CN103643234A - 对pcb板蚀刻工艺的废液处理方法 - Google Patents
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Abstract
一种对PCB板蚀刻工艺的废液处理方法：废液充分混合并调质为碱性，得到以沉淀出现的第一副产物；过滤取出第一副产物；将过滤后的废液加入反应釜中加热并浓缩得到以析出形式出现的第二副产物；浓缩的母液再回用，该方法通过两次副产物的分别提取，实现了废液的净化处理和废物利用，成本低，适合工业使用。
Description
技术领域
本发明有关于电子行业中PCB板的蚀刻工艺，特别是对其产生的废液的处理方法。
背景技术
随着半导体技术的发展，具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小，即特征尺寸具有不断缩小的要求。与之相对应的技术发展方向之一就是采用大马士革结构的铜（Cu）金属互联工艺和化学机械抛光（CMP）工艺。例如中国发明专利(CN ZL 200510025216.4)、中国专利申请（CN200810035095.5）便公开了相应的制造工艺及参数。
现有技术中基本工序是：首先通过预制的掩模进行曝光显影并刻蚀形成对应的预制沟槽；而后进行金属（Cu）沉淀或电镀工艺，形成金属层，该金属层覆盖了上一工序中所形成的预制沟槽，并具有一定的厚度；最后采用化学机械抛光（CMP）工艺对金属层进行去除和抛光，以在预制的沟槽中形成对应的金属连线。
在此工艺中，由于采用化学机械抛光（CMP）工艺，并采用相应的蚀刻工艺，因此在制造PCB板的过程中产生大量的废液，特别是湿法工艺。其废液、废水中的以铜主，并还有不少其他的重金属和贵金属，如有铅、锡、金、银、氟、氨、有机物和有机络合物等。
为此需要一种针对PCB板的生产特点，对废液进行处理，在无害化处理的同时，能够分别的实现对金属物质铜，以及其他成分的提取和再利用。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种对PCB板蚀刻工艺的废液处理方法，包括：
1）将所述废液充分混合、并将其调质为碱性废液，得到以沉淀形成出现的第一副产物；
2）将所述第一副产物过滤取出；
3）将所述过滤后的废液加入反应釜中加热并浓缩得到以析出形式出现的第二副产物；和
4）所述浓缩的母液再回用，浓缩过程产生的水蒸汽经冷凝后回用。
本发明所述提供的方案中，废液经处理过程没有添加复杂的原料，且工艺简单，其废液中的物质通过沉淀和析出得以两次提取分离，实现了废物的再循环利用，且方法简便，材料费用低，便于大规模操作。
具体实施方式
本发明提供一种对PCB板蚀刻工艺的废液处理方法。由于在PC中采用蚀刻、化学机械抛光（CMP）工艺对金属层进行去除和抛光，其废液中不仅含有铜成分，同时其中也有酸性废液和碱性废液。
为此，本发明的方法为：
1）将所述废液充分混合、并将其调质为碱性废液，得到以沉淀形成出现的第一副产物；
作为本发明的一个实施例，所述废液包括：碱性铜废液，其为NH4Cl- NH3·H2O体系,其pH: 9～10, 含Cu: 120～140mg/L，和酸性铜废液，其为盐酸体系, pH<1，含Cu: 110～130mg/L。
作为优选的，混合后的废液应被调质为pH值为8~8.5的碱性废液。
2）将所述第一副产物过滤取出；
作为本发明的实施例，所述第一副产物为Cu(OH)2。此过程已经把废液中的大部分铜成分以沉淀的形式得以提取。
3）将所述过滤后的废液加入反应釜中加热并浓缩得到以析出形式出现的第二副产物；
作为本发明的实施例，所述第二副产物为氯化铵。此过程将废液的其他物质以浓缩析出的形式的得以提取。
4）所述浓缩的母液再回用，浓缩过程产生的水蒸汽经冷凝后回用。该步骤实现了废液的循环利用，同时提供了析出提取率。
应了解本发明所要保护的范围不限于非限制性实施方案，应了解非限制性实施方案仅仅作为实例进行说明。本申请所要要求的实质的保护范围更体现于独立权利要求提供的范围，以及其从属权利要求。
Claims (5)
1.一种对PCB板蚀刻工艺的废液处理方法，包括：
1）将所述废液充分混合、并将其调质为碱性废液，得到以沉淀形成出现的第一副产物；
2）将所述第一副产物过滤取出；
3）将所述过滤后的废液加入反应釜中加热并浓缩得到以析出形式出现的第二副产物；和
4）所述浓缩的母液再回用，浓缩过程产生的水蒸汽经冷凝后回用。
2. 如权利要求1所述的废液处理方法，其特征在于：所述废液包括：
碱性铜废液，其为NH4Cl- NH3·H2O体系,其pH: 9～10, 含Cu: 120～140mg/L，和
酸性铜废液，其为盐酸体系, pH<1，含Cu: 110～130mg/L。
3.如权利要求1所述的废液处理方法，其特征在于：所述步骤1）中的碱性废液的pH值为8~8.5。
4.如权利要求1所述的废液处理方法，其特征在于：所述第一副产物为Cu(OH)2。
5.如权利要求1所述的废液处理方法，其特征在于：所述第二副产物为氯化铵。
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| CN201310538877.1A CN103643234A (zh) | 2013-11-05 | 2013-11-05 | 对pcb板蚀刻工艺的废液处理方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104538335A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-04-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 改善铜导线制程中刻蚀药液寿命与良率的方法及铜导线刻蚀装置 |
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2013
- 2013-11-05 CN CN201310538877.1A patent/CN103643234A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN104538335A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-04-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 改善铜导线制程中刻蚀药液寿命与良率的方法及铜导线刻蚀装置 |
| CN104538335B (zh) * | 2014-12-18 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 改善铜导线制程中刻蚀药液寿命与良率的方法及铜导线刻蚀装置 |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |