CN103597743B - 多模式弹性波元件 - Google Patents

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Abstract

本发明的多模式弹性波元件具有一对反射器、和在其间配置的第1～第5IDT电极。在该结构中，第1IDT电极的电极指间距平均值和第5IDT电极的电极指间距平均值比第2IDT电极的电极指间距平均值和第4IDT电极的电极指间距平均值的任意一个都小。

Description

多模式弹性波元件
技术领域
本发明涉及主要在移动通信设备等中使用的多模式弹性波元件。
背景技术
随着近年来的技术进步，便携电话等通信装置的小型化、轻量化得到显著发展。作为这种通信装置中使用的滤波器，采用可小型化的弹性表面波装置或弹性界面波装置等的弹性波装置。此外，作为移动通信系统，CDMA(Code Division Multiple Access)等的同时进行收发的通信系统急剧增加，双工器的需要骤增。近年来，接收端进行平衡动作的双工器使用得越来越多。
根据这些的状况，作为双工器的接收侧的滤波器而使用具有不平衡-平衡变换功能的多模式弹性波元件。再有，随着移动通信系统的变化，双工器的要求规格变得越发严格。即，与以往相比，需要具有宽频带、更加接近于矩形且陡峭性优异的通带特性的多模式弹性波元件。
再者，作为与本申请发明相关的在先技术，例如已知专利文献1至专利文献3所公开的技术。
专利文献1中公开了如下的技术，即：为了针对具有3个IDT电极的多模式弹性波元件而同时实现寄生(spurious)的抑制和陡峭性，使反射器的电极周期具有变化图案。
专利文献2中公开了如下的技术，即：为了针对具有3个IDT电极的多模式弹性波元件而抑制通带附近的寄生、获得良好的衰减特性，作为反射器而使用周期不同的多个反射器群。
专利文献3中公开了如下的技术，即：针对具有5个IDT电极的多模式弹性波元件，为了提高通带附近的陡峭性，在IDT电极的边界部的窄间距部上下工夫。即，在将IDT电极的边界部的窄间距部依次设为第1至第4的窄间距部时，第1窄间距部的电极指间距被设定得比第2窄间距部的电极指间距小，第4窄间距部的电极指间距被设定得比第3窄间距部的电极指间距小。通过该结构，来控制弹性波所激励的位移分布。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】JP特开2003-258595号公报
【专利文献2】JP特开2001-332954号公报
【专利文献3】国际公开第2009／001651号
发明内容
本发明提供一种具有更为矩形且陡峭的衰减特性的多模式弹性波元件。
本发明中的第1多模式弹性波元件具有压电基板、第1、第2反射器、第1IDT电极、第2IDT电极、第3IDT电极、第4IDT电极、和第5IDT电极。第1、第2反射器和第1～第5IDT电极被配置在压电基板之上。第1～第5IDT电极在第1、第2反射器之间沿着弹性波的传播方向从靠近于第1反射器的一侧依次配置。第1IDT电极的电极指间距平均值和第5IDT电极的电极指间距平均值比第2IDT电极的电极指间距平均值和第4IDT电极的电极指间距平均值的任意一个都小。
本发明中的第2多模式弹性波元件具有压电基板、第1、第2反射器、第1IDT电极、第2IDT电极、第3IDT电极、第4IDT电极、和第5IDT电极。第1、第2反射器和第1～第5IDT电极配置在压电基板之上。第1～第5IDT电极在第1、第2反射器之间沿着弹性波的传播方向从靠近于第1反射器一侧依次配置。第1至第5IDT电极分别具有电极指间距实质上相等的间距恒定区域。并且，第1IDT电极的间距恒定区域的电极指间距、第3IDT电极的间距恒定区域的电极指间距、和第5IDT电极的间距恒定区域的电极指间距，比第2IDT电极的间距恒定区域的电极指间距、和第4IDT电极的间距恒定区域的电极指间距的任意一个都小。
通过该任意一个的结构，能够使弹性波的驻波的位移分布较之第2、第4IDT电极的配置区域而集中在反射器侧。其结果，特性受到反射器的影响。因此，使用反射器，能够在通带的低频域侧附近的频率抑制高次的纵模式共振，能够获得陡峭的衰减特性。
附图说明
图1是本发明的实施方式中的多模式弹性波元件的俯视示意图。
图2A是图1所示的多模式弹性波元件的电极指间距定义的说明图。
图2B是图1所示的多模式弹性波元件的电极指间距定义的说明图。
图3是图1所示的多模式弹性波元件的电极指间距的说明图。
图4A是比较例的多模式弹性波元件的俯视示意图。
图4B是图4A所示的多模式弹性波元件的电极指间距的说明图。
图5是图3所示的多模式弹性波元件、图4B所示的多模式弹性波元件的特性比较图。
图6是本发明的实施方式中的其他的多模式弹性波元件的俯视示意图。
图7是图6所示的多模式弹性波元件的特性图。
具体实施方式
在说明本发明的实施方式之前，说明现有结构中的课题。在现有的具有5个IDT电极的5电极型的多模式弹性波元件中，位移分布集中在与零次的共振模式紧挨着的2个IDT电极的相邻部的被称为IDT-IDT模式的共振模式耦合，形成滤波器的通带。同时，二次模式、四次模式等的高次的纵模式共振存在于通带附近的低频域侧频率。因此，难以获得滤波器的通带的低频域侧的陡峭性。为了获得在通带的低频域侧频率具有陡峭的特性的滤波器，需要按照不会与零次模式共振相耦合的程度，充分减弱这些高次的纵模式共振。
以下，参照附图说明本发明的实施方式中的弹性波装置。图1是表示本发明的实施方式中的多模式弹性波元件100的构造的图。再者，多模式弹性波元件是例如Double ModeSAW元件，是通过激励出多个模式的弹性波从而形成期望的带通特性的弹性波元件。
多模式弹性波元件100具有压电基板101、第1反射器102、第2反射器108(以下称为反射器102、108)、第1IDT电极103、第2IDT电极104、第3IDT电极105、第4IDT电极106、和第5IDT电极107(以下称为IDT电极103～107)。反射器102、108以及IDT电极103～107配置在压电基板101之上。在反射器102与反射器108之间沿着弹性波的传播方向，从靠近反射器102一侧依次配置IDT电极103～107。即，IDT电极103与反射器102最接近，IDT电极107与反射器108最接近。
压电基板101由钽酸锂或者铌酸锂等形成。IDT电极103～107分别由一对的梳状电极(叉指型换能器电极)构成。反射器102、108、IDT电极103～107通过例如由铝、铜、银、金、钛、钨、钼、铂、或者铬组成的单体金属构成、或者通过以它们作为主成分的合金构成。或者，具有对它们进行层叠的而得到的构造。通过该结构，多模式弹性波元件100作为主要波而激励出例如SH(Shear Horizontal)波或瑞利波等的弹性表面波。再者，图1中示意性表示了反射器102、108、IDT电极103～107，梳状电极的个数并不限定于图1。
如图2A所示，电极指间距P由在弹性波的传播方向上相邻的电极指21、22的中心间距离来定义。在实测时，如图2B所示那样，通过相邻的电极指21、22的一端彼此的距离P1和另一端的距离P2的加权平均P＝(P1+P2)／2来求出电极指间距P。
反射器102例如由74根的电极指构成，由电极指的中心间距离所定义的电极指间距平均值为2.055μm。反射器108也由74根的电极指构成，电极指间距平均值为2.055μm。再者，电极指间距平均值是电极指间距尺寸的总和除以电极指根数-1而求得的。
IDT电极103由35根(17.5对)的电极指构成，电极指间距平均值为1.936μm。IDT电极104由35根(17.5对)的电极指构成，电极指间距平均值为2.005μm。IDT电极105由58根(29对)的电极指构成，电极指间距平均值为1.946μm。IDT电极106由35根(17.5对)的电极指构成，电极指间距平均值为2.005μm。IDT电极107由35根(17.5对)的电极指构成，电极指间距平均值为1.936μm。IDT电极105在传播方向的中央部被分割为2个区域，在这2个区域配置梳状电极，使其相位相差180度。
这样，IDT电极103的电极指间距平均值、和IDT电极107的电极指间距平均值比IDT电极104的电极指间距平均值、和IDT电极106的电极指间距平均值的任一个小。通过该结构，使得弹性波的驻波的位移分布较之IDT电极104、106的配置区域而集中在作为反射器102、108侧的IDT电极的配置区域103、107。由此，特性受到反射器102、108的影响。通过该结构，多模式弹性波元件100利用反射器102、108，能够在通带的低频域侧附近的频率中抑制高次的纵模式共振，能够获得陡峭的衰减特性。即，能够抑制高次的纵模式共振，能够获得通带的低频域侧附近的陡峭性优异的滤波器特性。
此外，期望IDT电极105的电极指间距平均值比IDT电极104的电极指间距平均值和IDT电极106的电极指间距平均值的任意一个都小。由此，能够使弹性波的驻波的位移分布较之IDT电极104、106的配置区域而集中在作为中央部的IDT电极105的配置区域，能够降低通带的高频域侧的插入损耗。
因此，优选IDT电极103的电极指间距平均值、IDT电极105的电极指间距平均值和IDT电极107的电极指间距平均值比IDT电极104的电极指间距平均值和IDT电极106的电极指间距平均值的任意一个都小。通过该结构，在靠近于反射器102、108一侧使驻波的位移分布集中，利用反射器102、108能够制作出不损害插入损耗而在通带的低频域侧具有陡峭的特性的滤波器。再者，进一步优选IDT电极103的电极指间距平均值和IDT电极107的电极指间距平均值比IDT电极105的电极指间距平均值小。通过该结构，特性更容易受到反射器102、108的影响，获得矩形且衰减特性优异的滤波器特性的效果变高。即，容易实现陡峭的特性。
此外，优选反射器102的电极指间距平均值Pr1与IDT电极104的电极指间距平均值Pi2之比的值Pr1／Pi2，为1.02以上且1.035以下。同样，优选反射器108的电极指间距平均值Pr2与IDT电极106的电极指间距平均值Pi4之比的值Pr2／Pi4为1.02以上且1.035以下。若Pr1／Pi2或者Pr2／Pi4比1.02小，在通带的低频侧，会出现滤波器的插入损耗增加的现象。若Pr1／Pi2或者Pr2／Pi4比1.035大，高次的纵模式共振的抑制不充分，通带的低频域侧附近的陡峭性下降。
图3是更加详细表示多模式弹性波元件100的电极指间距结构的图。即，图3详细地表示电极指间距在各部位如何设置。
图3的横轴表示将图1中位于左侧的反射器102的左端的电极指和其右相邻的电极指的电极指间的间隙的编号(以下称为电极指间距编号)设为1，按照从左至右依次对电极指间的间隙所赋予的编号。即，图3的纵轴中表示反射器102、IDT电极103、IDT电极104、IDT电极105、IDT电极106、IDT电极107、反射器108依次对电极指的间隙赋予的各个编号处的电极指间距(μm)。图3中的点划线表示反射器与IDT电极的边界或者、IDT电极与IDT电极的边界，为了方便，以符号表示哪个范围是哪个反射器或者IDT电极的位置。
根据图3可知，在反射器102、108中，电极指间距被设定得在与IDT电极103或者IDT电极107比较靠近的区域具有最大值2.095μm、最小值1.987μm的极大值、极小值。此外，在距IDT电极103或者IDT电极107比较远的区域，电极指间距为2.058μm，被设定得大致恒定。
如上述，IDT电极103的电极指间距平均值、IDT电极105的电极指间距平均值和IDT电极107的电极指间距平均值，比IDT电极104的电极指间距平均值和IDT电极106的电极指间距平均值的任意一个都小。通过该结构，优选使反射器102、108中的与IDT电极103或者IDT电极107比较近的区域中的相邻的电极指间距的变化率，比与IDT电极103或者IDT电极107比较远的区域中的相邻的电极指间距的变化率高。由此，能够抑制高次的纵模式共振，能够实现通带低频域侧的陡峭性优异的滤波器特性。
再者，为了改变电极指间距的变化率，也可以将反射器102、108分别划分为3个以上的区域，在各个区域中具有等间距的电极指间距，各区域的电极指间距平均值设定得不同。即，优选反射器102、108分别至少具有三种的电极指间距。
此外，如图3所示，IDT电极103至IDT电极107具有电极指间距大致相等的区域。即，在该区域(间距恒定区域)中，电极指间距实质上是恒定的。对于间距恒定区域中的电极指间距的尺寸，IDT电极103中为1.980μm，IDT电极104中为2.094μm，IDT电极105中为1.985μm，IDT电极106中为2.094μm，IDT电极107中为1.980μm。
即，IDT电极103的间距恒定区域的电极指间距、IDT电极105的间距恒定区域的电极指间距、IDT电极107的间距恒定区域的电极指间距，比IDT电极104的间距恒定区域的电极指间距和IDT电极106的间距恒定区域的电极指间距的任意一个都小。该结构也使驻波的位移分布集中在与反射器102、108靠近一侧，有助于使用反射器102、108来不损害插入损耗地在通带的低频域侧实现陡峭的特性。因此，也可以与之前所说明的、IDT电极的电极指间距平均值的大小关系相区别，来设定间距恒定区域的电极指间距的大小关系。
再有，优选IDT电极104的间距恒定区域的电极指间距、IDT电极106的间距恒定区域的电极指间距比反射器102的间距恒定区域的电极指间距和反射器108的间距恒定区域的电极指间距大。通过该结构，能够减小通带的低频域侧衰减量。
再者，在紧挨着的2个IDT电极之间相邻的梳状电极彼此的电极指间距，在图3的点划线上被绘制出。具体而言，IDT电极103与IDT电极104的相邻的梳状电极彼此的电极指间距为2.030μm，IDT电极104与IDT电极105的相邻的梳状电极彼此的电极指间距为1.924μm，IDT电极105与IDT电极106的相邻的梳状电极彼此的电极指间距为1.924μm，IDT电极106与IDT电极107的相邻的梳状电极彼此的电极指间距为2.030μm。并且，IDT电极103内的最小电极指间距为1.752μm，IDT电极104内的最小电极指间距为1.796μm，IDT电极105内的最小电极指间距为1.690μm，IDT电极106内的最小电极指间距为1.796μm，IDT电极107内的最小电极指间距为1.752μm。
这样，优选在紧挨着的2个IDT电极之间相邻的梳状电极彼此的电极指间距，被设定得大于IDT电极103至IDT电极107各自的最小电极指间距。通过该结构，可提高耐电性。认为之所以出现这种效果，是因为在多模式弹性波元件100中位移分布向最容易被损坏的2个IDT电极相邻的电极指的集中得到缓和。
接下来，说明通过以上所说明的结构而得到的效果。再者，作为比较例，与图4A、图4B所示的结构的5电极型的多模式弹性波元件50的特性相匹配地，图5中表示多模式弹性波元件100的滤波器特性。图4A是多模式弹性波元件50的俯视示意图。再者，省略了压电基板的图示。图4B是多模式弹性波元件50的电极指间距的说明图。
反射器52、58中的电极指间距为恒定的2.058μm。第1IDT电极53的电极指间距平均值为1.958μm，第2IDT电极54的电极指间距平均值为1.921μm，第3IDT电极55的电极指间距平均值为1.965μm，第4IDT电极56的电极指间距平均值为1.921μm，第5IDT电极57的电极指间距平均值为1.958μm。即，IDT电极53的电极指间距平均值和IDT电极57的电极指间距平均值，比IDT电极54的电极指间距平均值和IDT电极56的电极指间距平均值大。此外，IDT电极55的电极指间距平均值比IDT电极54的电极指间距平均值和IDT电极56的电极指间距平均值大。
图5中，实线所示的曲线(a)表示多模式弹性波元件100的滤波器特性，虚线所示的曲线曲线(b)表示多模式弹性波元件50的滤波器特性。根据图5可知，在通带低频域侧，多模式弹性波元件100具有非常陡峭的衰减特性。
再者，专利文献3中公开了多模式弹性波元件50的结构。在专利文献3中公开了，如果IDT电极53与IDT电极54的边界部的最小电极指间距、IDT电极56与IDT电极57的边界部的最小电极指间距，比IDT电极54与IDT电极55的边界部的最小电极指间距、IDT电极55与IDT电极56的边界部的最小电极指间距的任意一个都小，则在通带低频域侧频率获得陡峭的特性。但是，多模式弹性波元件100示出了更为优异的效果。
本实施方式中，作为多模式弹性波元件的一例，说明了5电极型的多模式弹性波元件100，但例如7电极型的多模式弹性波元件等的5电极以上的多模式弹性波元件中，如果应用以上所说明的电极结构，则也可达到效果。
例如，设想以被第1、第2反射器夹着的方式在弹性波的传播方向上依次具有第1～第7的IDT电极的7电极型的多模式弹性波元件。第1IDT电极与第1反射器相邻，第7IDT电极与第2反射器相邻。在该结构中，将第1IDT电极的电极指间距平均值和第7IDT电极的电极指间距平均值，设定得比第2IDT电极的电极指间距平均值和第6电极指间距平均值的任意一个都小。通过该结构，能够使得弹性波的驻波的位移分布较之第2、第6的IDT电极的配置区域而集中在作为反射器侧的第1、第7的IDT电极的配置区域。其结果，特性受到反射器的影响。通过这种结构，7电极型的多模式弹性波元件，利用反射器能够在通带的低频域侧附近的频率抑制高次的纵模式共振，能够获得陡峭的衰减特性。
在IDT电极为7个以上的奇数个的情况下也同样。即，设想以被第1、第2反射器夹着的方式在弹性波的传播方向上依次具有第1～第n的IDT电极的多模式弹性波元件。n为5以上的奇数。第1IDT电极与第1反射器相邻，第nIDT电极与第2反射器相邻。在该结构中，只要将第1IDT电极的电极指间距平均值和第nIDT电极的电极指间距平均值，设定得小于第2IDT电极的电极指间距平均值和第n-1电极指间距平均值的任意一者即可。
接下来，参照图6、图7说明将包含多模式弹性波元件100的2个多模式弹性波元件级联连接的情况。图6是表示本实施方式中的级联连接型多模式弹性波元件的结构的图。再者，图6中省略了压电基板。图7表示图6所示的多模式弹性波元件的特性。
5电极型的第1多模式弹性波元件200和5电极型的第2多模式弹性波元件300被级联连接。第1多模式弹性波元件200与输入端子11连接，第2多模式弹性波元件300与输出端子12、13连接，构成为进行平衡动作。第1多模式弹性波元件200和第2多模式弹性波元件300之中，一方是上述的多模式弹性波元件100，另一方是例如多模式弹性波元件50。
图7中，曲线(a)在通带低频域侧具有陡峭的衰减特性。该曲线表示多模式弹性波元件100的特性。此外，曲线(b)是多模式弹性波元件50的特性，在通带低频域侧具有比较平缓的倾斜的衰减特性。该情况下，如曲线(c)所示，衰减极可以设定为与曲线(a)的衰减特性的回弹(旁瓣)大致吻合。
通过这样设定，可获得低损耗且通带低频域侧的衰减特性良好的滤波器特性。即，917MHz附近的衰减极为曲线(a)中为40dB左右，但在将第1多模式弹性波元件200的滤波器特性和第2多模式弹性波元件300进行级联连接而得到的曲线(c)中，在917MHz附近衰减了77dB左右。
【产业上的可利用性】
由于本发明涉及的多模式弹性波元件具有更为矩形且陡峭的衰减特性，因此特别作为在天线共用器的接收滤波器等的用途中使用的通带低频域侧的衰减特性优异的滤波器是有用的。
【符号的说明】
11 输入端子
12、13 输出端子
21、22 电极指
50、100 多模式弹性波元件
101 压电基板
52、102 第1反射器(反射器)
58、108 第2反射器(反射器)
53、103 第1IDT电极(IDT电极)
54、104 第2IDT电极(IDT电极)
55、105 第3IDT电极(IDT电极)
56、106 第4IDT电极(IDT电极)
57、107 第5IDT电极(IDT电极)
200 第1多模式弹性波元件
300 第2多模式弹性波元件

Claims (22)

1.一种多模式弹性波元件，其具备：
压电基板；
第1反射器、第2反射器，其配置在所述压电基板之上；和
第1叉指型换能器IDT电极、第2IDT电极、第3IDT电极、第4IDT电极、第5IDT电极，在所述压电基板之上，在所述第1、第2反射器之间沿着所述多模式弹性波元件中弹性波的传播方向，从所述第1反射器向所述第2反射器按该顺序配置，所述第1IDT电极的电极指间距平均值和所述第5IDT电极的电极指间距平均值，比所述第2IDT电极的电极指间距平均值和所述第4IDT电极的电极指间距平均值两者都小，并且所述第3IDT电极的电极指间距平均值比所述第2IDT电极的电极指间距平均值和所述第4IDT电极的电极指间距平均值两者都小。
2.根据权利要求1所述的多模式弹性波元件，其中，所述第1反射器中的与所述第1IDT电极靠近的第1区域中的相邻的电极指间距的变化率，与较之所述第1区域远离所述第1IDT电极的第2区域中的相邻的电极指间距的变化率相比更大。
3.根据权利要求1或2所述的多模式弹性波元件，其中，所述第2反射器中的与所述第5IDT电极靠近的第3区域中的相邻的电极指间距的变化率，与较之所述第3区域远离所述第5IDT电极的第4区域中的相邻的电极指间距的变化率相比更大。
4.根据权利要求1所述的多模式弹性波元件，其中，所述第1反射器的电极指间距在与所述第1IDT电极靠近的第一区域，在极大值和极小值之间变化。
5.根据权利要求1或4所述的多模式弹性波元件，其中，所述第2反射器的电极指间距在与所述第5IDT电极靠近的第二区域，在极大值和极小值之间变化。
6.根据权利要求1所述的多模式弹性波元件，其中，所述第3IDT电极的电极指间距平均值比所述第1IDT电极的电极指间距平均值和所述第5IDT电极的电极指间距平均值两者都大。
7.根据权利要求1所述的多模式弹性波元件，其中，所述第1反射器的电极指间距平均值与所述第2IDT电极的电极指间距平均值之比的值，为1.02以上且1.035以下。
8.根据权利要求1或7所述的多模式弹性波元件，其中，所述第2反射器的电极指间距平均值与所述第4IDT电极的电极指间距平均值之比的值，为1.02以上且1.035以下。
9.根据权利要求1所述的多模式弹性波元件，其中，所述第1反射器具有至少三种的电极指间距。
10.根据权利要求1或9所述的多模式弹性波元件，其中，所述第2反射器具有至少三种的电极指间距。
11.根据权利要求1所述的多模式弹性波元件，其中，在所述第1IDT电极～第5IDT电极中，紧挨着的2个IDT电极之间的边界部的梳状电极彼此的电极指间距，比所述第1IDT电极～第5IDT电极各自的最小电极指间距大。
12.根据权利要求1所述的多模式弹性波元件，其中，所述第1IDT电极至第5IDT电极分别具有电极指间距实质上相等的间距恒定区域。
13.根据权利要求12所述的多模式弹性波元件，其中，所述第1IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距、所述第3IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距、和所述第5IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距，比所述第2IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距和所述第4IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距两者都小。
14.一种多模式弹性波元件，其具备：
压电基板；
第1反射器、第2反射器，其配置在所述压电基板之上，所述第1反射器、第2反射器分别具有电极指间距实质上相等的间距恒定区域；和
第1叉指型换能器IDT电极、第2IDT电极、第3IDT电极、第4IDT电极、第5IDT电极，在所述压电基板之上，在所述第1反射器、第2反射器之间沿着所述多模式弹性波元件中弹性波的传播方向，从所述第1反射器向所述第2反射器按该顺序配置，所述第1IDT电极至第5IDT电极分别具有电极指间距实质上相等的间距恒定区域，所述第1IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距、所述第3IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距、和所述第5IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距，比所述第2IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距和所述第4IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距两者都小，并且所述第2IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距和所述第4IDT电极的所述间距恒定区域的电极指间距，比所述第1反射器的所述间距恒定区域的电极指间距和第2反射器的所述间距恒定区域的电极指间距两者都大。
15.根据权利要求14所述的多模式弹性波元件，其中，
所述第1反射器的电极指间距平均值与所述第2IDT电极的电极指间距平均值之比的值，为1.02以上且1.035以下。
16.根据权利要求14或15所述的多模式弹性波元件，其中，
所述第2反射器的电极指间距平均值与所述第4IDT电极的电极指间距平均值之比的值，为1.02以上且1.035以下。
17.根据权利要求14所述的多模式弹性波元件，其中，
所述第1反射器的电极指间距在与所述第1IDT电极靠近的第一区域，在极大值和极小值之间变化。
18.根据权利要求14或17所述的多模式弹性波元件，其中，
第2反射器的电极指间距在与所述第5IDT电极靠近的第二区域，在极大值和极小值之间变化。
19.根据权利要求14所述的多模式弹性波元件，其中，所述第1反射器具有至少三种的电极指间距。
20.根据权利要求14或19所述的多模式弹性波元件，其中，所述第2反射器具有至少三种的电极指间距。
21.根据权利要求14所述的多模式弹性波元件，其中，在所述第1IDT电极～第5IDT电极中，在紧挨着的2个IDT电极之间的边界部的梳状电极彼此的电极指间距，比所述第1IDT电极～第5IDT电极各自的最小电极指间距大。
22.一种多模式弹性波元件，其具备：
压电基板；
第1反射器、第2反射器，其配置在所述压电基板之上；和
第1叉指型换能器IDT电极～第nIDT电极，在所述压电基板之上，在所述第1反射器、第2反射器之间沿着所述多模式弹性波元件中弹性波的传播方向，从所述第1反射器向所述第2反射器按该顺序配置，n为7以上的奇数，所述第1IDT电极的电极指间距平均值和所述第nIDT电极的电极指间距平均值，比所述第2IDT电极的电极指间距平均值和所述第(n-1)IDT电极的电极指间距平均值两者都小，并且所述第((n+1)/2)IDT电极的电极指间距平均值比所述第2IDT电极的电极指间距平均值和所述第(n-1)IDT电极的电极指间距平均值两者都小。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108496308B (zh) * 2016-01-29 2021-11-16 京瓷株式会社 弹性波谐振器、弹性波滤波器、分波器及通信装置
JP6465047B2 (ja) * 2016-02-19 2019-02-06 株式会社村田製作所 弾性波共振子、帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ
JP6627816B2 (ja) * 2016-06-08 2020-01-08 株式会社村田製作所 マルチプレクサおよび高周波フロントエンドモジュール
US10148246B2 (en) * 2016-06-08 2018-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer and radio-frequency (RF) front-end module
JP6625579B2 (ja) 2017-03-21 2019-12-25 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ
US11621691B2 (en) * 2018-07-16 2023-04-04 Qorvo Us, Inc. Reflective structures for surface acoustic wave devices
JP2020123854A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
US11437976B2 (en) 2019-05-06 2022-09-06 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave filter with shunt resonator having multiple resonant frequencies
US11742829B2 (en) 2019-08-28 2023-08-29 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexer with filter having increased reflection characteristic
US11881836B2 (en) * 2019-11-25 2024-01-23 Skyworks Solutions, Inc. Cascaded resonator with different reflector pitch
US20220407496A1 (en) * 2021-06-16 2022-12-22 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave devices including high density interdigitated electrodes

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102017406A (zh) * 2008-04-25 2011-04-13 京瓷株式会社 声表面波装置和使用该装置的通信装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4534307B2 (ja) 2000-05-24 2010-09-01 パナソニック株式会社 弾性表面波フィルタ
EP1276235A1 (en) * 2001-07-13 2003-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and communication device using the filter
JP2003258595A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波装置
JP5094074B2 (ja) 2006-07-27 2012-12-12 京セラ株式会社 弾性表面波素子及び弾性表面波装置
JP2008252678A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Tdk Corp 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP5033876B2 (ja) 2007-06-28 2012-09-26 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び通信装置
US8358177B2 (en) * 2008-10-24 2013-01-22 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module unit
US8994479B2 (en) 2009-08-25 2015-03-31 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102017406A (zh) * 2008-04-25 2011-04-13 京瓷株式会社 声表面波装置和使用该装置的通信装置

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