CN103648236B

CN103648236B - 一种改善pcb金属包边局部开窗的方法

Info

Publication number: CN103648236B
Application number: CN201310754257.1A
Authority: CN
Inventors: 李长生; 严来良; 文泽生; 安国义
Original assignee: Shenzhen Sun & Lynn Circuits Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Sun & Lynn Circuits Co Ltd
Priority date: 2013-12-31
Filing date: 2013-12-31
Publication date: 2016-09-21
Anticipated expiration: 2033-12-31
Also published as: CN103648236A

Abstract

本发明公开了一种改善PCB金属包边局部开窗的方法，通过对高频PCB进行第一次外层图形制作，使需要金属包边开窗对应板面位置的干膜比板边、槽边、孔边长0.05mm~0.10mm，在蚀刻后进行第二次外层图形制作，使需要金属包边开窗对应的板面位置比板边、槽边、孔边短0.05mm~0.15mm，之后进行第二次蚀刻，使开窗尺寸达到0~0.5mm，精度为+/‑0.05mm。与现有技术相比，本发明通过对高频PCB进行二次图形制作和二次蚀刻的方式，实现了PCB金属包边局部开窗尺寸的有效控制。

Description

一种改善PCB金属包边局部开窗的方法

技术领域：

本发明属于印制电路板制作技术领域，具体涉及的是一种改善PCB金属包边局部开窗的方法。

背景技术：

电子设备高频化是电子技术的发展趋势，随着无线网络、卫星通讯技术的日益发展，对电子设备中使用的PCB也提出了更高的要求，为了适应电子产品的高频化发展趋势要求，出现了高频PCB。

目前在高频PCB的设计过程中，经常会对PCB进行金属包边(板边、槽边、孔边)处理，以防止PCB内层信号泄露而导致信号失真。在对PCB进行金属包边加工时，通常要求PCB的部分线路与金属包边断开，并使金属包边局部形成开窗，以防止焊接时短路；而同时金属包边断开位置又不能延伸到需要防止信号泄露的区域，因此高频PCB在进行金属包边处理过程中，通常存在开窗尺寸难以控制的问题，如果开窗尺寸过小，则容易导致线路焊接时锡与金属包边连接造成短路；如果开窗尺寸过大，则容易破坏金属包边区域，导致信号泄露，引起信号失真，因此需要对金属包边开窗尺寸及其精度进行有效的控制。

发明内容：

为此，本发明的目的在于提供一种改善PCB金属包边局部开窗的方法，以解决目前高频PCB制作过程中，金属包边开窗尺寸及其精度难以控制的问题。

为实现上述目的，本发明主要采用如下技术方案：

一种改善PCB金属包边局部开窗的方法，包括：

S101、对高频PCB进行全板电镀，使板边、槽边、孔边铜厚控制为3μm～10μm；

S102、对上述高频PCB进行外层图形制作，且使需要金属包边开窗对应板面位置的干膜比板边、槽边、孔边长0.05mm～0.10mm；

S103、对上述高频PCB进行图形电镀，使板边、槽边、孔边的铜厚控制在20μm～30μm；

S104、进行外层蚀刻；

S105、对上述高频PCB进行第二次外层图形制作，且使需要金属包边开窗对应的板面位置比板边、槽边、孔边短0.05mm～0.15mm；

S106、对上述高频PCB进行第二次外层蚀刻，使开窗尺寸达到0～0.5mm，精度为+/-0.05mm，蚀刻后退膜和退锡。

进一步地，步骤S101之前还包括：对覆铜板进行开料，然后进行内层图形制作、AOI检测、压合、钻孔、等离子处理和沉铜。

进一步地，步骤S106之后还包括：对高频PCB进行AOI检测、阻焊、文字、表面处理、成型及电测。

进一步地，步骤S104中，外层蚀刻，蚀刻依线宽公差+/-10％控制，不退锡。

本发明通过对高频PCB进行第一次外层图形制作，使需要金属包边开窗对应板面位置的干膜比板边、槽边、孔边长0.05mm～0.10mm，在蚀刻后进行第二次外层图形制作，使需要金属包边开窗对应的板面位置比板边、槽边、孔边短0.05mm～0.15mm，之后进行第二次蚀刻，使开窗尺寸达到0～0.5mm，精度为+/-0.05mm。与现有技术相比，本发明通过对高频PCB进行二次图形制作和二次蚀刻的方式，实现了PCB金属包边局部开窗尺寸的有效控制。

附图说明：

图1为本发明改善PCB金属包边局部开窗的方法的工艺流程图；

图2为本发明在进行第一次外层图形制作时的PCB俯视图；

图3为本发明在进行第一次外层图形制作时的PCB剖视图；

图4为本发明在进行第一次蚀刻后金属包边局部开窗示图；

图5为本发明在进行第二次外层图形制作时的PCB俯视图；

图6为本发明在进行第二次外层图形制作时的PCB剖视图；

图7为本发明在进行第二次外层蚀刻时的金属包边局部开窗示图。

具体实施方式：

为阐述本发明的思想及目的，下面将结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明。

请参见图1，本发明实施例中所述的改善PCB金属包边局部开窗的方法，具体包括如下：

首先对覆铜板进行开料，然后进行内层图形制作、AOI检测、压合、钻孔、等离子处理和沉铜处理。

之后为步骤S101、对高频PCB进行全板电镀，使板边、槽边、孔边铜厚控制为3μm～10μm；

如图2、图3所示，图2为本发明在进行第一次外层图形制作时的PCB俯视图；图3为本发明在进行第一次外层图形制作时的PCB剖视图。在进行第一次外层图形制作时，在铜面上形成有线路，线路上覆盖有干膜，所述干膜延长至PCB外侧尺寸为0.05mm～0.10mm；全板电镀后金属包边的铜厚为3μm～10μm；而铜面上形成的线路到PCB边侧的距离≥0.15mm。

S104、进行外层蚀刻；

如图4所示，图4为本发明在进行第一次蚀刻后金属包边局部开窗示图。在进行外层蚀刻时，蚀刻依线宽公差+/-10％控制，不退锡，此时线路到板边的距离≥0.15mm；蚀刻后金属包边局部开窗尺寸为0μm～50μm；图形电镀后金属包边的铜厚为10μm～40μm。

如图5、图6所示，图5为本发明在进行第二次外层图形制作时的PCB俯视图；图6为本发明在进行第二次外层图形制作时的PCB剖视图。经过第二次外层图形制作之后，此时线路到板边的距离≥0.15mm，干膜到板边的距离≥0.075mm；蚀刻后金属包边局部开窗尺寸为0μm～50μm；图形电镀后铜厚10μm～40μm。

如图7所示，图7为本发明在进行第二次外层蚀刻时的金属包边局部开窗示图。经过第二次外层蚀刻之后，线路到边的距离≥0.15mm；图形电镀后金属包边铜厚为10μm～40μm；金属包边局部开窗尺寸为0μm～500μm。

之后还需要对高频PCB进行AOI检测、阻焊、文字、表面处理、成型及电测，最终完成质检、包装和出货。

以上是对本发明所提供的一种改善PCB金属包边局部开窗的方法进行了详细的介绍，本文中应用了具体个例对本发明的结构原理及实施方式进行了阐述，以上实施例只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims

1.一种改善PCB金属包边局部开窗的方法，其特征在于，包括：

S102、对上述高频PCB进行第一次外层图形制作，在铜面上形成有线路，线路上覆盖有干膜，所述干膜延长至PCB外侧尺寸为0.05mm～0.10mm；全板电镀后金属包边的铜厚为3μm～10μm；而铜面上形成的线路到PCB边侧的距离≥0.15mm；

S104、进行外层蚀刻；

S105、对上述高频PCB进行第二次外层图形制作，使线路到板边的距离≥0.15mm，干膜到板边的距离≥0.075mm；

2.根据权利要求1所述的改善PCB金属包边局部开窗的方法，其特征在于，步骤S101之前还包括：对覆铜板进行开料，然后进行内层图形制作、AOI检测、压合、钻孔、等离子处理和沉铜。

3.根据权利要求1所述的改善PCB金属包边局部开窗的方法，其特征在于，步骤S106之后还包括：对高频PCB进行AOI检测、阻焊、文字、表面处理、成型及电测。

4.根据权利要求1所述的改善PCB金属包边局部开窗的方法，其特征在于，步骤S104中，外层蚀刻，蚀刻依线宽公差+/-10％控制，不退锡。