CN103675368A - 一种改善探针卡扎针效果的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善探针卡扎针效果的方法,其中,调整探针卡的探针的排列方向后在探针垫上扎针形成针痕,使所述针痕滑移的方向与所述探针垫的中心点到边的垂直线之间存在夹角。本发明具有如下优点或者有益效果:通过调整探针卡探针的排列方向,使得针痕滑移的方向沿与探针垫的中心点到边的垂直线形成一定角度的方向或者探针垫的对角线的方向滑移,可以有效地增加针痕滑移范围,降低了扎针针痕不良的风险,进而提高WAT测试效率。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域,尤其涉及电性测试领域,具体地说是一种改善探针卡扎针效果的方法。
背景技术
在WAT(电性测试)测试过程中,探针卡是测试机台和DUT(device under testing----待测器件)之间的纽带,探针卡针痕、漏电以及扎针情况等等,都会直接影响着工程师验证IC工艺的品质。随着IC集成度越来越高,器件尺寸越来越小,探针卡扎针针痕可能会出现在探针垫(Pad)的边缘或者无针痕的问题出现。WAT测试中,探针卡扎针在探针垫上面,避免对探针卡探针针尖的损伤,探针卡的探针1针尖与探针垫2之间存在45°夹角,如图1所示。因此,扎针时,针尖在探针垫上面会沿着扎针点(针尖与探针垫的接触点)滑移一些距离。但是,随着晶圆尺寸的缩小,即探针垫尺寸的缩小,针痕3出现在探针垫2的边缘或者无针痕的问题就会变得显著,如图2所示。这样会给WAT测试带来了挑战与不便,进而影响WAT的测试数据。
中国专利(公开号:CN101038302)公开了一种探针卡具有多个探针组,这些探针组排列为预定图形。通过假设彼此相邻排列的多个单元区域11-14形成芯片组区域来获得预定图形。该单元区域的数量等于索引的数量。包括在芯片组区域中的单元区域之一被限定为特定单元区域。其间无间隙地排列该芯片组区域,以覆盖圆片的尺寸。该排列的芯片组区域形成虚拟覆盖图形。提取出特定单元区域的排列以形成预定的图形。每个探针组被排列在对应于预定图形的每个特定单元区域的位置上。
中国专利(公开号:CN102298079A)一种能够得到适当的过驱动量和稳定的探针痕、能够使用通用的顶板的探针卡的平行调整机构。
上述两个专利虽然也涉及到了对探针卡的探针排列和稳定针痕,但并未涉及本发明的随着探针垫尺寸的缩小,针痕出现在探针垫边缘或者无针痕的问题。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明公开一种改善探针卡扎针效果的方法,以克服现有技术中针痕出现在探针垫边缘或者无针痕的问题。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种改善探针卡扎针效果的方法,其中,调整探针卡的探针的排列方向后在探针垫上扎针形成针痕,使所述针痕滑移的方向与所述探针垫的中心点到边的垂直线之间存在夹角。
上述的改善探针卡扎针效果的方法,其中,所述针痕滑移的方向为从所述探针垫的中心点沿着所述夹角的方向。
上述的改善探针卡扎针效果的方法,其中,所述夹角为所述探针垫的中心点到边的垂直线与所述探针垫的对角线之间的角度。
上述的改善探针卡扎针效果的方法,其中,所述探针垫为正方形或长方形。
上述的改善探针卡扎针效果的方法,其中,所述夹角为0~45°。
上述的改善探针卡扎针效果的方法,其中,所述探针垫为正方形,所述夹角为45°,所述针痕滑移的方向为从所述探针垫的中心点沿着所述探针垫的对角线的方向。
上述的改善探针卡扎针效果的方法,其中,所述探针卡的探针交错排列在所述探针垫的两侧,且相邻探针的排列方向相互垂直。
本发明具有如下优点或者有益效果:
通过调整探针卡探针的排列方向,使得针痕滑移的方向沿与探针垫的中心点到边的垂直线形成一定角度的方向或者探针垫的对角线的方向滑移,可以有效地增加针痕滑移范围,降低了扎针针痕不良的风险,进而提高WAT测试效率。
具体附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。
图1是现有技术中探针卡的探针针尖与探针垫夹角45°的结构示意图;
图2是现有技术中针痕出现在探针垫边缘或者无针痕时的结构示意图;
图3是现有技术中探针卡探针排列的结构示意图;
图4是现有技术中探针卡扎针后的针痕示意图;
图5是本发明实施例中探针卡探针排列的结构示意图;
图6是本发明实施例中探针卡扎针后的针痕示意图。
参见图1——图6,其中,1为探针卡的探针;2为探针垫;3为针痕。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明,但是不作为本发明的限定。
作为本发明的一个实施例,本实施例涉及一种改善探针卡扎针效果的方法,其中,调整探针卡的探针1的排列方向后在探针垫2上扎针形成针痕,使针痕3滑移的方向与探针垫2的中心点到边的垂直线之间存在夹角α,如图5所示。
针痕滑移的方向为如图6所示的从探针垫的中心点沿着夹角α的方向,即针痕沿与探针垫的中心点到边的垂直线形成的夹角α的方向滑移。其中,夹角α为探针垫2的中心点到边的垂直线与探针垫2的对角线之间的角度。探针垫2为正方形或长方形结构,夹角α为0~45°。此外,探针卡的探针2交错排列在探针垫的两侧,且相邻探针的排列方向相互垂直。
而在现有探针卡的探针扎针位置是在探针垫的中间位置,也就是中心点位置,如图3所示,针痕会向扎针方向滑移一些距离,针痕滑移是沿着探针垫两个边的方向滑移,即滑移最大位移也只是探针垫的中心点到边的垂直线的距离,如图4所示。本实施例调整探针卡探针的排列方向,可以有效地增加针痕滑移范围。
作为本发明的另一个实施例,本实施例涉及一种上述的改善探针卡扎针效果的方法,在上述实施例的基础上,本实施例进行了改进,具体为:最佳的,探针垫2为正方形,夹角为45°,针痕3滑移的方向为从探针垫的中心点沿着探针垫的对角线的方向。
具体地说,探针垫的大小是60μm×60μmm,探针垫与探针垫之间距离是120μm(两个相邻探针垫的中心点之间的距离)。在现有探针卡探针的排列方式下,那么针痕的滑移范围是30μm左右。然而,若将探针卡探针的排列方向改变,使针痕3滑移的方向与探针垫2的中心点到边的垂直线之间存在夹角α=45°,那么针痕的滑移范围是30×21/2μm,比现有的针痕范围增加了约12μm(即1.414倍),降低了针痕在探针垫边缘或者无针痕的风险,进而提高WAT测试的稳定性以及精确性。
本发明应用的技术节点为>=130nm,90nm,65/55nm,45/40nm,32/28nm或者<=22nm;本发明应用的技术平台为Logic,Memory,RF,HV,Analog/Power,MEMS,CIS,Flash,eFlash或者Package。
本领域技术人员应该理解,本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例,在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容,在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例,这并不影响本发明的实质内容。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (7)
1.一种改善探针卡扎针效果的方法,其特征在于,调整探针卡的探针的排列方向后在探针垫上扎针形成针痕,使所述针痕滑移的方向与所述探针垫的中心点到边的垂直线之间存在夹角。
2.根据权利要求1所述的改善探针卡扎针效果的方法,其特征在于,所述针痕滑移的方向为从所述探针垫的中心点沿着所述夹角的方向。
3.根据权利要求1或2所述的改善探针卡扎针效果的方法,其特征在于,所述夹角为所述探针垫的中心点到边的垂直线与所述探针垫的对角线之间的角度。
4.根据权利要求3所述的改善探针卡扎针效果的方法,其特征在于,所述探针垫为正方形或长方形。
5.根据权利要求3所述的改善探针卡扎针效果的方法,其特征在于,所述夹角为0~45°。
6.根据权利要求3所述的改善探针卡扎针效果的方法,其特征在于,所述探针垫为正方形,所述夹角为45°,所述针痕滑移的方向为从所述探针垫的中心点沿着所述探针垫的对角线的方向。
7.根据权利要求1所述的改善探针卡扎针效果的方法,其特征在于,所述探针卡的探针交错排列在所述探针垫的两侧,且相邻探针的排列方向相互垂直。
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