TW201407081A - 發光模組及照明裝置 - Google Patents

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Takuya Honma
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Toshiba Lighting & Technology
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Abstract

本發明的實施方式關於一種發光模塊及照明裝置。本發明的實施方式的發光模組具有基板。而且，本發明的實施方式的發光模組具有設置在基板上的發光元件。而且，本發明的實施方式的發光模組具有反射構件，該反射構件設置在基板上，由包含矽酮樹脂的材料形成，材料的馬氏硬度為0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的範圍中的任一值，且反射由發光元件發出的光。

Description

發光模組及照明裝置 參照相關申請
本申請享有在2012年8月7日申請的日本專利申請編號2012-174822的優先權的利益，該日本專利申請的全部內容引用於本申請中。
本發明是有關於一種發光模組(module)及照明裝置。
近年來，隨著發光二極體(light emitting diode，LED)的高效率化，就光的提取方面而言，發光模組中需要使用具有高反射率特性的材料。尤其，發光模組的抗蝕劑(resist)部分在光提取方面作用大。由此有如下技術，即，使反射率比較高的Al2O3等陶瓷(ceramic)分散在有機溶劑中之後塗佈在基板上並進行煅燒，而將所得的無機系的陶瓷塗敷材料用於抗蝕劑部分。
此外，另一方面，對構成發光模組的構件的熱及光的負荷也變大。而且，伴隨此，也容易產生由熱及光所引起的構件的劣化。構件的劣化會引起從發光模組輸出的光的光束維持率下 降。例如，對於陶瓷塗敷材料而言，有因基板受熱膨脹而產生裂紋(crack)之虞。而且，陶瓷塗敷材料如果產生裂紋，則反射率特性下降。此外，陶瓷塗敷材料與其他構件的密接性低。因此，陶瓷塗敷材料的通用性低。
由此，也考慮將由包含矽酮樹脂(silicone resin)的材料形成的構件用於抗蝕劑部分。然而，如果僅單純地將由包含矽酮樹脂的材料形成的構件用於抗蝕劑部分，則會因該構件硬，使得在基板因發光元件等的熱而膨脹的情形時，而有在構件產生裂紋之虞。因此，如果僅單純地將由包含矽酮樹脂的材料形成的構件用於抗蝕劑部分，則存在發光模組、及具有發光模組的照明裝置的可靠性低的問題。
本發明所要解決的課題是提供一種可靠性高的發光模組及照明裝置。
實施方式的發光模組包括：基板；發光元件，設置在所述基板上；以及反射構件，設置在所述基板上，由包含矽酮樹脂的材料形成，所述材料的馬氏硬度(Martens hardness)為0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的範圍中的任一值，且反射由所述發光元件發出的光。
實施方式的照明裝置包括：發光模組；以及點燈裝置，對所述發光模組供給電力；且該發光模組包括：基板；發光元件， 設置在所述基板上；以及反射構件，設置在所述基板上，由包含矽酮樹脂的材料形成，所述材料的馬氏硬度為0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的範圍中的任一值，且反射由所述發光元件發出的光。
根據本發明，能期待可靠性提高。
10‧‧‧照明裝置
11‧‧‧器具主體
12‧‧‧投光窗
13‧‧‧發光模組
14‧‧‧點燈裝置
20‧‧‧配線基板裝置
21‧‧‧陶瓷基板
21a‧‧‧第1面
21b‧‧‧第2面
22a‧‧‧第1電極層
22b‧‧‧第2電極層
23a‧‧‧第1鍍銅層
23b‧‧‧第2鍍銅層
24‧‧‧配線圖案
25‧‧‧金屬鍍敷層
26‧‧‧直接鍍銅基板
27‧‧‧電極部
28‧‧‧配線部
29‧‧‧發光二極體元件
30‧‧‧晶片焊接層
31‧‧‧基底層
32‧‧‧抗蝕劑層
33‧‧‧反射面
34‧‧‧反射框
35‧‧‧密封樹脂
37‧‧‧散熱器
38‧‧‧焊料層
39‧‧‧銅板
40‧‧‧金屬鍍敷層
41‧‧‧安裝孔
50‧‧‧透鏡
A、B、C、D‧‧‧點
T‧‧‧厚度
P‧‧‧部分
圖1是表示第1實施方式的發光模組的一例的圖。
圖2是表示第1實施方式的發光模組的一例的圖。
圖3是表示第1實施方式的發光模組的一例的圖。
圖4是表示照明裝置的一例的圖。
圖5是表示馬氏硬度、蠕變率、彈性模數的測定方法的例子的圖。
圖6是表示第2實施方式的發光模組的圖。
圖7是用以說明第2實施方式的抗蝕劑層的圖。
以下，參照圖式對各實施方式的發光模組及照明裝置進行說明。各實施方式中對具有同一功能的構成附上同一符號並省 略重複說明。另外，以下的實施方式中所說明的發光模組及照明裝置只不過表示一例，並非為限定本發明者。此外，以下的實施方式也可在不矛盾的範圍內適當組合。
以下的第1實施方式及第2實施方式中，發光模組具有基板。而且，第1實施方式及第2實施方式中，發光模組具有設置在基板上的發光元件。進而，第1實施方式及第2實施方式中，發光模組具有反射構件，該反射構件設置在基板上，由包含矽酮樹脂的材料形成，材料的馬氏硬度為0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的範圍中的任一值，且反射由發光元件發出的光。由包含矽酮樹脂的材料形成、材料的馬氏硬度為0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的範圍中的任一值的反射構件，比馬氏硬度大於10.0(N/mm2)的包含矽酮樹脂的材料柔軟。因此，第1實施方式及第2實施方式的反射構件即便在基板因發光元件的熱而膨脹的情形時，也不易產生裂紋等。由此，根據具有該反射構件的第1實施方式及第2實施方式的發光模組及照明裝置，能提高可靠性。
此外，以下的第1實施方式及第2實施方式中，形成反射構件的材料的彈性能(elastic energy)為1.0(N．mm)以上且10.0(N．mm)以下的範圍中的任一值。材料的彈性能為1.0(N．mm)以上且10.0(N．mm)以下的範圍中的任一值的反射構件，比彈性能大於10.0(N．mm)的包含矽酮樹脂的材料柔軟。因此，第1實施方式及第2實施方式的反射構件即便在基板因發光元件的熱而 膨脹的情形時，也不易產生裂紋等。由此，根據具有該反射構件的第1實施方式及第2實施方式的發光模組及照明裝置，能提高可靠性。
此外，以下的第1實施方式及第2實施方式中，形成反射構件的材料的蠕變率(creep rate)為1.0(%)以上且10.0(%)以下的範圍中的任一值。材料的蠕變率為1.0(%)以上且10.0(%)以下的範圍中的任一值的反射構件，比蠕變率大於10.0(%)的包含矽酮樹脂的材料柔軟。因此，第1實施方式及第2實施方式的反射構件即便在基板因發光元件的熱而膨脹的情形時，也不易產生裂紋等。由此，根據具有該反射構件的第1實施方式及第2實施方式的發光模組及照明裝置，能提高可靠性。
此外，以下的第1實施方式及第2實施方式的各實施方式的發光模組具有鍍敷構件，該鍍敷構件設置在基板與反射構件之間，且經過鍍敷處理。此外，以下的第1實施方式及第2實施方式的各實施方式的發光模組具有接著構件，該接著構件設置在鍍敷構件與反射構件之間，由包含環氧樹脂(epoxy resin)的材料形成，並且將鍍敷構件與反射構件接著。包含環氧樹脂的材料使鍍敷構件與反射構件密接的密接性高。因此，可抑制反射構件從鍍敷構件剝離。由此，根據第1實施方式及第2實施方式的各實施方式的發光模組，能提高可靠性。
此外，以下的第1實施方式及第2實施方式的各實施方式的發光模組具有透鏡(lens)，該透鏡密接於反射構件的與基板 側為相反側的面上，且由包含矽酮樹脂的材料形成。馬氏硬度、彈性能或蠕變率為上述範圍內的反射構件如上所述般柔軟。因此，透鏡與反射構件强力地密接而不易剝離。由此，根據第1實施方式及第2實施方式的各實施方式的發光模組，能提高可靠性。
此外，以下的第1實施方式及第2實施方式的反射構件的厚度為2 μm以上且100 μm以下的範圍中的任一值。
此外，以下的第1實施方式及第2實施方式的反射構件的材料中，包含氧化鈦(titanium oxide)(TiO2)、氧化鋁(alumina)(Al2O3)及氧化矽(silica)(SiO2)中的至少一種材料。
此外，以下的第1實施方式及第2實施方式的照明裝置包括：發光模組；以及點燈裝置，對發光模組供給電力。具有上述的發光模組的照明裝置根據與上述的理由相同的理由，能提高可靠性。
此外，以下的第2實施方式的反射構件以使接著構件的至少一部分的端部不露出於外部的方式設置。由此，可抑制接著構件露出於大氣中，該接著構件由包含容易產生因熱所引起的劣化、且容易產生因光所引起的劣化的環氧樹脂的材料形成。其結果，接著構件不易劣化。由此，具有第2實施方式的反射構件的發光模組，能進一步提高可靠性。
此外，以下的第2實施方式中，在從鍍敷構件至基板的距離的一半的部分上，反射構件的厚度為2 μm以上且5 mm以下。
此外，以下的第1實施方式及第2實施方式中，作為半 導體的發光元件，可列舉發光二極體晶片(chip)，但並不限定於此，例如，也可使用半導體雷射(laser)、電致發光(electroluminescence，EL)元件。在發光元件使用發光二極體晶片的情形時，發光二極體晶片的發光色可為紅色、綠色、藍色中的任一色。此外，也可組合使用不同的發光色的發光二極體晶片。
[第1實施方式]
參照圖1~圖4對第1實施方式進行說明。圖4是表示照明裝置的一例的圖。圖4中示有照明裝置10。照明裝置10為例如用於照亮等(light up)的投光燈。照明裝置10具有器具主體11。在器具主體11上設置有投光窗12。在器具主體11內收納有與投光窗12對向的多個發光模組13。在器具主體11內的下部收納有對發光模組13供給點燈電力的點燈裝置14。而且，透過從點燈裝置14對多個發光模組13供給點燈電力，而使多個發光模組13點燈並從投光窗12放射光。
圖1~圖3是表示第1實施方式的發光模組的一例的圖。圖1~圖3中示有第1實施方式的發光模組13。發光模組13具有配線基板裝置20。
配線基板裝置20具有四邊形狀的陶瓷基板21。以下，將陶瓷基板21簡單地稱作基板21。基板21的前面側為第1面21a。基板21的背面側為第2面21b。在第1面21a上形成有第1電極層22a。在第1電極層22a上形成有第1鍍銅層23a。透過這些第1電極層22a及第1鍍銅層23a而形成有規定的形狀的配線圖案 (pattern)24。另一方面，在第2面21b的大致整個面上形成有第2電極層22b。在第2電極層22b上形成有第2鍍銅層23b。進而，在第1鍍銅層23a、第2鍍銅層23b的表面上形成有保護第1鍍銅層23a、第2鍍銅層23b的金屬鍍敷層25。
第1電極層22a、第2電極層22b例如透過鈦等的金屬的濺鍍(spattering)形成。第1鍍銅層23a、第2鍍銅層23b透過鍍銅處理形成。此外，金屬鍍敷層25例如透過鍍鎳/金處理、或鍍鎳/鉛/金處理形成。透過基板21、第1電極層22a、第2電極層22b、第1鍍銅層23a、第2鍍銅層23b、及金屬鍍敷層25而形成直接鍍銅(Direct Plated Copper，DPC)基板26。
第1電極層22a與第2電極層22b形成為相同厚度。此外，第1鍍銅層23a與第2鍍銅層23b形成為相同厚度。
如圖3所示，配線圖案24具有從外部接受點燈電力的供給的一對電極部27。在一對電極部27間並排形成有多個配線部28。而且，在鄰接的配線部28上安裝有多個發光二極體元件29。
多個發光二極體元件29例如圖1所示般，使用倒裝晶片類型(flip chip type)等的在背面側具有一對電極的類型。多個發光二極體元件29的一對電極透過晶片焊接(solder die bond)層30而電氣連接於第1鍍銅層23a。另外，發光二極體元件29也可如面朝上類型(face up type)般，在表面側具有電極，且透過引線接合(wire bonding)而連接發光二極體元件29的電極與配線圖案24。
如圖2所示，在包含第1鍍銅層23a上在內的第1面21a側形成有基底層31。基底層31由包含環氧樹脂等的有機材料的材料形成。基底層31設置在第1鍍銅層23a與後述的抗蝕劑層32之間，且將第1鍍銅層23a與後述的抗蝕劑層32接著。如下文所說明，抗蝕劑層32是由包含矽酮樹脂的材料形成。因此，透過基底層31使由該材料形成的抗蝕劑層32與第1鍍銅層23a密接，從而抗蝕劑層32與第1鍍銅層23a的密接性提高。如此般透過基底層31而提高抗蝕劑層32與第1鍍銅層23a的密接性，因此發光模組13的可靠性提高。
在基底層31上形成有抗蝕劑層32。抗蝕劑層32的表面是作為反射從多個發光二極體元件29放出的光的反射面33而形成。
抗蝕劑層32由包含矽酮樹脂的材料形成。此外，作為抗蝕劑層32的材料，使用材料的馬氏硬度為0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的範圍中的任一值的材料。此外，作為抗蝕劑層32的材料，使用材料的彈性能為1.0(N．mm)以上且10.0(N．mm)以下的範圍中的任一值的材料。此外，作為抗蝕劑層32的材料，使用材料的蠕變率為1.0(%)以上且10.0(%)以下的範圍中的任一值的材料。
另外，關於馬氏硬度、彈性能、蠕變率的詳情將於下文示出。
<馬氏硬度>
馬氏硬度是指利用由ISO14577-1金屬材料硬度的儀器化壓痕測試及材料參數第1部分：測試方法(Metallic materials-Instrumented indentation test for hardness and materials parameters Part I：Test method)“金屬材料-硬度的儀器化壓痕測試及材料參數”定義的測定方法所獲得的物性值。而且，該物性值是使用荷重(load)、及相應壓入深度而計算出。
<蠕變率>
蠕變率(也稱為壓入蠕變率)為使某固定時間的荷重為固定的情形時的深度(凹陷深度)的變化率，如果設蠕變率為C，則以(1)式表示。
C=((h2-h1)/h1)*100 (1)
(1)式的h1是達到設定試驗荷重時的深度，h2是保持設定試驗荷重時的深度。
<彈性模數>
彈性模數是表示變形的難易度的物性值，且為彈性變化中的應力與應變之間的比例常數。
例如，將頂端角為120°的三角錐的金剛石壓頭(diamond indenter)壓入樣品，根據測定其深度而所獲得的如圖5的深度-荷重的關係圖，而可測定馬氏硬度、蠕變率及彈性模數。
此處，圖5的例中的點B所示的深度對應於(1)式的h1，點C所示的深度對應於(1)式的h2。此外，圖5的例中，彈性模數以點C所示的深度與點D所示的深度的比率、即連結點 C與點D的線段的斜率表示。
另外，圖5中，從點A至點B的樣品的變形表示塑性變形。此外，圖5中，從點C至點D的樣品的變形表示彈性變形。
這些形成抗蝕劑層32的材料的馬氏硬度、彈性能、蠕變率的範圍為進行規定的實驗的結果所獲得的範圍，該範圍是即便基板熱膨脹也不會產生裂紋，且與抗蝕劑層密接的透鏡不易從抗蝕劑層剝離。對該實驗進行說明。該實驗中，使用形成抗蝕劑層的包含矽酮樹脂的材料的馬氏硬度、彈性能、蠕變率的值為各種值的發光模組，求出抗蝕劑層產生裂紋之前的時間、及透鏡從抗蝕劑層剝離之前的時間。該實驗中得知，對於抗蝕劑層產生裂紋之前的時間較長的發光模組而言，透鏡從抗蝕劑層剝離之前的時間也較長，從而得知抗蝕劑層產生裂紋之前的時間、與透鏡從抗蝕劑層剝離之前的時間之間存在相關關係。此外，該實驗中得知，例如對於蠕變率為1.0(%)以上且10.0(%)以下的範圍中的任一值的材料、與蠕變率大於10.0(%)的材料而言，前者材料的抗蝕劑層產生裂紋之前的時間、及透鏡從抗蝕劑層剝離之前的時間遠遠長於後者材料。此外，對於馬氏硬度為0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的範圍中的任一值的材料與並非如此的材料而言，也得知與後者材料相比，前者材料的抗蝕劑層產生裂紋之前的時間、及透鏡從抗蝕劑層剝離之前的時間較長。進而，對於彈性能為1.0(N．mm)以上且10.0(N．mm)以下的範圍中的任一值的材料與並非如此的材料而言，也得知與後者材料相比，前 者材料的抗蝕劑層產生裂紋之前的時間、及透鏡從抗蝕劑層剝離之前的時間較長。
抗蝕劑層32的厚度也可為2 μm以上且100 μm以下的範圍中的任一值。此外，抗蝕劑層32的材料中，也可包含氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)及氧化矽(SiO2)中的至少一種材料。
此外，在第1面21a側，以包圍多個發光二極體元件29的各者的方式設置有環狀的反射框34。在反射框34的內側填充有密封發光二極體元件29的密封樹脂35。密封樹脂35中含有由發光二極體元件29產生的光激發的螢光體。例如，在發光模組13放射白色光的情形時，使用藍色發光的發光二極體元件29與以黃色為主成分的螢光體。發光二極體元件29產生的藍色光、與由發光二極體元件29產生的藍色光激發的螢光體所產生的黃色光混合，從而從密封樹脂35的表面放射白色光。另外，可根據要照射的光的顏色而使用對應的顏色的發光二極體元件29及螢光體。
此外，散熱器(heat spreader)37經由焊料層38固定在第2鍍銅層23b上。散熱器37熱連接於第2鍍銅層23b。散熱器37具有板厚為0.1 mm~3 mm的銅板39。在銅板39的整個表面，例如形成有鍍鎳等的金屬鍍敷層40。在散熱器37的四角，形成有用以利用螺絲固定在照明裝置10的散熱部上的安裝孔41。
此外，透鏡50由包含矽酮樹脂的材料形成。透鏡50密接於抗蝕劑層32的基板21側的相反側的面上。抗蝕劑層32由包含矽酮樹脂的材料形成。此處，雖然馬氏硬度、彈性能、蠕變率 等的值未被規定為上述範圍內的矽酮彼此的密接强度弱，但如上所述般，透過使抗蝕劑層32的材料的特性為上述範圍的值，而可緩和使透鏡50覆蓋抗蝕劑層32時的接合應力。其結果，抗蝕劑層32與透鏡50的密接强度提高。因此，發光模組13的可靠性提高。
上述的發光模組13以如下方式設置在器具主體11上而使用。例如，如上述的圖4所示，將多個發光模組13設置在器具主體11內。在該情形時，透過散熱器37的安裝孔41及螺絲而將該散熱器37固定在器具主體11的散熱部上。而且，將散熱器37熱連接於器具主體11的散熱部。此外，透過電線而電氣連接配線圖案24的一對電極部27與點燈裝置14。
而且，透過從點燈裝置14對多個發光模組13供給點燈電力，而使點燈電力透過各發光模組13的配線圖案24而流過多個發光二極體元件29，因此多個發光模組13點燈，來自多個發光模組13的光從投光窗12放射。
在發光模組13點燈時多個發光二極體元件29產生的熱量，高效率地向第1鍍銅層23a、基板21、第2鍍銅層23b、散熱器37導熱。進而，從散熱器37高效率地導熱至器具主體11的散熱部，並從器具主體11的散熱部散熱。
以上，對第1實施方式進行了說明。第1實施方式的發光模組13具有基板21。而且，第1實施方式的發光模組13具有設置在基板21上的發光元件(例如發光二極體元件29)。進而， 第1實施方式的發光模組13具有反射構件(例如抗蝕劑層32)，該反射構件設置在基板21上，由包含矽酮樹脂的材料形成，材料的馬氏硬度為0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的範圍中的任一值，且反射透過發光元件發出的光。由包含矽酮樹脂的材料形成、且材料的馬氏硬度為0.05(N/mm2)以上且10.0(N/mm2)以下的範圍中的任一值的反射構件，比馬氏硬度大於10.0(N/mm2)的包含矽酮樹脂的材料柔軟。因此，第1實施方式的反射構件即便在基板21因發光元件的熱而膨脹的情形時，也不易產生裂紋等。由此，根據具有該反射構件的第1實施方式的發光模組13及照明裝置10，能提高可靠性。
此外，形成第1實施方式的反射構件(例如抗蝕劑層32)的材料的彈性能為1.0(N．mm)以上且10.0(N．mm)以下的範圍中的任一值。材料的彈性能為1.0(N．mm)以上且10.0(N．mm)以下的範圍中的任一值的反射構件，比彈性能大於10.0(N．mm)的包含矽酮樹脂的材料柔軟。因此，第1實施方式的反射構件即便在基板21因發光元件(例如發光二極體元件29)的熱而膨脹的情形時，也不易產生裂紋等。由此，根據具有該反射構件的第1實施方式的發光模組13及照明裝置10，能提高可靠性。
此外，形成第1實施方式的反射構件(例如抗蝕劑層32)的材料的蠕變率為1.0(%)以上且10.0(%)以下的範圍中的任一值。材料的蠕變率為1.0(%)以上且10.0(%)以下的範圍中的任一值的反射構件，比蠕變率大於10.0(%)的包含矽酮樹脂的 材料柔軟。因此，第1實施方式的反射構件即便在基板21因發光元件(例如發光二極體元件29)的熱而膨脹的情形時，也不易產生裂紋等。由此，根據具有該反射構件的第1實施方式的發光模組13及照明裝置10，能提高可靠性。
此外，第1實施方式的發光模組13具有鍍敷構件(例如第1鍍銅層23a)，該鍍敷構件設置在基板21與反射構件(例如抗蝕劑層32)之間，且經過鍍敷處理。此外，第1實施方式的發光模組13具有接著構件(例如基底層31)，該接著構件設置在鍍敷構件與反射構件之間，由包含環氧樹脂的材料形成，且接著鍍敷構件與反射構件。包含環氧樹脂的材料的使鍍敷構件與反射構件密接的密接性高。因此，可抑制反射構件從鍍敷構件剝離。由此，根據第1實施方式的發光模組13及照明裝置10，能提高可靠性。
此外，第1實施方式的發光模組13具有透鏡50，該透鏡50密接於反射構件(例如抗蝕劑層32)的與基板21側為相反側的面上，且由包含矽酮樹脂的材料形成。馬氏硬度、彈性能或蠕變率為上述範圍內的反射構件如上所述般柔軟。因此，透鏡50與反射構件强力地密接而不易剝離。由此，根據第1實施方式的發光模組13及照明裝置10，能提高可靠性。
此外，第1實施方式的反射構件(例如抗蝕劑層32)的厚度為10 μm以上且100 μm以下的範圍中的任一值。此外，第1實施方式的反射構件的材料中包含氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)及氧化矽(SiO2)中的至少一種材料。
[第2實施方式]
下面，對第2實施方式進行說明。與上述的第1實施方式不同之處是如下方面，即，在第2實施方式中，抗蝕劑層32以使基底層31的至少一部分的端部不露出於外部的方式覆蓋基底層31。其他方面與第1實施方式相同，因此省略說明。
圖6是表示第2實施方式的發光模組的圖。形成基底層31的材料中所含的環氧樹脂等容易產生因熱所引起的劣化、及因光所引起的劣化。由此，如圖6所示，抗蝕劑層32以使基底層31的至少一部分的端部不露出於外部的方式設置。由此，可抑制基底層31與大氣接觸。因此，基底層31不易劣化。由此，具有第2實施方式的抗蝕劑層32的發光模組13及照明裝置10，能進而提高可靠性。
圖7是用以說明第2實施方式的抗蝕劑層的圖。如圖7所示，在從第1鍍銅層23a的與基板21側為相反側的面至基板21的距離的一半的部分P上，抗蝕劑層32的厚度T較佳為2 μm以上且5 mm以下的值。
以上，對第2實施方式進行了說明。第2實施方式發揮與第1實施方式相同的效果。此外，第2實施方式的反射構件(例如抗蝕劑層32)，以使接著構件(例如基底層31)的至少一部分的端部不露出於外部的方式設置。由此，可抑制接著構件露出於大氣中，該接著構件由包含易於產生因熱所引起的劣化、且易於產生因光所引起的劣化的環氧樹脂的材料形成。其結果，接著構 件不易劣化。由此，具有第2實施方式的反射構件的發光模組13及照明裝置10，能進一步提高可靠性。
此外，第2實施方式中，在從鍍敷構件(例如第1鍍銅層23a)至基板21的距離的一半的部分P上，反射構件的厚度為2 μm以上且5 mm以下。
對本發明的幾個實施方式進行了說明，但這些實施方式是作為例子而例示者，並未意圖限定發明的範圍。這些實施方式可以其他各種形態實施，且可在不脫離發明的主旨的範圍內進行各種省略、替換、變更。這些實施方式及其變形，與包含於發明的範圍及主旨中同樣地包含於申請專利範圍中所記載的發明及其均等的範圍中。
10‧‧‧照明裝置
11‧‧‧器具主體
12‧‧‧投光窗
13‧‧‧發光模組
14‧‧‧點燈裝置

Claims (11)

  1. 一種發光模組，其特徵在於包括：基板；發光元件，設置在所述基板上；以及反射構件，設置在所述基板上，由包含矽酮樹脂的材料形成，所述材料的馬氏硬度為0.05 N/mm2以上且10.0 N/mm2以下的範圍中的任一值，且反射由所述發光元件發出的光。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中，形成所述反射構件的所述材料的彈性能為1.0 N．mm以上且10.0 N．mm以下的範圍中的任一值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中，形成所述反射構件的所述材料的蠕變率為1.0%以上且10.0%以下的範圍中的任一值。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，更包括：鍍敷構件，設置在所述基板與所述反射構件之間，且經過鍍敷處理；以及接著構件，設置在所述鍍敷構件與所述反射構件之間，由包含環氧樹脂的材料形成，且將所述鍍敷構件與所述反射構件接著。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的發光模組，其中，所述反射構件以使所述接著構件的至少一部分的端部不露出於外部的方式設置。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，更包括：透鏡， 密接於所述反射構件的所述基板側的相反側的面上，且由包含矽酮樹脂的材料形成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中，所述反射構件的厚度為2 μm以上且100 μm以下的範圍中的任一值。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中，所述反射構件的材料包含氧化鈦、氧化鋁及氧化矽中的至少一種材料。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的發光模組，其中，在從所述鍍敷構件至所述基板的距離的一半的部分上，所述反射構件的厚度為2 μm以上且5 mm以下。
  10. 一種照明裝置，其特徵在於包括：發光模組；以及點燈裝置，對所述發光模組供給電力；且所述發光模組包括：基板；發光元件，設置在所述基板上；以及反射構件，設置在所述基板上，由包含矽酮樹脂的材料形成，所述材料的馬氏硬度為0.05 N/mm2以上且10.0 N/mm2以下的範圍中的任一值，且反射由所述發光元件發出的光。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的照明裝置，其中，所述照明裝置為用於照亮的投光燈。
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