CN103626165A - 石墨烯的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：步骤一，插层石墨的制备，在惰性气体保护环境中，将石墨与金属插层剂进行混合，在真空条件下进行反应得到插层石墨；步骤二，超声处理，将所述插层石墨加入离子液体中得到混合物，对所述混合物进行超声处理，生成中间产物；步骤三，所述中间产物经过滤、洗涤得到石墨烯；步骤四：真空干燥。上述石墨烯的制备方法操作简单，且操作较为安全，易于实现工业化。
Description
技术领域
本发明涉及材料的合成领域，特别涉及一种石墨烯的制备方法。
背景技术
石墨烯是2004年英国曼彻斯特大学的安德烈·K·海姆(Andre K.Geim)等发现的一种二维碳原子晶体，并获得2010年物理诺贝尔奖，再次引发碳材料研究热潮。由于其独特的结构和光电性质使其成为碳材料、纳米技术、凝聚态物理和功能材料等领域的研究热点，吸引了诸多科技工作者。石墨烯拥有优良的导电、导热性能和低的热膨胀系数，可用于电极材料、复合材料等。目前采用碱金属插层石墨或碱土金属插层石墨制备石墨烯是一种规模生产的方法之一，但因为碱金属及碱土金属比较活泼，碱金属插层或碱土金属插层石墨石墨剥离时不能用水作为溶剂，采用水作为溶剂会产生放热过快的问题，传统的碱金属插层石墨则采用乙醇等做溶剂，但是这也有不能解决其制备过程中放热过快的问题，造成石墨烯在制备过程中较为危险。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种操作简单且较为安全的石墨烯的方法。
一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：
步骤一，插层石墨的制备，在惰性气体保护环境中，将石墨与金属插层剂进行混合，在真空条件下进行反应得到插层石墨；
步骤二，超声处理，将所述插层石墨加入离子液体中得到混合物，对所述混合物进行超声处理，生成中间产物；
步骤三，所述中间产物经过滤、洗涤得到石墨烯；步骤四：真空干燥。
在其中一个实施例中，所述石墨与金属插层剂的摩尔比为1~5:1。
在其中一个实施例中，所述金属插层剂选自锂、钠、镁、钾、钙、铷、锶或钡中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述反应温度为200℃~1000℃，反应时间为12~120小时。
在其中一个实施例中，所述在真空度为10Pa~1000Pa。
在其中一个实施例中，所述插层石墨与离子液体的质量体积比为1g:10mL~100mL。
在其中一个实施例中，所述离子液体为1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸、1-乙基-3-甲基咪唑三氟乙酸、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酰碳、1-乙基-3-甲基咪唑五氟乙酰亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑二氰化氮、1-乙基-3,5-二甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺、1,3-二乙基-4-甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺或1,3-二乙基-5-甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺。
在其中一个实施例中，所述超声处理的步骤是在功率为2000瓦~10000瓦的超声波下处理0.5~5分钟。
在其中一个实施例中，所述洗涤过程包括有机溶剂清洗，所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮或二甲基甲酰胺。在其中一个实施例中，所述真空干燥条件为，将清洗后的所述滤渣在60℃~100℃下干燥10小时~20小时。
上述石墨烯的制备方法将金属插层剂与石墨混合反应制备插层石墨，然后将离子液体与插层石墨混合得到混合物，将该混合进行超声处理得到石墨烯。离子液体较为稳定，不会与金属插层剂发生反应，可以避免使用传统的溶剂造成反应过程中快速放热而导致的危险，从而使得操作过程较为安全；且上述混合物用超声处理使插层石墨剥离得到石墨烯，即通过超声粉碎的方法能够快速地将插层石墨剥离制备出石墨烯，操作简单，易于实现工业化。
附图说明
图1为一实施方式的石墨烯的制备方法流程图；
图2为实施例1制备的石墨烯的扫描电镜图（SEM）。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施例对石墨烯的制备方法作进一步详细的说明。
如图1所示，一实施方式的石墨烯的制备方法，包括如下步骤：
步骤S110：插层石墨的制备，在惰性气体保护环境中，将石墨与金属插层剂进行混合，在真空条件下进行反应得到插层石墨。
惰性气体保护环境指的是充满有氦气或惰性气体的环境。惰性气体可以为氦气及氩气等。
石墨与金属插层剂的摩尔比优选为1~5:1，以保证金属插层剂能够均匀地插入石墨中形成插层石墨。
反应温度优选为200℃~1000℃。反应时间优选为为12~120小时。
在200℃~1000℃下保温反应确保金属熔化，反应12小时~120小时以使插层反应充分，提高插层石墨的产率。
其中，金属插层剂选自锂、钠、镁、钾、钙、铷、锶或钡中的至少一种。
优选地，石墨与金属插层剂在在惰性气体保护环境中及在真空条件下进行反应。
作为金属插层剂的这几种金属较为活泼，在在惰性气体保护环境中及真空条件下进行反应，避免氧化，有利于插层反应的进行，得到插层石墨。
真空条件是真空度为10Pa~1000Pa。在具体的实施例中，将石墨与金属插层剂混合后装入耐热玻璃管中，然后对玻璃管抽真空，使得玻璃管中的真空度为10Pa~1000Pa。
在真空度为10Pa~1000Pa的条件下进行反应，一方面避免真空度太高会增加制备成本；另一方面保证一定真空度以避免上述金属插层剂氧化。
其中，石墨为本领域常用的石墨，优选为膨胀石墨、天然鳞片石墨或人造石墨。
在在惰性气体保护环境中及真空条件下将金属插层剂插入石墨中形成插层石墨，这种方法不会对石墨造成氧化，能保持石墨原有的完整结构，使得后续剥离得到石墨烯能够保持原来良好的导电性。
步骤S120：超声处理，将插层石墨加入离子液体中得到混合物，对混合物进行超声处理，生成中间产物。
将插层石墨加入离子液体中得到混合物，对该混合物进行超声玻璃，以对插层石墨进行剥离，得到中间产物。其中，超声处理的装置为超声粉碎机。通过超声粉碎以使插层石墨剥离形成石墨烯。
超声波的功率优选为2000瓦~10000瓦，处理时间优选0.5分钟~5分钟。
在上述功率的超声波能够快速将属插层石墨剥离成石墨烯，并分散于离子液体中，所以剥离时间相对短，制备效率高。
并且，选用该功率，能够避免超声波对石墨烯结构的破坏，以制备得到高质量的石墨烯。
其中，离子液体为1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸（EtMeImBF4）、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺（EtMeImN(CF3SO2)2）、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸（EtMeImCF3SO3）、1-乙基-3-甲基咪唑三氟乙酸（EtMeImCF3CO3）、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酰碳（EtMeImC(CF3SO2)3）、1-乙基-3-甲基咪唑五氟乙酰亚胺（EtMeImN(C2F5SO2)2）、1-乙基-3-甲基咪唑二氰化氮（EtMeImN(CN)2）、1-乙基-3,5-二甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺（1-Et-3,5-Me2ImN(CF3SO2)2）、1,3-二乙基-4-甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺（1,3-Et2-4-MeImN(CF3SO2)2）或1,3-二乙基-5-甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺（1,3-Et2-5-MeImN(CF3SO2)2）。
上述离子液体在常温下为液态，以使插层石墨分散在离子液体中，便于进行超声剥离。
插层石墨分散于离子液体中便于超声剥离，剥离后得到的石墨烯也分散于离子液体中。用离子液体作为分散液能够防止石墨烯团聚，从而提高石墨烯的产率。插层石墨的质量与离子液体的体积之比为1g:10mL~100mL，以使插层石墨及剥离得到的石墨烯充分分散于离子液体中，提高剥离的效率和石墨烯的产率。
步骤S130：中间产物经过滤、洗涤得到石墨烯。
步骤S120得到的中间产物含有石墨烯及其他杂质。过滤中间产物、洗涤后得到石墨烯。
用有机溶剂进行清洗，将过滤得到的滤渣经有机溶剂萃取过滤3次~5次，再用去离子水清洗过滤至滤液的pH值呈中性。
其中，有机溶剂优选为N-甲基吡咯烷酮（NMP）或二甲基甲酰胺(DMF)。用有机溶剂萃取过滤以除去滤渣中的离子液体。
步骤S140：真空干燥。
将清洗后的滤渣进行真空干燥以得到干燥的石墨烯。
真空干燥的条件为，将清洗后的滤渣在60℃~100℃下干燥10小时~20小时。
上述石墨烯的制备方法将金属插层剂与石墨混合在高温下反应制备插层石墨，然后将离子液体与插层石墨混合得到混合物，将该混合进行超声处理得到石墨烯。离子液体较为稳定，不会与金属插层剂发生反应，可以避免使用传统的溶剂造成反应过程中快速放热而导致的危险，从而使得操作过程较为安全；且上述混合物进行超声处理使插层石墨剥离得到石墨烯，即通过超声粉碎的方法能够快速地将插层石墨剥离制备出石墨烯，操作简单，易于实现工业化。
上述石墨烯的制备方法制备出的石墨烯具有很好分散性和导电性，电导率可高达106S/m以上。
以下为具体实施例部分：
实施例1
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氦气的环境下，将天然鳞片石墨与锂按摩尔比为5:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至10Pa，密封，加热至200℃，保温反应12小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:10mL加入到装有EtMeImBF4离子液体的容器中，将容器放置在功率为2000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离5分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过N-甲基吡咯烷酮（NMP）萃取过滤5次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里60℃下干燥20小时，得到石墨烯。
图2表示的是本实施例制备的石墨烯的扫描电镜图（SEM）。从图2中可以得知，本实施例制备的石墨烯的厚度约为0.5纳米~3纳米，且石墨烯片层较集中，剥离效果良好。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例2
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氮气的环境下，将人造石墨与钾按摩尔比为2:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至100Pa，密封，加热至250℃，保温反应20小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:100mL加入到有EtMeImN(CF3SO2)2离子液体的容器中，将容器放置在功率为10000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离0.5分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过二甲基甲酰胺(DMF)萃取过滤3次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里80℃下干燥10小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例3
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氩气的环境下，将膨胀石墨与钠按摩尔比为1:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至500Pa，密封，加热至300℃，保温反应36小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:50mL加入到装有EtMeImCF3SO3离子液体的容器中将容器放置在功率为8000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离1分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过N-甲基吡咯烷酮（NMP）萃取过滤3次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里100℃下干燥15小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例4
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氦气的环境下，将天然石墨与铷按摩尔比为3:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至1000Pa，密封，加热至220℃，保温反应50小时，得到插层石墨。
（2）取1插层石墨，按质量体积比为1g:20mL加入到装EtMeImCF3CO3离子液体的容器中，将容器放置在功率为6000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离2分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过二甲基甲酰胺(DMF)过滤3次，再用去离子水过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里90℃下干燥12小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例5
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氮气的环境下，将人造石墨与镁按摩尔比为5:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至200Pa，密封，加热至800℃，保温反应80小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:80mL加入到装EtMeImC(CF3SO2)3离子液体的容器中，将容器放置在功率为5000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离1.2分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过N-甲基吡咯烷酮（NMP）萃取过滤4次，再用去离子水过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里70℃下干燥18小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例6
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氩气的环境下，将膨胀石墨与钙按摩尔比为1∶1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至600Pa，密封，加热至900℃，保温反应100小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:60mL加入到装EtMeImN(C2F5SO2)2离子液体的容器中，将容器放置在功率为3000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离2.5分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过二甲基甲酰胺(DMF)萃取过滤4次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里60℃下干燥20小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例7
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氮气的环境下，将天然鳞片石墨与钡按摩尔比为4:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至800Pa，密封，加热至1000℃，保温反应120小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:40mL加入到装EtMeImN(CN)2离子液体的容器中，将容器放置在功率为2000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离4分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过N-甲基吡咯烷酮（NMP）萃取过滤3次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里100℃下干燥10小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例8
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氦气的环境下，将人造石墨与锶按摩尔比为5:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至100Pa，密封，加热至950℃，保温反应60小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:30mL加入到装有1-Et-3,5-Me2ImN(CF3SO2)2离子液体的容器中，将容器放置在功率为5000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离5分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过二甲基甲酰胺(DMF)萃取过滤5次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里80℃下干燥16小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例9
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氦气的环境下，将膨胀石墨与钾按摩尔比为3:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至50Pa，密封，加热至500℃，保温反应30小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:100mL加入到装有1,3-Et2-4-MeImN(CF3SO2)2离子液体的容器中，将容器放置在功率为8000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离0.5分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过N-甲基吡咯烷酮（NMP）萃取过滤5次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里90℃下干燥12小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例10
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氩气的环境下，将人造石墨与钠按摩尔比为4:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至10Pa，密封，加热至400℃，保温反应12小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:10mL加入到装有1,3-Et2-5-MeImN(CF3SO2)2离子液体的容器中，将容器放置在功率为10000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离1分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过二甲基甲酰胺(DMF)萃取过滤4次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里70℃下干燥15小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例11
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氦气的环境下，将膨胀石墨与钙按摩尔比为2:1进行混合，装入耐热玻璃里；然后对玻璃管抽真空至1000Pa，密封，加热至1000℃，保温反应50小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:50mL加入到装有1,3-Et2-4-MeImN(CF3SO2)2离子液体的容器中，将容器放置在功率为8000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离1.5分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过N-甲基吡咯烷酮（NMP）萃取过滤5次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里100℃下干燥12小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
实施例12
本实施例的石墨烯的制备如下：
（1）插层石墨的制备：在充满氦气的环境下，将膨胀石墨与锂和镁的混合物按摩尔比为2:1进行混合，装入耐热玻璃里，其中，锂和镁的质量比为2：1；然后对玻璃管抽真空至1000Pa，密封，加热至1000℃，保温反应50小时，得到插层石墨。
（2）取1g插层石墨，按质量体积比为1g:10mL加入到装有1,3-Et2-5-MeImN(CF3SO2)2离子液体的容器中，将容器放置在功率为10000瓦的超声粉碎机下超声粉碎剥离1分钟，得到反应液，将反应液过滤，得到的滤渣再经过二甲基甲酰胺(DMF)萃取过滤4次，再用去离子水清洗过滤至滤液pH值为中性；将清洗干净的滤渣于真空干燥箱里70℃下干燥15小时，得到石墨烯。
经四探针电阻测试仪测试，得到本实施例石墨烯的电导率，见表1。
表1表示的是实施例1~实施例12制备的石墨烯的电导率及石墨烯的层数分布。
表1
从表1中可以得知，实施例1~实施例12制备的石墨烯的电导率至少为1.1×106S/m，而传统的氧化还原法制备的石墨烯的电导率约为103S/m左右，实施例1~实施例12制备得到的石墨烯的电导率极大地提高。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，插层石墨的制备，在惰性气体保护环境中，将石墨与金属插层剂进行混合，在真空条件下进行反应得到插层石墨；
步骤二，超声处理，将所述插层石墨加入离子液体中得到混合物，对所述混合物进行超声处理，生成中间产物；
步骤三，所述中间产物经过滤、洗涤得到石墨烯；
步骤四：真空干燥。
2.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述石墨与金属插层剂的摩尔比为1~5:1。
3.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述金属插层剂选自锂、钠、镁、钾、钙、铷、锶或钡中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述反应温度为200℃~1000℃，反应时间为12~120小时。
5.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述在真空度为10Pa~1000Pa。
6.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述插层石墨与离子液体的质量体积比为1g:10mL~100mL。
7.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述离子液体为1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸、1-乙基-3-甲基咪唑三氟乙酸、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酰碳、1-乙基-3-甲基咪唑五氟乙酰亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑二氰化氮、1-乙基-3,5-二甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺、1,3-二乙基-4-甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺或1,3-二乙基-5-甲基咪唑三氟甲磺酰亚胺。
8.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述超声处理的步骤是在功率为2000瓦~10000瓦的超声波下处理0.5~5分钟。
9.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述洗涤过程包括有机溶剂清洗，所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮或二甲基甲酰胺。
10.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述真空干燥条件为，将清洗后的所述滤渣在60℃~100℃下干燥10小时~20小时。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107170510A (zh) * | 2014-12-31 | 2017-09-15 | 重庆元石石墨烯技术开发有限责任公司 | 金属纳米线—石墨烯桥架结构复合材料及其制备方法 |
| CN108609616A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-10-02 | 东莞市鸿亿导热材料有限公司 | 带有离子液体阳离子基团修饰的单层石墨烯的制备方法 |
| WO2019196144A1 (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-17 | 北京航空航天大学 | 一种碱金属插层制备石墨烯的方法 |
| CN110357082A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 北京航空航天大学 | 一种含碱金属的石墨烯 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2281779A2 (en) * | 2009-08-05 | 2011-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene base and method of preparing the same |
| CN102583351A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-07-18 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种少层石墨烯的制备方法 |
-
2012
- 2012-08-28 CN CN201210310134.4A patent/CN103626165A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2281779A2 (en) * | 2009-08-05 | 2011-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene base and method of preparing the same |
| CN102583351A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-07-18 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种少层石墨烯的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| WANG, XIQING等: "Direct exfoliation of natural graphite into micrometre size few layers graphene sheets using ionic liquids", 《CHEMICAL COMMUNICATIONS》 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107170510A (zh) * | 2014-12-31 | 2017-09-15 | 重庆元石石墨烯技术开发有限责任公司 | 金属纳米线—石墨烯桥架结构复合材料及其制备方法 |
| WO2019196144A1 (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-17 | 北京航空航天大学 | 一种碱金属插层制备石墨烯的方法 |
| CN110357081A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 北京航空航天大学 | 一种碱金属插层制备石墨烯的方法 |
| CN110357082A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 北京航空航天大学 | 一种含碱金属的石墨烯 |
| CN108609616A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-10-02 | 东莞市鸿亿导热材料有限公司 | 带有离子液体阳离子基团修饰的单层石墨烯的制备方法 |
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