CN103579441A - 发光模块及照明装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 241000428199 Mustelinae Species 0.000 claims abstract description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 27
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 35
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 208000019901 Anxiety disease Diseases 0.000 description 2
- 230000036506 anxiety Effects 0.000 description 2
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
本发明的实施方式涉及一种发光模块及照明装置。本发明的实施方式的发光模块具有基板。而且,本发明的实施方式的发光模块具有设置在基板上的发光元件。而且,本发明的实施方式的发光模块具有反射构件,该反射构件设置在基板上,由包含硅酮树脂的材料形成,材料的马氏硬度为0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的范围中的任一值,且反射由发光元件发出的光。
Description
参照相关申请
本申请享有在2012年8月7日申请的日本专利申请编号2012-174822的优先权的利益,该日本专利申请的全部内容引用于本申请中。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种发光模块(module)及照明装置。
背景技术
近年来,随着发光二极管(light emitting diode,LED)的高效率化,就光的提取方面而言,发光模块中需要使用具有高反射率特性的材料。尤其,发光模块的抗蚀剂(resist)部分在光提取方面作用大。由此有如下技术,即,使反射率比较高的Al2O3等陶瓷(ceramic)分散在有机溶剂中之后涂布在基板上并进行煅烧,而将所得的无机系的陶瓷涂敷材料用于抗蚀剂部分。
此外,另一方面,对构成发光模块的构件的热及光的负荷也变大。而且,伴随此,也容易产生由热及光所引起的构件的劣化。构件的劣化会引起从发光模块输出的光的光束维持率下降。例如,对于陶瓷涂敷材料而言,有因基板受热膨胀而产生裂纹(crack)之虞。而且,陶瓷涂敷材料如果产生裂纹,则反射率特性下降。此外,陶瓷涂敷材料与其他构件的密接性低。因此,陶瓷涂敷材料的通用性低。
由此,也考虑将由包含硅酮树脂(silicone resin)的材料形成的构件用于抗蚀剂部分。然而,如果仅单纯地将由包含硅酮树脂的材料形成的构件用于抗蚀剂部分,则会因该构件硬,使得在基板因发光元件等的热而膨胀的情形时,而有在构件产生裂纹之虞。因此,如果仅单纯地将由包含硅酮树脂的材料形成的构件用于抗蚀剂部分,则存在发光模块、及具有发光模块的照明装置的可靠性低的问题。
本发明所要解决的课题是提供一种可靠性高的发光模块及照明装置。
发明内容
实施方式的发光模块包括:基板;发光元件,设置在所述基板上;以及反射构件,设置在所述基板上,由包含硅酮树脂的材料形成,所述材料的马氏硬度(Martens hardness)为0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的范围中的任一值,且反射由所述发光元件发出的光。
实施方式的照明装置包括:发光模块;以及点灯装置,对所述发光模块供给电力;且该发光模块包括:基板;发光元件,设置在所述基板上;以及反射构件,设置在所述基板上,由包含硅酮树脂的材料形成,所述材料的马氏硬度为0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的范围中的任一值,且反射由所述发光元件发出的光。
发明的效果
根据本发明,能期待可靠性提高。
附图说明
图1是表示第1实施方式的发光模块的一例的图。
图2是表示第1实施方式的发光模块的一例的图。
图3是表示第1实施方式的发光模块的一例的图。
图4是表示照明装置的一例的图。
图5是表示马氏硬度、蠕变率、弹性模数的测定方法的例子的图。
图6是表示第2实施方式的发光模块的图。
图7是用以说明第2实施方式的抗蚀剂层的图。
附图标记:
10:照明装置
11:器具主体
12:投光窗
13:发光模块
14:点灯装置
20:配线基板装置
21:陶瓷基板
21a:第1面
21b:第2面
22a:第1电极层
22b:第2电极层
23a:第1镀铜层
23b:第2镀铜层
24:配线图案
25:金属镀敷层
26:直接镀铜基板
27:电极部
28:配线部
29:发光二极管元件
30:芯片焊接层
31:基底层
32:抗蚀剂层
33:反射面
34:反射框
35:密封树脂
37:散热器
38:焊料层
39:铜板
40:金属镀敷层
41:安装孔
50:透镜
A、B、C、D:点
T:厚度
P:部分
具体实施方式
以下,参照附图对各实施方式的发光模块及照明装置进行说明。各实施方式中对具有同一功能的构成附上同一符号并省略重复说明。另外,以下的实施方式中所说明的发光模块及照明装置只不过表示一例,并非为限定本发明者。此外,以下的实施方式也可在不矛盾的范围内适当组合。
以下的第1实施方式及第2实施方式中,发光模块具有基板。而且,第1实施方式及第2实施方式中,发光模块具有设置在基板上的发光元件。进而,第1实施方式及第2实施方式中,发光模块具有反射构件,该反射构件设置在基板上,由包含硅酮树脂的材料形成,材料的马氏硬度为0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的范围中的任一值,且反射由发光元件发出的光。由包含硅酮树脂的材料形成、材料的马氏硬度为0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的范围中的任一值的反射构件,比马氏硬度大于10.0(N/mm2)的包含硅酮树脂的材料柔软。因此,第1实施方式及第2实施方式的反射构件即便在基板因发光元件的热而膨胀的情形时,也不易产生裂纹等。由此,根据具有该反射构件的第1实施方式及第2实施方式的发光模块及照明装置,能提高可靠性。
此外,以下的第1实施方式及第2实施方式中,形成反射构件的材料的弹性能(elastic energy)为1.0(N·mm)以上且10.0(N·mm)以下的范围中的任一值。材料的弹性能为1.0(N·mm)以上且10.0(N·mm)以下的范围中的任一值的反射构件,比弹性能大于10.0(N·mm)的包含硅酮树脂的材料柔软。因此,第1实施方式及第2实施方式的反射构件即便在基板因发光元件的热而膨胀的情形时,也不易产生裂纹等。由此,根据具有该反射构件的第1实施方式及第2实施方式的发光模块及照明装置,能提高可靠性。
此外,以下的第1实施方式及第2实施方式中,形成反射构件的材料的蠕变率(creep rate)为1.0(%)以上且10.0(%)以下的范围中的任一值。材料的蠕变率为1.0(%)以上且10.0(%)以下的范围中的任一值的反射构件,比蠕变率大于10.0(%)的包含硅酮树脂的材料柔软。因此,第1实施方式及第2实施方式的反射构件即便在基板因发光元件的热而膨胀的情形时,也不易产生裂纹等。由此,根据具有该反射构件的第1实施方式及第2实施方式的发光模块及照明装置,能提高可靠性。
此外,以下的第1实施方式及第2实施方式的各实施方式的发光模块具有镀敷构件,该镀敷构件设置在基板与反射构件之间,且经过镀敷处理。此外,以下的第1实施方式及第2实施方式的各实施方式的发光模块具有黏结构件,该黏结构件设置在镀敷构件与反射构件之间,由包含环氧树脂(epoxy resin)的材料形成,并且将镀敷构件与反射构件黏结。包含环氧树脂的材料使镀敷构件与反射构件密接的密接性高。因此,可抑制反射构件从镀敷构件剥离。由此,根据第1实施方式及第2实施方式的各实施方式的发光模块,能提高可靠性。
此外,以下的第1实施方式及第2实施方式的各实施方式的发光模块具有透镜(lens),该透镜密接于反射构件的与基板侧为相反侧的面上,且由包含硅酮树脂的材料形成。马氏硬度、弹性能或蠕变率为上述范围内的反射构件如上所述般柔软。因此,透镜与反射构件强力地密接而不易剥离。由此,根据第1实施方式及第2实施方式的各实施方式的发光模块,能提高可靠性。
此外,以下的第1实施方式及第2实施方式的反射构件的厚度为2μm以上且100μm以下的范围中的任一值。
此外,以下的第1实施方式及第2实施方式的反射构件的材料中,包含氧化钛(titanium oxide)(TiO2)、氧化铝(alumina)(Al2O3)及氧化硅(silica)(SiO2)中的至少一种材料。
此外,以下的第1实施方式及第2实施方式的照明装置包括:发光模块;以及点灯装置,对发光模块供给电力。具有上述的发光模块的照明装置根据与上述的理由相同的理由,能提高可靠性。
此外,以下的第2实施方式的反射构件以使黏结构件的至少一部分的端部不露出于外部的方式设置。由此,可抑制黏结构件露出于大气中,该黏结构件由包含容易产生因热所引起的劣化、且容易产生因光所引起的劣化的环氧树脂的材料形成。其结果,黏结构件不易劣化。由此,具有第2实施方式的反射构件的发光模块,能进一步提高可靠性。
此外,以下的第2实施方式中,在从镀敷构件至基板的距离的一半的部分上,反射构件的厚度为2μm以上且5mm以下。
此外,以下的第1实施方式及第2实施方式中,作为半导体的发光元件,可列举发光二极管芯片(chip),但并不限定于此,例如,也可使用半导体激光(laser)、电致发光(electroluminescence,EL)元件。在发光元件使用发光二极管芯片的情形时,发光二极管芯片的发光色可为红色、绿色、蓝色中的任一色。此外,也可组合使用不同的发光色的发光二极管芯片。
第1实施方式
参照图1~图4对第1实施方式进行说明。图4是表示照明装置的一例的图。图4中示有照明装置10。照明装置10为例如用于照亮等(lightup)的投光灯。照明装置10具有器具主体11。在器具主体11上设置有投光窗12。在器具主体11内收纳有与投光窗12对向的多个发光模块13。在器具主体11内的下部收纳有对发光模块13供给点灯电力的点灯装置14。而且,通过从点灯装置14对多个发光模块13供给点灯电力,而使多个发光模块13点灯并从投光窗12放射光。
图1~图3是表示第1实施方式的发光模块的一例的图。图1~图3中示有第1实施方式的发光模块13。发光模块13具有配线基板装置20。
配线基板装置20具有四边形状的陶瓷基板21。以下,将陶瓷基板21简单地称作基板21。基板21的前面侧为第1面21a。基板21的背面侧为第2面21b。在第1面21a上形成有第1电极层22a。在第1电极层22a上形成有第1镀铜层23a。通过这些第1电极层22a及第1镀铜层23a而形成有规定的形状的配线图案(pattern)24。另一方面,在第2面21b的大致整个面上形成有第2电极层22b。在第2电极层22b上形成有第2镀铜层23b。进而,在第1镀铜层23a、第2镀铜层23b的表面上形成有保护第1镀铜层23a、第2镀铜层23b的金属镀敷层25。
第1电极层22a、第2电极层22b例如通过钛等的金属的溅镀(spattering)形成。第1镀铜层23a、第2镀铜层23b通过镀铜处理形成。此外,金属镀敷层25例如通过镀镍/金处理、或镀镍/铅/金处理形成。通过基板21、第1电极层22a、第2电极层22b、第1镀铜层23a、第2镀铜层23b、及金属镀敷层25而形成直接镀铜(Direct Plated Copper,DPC)基板26。
第1电极层22a与第2电极层22b形成为相同厚度。此外,第1镀铜层23a与第2镀铜层23b形成为相同厚度。
如图3所示,配线图案24具有从外部接受点灯电力的供给的一对电极部27。在一对电极部27间并排形成有多个配线部28。而且,在邻接的配线部28上安装有多个发光二极管元件29。
多个发光二极管元件29例如图1所示般,使用倒装芯片类型(flipchip type)等的在背面侧具有一对电极的类型。多个发光二极管元件29的一对电极通过芯片焊接(solder die bond)层30而电气连接于第1镀铜层23a。另外,发光二极管元件29也可如面朝上类型(face up type)般,在表面侧具有电极,且通过引线接合(wire bonding)而连接发光二极管元件29的电极与配线图案24。
如图2所示,在包含第1镀铜层23a上在内的第1面21a侧形成有基底层31。基底层31由包含环氧树脂等的有机材料的材料形成。基底层31设置在第1镀铜层23a与后述的抗蚀剂层32之间,且将第1镀铜层23a与后述的抗蚀剂层32黏结。如下文所说明,抗蚀剂层32是由包含硅酮树脂的材料形成。因此,通过基底层31使由该材料形成的抗蚀剂层32与第1镀铜层23a密接,从而抗蚀剂层32与第1镀铜层23a的密接性提高。如此般通过基底层31而提高抗蚀剂层32与第1镀铜层23a的密接性,因此发光模块13的可靠性提高。
在基底层31上形成有抗蚀剂层32。抗蚀剂层32的表面是作为反射从多个发光二极管元件29放出的光的反射面33而形成。
抗蚀剂层32由包含硅酮树脂的材料形成。此外,作为抗蚀剂层32的材料,使用材料的马氏硬度为0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的范围中的任一值的材料。此外,作为抗蚀剂层32的材料,使用材料的弹性能为1.0(N·mm)以上且10.0(N·mm)以下的范围中的任一值的材料。此外,作为抗蚀剂层32的材料,使用材料的蠕变率为1.0(%)以上且10.0(%)以下的范围中的任一值的材料。
另外,关于马氏硬度、弹性能、蠕变率的详情将于下文示出。
<马氏硬度>
马氏硬度是指利用由ISO14577-1金属材料硬度的仪器化压痕测试及材料参数第1部分:测试方法(Metallic materials-Instrumentedindentation test for hardness and materials parameters Part I:Test method)“金属材料-硬度的仪器化压痕测试及材料参数”定义的测定方法所获得的物性值。而且,该物性值是使用负重(load)、及相应压入深度而计算出。
<蠕变率>
蠕变率(也称为压入蠕变率)为使某固定时间的负重为固定的情形时的深度(凹陷深度)的变化率,如果设蠕变率为C,则以(1)式表示。
C=((h2-h1)/h1)*100(1)
(1)式的h1是达到设定试验负重时的深度,h2是保持设定试验负重时的深度。
<弹性模数>
弹性模数是表示变形的难易度的物性值,且为弹性变化中的应力与应变之间的比例常数。
例如,将顶端角为120°的三棱锥的金刚石压头(diamond indenter)压入样品,根据测定其深度而所获得的如图5的深度-负重的关系图,而可测定马氏硬度、蠕变率及弹性模数。
此处,图5的例中的点B所示的深度对应于(1)式的h1,点C所示的深度对应于(1)式的h2。此外,图5的例中,弹性模数以点C所示的深度与点D所示的深度的比率、即连结点C与点D的线段的斜率表示。
另外,图5中,从点A至点B的样品的变形表示塑性变形。此外,图5中,从点C至点D的样品的变形表示弹性变形。
这些形成抗蚀剂层32的材料的马氏硬度、弹性能、蠕变率的范围为进行规定的实验的结果所获得的范围,该范围是即便基板热膨胀也不会产生裂纹,且与抗蚀剂层密接的透镜不易从抗蚀剂层剥离。对该实验进行说明。该实验中,使用形成抗蚀剂层的包含硅酮树脂的材料的马氏硬度、弹性能、蠕变率的值为各种值的发光模块,求出抗蚀剂层产生裂纹之前的时间、及透镜从抗蚀剂层剥离之前的时间。该实验中得知,对于抗蚀剂层产生裂纹之前的时间较长的发光模块而言,透镜从抗蚀剂层剥离之前的时间也较长,从而得知抗蚀剂层产生裂纹之前的时间、与透镜从抗蚀剂层剥离之前的时间之间存在相关关系。此外,该实验中得知,例如对于蠕变率为1.0(%)以上且10.0(%)以下的范围中的任一值的材料、与蠕变率大于10.0(%)的材料而言,前者材料的抗蚀剂层产生裂纹之前的时间、及透镜从抗蚀剂层剥离之前的时间远远长于后者材料。此外,对于马氏硬度为0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的范围中的任一值的材料与并非如此的材料而言,也得知与后者材料相比,前者材料的抗蚀剂层产生裂纹之前的时间、及透镜从抗蚀剂层剥离之前的时间较长。进而,对于弹性能为1.0(N·mm)以上且10.0(N·mm)以下的范围中的任一值的材料与并非如此的材料而言,也得知与后者材料相比,前者材料的抗蚀剂层产生裂纹之前的时间、及透镜从抗蚀剂层剥离之前的时间较长。
抗蚀剂层32的厚度也可为2μm以上且100μm以下的范围中的任一值。此外,抗蚀剂层32的材料中,也可包含氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)及氧化硅(SiO2)中的至少一种材料。
此外,在第1面21a侧,以包围多个发光二极管元件29的各者的方式设置有环状的反射框34。在反射框34的内侧填充有密封发光二极管元件29的密封树脂35。密封树脂35中含有由发光二极管元件29产生的光激发的荧光体。例如,在发光模块13放射白色光的情形时,使用蓝色发光的发光二极管元件29与以黄色为主成分的荧光体。发光二极管元件29产生的蓝色光、与由发光二极管元件29产生的蓝色光激发的荧光体所产生的黄色光混合,从而从密封树脂35的表面放射白色光。另外,可根据要照射的光的颜色而使用对应的颜色的发光二极管元件29及荧光体。
此外,散热器(heat spreader)37经由焊料层38固定在第2镀铜层23b上。散热器37热连接于第2镀铜层23b。散热器37具有板厚为0.1mm~3mm的铜板39。在铜板39的整个表面,例如形成有镀镍等的金属镀敷层40。在散热器37的四角,形成有用以利用螺丝固定在照明装置10的散热部上的安装孔41。
此外,透镜50由包含硅酮树脂的材料形成。透镜50密接于抗蚀剂层32的基板21侧的相反侧的面上。抗蚀剂层32由包含硅酮树脂的材料形成。此处,虽然马氏硬度、弹性能、蠕变率等的值未被规定为上述范围内的硅酮彼此的密接强度弱,但如上所述般,通过使抗蚀剂层32的材料的特性为上述范围的值,而可缓和使透镜50覆盖抗蚀剂层32时的接合应力。其结果,抗蚀剂层32与透镜50的密接强度提高。因此,发光模块13的可靠性提高。
上述的发光模块13以如下方式设置在器具主体11上而使用。例如,如上述的图4所示,将多个发光模块13设置在器具主体11内。在该情形时,通过散热器37的安装孔41及螺丝而将该散热器37固定在器具主体11的散热部上。而且,将散热器37热连接于器具主体11的散热部。此外,通过电线而电气连接配线图案24的一对电极部27与点灯装置14。
而且,通过从点灯装置14对多个发光模块13供给点灯电力,而使点灯电力通过各发光模块13的配线图案24而流过多个发光二极管元件29,因此多个发光模块13点灯,来自多个发光模块13的光从投光窗12放射。
在发光模块13点灯时多个发光二极管元件29产生的热量,高效率地向第1镀铜层23a、基板21、第2镀铜层23b、散热器37导热。进而,从散热器37高效率地导热至器具主体11的散热部,并从器具主体11的散热部散热。
以上,对第1实施方式进行了说明。第1实施方式的发光模块13具有基板21。而且,第1实施方式的发光模块13具有设置在基板21上的发光元件(例如发光二极管元件29)。进而,第1实施方式的发光模块13具有反射构件(例如抗蚀剂层32),该反射构件设置在基板21上,由包含硅酮树脂的材料形成,材料的马氏硬度为0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的范围中的任一值,且反射通过发光元件发出的光。由包含硅酮树脂的材料形成、且材料的马氏硬度为0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的范围中的任一值的反射构件,比马氏硬度大于10.0(N/mm2)的包含硅酮树脂的材料柔软。因此,第1实施方式的反射构件即便在基板21因发光元件的热而膨胀的情形时,也不易产生裂纹等。由此,根据具有该反射构件的第1实施方式的发光模块13及照明装置10,能提高可靠性。
此外,形成第1实施方式的反射构件(例如抗蚀剂层32)的材料的弹性能为1.0(N·mm)以上且10.0(N·mm)以下的范围中的任一值。材料的弹性能为1.0(N·mm)以上且10.0(N·mm)以下的范围中的任一值的反射构件,比弹性能大于10.0(N·mm)的包含硅酮树脂的材料柔软。因此,第1实施方式的反射构件即便在基板21因发光元件(例如发光二极管元件29)的热而膨胀的情形时,也不易产生裂纹等。由此,根据具有该反射构件的第1实施方式的发光模块13及照明装置10,能提高可靠性。
此外,形成第1实施方式的反射构件(例如抗蚀剂层32)的材料的蠕变率为1.0(%)以上且10.0(%)以下的范围中的任一值。材料的蠕变率为1.0(%)以上且10.0(%)以下的范围中的任一值的反射构件,比蠕变率大于10.0(%)的包含硅酮树脂的材料柔软。因此,第1实施方式的反射构件即便在基板21因发光元件(例如发光二极管元件29)的热而膨胀的情形时,也不易产生裂纹等。由此,根据具有该反射构件的第1实施方式的发光模块13及照明装置10,能提高可靠性。
此外,第1实施方式的发光模块13具有镀敷构件(例如第1镀铜层23a),该镀敷构件设置在基板21与反射构件(例如抗蚀剂层32)之间,且经过镀敷处理。此外,第1实施方式的发光模块13具有黏结构件(例如基底层31),该黏结构件设置在镀敷构件与反射构件之间,由包含环氧树脂的材料形成,且黏结镀敷构件与反射构件。包含环氧树脂的材料的使镀敷构件与反射构件密接的密接性高。因此,可抑制反射构件从镀敷构件剥离。由此,根据第1实施方式的发光模块13及照明装置10,能提高可靠性。
此外,第1实施方式的发光模块13具有透镜50,该透镜50密接于反射构件(例如抗蚀剂层32)的与基板21侧为相反侧的面上,且由包含硅酮树脂的材料形成。马氏硬度、弹性能或蠕变率为上述范围内的反射构件如上所述般柔软。因此,透镜50与反射构件强力地密接而不易剥离。由此,根据第1实施方式的发光模块13及照明装置10,能提高可靠性。
此外,第1实施方式的反射构件(例如抗蚀剂层32)的厚度为10μm以上且100μm以下的范围中的任一值。此外,第1实施方式的反射构件的材料中包含氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)及氧化硅(SiO2)中的至少一种材料。
第2实施方式
下面,对第2实施方式进行说明。与上述的第1实施方式不同之处是如下方面,即,在第2实施方式中,抗蚀剂层32以使基底层31的至少一部分的端部不露出于外部的方式覆盖基底层31。其他方面与第1实施方式相同,因此省略说明。
图6是表示第2实施方式的发光模块的图。形成基底层31的材料中所含的环氧树脂等容易产生因热所引起的劣化、及因光所引起的劣化。由此,如图6所示,抗蚀剂层32以使基底层31的至少一部分的端部不露出于外部的方式设置。由此,可抑制基底层31与大气接触。因此,基底层31不易劣化。由此,具有第2实施方式的抗蚀剂层32的发光模块13及照明装置10,能进而提高可靠性。
图7是用以说明第2实施方式的抗蚀剂层的图。如图7所示,在从第1镀铜层23a的与基板21侧为相反侧的面至基板21的距离的一半的部分P上,抗蚀剂层32的厚度T优选为2μm以上且5mm以下的值。
以上,对第2实施方式进行了说明。第2实施方式发挥与第1实施方式相同的效果。此外,第2实施方式的反射构件(例如抗蚀剂层32),以使黏结构件(例如基底层31)的至少一部分的端部不露出于外部的方式设置。由此,可抑制黏结构件露出于大气中,该黏结构件由包含易于产生因热所引起的劣化、且易于产生因光所引起的劣化的环氧树脂的材料形成。其结果,黏结构件不易劣化。由此,具有第2实施方式的反射构件的发光模块13及照明装置10,能进一步提高可靠性。
此外,第2实施方式中,在从镀敷构件(例如第1镀铜层23a)至基板21的距离的一半的部分P上,反射构件的厚度为2μm以上且5mm以下。
对本发明的几个实施方式进行了说明,但这些实施方式是作为例子而例示者,并未意图限定发明的范围。这些实施方式可以其他各种形态实施,且可在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形,与包含于发明的范围及主旨中同样地包含于权利要求的范围中所记载的发明及其均等的范围中。
Claims (11)
1.一种发光模块,其特征在于包括:
基板;
发光元件,设置在所述基板上;以及
反射构件,设置在所述基板上,由包含硅酮树脂的材料形成,所述材料的马氏硬度为0.05N/mm2以上且10.0N/mm2以下的范围中的任一值,且反射由所述发光元件发出的光。
2.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:形成所述反射构件的所述材料的弹性能为1.0N·mm以上且10.0N·mm以下的范围中的任一值。
3.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:形成所述反射构件的所述材料的蠕变率为1.0%以上且10.0%以下的范围中的任一值。
4.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于还包括:
镀敷构件,设置在所述基板与所述反射构件之间,且经过镀敷处理;以及
黏结构件,设置在所述镀敷构件与所述反射构件之间,由包含环氧树脂的材料形成,且将所述镀敷构件与所述反射构件黏结。
5.根据权利要求4所述的发光模块,其特征在于:所述反射构件以使所述黏结构件的至少一部分的端部不露出于外部的方式设置。
6.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于还包括:透镜,密接于所述反射构件的所述基板侧的相反侧的面上,且由包含硅酮树脂的材料形成。
7.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:所述反射构件的厚度为2μm以上且100μm以下的范围中的任一值。
8.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:所述反射构件的材料包含氧化钛、氧化铝及氧化硅中的至少一种材料。
9.根据权利要求5所述的发光模块,其特征在于:在从所述镀敷构件至所述基板的距离的一半的部分上,所述反射构件的厚度为2μm以上且5mm以下。
10.一种照明装置,其特征在于包括:
发光模块;以及
点灯装置,对所述发光模块供给电力;且
所述发光模块包括:
基板;
发光元件,设置在所述基板上;以及
反射构件,设置在所述基板上,由包含硅酮树脂的材料形成,所述材料的马氏硬度为0.05N/mm2以上且10.0N/mm2以下的范围中的任一值,且反射由所述发光元件发出的光。
11.根据权利要求10所述的照明装置,其特征在于:所述照明装置为用于照亮的投光灯。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012-174822 | 2012-08-07 | ||
JP2012174822 | 2012-08-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103579441A true CN103579441A (zh) | 2014-02-12 |
Family
ID=50050790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310104951.9A Pending CN103579441A (zh) | 2012-08-07 | 2013-03-28 | 发光模块及照明装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140043814A1 (zh) |
CN (1) | CN103579441A (zh) |
TW (1) | TW201407081A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200107601A (ko) * | 2019-03-08 | 2020-09-16 | 항조우 유종 가오홍 라이팅 일렉트리컬 이퀴프먼트 컴퍼니 리미티드 | 슬림 타입 led 투광등 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7728345B2 (en) * | 2001-08-24 | 2010-06-01 | Cao Group, Inc. | Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame |
JP2013201255A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008014122A1 (de) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
JP2011199055A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 放熱シートおよびこの放熱シートを用いた電子機器 |
CN102893417B (zh) * | 2010-03-23 | 2016-06-15 | 株式会社朝日橡胶 | 有机硅树脂制反射基材及其制造方法、以及用于该反射基材的原材料组合物 |
-
2013
- 2013-03-14 US US13/830,653 patent/US20140043814A1/en not_active Abandoned
- 2013-03-28 CN CN201310104951.9A patent/CN103579441A/zh active Pending
- 2013-03-29 TW TW102111285A patent/TW201407081A/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200107601A (ko) * | 2019-03-08 | 2020-09-16 | 항조우 유종 가오홍 라이팅 일렉트리컬 이퀴프먼트 컴퍼니 리미티드 | 슬림 타입 led 투광등 |
KR102249908B1 (ko) * | 2019-03-08 | 2021-05-07 | 항조우 유종 가오홍 라이팅 일렉트리컬 이퀴프먼트 컴퍼니 리미티드 | 슬림 타입 led 투광등 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201407081A (zh) | 2014-02-16 |
US20140043814A1 (en) | 2014-02-13 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140212 |