CN103659002A - 加工装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种加工装置,其能够识别保持于保持构件的晶片的外周,从而可靠地求出保持于保持构件的晶片的中心。该加工装置具备:保持构件,保持圆形晶片;加工构件,对晶片实施加工;以及加工进给构件,对保持构件和加工构件在加工进给方向相对地进行加工进给,保持构件具备:工作台,具有吸引保持部和外周部;以及旋转驱动机构,使工作台旋转,加工装置具备:摄像构件,对晶片的外周部进行拍摄;发光构件,配设成与摄像构件隔着工作台对置;投影构件,形成于工作台的外周部,使发光构件的光透过,将晶片的外周投影到摄像构件;以及控制构件,其根据由摄像构件拍摄到的、晶片的外周的至少三处的坐标值,计算出保持于工作台的晶片的中心位置。

Description

加工装置
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等被加工物进行切削的切削装置、和对被加工物实施预定的激光加工的激光加工装置等加工装置。
背景技术
在半导体器件制造工序中,在大致圆板形状的半导体晶片的表面,通过呈格子状排列的、被称为间隔道的分割预定线划分为多个区域,在该划分出的区域形成IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等器件。并且,通过将半导体晶片沿着间隔道切断,来分割形成有电路的区域,从而制造出一个个器件。此外,对在蓝宝石基板的表面层叠有氮化镓类化合物半导体等的光器件晶片也沿着间隔道进行切断,由此来分割成一个个发光二极管、激光二极管等光器件,并广泛利用于电气设备中。
这样的半导体晶片和光器件晶片等晶片的分割利用切削装置或激光加工装置等加工装置来实施。切削装置或激光加工装置等加工装置具备:保持构件,其用于保持晶片;加工构件,其用于对保持于所述保持构件的晶片实施加工;以及加工进给构件,其用于对保持构件和加工构件在加工进给方向上相对地进行加工进给。
在上述加工装置中,为了对晶片在预定的加工区域可靠地实施加工,需要识别加工区域的起点和终点。为了识别加工区域的起点和终点,提出有以下方法:识别保持在保持构件上的晶片的外周,从而求出保持在保持构件上的晶片的中心。(例如,参照专利文献1。)
现有技术文献
专利文献1:日本特开2011-54715号公报。
然而,在晶片的表面覆盖有保护膜的情况、或在晶片的表面实施了特殊加工的情况下,有可能因光的漫反射或吸收等而引起无法可靠地识别晶片的外周。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的,其主要的技术课题在于提供一种加工装置,其能够识别保持在保持构件上的晶片的外周,从而可靠地求出保持在保持构件上的晶片的中心。
为了解决上述主要的技术课题,根据本发明,提供一种加工装置,其具备:保持构件,其用于保持呈圆形的晶片;加工构件,其用于对保持于所述保持构件上的晶片实施加工;以及加工进给构件,其用于对所述保持构件和所述加工构件在加工进给方向上相对地进行加工进给,所述加工装置的特征在于,所述保持构件具备:工作台,其具有用于吸引保持晶片的吸引保持部、和围绕该吸引保持部的外周部;以及旋转驱动机构,其用于使所述工作台旋转,所述加工装置具备:摄像构件,其用于对保持于所述工作台上的晶片的外周部进行拍摄;发光构件,其被配设成与所述摄像构件隔着所述工作台对置;投影构件,其形成于所述工作台的所述外周部,所述发光构件发出的光透过该投影构件,从而将保持在所述吸引保持部上的晶片的外周投影到所述摄像构件上以及控制构件,其根据由所述摄像构件拍摄到的、保持于所述工作台上的晶片的外周的至少三处的坐标值,计算出保持于所述工作台上的晶片的中心位置。
所述投影构件由形成于工作台的外周部的3个以上的贯通孔构成。并且,在贯通孔中填充有由具有透射性的材料构成的投影部件。
在本发明的加工装置中,用于保持呈圆形的晶片的保持构件具备:工作台,其具有用于吸引保持晶片的吸引保持部、和围绕该吸引保持部的外周部;以及旋转驱动机构,其用于使所述工作台旋转,所述加工装置具备:摄像构件,其用于对保持于工作台的晶片的外周部进行拍摄;发光构件,其被配设成与摄像构件隔着工作台对置;投影构件,其形成于工作台的外周部,使发光构件发出的光透过该投影构件,从而将保持在吸引保持部的晶片的外周投影到摄像构件;以及控制构件,其根据由摄像构件拍摄得到的、保持于工作台上的晶片的外周的至少三处的坐标值,来计算出保持于工作台上的晶片的中心位置,因此,即使在晶片的表面覆盖有保护膜的情况、或在晶片的表面实施了特殊加工的情况下,也能够识别保持在工作台上的晶片的外周,从而可靠地求出晶片的中心。
附图说明
图1是作为按照本发明而构成的加工装置的激光加工装置的立体图。
图2是在图1所示的激光加工装置中装备的保持构件的立体图。
图3是将图2所示的保持构件的构成部件分解进行示出的立体图。
图4是构成图2所示的保持构件的工作台的剖视图。
图5是在图1所述的激光加工装置中装备的控制构件的方框结构图。
图6是作为晶片的半导体晶片的立体图。
图7是表示将图6所示的半导体晶片粘贴在安装于环状框架的切割带上的状态的立体图。
图8是表示求出保持在工作台的半导体晶片的中心位置的方法的说明图,其中所述工作台构成图2所示的保持构件。
标号说明
2:静止基座;
3:被加工物保持机构;
37:加工进给构件;
38:第1分度进给构件;
4:保持构件;
41:工作台;
42:旋转轴;
413:吸附卡盘;
44:旋转驱动机构;
46:投影部件;
5:激光光线照射单元支承机构;
53:第2分度进给构件;
6:激光光线照射单元;
62:激光光线照射构件;
624:聚光器;
63:聚光点位置调整构件;
7:摄像构件;
8:控制构件;
10:半导体晶片;
F:环状的框架;
T:切割带。
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的加工装置的优选实施方式进行更为详细的说明。
在图1中示出了作为按照本发明而构成的加工装置的激光加工装置的立体图。图1示出的激光加工装置具备:静止基座2;被加工物保持机构3,其以能够沿箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)移动的方式配设于该静止基座2,用于保持被加工物;激光光线照射单元支承机构5,其以能够沿与X轴方向垂直的、箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)移动的方式配设于静止基座2;以及激光光线照射单元6,其以能够沿箭头Z所示的聚光点位置调整方向(Z轴方向)移动的方式配设于该激光光线照射单元支承机构5。
上述被加工物保持机构3具备:一对导轨31、31,它们沿加工进给构件平行地配设在静止基座2上,所述加工进给构件沿着加工进给方向(X轴方向)移动;第1滑动块32,其以能够沿X轴方向移动的方式配设在该导轨31、31上;第2滑动块33,其以能够沿Y轴方向移动的方式配设在该第1滑动块32上;罩工作台35,其被圆筒部件34支承在该第2滑动块33上;以及保持构件4,其用于保持被加工物。
在所述第1滑动块32的下表面设置有一对被引导槽321、321,所述被引导槽321、321与所述一对导轨31、31嵌合,并且在所述第1滑动块32的上表面设置有沿Y轴方向平行地形成的一对导轨322、322。以这种方式构成的第1滑动块32构成为,通过被引导槽321、321与一对导轨31、31的嵌合,而能够沿一对导轨31、31在X轴方向移动。图示的实施方式中的被加工物保持机构3具备加工进给构件37,该加工进给构件37用于使第1滑动块32沿一对导轨31、31在X轴方向移动。该加工进给构件37包括外螺纹杆371和脉冲马达372等驱动源,所述外螺纹杆371以与所述一对导轨31、31平行的方式配设在这一对导轨31、31之间,所述脉冲马达372等驱动源用于驱动该外螺纹杆371旋转。外螺纹杆371的一端被轴支承块373支承为能够自如旋转,所述轴支承块373固定于所述静止基座2,所述外螺纹杆371的另一端与所述脉冲马达372的输出轴传动连结。此外,外螺纹杆371与形成于未图示的内螺纹块的贯通内螺纹孔螺合,所述未图示的内螺纹块突出设置在第1滑动块32的中央部下表面。因此,通过利用脉冲马达372对外螺纹杆371进行正转和反转驱动,第1滑动块32沿导轨31、31在X轴方向上移动。
图示的实施方式中的激光加工装置具备X轴方向位置检测构件374,该X轴方向位置检测构件374用于检测所述保持构件4的加工进给量即X轴方向位置。X轴方向位置检测构件374由线性标度374a和读取头374b构成,线性标度374a沿着导轨31配设,读取头374b配设于第1滑动块32,并与第1滑动块32一起沿线性标度374a移动。在图示的实施方式中,该X轴方向位置检测构件374的读取头374b每隔1μm将一个脉冲的脉冲信号输送到后述的控制构件。并且,后述的控制构件通过对输入的脉冲信号进行计数,来检测出保持构件4的加工进给量即X轴方向位置。此外,在使用脉冲马达372作为所述加工进给构件37的驱动源时,还能够通过对向脉冲马达372输出驱动信号的后述的控制构件的驱动脉冲进行计数,来检测出保持构件4的加工进给量即X轴方向位置。
所述第2滑动块33构成为,在其下表面设置有一对被引导槽331、331,所述一对被引导槽331、331与设置在所述第1滑动块32的上表面的一对导轨322、322嵌合,通过使所述被引导槽331、331与一对导轨322、322嵌合,所述第2滑动块33能够沿Y轴方向移动。图示的实施方式中的被加工物保持机构3具备第1分度进给构件38,该第1分度进给构件38用于使第2滑动块33沿着设置于第1滑动块32的一对导轨322、322在Y轴方向上移动。该第1分度进给构件38包括外螺纹杆381和脉冲马达382等驱动源,所述外螺纹杆381以与所述一对导轨322、322平行的方式配设在这一对导轨322、322之间,所述脉冲马达382等驱动源用于驱动该外螺纹杆381旋转。外螺纹杆381的一端被轴支承块383支承为能够自如旋转,所述轴支承块383固定于所述第1滑动块32的上表面,所述外螺纹杆381的另一端与所述脉冲马达382的输出轴传动连结。此外,外螺纹杆381与形成于未图示的内螺纹块的贯通内螺纹孔螺合,所述未图示的内螺纹块突出设置在第2滑动块33的中央部下表面。因此,通过利用脉冲马达382对外螺纹杆381进行正转和反转驱动,第2滑动块33沿导轨322、322在Y轴方向上移动。
图示的实施方式中的激光加工装置具备Y轴方向位置检测构件384,该Y轴方向位置检测构件384用于检测所述第2滑动块33的分度加工进给量即Y轴方向位置。该Y轴方向位置检测构件384由线性标度384a和读取头384b构成,线性标度384a沿着导轨322配设,读取头384b配设于第2滑动块33,并与第2滑动块33一起沿线性标度384a移动。在图示的实施方式中,该Y轴方向位置检测构件384的读取头384b每隔1μm将一个脉冲的脉冲信号输送到后述的控制构件。并且,后述的控制构件通过对输入的脉冲信号进行计数,来检测出保持构件4的分度进给量即Y轴方向位置。此外,在使用脉冲马达382作为所述第1分度进给构件38的驱动源时,还能够通过对向脉冲马达382输出驱动信号的后述的控制构件的驱动脉冲进行计数,来检测出保持构件4的分度进给量即Y轴方向位置。
接着,参照图2至图4对用于保持所述被加工物的保持构件4进行说明。
如图3所示,保持构件4具备:工作台41,其用于保持作为被加工物的圆形的晶片;旋转轴42,其与该工作台41的下表面连接;以及支承外壳43,其将该旋转轴42支承为能够旋转。如图4所示,工作台41由不锈钢等金属材料形成为圆板状,在工作台41的上表面形成有圆形的嵌合凹部411,在该嵌合凹部411的底面外周部设置有环状的载置架412。并且,在嵌合凹部411嵌合有作为吸引保持部的吸附卡盘413,该吸附卡盘413由多孔性部件形成,该多孔性部件由具备无数个吸引孔的多孔陶瓷等构成。这样构成的工作台41具有由吸附卡盘413构成的吸引保持部、和围绕由该吸附卡盘413构成的吸引保持部的外周部410。此外,在工作台41中设置有连通通道421,该连通通道421在所述嵌合凹部411开口,并在旋转轴42开口,该连通通道421与未图示的吸引构件连通。旋转轴42被支承外壳43支承为能够旋转,并且借助如图3所示配设在支承外壳43内的旋转驱动机构44而旋转。此外,如图2和图3所示,在工作台41的下表面借助恰当的固定构件而安装有4个夹具45。
在构成上述保持构件4的工作台41的外周部410,形成有作为投影构件的多个(在图示的实施方式中为7个)贯通孔410a,该贯通孔410a在外周部410和作为上述吸引保持部的吸附卡盘413的边界部沿上下方向贯通。该贯通孔410a设置为,除了一处之外,其余彼此隔开了间隔45度的间隔。在贯通孔410a中填充有投影部件46,该投影部件46由玻璃等具有透射性的材料构成。如图3所示,在构成保持构件4的支承外壳43,在作为上述投影构件的贯通孔410a所通过的下方位置,配设有发光构件47,该发光构件47由LED等构成。
回到图1继续说明,所述激光光线照射单元支承机构5具备可动支承基座52和一对导轨51、51,所述导轨51、51沿Y轴方向平行地配设在静止基座2上,所述可动支承基座52以能够沿箭头Y所示的方向移动的方式配设在所述导轨51、51上。该可动支承基座52由移动支承部521和安装部522构成,所述移动支承部521以能够移动的方式配设在导轨51、51上,安装部522安装于该移动支承部521。安装部522在一侧面平行地设置有沿Z轴方向延伸的一对导轨523、523。图示的实施方式中的激光光线照射单元支承机构5具备第2分度进给构件53,该第2分度进给构件53用于使可动支承基座52沿着一对导轨51、51在Y轴方向上移动。该第2分度进给构件53包括外螺纹杆531和脉冲马达532等驱动源,所述外螺纹杆531以与所述一对导轨51、51平行的方式配设在这一对导轨51、51之间,所述脉冲马达532等驱动源用于驱动该外螺纹杆531旋转。外螺纹杆531的一端被未图示的轴支承块支承为能够自如旋转,所述轴支承块固定于所述静止基座2,所述外螺纹杆531的另一端与所述脉冲马达532的输出轴传动连结。此外,外螺纹杆531与形成于未图示的内螺纹块的内螺纹孔螺合,所述未图示的内螺纹块突出设置在构成可动支承基座52的移动支承部521的中央部下表面。因此,通过利用脉冲马达532对外螺纹杆531进行正转和反转驱动,可动支承基座52沿导轨51、51在Y轴方向上移动。
图示的实施方式中的激光光线照射单元6具备单元支架61和激光光线照射构件62,激光光线照射构件62安装于该单元支架61。单元支架61设置有一对被引导槽611、611,所述被引导槽611、611以能够滑动的方式与设置于所述安装部522的一对导轨523、523嵌合,通过使所述被引导槽611、611与所述导轨523、523嵌合,单元支架61被支承为能够沿Z轴方向移动。
图示的实施方式中的激光光线照射单元6具备聚光点位置调整构件63,该聚光点位置调整构件63用于使单元支架61沿着一对导轨523、523在Z轴方向上移动。聚光点位置调整构件63包括外螺纹杆(未图示)和脉冲马达632等驱动源,所述外螺纹杆配设在一对导轨523、523之间,所述脉冲马达632等驱动源用于驱动该外螺纹杆旋转,通过利用脉冲马达632对未图示的外螺纹杆进行正转和反转驱动,使单元支架61和激光光线照射构件62沿导轨523、523在Z轴方向上移动。此外,在图示的实施方式中,通过脉冲马达632的正转驱动使激光光线照射构件62向上方移动,通过脉冲马达632的反转驱动使激光光线照射构件62向下方移动。
所述激光光线照射构件62包括实质上水平配置的圆筒状的壳体621。在壳体621内配设有脉冲激光光线振荡构件,该脉冲激光光线振荡构件具备脉冲激光光线振荡器和重复频率设定构件,脉冲激光光线振荡器由未图示的YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器构成。在所述壳体621的末端部安装有聚光器624,聚光器624用于对由脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线进行聚光。
在构成所述激光光线照射构件62的壳体621的末端部配设有摄像构件7,该摄像构件7用于检测应利用激光光线照射构件62进行激光加工的加工区域。该摄像构件7由显微镜或CCD照相机等光学构件构成,将拍摄得到的图像信号输送至后述的控制构件。
图示的实施方式中的激光加工装置具备图5所示的控制构件8。控制构件8由计算机构成,其具备:中央处理装置(CPU)81,其按照控制程序进行运算处理;只读存储器(ROM:Read Only Memory)82,其用于存储控制程序等;可读写的随机存取存储器(RAM:Random Access Memory)83,其用于存储运算结果等;计数器84;以及输入接口85和输出接口86。来自所述X轴方向位置检测构件374、Y轴方向位置检测构件384以及摄像构件7等的检测信号被输入到控制构件8的输入接口85。并且,从控制构件8的输出接口86向所述脉冲马达372、脉冲马达382、脉冲马达532、旋转驱动机构44以及发光构件47等输出控制信号。
图示的实施方式中的激光加工装置以上述方式构成,下面,对用于求出保持在保持构件4的工作台41上的、作为被加工物的晶片的中心位置的方法进行说明。
在图6中示出了作为被加工物的晶片即半导体晶片10的立体图。图6所示的半导体晶片10由硅晶片构成,在其表面10a通过呈格子状排列的多个间隔道101划分成多个区域,在该划分出的区域形成有IC、LSI等器件102。如图7的(a)和(b)所示,这样形成的半导体晶片10的背面10b粘贴于切割带T的表面,切割带T在外周部进行安装,并覆盖环状的框架F的内侧开口部(晶片支承工序)。
在实施了上述晶片支承工序之后,将半导体晶片10的切割带T侧载置在图1所示的激光加工装置的工作台41上。并且,通过使未图示的吸引构件工作,来经切割带T将半导体晶片10吸引保持在保持构件4的工作台41上(晶片保持工序)。因此,保持在保持构件4的工作台41上的半导体晶片10的表面10a为上侧。此外,安装有切割带T的环状的框架F借助于配设于保持构件4的夹具45而被固定。
在以上述方式实施了晶片保持工序之后,使加工进给构件37工作来使保持构件4移动到摄像构件7的正下方,如图8的(a)所示,使保持于工作台41的半导体晶片10的A点位于发光构件47的正上方。设这样定位的工作台41的旋转中心P的坐标值为(x0,y0),设保持于工作台41的半导体晶片10的中心Pa的坐标值为(x0′,y0′),设工作台41的旋转中心P和半导体晶片10的中心Pa之间的间隔为r,设X轴与r之间所成的角度为θ,根据下述算式1求出x0′,根据下述算式2求出y0′。
算式1
x0′=x0+rcosθ
算式2
y0′=y0+rsinθ
在上述图8的(a)所示的状态下,点亮发光构件47,经投影部件46对半导体晶片10的A点部进行投影,并且借助摄像构件7对投影得到的图像进行拍摄。并且,摄像构件7将拍摄得到的图像信号输送至控制构件8。控制构件8根据由摄像构件7送来的图像信号求出半导体晶片10的A点的坐标值(x1,y1),并存储在随机存取存储器(RAM)83中。
接着,将工作台41从图8的(a)所示的状态向箭头所示的方向旋转90度,如图8的(b)所示,将半导体晶片10的B点部定位于发光构件47的正上方。接着,点亮发光构件47,经投影部件46对半导体晶片10的B点部进行投影,并且借助摄像构件7对投影得到的图像进行拍摄。并且,摄像构件7将拍摄得到的图像信号输送至控制构件8。控制构件8根据由摄像构件7送来的图像信号求出半导体晶片10的B点的坐标值(x2,y2),并存储到随机存取存储器(RAM)83中。
接着,将工作台41从图8的(b)所示的状态向箭头所示的方向旋转90度,如图8的(c)所示,将半导体晶片10的C点部定位于发光构件47的正上方。接着,点亮发光构件47,经投影部件46对半导体晶片10的C点部进行投影,并且借助摄像构件7对投影得到的图像进行拍摄。并且,摄像构件7将拍摄得到的图像信号输送至控制构件8。控制构件8根据由摄像构件7送来的图像信号求出半导体晶片10的C点的坐标值(x3,y3),并存储到随机存取存储器(RAM)83中。
基于上述算式1和算式2、A点的坐标值(x1,y1)、B点的坐标值(x2,y2)以及C点的坐标值(x3,y3),下述算式3和算式4成立。
算式3
[x1-(x0+rcosθ)]2+[y1-(y0+rsinθ)]2
=[x2-(x0+rcos(θ+π/2))]2+[y2-(y0+rsin(θ+π/2))]2
算式4
[x1-(x0+rcosθ)]2+[y1-(y0+rsinθ)]2
=[x3-(x0+rcos(θ+π))]2+[y3-(y0+rsin(θ+π))]2
由上述算式1、算式2、算式3、算式4针对保持在工作台41上的半导体晶片10的中心Pa,求出(x0′,y0′),由下述算式5能够求出半导体晶片10的半径R。
算式5
R = ( x 1 - x 0 ′ ) 2 + ( y 1 - y 0 ′ ) 2
如上所述,在图示的实施方式中的激光加工装置中具备:摄像构件7,其用于对保持在保持构件4的工作台41上的半导体晶片10的外周部进行拍摄;发光构件47,其被配设成与摄像构件7隔着工作台41对置;投影部件46,其形成于工作台41的外周部,发光构件47发出的光透过该投影部件,从而将保持在工作台41上的半导体晶片10的外周投影到摄像构件7;以及控制构件8,控制构件8根据由摄像构件7拍摄得到的、保持于工作台41的半导体晶片10的外周的A点的坐标值(x1,y1)、B点的坐标值(x2,y2)以及C点的坐标值(x3,y3),来计算出保持于工作台41上的半导体晶片10的中心位置,因此,即使在半导体晶片10的表面覆盖有保护膜的情况、或在半导体晶片10的表面实施了特殊加工的情况下,也能够识别保持在工作台41上的半导体晶片10的外周,从而可靠地求出半导体晶片10的中心。
通过以上述方式求出保持在工作台41上的半导体晶片10的中心,在实施激光加工时,能够根据来自X轴方向位置检测构件374和Y轴方向位置检测构件384的信号,对保持在工作台41上的半导体晶片10的的预先设定好的应进行加工的区域可靠地实施激光加工。
以上,示出了将本发明应用于激光加工装置的例子,但是,本发明能够应用于对保持在保持构件上的晶片沿着间隔道进行切削的切削装置等其它加工装置。

Claims (3)

1.一种加工装置,其具备:保持构件,其用于保持呈圆形的晶片;加工构件,其用于对保持于所述保持构件上的晶片实施加工;以及加工进给构件,其用于对所述保持构件和所述加工构件在加工进给方向上相对地进行加工进给,所述加工装置的特征在于,
所述保持构件具备:
工作台,其具有用于吸引保持晶片的吸引保持部、和围绕该吸引保持部的外周部;以及
旋转驱动机构,其用于使所述工作台旋转,
所述加工装置具备:
摄像构件,其用于对保持于所述工作台上的晶片的外周部进行拍摄;
发光构件,其被配设成与所述摄像构件隔着所述工作台对置;
投影构件,其形成于所述工作台的所述外周部,所述发光构件发出的光透过该投影构件,从而将保持在所述吸引保持部上的晶片的外周投影到所述摄像构件上;以及
控制构件,其根据由所述摄像构件拍摄到的、保持于所述工作台上的晶片的外周的至少三处的坐标值,计算出保持于所述工作台上的晶片的中心位置。
2.根据权利要求1所述的加工装置,其中,
所述投影构件由形成于所述工作台的外周部的3个以上的贯通孔构成。
3.根据权利要求2所述的加工装置,其中,
在所述贯通孔中填充有由具有透射性的材料构成的投影部件。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6635860B2 (ja) * 2016-04-07 2020-01-29 株式会社ディスコ 加工方法
JP6721468B2 (ja) * 2016-09-14 2020-07-15 株式会社ディスコ 加工装置
JP2018126830A (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 株式会社ディスコ 加工装置
JP7061012B2 (ja) * 2018-05-01 2022-04-27 株式会社ディスコ 加工装置
JP7132042B2 (ja) 2018-09-10 2022-09-06 株式会社ディスコ 加工装置
JP2021186893A (ja) * 2020-05-26 2021-12-13 株式会社ディスコ 透明部材又は半透明部材を貼り合わせた貼り合わせワークの研削方法、及び貼り合わせワークの研削装置
JP2023112771A (ja) 2022-02-02 2023-08-15 株式会社ディスコ 加工装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264488A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Nec Corp ウェハスクライブ装置及び方法
US20060024920A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Denso Corporation Method for positioning dicing line of wafer
JP2008053341A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2008109015A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法および分割装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6378055A (ja) * 1986-09-20 1988-04-08 Fujitsu Ltd 微小パタ−ン検知装置
JP3853966B2 (ja) * 1998-04-09 2006-12-06 株式会社ミツトヨ 加工工具、その加工工具を用いる光計測装置、およびその加工工具を備えた加工装置
JP2937244B1 (ja) * 1998-05-20 1999-08-23 株式会社東京精密 ウェーハのパターン撮像装置
JP4408351B2 (ja) * 2002-10-24 2010-02-03 リンテック株式会社 アライメント装置
JP2004349416A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Nikon Corp Memsの製造方法
JP2007298500A (ja) * 2006-04-03 2007-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転角度検出装置
JP5122880B2 (ja) * 2007-07-11 2013-01-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置のアライメント方法
JP5015848B2 (ja) * 2008-04-08 2012-08-29 リンテック株式会社 アライメント装置
JP2010186863A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd 位置合わせ機構、加工装置および位置合わせ方法
JP5443102B2 (ja) * 2009-09-01 2014-03-19 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2012119489A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Takata Corp 加工対象物搭載台装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264488A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Nec Corp ウェハスクライブ装置及び方法
US20060024920A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Denso Corporation Method for positioning dicing line of wafer
JP2008053341A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2008109015A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法および分割装置

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