用来作为离子注入的掩膜板及后续工艺中定义N型阱的区域。

将光刻胶涂在晶圆片上，利用光刻技术定义N型阱区112，干法刻蚀掉N型阱区112上的氮化硅，注入磷离子形成N阱112，利用硫酸溶液去除光刻胶，并对晶圆做退火处理，在N型阱区112上用热氧化法生长二氧化硅薄膜，作为掩埋层从而阻挡在P阱注入时对N阱的注入。

将光刻胶涂在晶圆片上，利用光刻技术定义P型阱区113，其与N型阱区112相邻,干法刻蚀掉P型阱区113上的氮化硅，注入硼离子形成P阱113，利用硫酸溶液去除光刻胶，并对晶圆做退火处理。

采用场氧（LOCOS）隔离，先用热氧化法生长二氧化硅薄膜作为缓冲层，然后利用LPCVD技术沉积氮化硅，将光刻胶涂在晶圆片上，利用光刻技术定义第一场氧隔离区211，第二场氧隔离区212，第三场氧隔离区213和第四场氧隔离区214。接着反应离子刻蚀掉场氧区211，212，213和214上的氮化硅，再进行场区注入以防止场区开启。

所述第二场氧隔离区212完全位于N型阱区112中，其在水平面上是一个环形结构；

所述第一场氧隔离区211左半部分位于所述P-SUB111的表面区域，所述第一场氧隔离区211右半部分位于所述N型阱区112的表面区域；

所述第三场氧隔离区213左半部分位于所述N型阱区112的表面区域，所述第三场氧隔离区213右半部分位于所述P型阱区113的表面区域；

所述第四场氧隔离区214左半部分位于所述P型阱区113的表面区域，所述第四场氧隔离区214右半部分位于所述P-SUB111的表面区域；

利用硫酸溶液去除光刻胶，在晶圆上用热氧化法生长二氧化硅薄膜，利用化学气相沉积技术沉积氮化硅，将光刻胶涂在晶圆片上，利用光刻技术定义N型阱区112中的N+注入区115和P型阱区113中的N+注入区117，干法刻蚀掉N+注入区115和117上的氮化硅，注入磷离子形成第一N+注入区115和第二N+注入区117，利用硫酸溶液去除光刻胶，并对晶圆做退火处理，在第一N+注入区115和第二N+注入区117上用热氧化法生长二氧化硅薄膜，作为掩埋层从而阻挡在P+注入时对N+区的注入。

利用光刻技术定义N型阱区112中的P+注入区114和P型阱区113中的P+注入区116，干法刻蚀掉P+注入区114和116上的氮化硅，注入硼离子形成第一P+注入区114和第二P+注入区116，利用硫酸溶液去除光刻胶，并对晶圆做退火处理。

所述N阱中的第一N+注入区115在水平面上是一个环形结构，通过环形的第二场氧隔离区212，使之与环形中间位置的条状第一P+注入区114隔离开来，第二场氧隔离区212在水平面上也是一个环形结构；如图6，该环形形状结构的存在使得SCR增加了一条泻放电流的路径，也提高了寄生PNP BJT晶体管的基极有效面积，从发射极注入效率的计算公式角度出发，通过晶体管电流放大系数的影响，将抬高SCR结构的维持电压；

所述第二N+注入区117和第二P+注入区116分别与金属层1的218217相连接，所述金属层1的218217与金属层2的312相连接，并从所述金属层2的312引出一电极314，作为器件的阴极；

所述第一N+注入区115和第一P+注入区114分别与金属层1的216215相连接，所述金属层1的216在水平面上是一个环形结构，所述金属层1的216215与金属层2的311相连接，并从所述金属层2的311引出一电极313，作为器件的阳极；

当高压ESD脉冲降临到器件所述阳极，所述阴极接地电位时，所述的第一P+注入区114、所述NW112和所述PW113将构成一横向PNP结构，同时所述NW112、所述PW113和所述第二N+注入区117又将构成一个纵向的NPN结构，横向PNP结构的基极与纵向的NPN结构的集电极通过所述NW112的寄生电阻相连，而纵向的NPN结构的基极与横向PNP结构的集电极通过所述PW113的寄生电阻相连，即所述的横向PNP结构和所述的纵向的NPN结构形成了背对背的两个BJT晶体管结构，也就是晶闸管SCR结构；

基于所述第一N+注入区115在水平面上是一个环形结构，在传统SCR结构的基础上，所述带阳极保护环的SCR结构在NPN结构的集电极上形成一条新的电阻通路直接到达阳极而不经过横向的PNP结构，这就是新增的泄放ESD电流的路径，它直接影响所述器件的维持电压。

本发明采用带阴极（阳极）保护环的SCR结构，采用环形的阴极（阳极）保护环使得SCR增加了一条泻放电流的路径，具体的ESD电流泄放路径分别如图5图7中所示。由于阴极和阳极周围的保护环的内部一侧是位于SCR的阴极与阳极之间的，因此，等效电路中引入了新的寄生电阻。对于带阴极保护环的SCR结构，Rs3是从内侧环形第一P+注入区105到NPN基极之间的寄生P阱电阻；而对于带阴极保护环的SCR结构，Rs4则是从内侧环形第一N+注入区115到PNP基极之间的寄生N阱电阻。当ESD正脉冲降临到SCR阳极时，新的Rs3和Rs4电阻将会分原来电流泻放路径上的ESD电流。不难得到结论：由于Rs3和Rs4电阻的存在，分走了电流，这个SCR器件将需要更高的维持电压来提供工作状态下原本SCR器件正反馈所需要的电流。这就从电流泻放路径的角度证明了带阴极（阳极）保护环的SCR结构能够抬高维持电压。

一种提高维持电压的带阴极（阳极）保护环的SCR结构，针对公式(1)：γ为发射极注入效率，N_B、N_E分别为发射极掺杂浓度，D_E、D_B分别为发射极和基极的少子扩散系数，x_B和x_E分别为基极和发射极区域的净宽度。

1/γ=1+(N_B/N_E)*(D_E/D_B)*(x_B/x_E)     (1)

α=γ×β×α*M         (2)

由公式可知，发射极效率γ将随着：基区宽度的增加、发射极区宽度的减小而减小。对于带阴极保护环的SCR结构，由于对寄生NPN晶体管而言，阴极P阱中P注入区域的大小直接决定了其基极有效面积的大小。当环形第一P+注入区105环绕第一N+注入区104时，基极有效面积（即x_B）增大了，这会使得γ减小；而对于带阳极保护环的SCR结构，由于对寄生PNP晶体管而言，阳极N阱中N注入区域的大小直接决定了其基极有效面积的大小。当环形第一N+注入区115环绕第一P+注入区114时，基极有效面积（即x_B）增大了，这会使得γ减小；。而根据公式(2)：晶体管电流放大系数α，基区输运系数β，集电极倍增因子α*和雪崩倍增因子M，发射极注入效率γ的降低直接导致了电流放大系数α的减小，当BJT触发后泻放相同大小的电流时，则需要更大的电压来维持SCR所需要的反馈电流。这样使得SCR的维持电压提高。

可通过调节所述环形第一P+注入区105与位于其中间位置的第一N+注入区104之间的第三场氧隔离区203的宽度L1和第二场氧隔离区202的宽度L2，来调节阴极NPN晶体管的基极宽度和寄生晶体管之间的间距，从而调整SCR结构的维持电压大小，使得能够产生对应的ESD窗口所需要的维持电压。

综上所述，本发明提供了一种提高维持电压的带阴极（阳极）保护环的SCR结构的制作方法，过程简单，操作方便。制作出的带阴阳极保护环的SCR结构既不需要打破版图设计规则也不会用到标准CMOS工艺以外的层次，就使得SCR能够运用在全芯片ESD防护设计中，远离闩锁风险。

本发明实例器件采用0.5μm的CMOS工艺，采用N阱掺杂区与P阱掺杂区的雪崩击穿技术。

以上实施例所述仅为本发明的部分具体实施方式而已，并不用于限制本发明，凡是本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种具有高维持电压的SCR结构，其特征在于：包括P型衬底(101)，P型衬底上设有N阱(102)和P阱(103)，所述P阱(103)上设有条形第一N+注入区(104)，第一N+注入区(104)的周边设有环状的第一P+注入区(105)，第一N+注入区(104)与第一P+注入区(105)之间设有第三场氧隔离区(203)，所述N阱(102)上设有并列的第二N+注入区(106)、第二P+注入区(107)，第二N+注入区(106)与P型衬底之间设有第一场氧隔离区(201)，第二P+注入区(107)与第一P+注入区(105)之间设有第二场氧隔离区(202)，第一P+注入区(105)之间与P型衬底之间设有第四场氧隔离区(204)。

2.一种具有高维持电压的SCR结构，其特征在于：包括P型衬底(111)，P型衬底上设有N阱(112)和P阱(113)，所述N阱(112)上设有条形第一P+注入区(114)，第一P+注入区(114)的周边设有环状的第一N+注入区(115)，第一P+注入区(114)与第一N+注入区(115)之间设有第三场氧隔离区(212)，所述P阱(113)上设有并列的第二P+注入区(116)、第二N+注入区(117)，第一N+注入区(115)与P型衬底之间设有第一场氧隔离区(211)，第二N+注入区(117)与第一N+注入区(115)之间设有第二场氧隔离区(213)，第二P+注入区(116)与P型衬底之间设有第四场氧隔离区(214)。

3.一种具有高维持电压的SCR结构的制作方法，包括以下步骤：

在P衬底上注入形成相邻的N阱和P阱；

在P阱内形成环状的第一P+注入区，第一P+注入区环形内部形成条状的第一N+注入区，第一P+注入区与第一N+注入区之间形成场氧隔离层；

在N阱内形成相邻的第二N+注入区、第二P+注入区；

在N阱和P阱之中未进行注入的区域形成场氧隔离层；

从N阱中第二N+注入区、第二P+注入区引出电极作为阴极；

从P阱中第一P+注入区、第一N+注入区引出电极作为阳极。

4.一种具有高维持电压的SCR结构的制作方法，包括以下步骤：

在P衬底上注入形成相邻的N阱和P阱；

在N阱内形成环状的第一N+注入区，第一N+注入区环形内部形成条状的第一P+注入区，第一P+注入区与第一N+注入区之间形成场氧隔离层；

在P阱内形成相邻的第二N+注入区、第二P+注入区；

在P阱和N阱之中未进行注入的区域形成场氧隔离层；

从N阱中第一P+注入区、第一N+注入区引出电极作为阳极；

从P阱中第二N+注入区、第二P+注入区引出电极作为阴极。

Images