CN103608922A - 用于在复合结构中制造多个光电子半导体器件的方法、这样制造的半导体器件及其应用 - Google Patents

用于在复合结构中制造多个光电子半导体器件的方法、这样制造的半导体器件及其应用 Download PDF

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Abstract

提出一种用于在复合结构中制造多个光电子半导体器件的方法，其中多个发射辐射的和检测辐射的半导体芯片（1a，1b）施加在载体衬底（2）上。半导体芯片（1a，1b）分别以浇注材料（3a，3b）来浇注。随后，浇注材料（3a，3b）借助于在相邻的半导体芯片之间锯割来切割。随后将一个共同的框架（5）施加到载体衬底（2）上，所述框架具有多个向上敞开的室（6a，6b），其中所述框架（5）设置为，使得各一个半导体芯片（1a，1b）设置在所述框架（5）的各一个室（6a，6b）中。此外提出一种这样制造的半导体器件及其应用。

Description

用于在复合结构中制造多个光电子半导体器件的方法、这样制造的半导体器件及其应用
技术领域
本发明涉及一种用于在复合结构中制造多个光电子半导体器件的方法，以及这样制造的半导体器件及其应用，所述光电子半导体器件分别具有发射辐射的半导体芯片、检测辐射的半导体芯片和框架。
背景技术
通常，具有发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片的半导体器件大多数情况下不在复合结构中被制造。例如，通常情况下虽然将多个半导体芯片施加在一个共同的载体衬底上。但是在施加框架之前，载体衬底被分割为各个半导体器件。紧接着，各个框架分别被施加到已分割的器件上。
但是由于该在已分割的状态下的进一步加工，不利地提高了生产费用以及生产时间。
发明内容
本发明的目的是提出一种在复合结构的多个光电子半导体器件的制造方法，所述制造方法是低成本的以及时间高效的。此外本发明的目的是提出一种制造方法，所述制造方法实现了在设计方面灵活的框架。此外本申请的目的是提出一种光电子器件，所述光电子器件通过这类方法在复合结构中制造。
所述目的此外通过具有权利要求1所述的特征的制造方法、通过具有同级设置的产品权利要求所述的特征的光电子器件以及具有应用权利要求所述的特征的这类器件的应用来实现。制造方法、半导体器件和其应用的有利的改进方案是从属权利要求的主题。
根据一个实施形式，用于在复合结构中制造分别具有发射辐射的半导体芯片、检测辐射的半导体芯片和框架的多个光电子半导体器件的方法具有如下步骤：
A）提供载体衬底；
B）将多个发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片施加并且电接触到载体衬底上，其中检测辐射的半导体芯片与各一个发射辐射的半导体芯片相关联，
C）以第一浇注材料浇注多个发射辐射的半导体芯片，
D）以第二浇注材料浇注多个检测辐射的半导体芯片，
E）借助于在相邻的半导体芯片之间锯割切开第一和第二浇注材料，
F）将一个共同的框架施加到载体衬底上，所述载体衬底具有多个向上敞开的室，其中所述框架设置为，使得各一个半导体芯片设置在框架的各一个室中。
此外所述方法能够包括方法步骤G），在所述步骤中进行分割为多个光电子半导体器件。
因此在当前的制造方法中，载体衬底装配有多个半导体芯片，所述半导体芯片设置在复合结构中，其中随后将一个共同的框架设置到复合结构中的半导体芯片上。因此不构成用于半导体器件的各个框架，而是所述框架同样一件式地构成并且在复合结构中在半导体芯片之上安装到载体衬底上。因此在将框架施加到载体衬底上时有利地提高了产量，因此有利地缩短了生产时间。此外提高了生产率，由此产生了较低的生产成本。因为框架一件式地构成并且能够以单独的方法步骤制造，所以此外有利地提高了框架的灵活性和设计自由度。这样构成的框架因此能够适配于所期望的要求。
优选在方法步骤B）中，发射辐射的半导体芯片以一条或多条直线设置在载体衬底上，其中检测辐射的半导体芯片同样以一条或多条直线设置在载体衬底上，所述直线平行于发射辐射的半导体芯片的直线伸展。在此，具有发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片的直线有利地交替。因此，在载体衬底的俯视图中，半导体芯片矩阵状地设置，其中在此，矩阵结构的列分别包括发射辐射的或检测辐射的半导体芯片。在矩阵结构的行中发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片依次交替。
由于这种线形布置，在方法步骤C）中以第一浇注材料共同浇注多个发射辐射的半导体芯片。特别地，共同浇注一条线的发射辐射的半导体芯片。同样能够共同浇注一条线的检测辐射的半导体芯片。
在方法步骤E）中，浇注材料通过锯割来分开。在此所述切开在平行于行的矩阵结构中进行。特别地，所述切开垂直于浇注材料的线形布置来进行。
各一个半导体芯片在框架的各一个室中的设置引起每个半导体芯片被框架完全地横向包围或环绕。每个室仅向上敞开，以至于在该处辐射能够入射到室中或者从室中射出。框架有利地防止了在发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片之间的光学串扰。
在此，框架有利地构成为，使得所述框架除室的区域以外基本上完全地覆盖载体衬底。框架的尺寸因此适配于载体衬底的尺寸。
发射辐射的半导体芯片分别具有用于在半导体芯片中产生的辐射的辐射出射侧。在芯片中产生的辐射的大部分优选相应地从辐射出射侧耦合输出，在芯片中产生的辐射的优选80%，更优选90%，尤其优选95%从辐射出射侧耦合输出。检测辐射的半导体芯片具有用于在半导体芯片中待检测的辐射的相应的辐射入射侧。
半导体芯片的有源层相应地优选包含pn结、双异质结构、单量子阱结构（SQW，single quantum well）或者多量子阱结构（MQW，multi quantum well）以用于产生辐射。半导体芯片例如分别具有半导体层序列，所述半导体层序列相应地包含有源层。半导体层序列优选相应地基于III/V族半导体材料。半导体层序列优选生长到生长衬底上，所述生长衬底能够完全地或者部分地被剥离。
半导体器件分别构成为光电子器件，所述光电子器件能够实现将以电子的方式产生的数据或者能量转化为光发射或者反之亦然。发射辐射的半导体芯片例如是LED。检测辐射的半导体芯片例如是辐射检测器或者光传感器。
根据至少一个实施形式，在方法步骤E）中至少部分地锯割成载体衬底。在此有利地不锯穿载体衬底，而是仅锯开一部分。因此在下一方法步骤F）中能够有利地将框架机械地固定在载体衬底的锯割截面中。
根据至少一个实施形式，在方法步骤F）之后或者在方法步骤F）之前，复合结构，特别是借助于锯割，被分割为各个半导体元件。因此，框架能够在第一锯割步骤之后并且在第二锯割步骤之前安装在载体衬底上。半导体器件随后能够在复合结构中进一步加工。例如能够执行对复合结构中的半导体器件的可视化的最终控制。
可替选地，可能的是，在第二锯割步骤之后将框架施加到已分割的器件上。在此，框架一件式地构成并且随后被分割。
因此，制造方法具有至少两个锯割步骤，其中第一锯割步骤不分割载体衬底，至多锯开一部分。仅第二锯割步骤将复合结构分割为各个半导体器件。
根据至少一个实施形式，在方法步骤C）和D）中，浇注材料，即例如第一浇注材料和第二浇注材料分别通过传递塑模法来施加。方法步骤C）和D）在此能够在一个单一的过程步骤中进行。
根据至少一个实施形式，在方法步骤F）中，共同的框架借助粘附层固定在载体衬底上。因此，框架不借助于传递塑模法固定到载体衬底上，而是单独地制造并且随后借助于粘附层安装在载体衬底上。因此能够实现框架的更高的灵活性并且能够实现框架的更高的设计自由度。
根据至少一个实施形式，共同的框架以单独的注塑成型法来制造。因此，框架能够是注塑成型的框架，所述框架并行于载体衬底来制造并且在安装半导体芯片后被安装在载体衬底上。
根据至少一个实施形式，在方法步骤F）中，框架至少部分地在载体衬底上施加到浇注材料的在方法步骤E）中被切开的区域中。因此在方法步骤E）中切开相邻的半导体芯片之间的第一和第二浇注材料。在此将浇注材料分离，使得在分割线中或者锯割线中能够引入室壁。因此在方法步骤F）中，每个半导体芯片都能够设置在框架的一个独有的室中。
根据至少一个实施形式，这样制造的光电子半导体器件具有载体衬底、发射辐射的半导体芯片、检测辐射的半导体芯片和框架。框架固定在载体衬底上，以便尽可能避免在框架上的反射。
在此可能的是，在框架中构成第一室和第二室，所述第一室和第二室分别向上敞开。因此，发射辐射的半导体芯片具有适合于产生辐射的有源层，所述发射辐射的半导体芯片借助于第一浇注材料来浇注并且在载体衬底上设置在第一室中。检测辐射的半导体芯片在这种情况下具有适合于检测辐射的有源层，所述检测辐射的半导体芯片借助于第二浇注材料来浇注并且在载体衬底上设置在第二室中。通过室借助于框架，在发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片之间构成光学屏障。
朝上敞开特别意味着，框架在背离载体衬底的一侧上在室的区域中分别具有开口。
结合制造方法所详述的特征也结合半导体器件使用并且反之亦然。
半导体器件因此具有至少两个半导体芯片，所述半导体芯片借助于框架，优选注塑成型的框架在空间上被分开，以至于框架防止了在各个半导体芯片之间的光学串扰。在此，框架优选通过粘附层施加在载体衬底上。
根据至少一个实施形式，框架由黑色的浇注材料形成。框架的浇注材料例如包含碳黑，以至于框架是不能透光的。
根据至少一个实施形式，框架由不能透光的材料构成，并且第一浇注材料和第二浇注材料由能透光的材料构成。因此确保了，在半导体芯片之间由于不透光的框架而能够防止光学串扰，其中通过框架的开口并且通过透光的浇注材料同时能够实现光耦合输入到半导体芯片中或者从所述半导体芯片中耦合输出。
根据至少一个实施形式，第一浇注材料和第二浇注材料至少局部地以透镜的形式构成。例如半导体芯片分别被相应的浇注材料完全包围，其中在半导体芯片的光耦合输入或光耦合输出开口的区域中，浇注材料具有透镜形形状。因此能够实现由半导体芯片发射的或者由半导体芯片待检测的辐射的光束成形。
根据至少一个实施形式，在第二室中设置有另一检测辐射的半导体芯片。因此，在这种情况下，半导体器件具有一个发射辐射的半导体芯片和两个检测辐射的半导体芯片，其中所述发射辐射的半导体芯片与两个检测辐射的半导体芯片借助于框架光学分开。而检测辐射的半导体芯片相反彼此间不光学分开。在这种情况下，检测辐射的半导体芯片例如满足不同的功能并且对不同的波长范围中的辐射是敏感的。
根据至少一个实施形式，发射辐射的半导体芯片是IR发射器，例如发射红外辐射的LED。检测辐射的半导体芯片优选是IR接收器，例如对红外辐射敏感的辐射检测器，并且其它的检测辐射的半导体芯片优选是环境光传感器。因此，所述其它的检测辐射的半导体芯片例如对可见光波长范围中的辐射是敏感的。检测辐射的半导体芯片因此满足不同的功能。特别地，IR接收器设置为用于检测由IR发射器发射的辐射。其它的检测辐射的半导体芯片设置用于检测器件的环境光。
根据至少一个实施形式，第一室和第二室在优选方向上分别具有遮光板开口。特别地，开口在每个室的区域中构成在框架中，使得由半导体芯片发射的辐射或者对于半导体芯片而言待检测的辐射偏转到优选方向上。为此，遮光板开口例如在一侧上具有倾斜的侧面，在所述侧面上由半导体芯片发射的辐射或由半导体芯片待检测的辐射反射到优选方向上。在此，遮光板开口的相对置的侧面例如能够竖直地构成，以至于在所述侧面上产生在另一角度的方向上的反射。遮光板开口的相邻于相邻的半导体芯片的侧面优选具有竖直的构型。室开口的其余的侧面优选分别具有倾斜的侧面，即关于载体衬底的横向延展部以位于0和90°之间的角度设置的侧面。由此能够进一步防止半导体芯片之间的光学串扰。
根据至少一个实施形式，具有发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片的半导体器件用作为距离传感器和/或环境光传感器。特别地，在具有三个半导体芯片、即一个发射辐射的半导体芯片和两个检测辐射的半导体芯片的器件的设计方案中，距离传感器和环境光传感器都能够在一个器件中实现。
附图说明
本发明的其它的优点和有利的改进方案从在下文中结合附图1至3所描述的实施例中得出。附图示出：
图1示出根据本发明的半导体器件的一个实施例的示意性的横截面视图，
图2A至2D分别示出在制造方法中的复合结构中的根据本发明的半导体器件的部分视图，以及
图3示出根据图1的实施例的根据本发明的半导体器件的一个实施例的示意性的俯视图。
在附图中，相同的或起相同作用的器件相应地设有相同的附图标记。所示出的器件和其相互间的尺寸比例不能够视为是按比例的。相反，为了更好的可示出性和/或为了更好的理解，个别器件例如层、结构、部件和区域能够以夸张厚或者夸张大的尺寸来示出。
具体实施方式
图1示出具有载体衬底2的半导体器件的横截面视图，发射辐射的半导体芯片1a和检测辐射的半导体芯片1b设置在所述载体衬底上并且例如与载体衬底上的带状导线电连接。在此，半导体芯片1a、1b在横向上彼此间隔开地设置在载体衬底2上。
发射辐射的半导体芯片1a具有适合于产生辐射的有源层。例如，发射辐射的半导体芯片1a是发射在红外的波长范围中的辐射的LED。检测辐射的半导体芯片1b具有适合于检测辐射的有源层并且例如是光传感器，所述光传感器适合于检测在红外的波长范围中的辐射。
载体衬底2例如是电路板，优选是PCB（印刷电路板，printed circuitboard）。
发射辐射的半导体芯片1a以第一浇注材料3a来浇注。相应地，检测辐射的半导体芯片1b以第二浇注材料3b来浇注。在浇注材料3a、3b之间在横向方向上设置一定间距。浇注材料3a和3b分别优选完全包围半导体芯片1a和1b。第一浇注材料3a和第二浇注材料3b由能透光的材料形成，以至于由半导体芯片1a发射的辐射或者由半导体芯片1b待检测的辐射能够穿过浇注材料3a、3b到达半导体芯片的光耦合输入面或者光耦合输出面。浇注材料3a、3b例如对在红外的和/或可见光的波长范围中的辐射是能透光的。
第一浇注材料3a和第二浇注材料3b局部地以透镜4a、4b的形式构成。特别地，透镜4a设置在第一半导体芯片1a的光出射面的下游。同样第二透镜4b设置在第二半导体芯片1b的光入射面的下游。例如，第一浇注材料3a局部地以长方体或立方体的形式构成，半导体芯片1a设置在所述第一浇注材料中，其中第一透镜4a沿放射方向构成在立方体上。相应地能够构成第二浇注材料3b。浇注材料3a、3b，特别是透镜4a、4b在此例如以传递塑模法来制造。
此外，在载体衬底2上固定有框架5，所述框架具有第一室6a和第二室6b，所述第一室和第二室分别向上敞开。向上敞开特别意味着，框架5在背离载体衬底2的侧上在室6a、6b的区域中具有两个开口。第一半导体芯片1a以及第一浇注材料3a设置在框架5的第一室6a中。相应地，第二半导体芯片1b和第二浇注材料3b设置在框架的第二室6b中。在发射辐射的半导体芯片1a和检测辐射的半导体芯片1b之间通过室借助于框架构成光学屏障51。特别地，室壁设置在发射辐射的半导体芯片1a和检测辐射的半导体芯片1b之间，所述室壁形成光学屏障51进而防止在发射辐射的半导体芯片1a和检测辐射的半导体芯片1b之间的光学串扰。
框架5优选是注塑成型的框架，所述框架在单独的制造步骤中制造并且后续安装在载体衬底上。特别地，框架5在将半导体芯片施加和浇注在所述框架上之后被安装。例如将框架借助于粘附层7固定在载体衬底2上。
由于对框架5的后续的固定，在浇注材料3a、3b和框架5之间分别设置有一定距离，所述距离例如能够至少部分地用粘附层7来填充。浇注材料3a、3b因此不直接邻接于框架5。
框架5优选由不能透光的材料形成，例如，框架5由黑色的浇注材料形成。因此优选能够抑制在发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片之间的光学串扰。
透镜4a、4b至少局部地设置在框架5的开口中。透镜4a、4b优选在竖直方向不超出框架5。透镜4a、4b的高度优选大致相应于框架5的高度。
框架5在室6a、6b的区域中，特别是在框架5的开口中在优选方向上分别具有遮光板开口。在优选方向上的所述遮光板开口尤其能够通过如下方式实现，即框架的开口的侧面不同程度倾斜地构成，也就是说关于载体衬底2的横向延展部具有不同的角度。例如，框架5的开口的第一侧面5a倾斜地构成，也就是说以关于载体衬底2的横向定向位于0和90°之间的角度构成。例如与第一侧面5a相对置地设置的第二侧面5b具有相对于载体衬底2的横向延展部垂直的定向。因此由发射辐射的半导体芯片1a发射的辐射在第二侧面5b上以不同于在第一倾斜的侧面5a上的角度被反射，以至于从框架5的开口射出的辐射沿优选方向指向。相应地构成第二半导体芯片1b的第二室6b的开口。优选的是，第一室6a和第二室6b的开口的所有的侧面除在光学的屏障51上构成的侧面5b之外、即除设置在发射辐射的半导体芯片1a和检测辐射的半导体芯片1b之间的开口的侧面之外都倾斜地构成，即以位于0和90°之间的角度构成。因此，在这种情况下，开口的三个侧面倾斜地构成。仅一个侧面具有竖直的构造。
半导体器件，如在图1的实施例中所示出的，例如能够用作为距离传感器和/或环境光传感器。
图1的实施例在具有多个半导体器件的复合结构中制成。这类的制造方法结合图2A至2D的实施例来详细阐述。
在图3中示出根据图1的实施例的半导体器件的俯视图。在所述俯视图中示出框架5，所述框架具有两个矩形或者正方形的开口，在所述开口中分别设置有半导体芯片1a、1b。框架构成为，使得在开口之间并且在半导体芯片之间构成光学屏障51。开口具有侧面5a、5b，其中侧面5b在光学屏障51上竖直地构成。其余的侧面5a具有倾斜的构造，以至于通过所述开口能够实现在优选方向上的遮光功能。半导体芯片1a、1b分别以浇注材料3a、3b来浇注。
在设置有检测辐射的半导体芯片1b的第二室中设置有另一检测辐射的半导体芯片1c，所述另一检测辐射的半导体芯片例如是环境光传感器。在此，检测辐射的半导体芯片1b、1c不彼此光学分开，因为这些半导体芯片满足不同的功能进而在其功能上不相互影响或者妨碍。仅在检测辐射的半导体芯片1b、1c和发射辐射的半导体芯片1a之间构成光学屏障51。
此外，图3的实施例与图1的实施例基本上相符。
在图2A中示出用于制造根据图1A和3的半导体器件的方法的第一制造步骤。半导体器件特别在由多个半导体器件构成的复合结构中制造。在此，每个半导体器件具有发射辐射的半导体芯片和至少一个检测辐射的半导体芯片。
在图2A中示出载体衬底的示意性的俯视图，在所述载体衬底上设置有多个半导体芯片。特别地，以第一浇注材料3a浇注的发射辐射的半导体芯片中的一些设置在载体衬底2上的第一列n中。这些半导体芯片因此彼此形成线形布置。以一定的横向距离平行地构成有第二列n，在所述第二列中设置有检测辐射的半导体芯片，所述检测辐射的半导体芯片以第二浇注材料3b来浇注。发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片的第一和第二列2在载体衬底上依次交替。
浇注材料分别具有透镜状的构造4a、4b，其中透镜设置在每个半导体芯片的下游。横向在发射辐射的半导体芯片旁分别设置有检测辐射的半导体芯片。在此，一个列的发射辐射的半导体芯片具有共同的第一浇注材料3a，并且相邻的列的检测辐射的半导体芯片在此分别具有共同的第二浇注材料3b。
由发射辐射的半导体芯片和检测辐射的半导体芯片组成的列在此在载体衬底上多次交替，以至于在载体衬底上形成半导体芯片的矩阵结构。仅发射辐射的或检测辐射的半导体芯片分别存在于列n中。在行m中，发射辐射的半导体芯片分别相邻于检测辐射的半导体芯片设置。
第一浇注材料3a和第二浇注材料3b分别线形地一件式地构成在半导体芯片的相应的列之上。在下一方法步骤中，第一浇注材料3a和第二浇注材料3b借助于相邻的半导体芯片之间的锯割相应地切开列n。因此，浇注材料根据锯割线8a被切开。在此，能够至少部分地附加地锯割到载体衬底2中。但是在此，载体衬底2没有被完全切开，以至于器件继续存在于复合结构中。仅在列n的各个半导体芯片之间根据锯割线8a打开浇注材料，以至于在锯割线8a的区域中露出载体衬底。
框架5以单独的注塑成型法同时、后续地或者预先制造，如在图2B中示出的。在图2B中示出框架5的俯视图。在此，框架5具有多个室6a、6b，其中室6a、6b分别与载体衬底上的半导体芯片相关联。因此，为在图2中所示出的复合结构中的载体衬底上的多个半导体芯片制造一个共同的框架5。所制造的框架5优选具有相应的尺寸，所述尺寸基本上相应于载体衬底2的尺寸。
在下一方法步骤中，图2B的实施例的共同的框架5被施加到图2A的实施例的载体衬底2上，其中框架设置为，使得各一个半导体芯片设置在框架的各一个室中。为此，框架例如至少部分地施加到在载体衬底上的浇注材料的被切开的区域中并且例如借助于粘附层固定在载体衬底上。
在将共同的框架固定在具有多个半导体芯片的载体衬底上之后，复合结构能够借助于锯割被分割为各个半导体元件。特别地，复合结构能够在将框架施加在载体衬底上之前被分割，其中在这种情况下共同的框架被施加到已分割的器件上，所述框架紧接着被分割为各个器件。
可替选地，框架能够首先被施加在载体衬底上，其中随后由载体衬底和框架组成的所述复合结构借助于锯割被分割为各个半导体器件。
在图2C和2D中示出用于从复合结构中分离半导体器件的必要的锯割步骤。在第一锯割步骤中，如在图2C中所示出的，复合结构根据锯割线9a沿着行被锯割。在图2C中示出复合结构的横截面视图，其中为了概览仅示出一部分。第一锯割截面9a在此引导穿过框架5，以至于复合结构被分割为行。每个行在此具有在横向上并排设置的半导体器件。为了进一步分割这些行，随后在第二锯割步骤中根据列分割这些行，如在图2B中所示出的。在2B中为了概览再次仅示出一个行的在复合结构中的器件的一部分。因此，通过根据穿过框架5的锯割线9b分割所述行能够提供已分割的半导体器件。
通过在复合结构中制造器件有利地提高了生产率，因此降低了生产成本和生产时间。此外，在将框架施加在载体衬底上时实现了更高的产量。由于框架以注塑成型法单独地制造，能够确保框架的更高的灵活性和设计自由度。此外能够实现框架的薄的壁厚进而实现尤其小的结构尺寸。
本发明不由于根据实施例的说明而局限于所述实施例，而是包括每个新的特征以及特征的每个组合，这特别是包含权利要求中所述的特征的每个组合，即使所述特征或所述组合本身在权利要求或者实施例中没有明确说明时也如此。
本专利申请要求德国专利申请102011105374.7的优先权，所述德国专利申请的公开内容通过参引并入本文。

Claims (15)

1.一种用于在复合结构中制造多个光电子半导体器件的方法，所述光电子半导体器件分别具有发射辐射的半导体芯片（1a）、检测辐射的半导体芯片（1b）和框架（5），所述方法具有下述步骤：
A）提供载体衬底（2）；
B）将多个发射辐射的半导体芯片（1a）和检测辐射的半导体芯片（1b）施加并且电接触到所述载体衬底（2）上，其中检测辐射的半导体芯片（1b）分别与发射辐射的半导体芯片（1a）相关联；
C）以第一浇注材料（3a）浇注多个所述发射辐射的半导体芯片（1a），
D）以第二浇注材料（3b）浇注多个所述检测辐射的半导体芯片（1b），
E）借助于在相邻的半导体芯片之间锯割来切开所述第一浇注材料和第二所述浇注材料（3a，3b），
F）将一个共同的框架（5）施加到所述载体衬底（2）上，所述载体衬底具有多个向上敞开的室（6a，6b），其中所述框架（5）设置为，使得各一个半导体芯片（1a，1b）设置在所述框架（5）的各一个室（6a，6b）中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中
在方法步骤E）中至少部分地锯割到所述载体衬底（2）中。
3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中
在所述方法步骤F）之后或者在所述方法步骤F）之前，借助于锯割（9a，9b）将所述复合结构分割为各个半导体器件。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中
在所述方法步骤C）和D）中，分别通过传递塑模法施加所述第一浇注材料（3a）和所述第二浇注材料（3b）。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中
在所述方法步骤F）中，借助粘附层（7）将共同的所述框架（5）固定在所述载体衬底（2）上。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中
在所述方法步骤F）中，将所述框架（5）在所述载体衬底（2）上至少部分地施加到所述浇注材料（3a，3b）在所述方法步骤E）中切割的区域中。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中
以单独的注塑成型法来制造共同的所述框架（5）。
8.一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件根据上述权利要求中的任一项来制造，具有载体衬底（2）、发射辐射的半导体芯片（1a）、检测辐射的半导体芯片（1b）以及框架（5），其中
-所述框架（5）固定在所述载体衬底（2）上，其中第一室（6a）和第二室（6b）构成在所述框架（5）中，所述第一室和所述第二室分别向上敞开，
-所述发射辐射的半导体芯片（1a）具有适合于产生辐射的有源层，所述发射辐射的半导体芯片借助于第一浇注材料（3a）来浇注并且在所述载体衬底（2）上设置在所述第一室（6a）中，
-所述检测辐射的半导体芯片（1b）具有适合于检测辐射的有源层，所述检测辐射的半导体芯片借助于第二浇注材料（3b）来浇注并且在所述载体衬底（2）上设置在所述第二室（6b）中，以及
-通过所述室（6a，6b）借助于所述框架（5），在所述发射辐射的半导体芯片（1a）和所述检测辐射的半导体芯片（1b）之间构成光学屏障（51）。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中
所述框架（5）一件式地构成并且由黑色的浇注材料构成。
10.根据上述权利要求8或9所述的半导体器件，其中
所述框架（5）由不能透光的材料形成并且所述第一浇注材料（3a）和所述第二浇注材料（3b）由能透光的材料形成。
11.根据上述权利要求8至10中任一项所述的半导体器件，其中
所述第一浇注材料（3a）和所述第二浇注材料（3b）至少局部地以透镜（4a，4b）的形式构成。
12.根据上述权利要求8至11中任一项所述的半导体器件，其中
在所述第二室（6b）中设置有另一检测辐射的半导体芯片（1c）。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中
所述发射辐射的半导体芯片（1a）是IR发射器，所述检测辐射的半导体芯片（1b）是IR接收器，并且所述另一检测辐射的半导体芯片（1c）是环境光传感器。
14.根据上述权利要求8至13中任一项所述的半导体器件，其中
所述第一室（6a）和所述第二室（6b）在优选方向上分别具有遮光板开口。
15.根据上述权利要求8至14中任一项所述的半导体器件的一种应用，该应用是将所述的半导体器件用作距离传感器和/或环境光传感器。
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