CN103578942A - 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 - Google Patents
带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103578942A CN103578942A CN201310559750.8A CN201310559750A CN103578942A CN 103578942 A CN103578942 A CN 103578942A CN 201310559750 A CN201310559750 A CN 201310559750A CN 103578942 A CN103578942 A CN 103578942A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- selectivity
- implantation
- etching
- cutoff layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 88
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 33
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 101100301991 Arabidopsis thaliana RIE1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000734222 Homo sapiens RING finger protein 10 Proteins 0.000 description 1
- 102100033605 RING finger protein 10 Human genes 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层；采用外延或者生长的方法，在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层；在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶，并光刻显影出选择性离子注入区域窗口；从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面；继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面，并去掉光刻胶，获得超薄离子注入牺牲层薄膜。此种制作掩模的方法适用于碳化硅SBD、JBS二极管、MOSFET器件以及其他需要使用高温高能量离子注入的碳化硅器件。
Description
技术领域
本发明涉及离子注入掩模制备技术和刻蚀/腐蚀技术领域，具体涉及一种带有选择性截止层的碳化硅(SiC)高温离子注入掩模的制造方法。
背景技术
碳化硅材料具有优良的物理和电学特性，以其宽的禁带宽度、高的热导率、大的饱和漂移速度和高的临界击穿电场等独特优点，成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想半导体材料，在军事和民事方面具有广阔的应用前景。以SiC材料制备的电力电子器件已成为目前半导体领域的热点器件和前沿研究领域之一。
掩模技术是半导体制造中的重要工艺之一，它是进行选择性掺杂，保护退火的一种重要方法。引入离子注入牺牲层设计，见专利CN201110412636.3汤益丹等“多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法”，不仅可实现阶梯状掺杂浓度分布拐点处的陡直变化，还能减小离子注入造成的表面损伤，避免器件表面沾污，简化表面清洗工艺，从而降低工艺复杂度和不可控性。
但是要获得注入区域所要求的低损伤、厚度薄、面内均一性好及可控性强的离子注入牺牲层薄膜，目前有两种方法：1)采用传统的先形成高温离子注入掩蔽层，再生长离子注入牺牲层的工艺方法。此方法不仅工艺复杂，而且形成的离子注入牺牲层薄膜，由于受厚介质离子注入掩蔽层的影响，面内均一性和可控性差，严重影响的选择性离子注入区域的掺杂分布，从而影响器件的击穿特性；2)采用热氧化方法先形成离子注入牺牲层，再淀积高温离子注入掩蔽层，通过刻蚀的方法，刻蚀至离子注入牺牲层表面。采用此种方法是可行的，但是刻蚀技术不好控制。湿法刻蚀速率较慢，且刻蚀呈各项同性，难以形成陡峭的刻蚀侧壁。干法刻蚀，通常使用ICP刻蚀的方法，可以形成陡峭的侧壁，但由于离子注入牺牲层非常薄，且与掩蔽层的刻蚀选择比不高，刻蚀过程中很容易发生过刻蚀现象，对器件表面造成损伤。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，为获得碳化硅器件制造过程中离子注入区域所要求的低损伤、厚度薄、面内均一性好、可控性强的离子注入牺牲层薄膜，本发明提出了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层；采用外延或者生长的方法，在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层；在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶，并光刻显影出选择性离子注入区域窗口；从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面；继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面，并去掉光刻胶，获得超薄离子注入牺牲层薄膜。
优选地，所述清洗碳化硅衬底采用标准RCA清洗碳化硅衬底，并用N2吹干。
优选地，所述在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜是通过干氧或者湿氧其中一种方式实现的。使用湿氧来形成离子注入牺牲层薄膜时，热氧化温度为1050℃-1150℃，热氧化时间为30分钟～120分钟。使用干氧来形成离子注入牺牲层薄膜时，热氧化温度为1150℃-1250℃，热氧化时间为60分钟～150分钟。
优选地，所述离子注入牺牲层薄膜采用的材料是与所述选择性截止层的刻蚀或腐蚀选择比高于10的任意材料，例如是SiO2或Si3N4。
优选地，所述从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或腐蚀，其中干法刻蚀使用的气体是CF4、C4F8、CHF3、SF6中的任意一种或任意多种的混合物，必要时还可以添加O2、Ar等气体。
优选地，所述选择性截止层是非晶硅或单晶硅中的一种。所述选择性截止层采用非晶硅，所述继续刻蚀或腐蚀以去除选择性截止层时，使用的刻蚀气体为HBr、Cl2中的一种或任意混合物，必要时还可以添加SF6或O2等气体。
(三)有益效果
本发明提供的一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其有益效果在于：
1)本发明提供的选择性高温离子注入掩模，具有良好的阻挡效果，不仅可以满足高温高能离子注入要求，且经过高温离子注入后容易去除，无残留，工艺简单，易于实现，优于金属掩蔽层，不影响器件性能；
2)本发明提供的选择性截止层及刻蚀技术，不仅可以精确的对刻蚀面进行角度控制，且可以精确的控制选择性刻蚀截止位置。
3)本发明提供的注入区域所要求的低损伤、厚度薄、面内均一性好及可控性强的离子注入牺牲层薄膜，不仅可实现阶梯状掺杂浓度分布拐点处的陡直变化，还能减小离子注入造成的表面损伤，避免器件表面沾污，简化表面清洗工艺，从而降低工艺复杂度和不可控性。
4)本发明提供的在离子注入牺牲层与掩蔽层之间插入一层合适选择性截止层的方法，通过选择合适的选择性截止层材料和刻蚀技术，可以在规定的选择性区域精确的控制刻蚀截止位置，从而获得碳化硅器件制造过程中离子注入区域所要求的低损伤、厚度薄、面内均一性好、可控性强的离子注入牺牲层薄膜，提高器件击穿特性。
5)此种制作掩模的方法适用于碳化硅SBD、JBS二极管、MOSFET器件以及其他需要使用高温高能量离子注入的碳化硅器件。
附图说明
图1为本发明提供的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的结构示意图；
图2为本发明提供的制造带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的方法流程图；
图3为依照本发明实施例的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的SEM图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，本发明提供的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模，包括三部分，最上层为绝缘介质掩蔽层4，其作用为注入阻挡层，在SiC材料的高温注入中用于对注入Al元素的阻挡；中间层为选择性截止层3，其作用为，精确控制刻蚀截止在离子注入牺牲层薄膜之上；下层为离子注入牺牲层薄膜2，置于底层SiC衬底1之上，其作用为实现箱型掺杂浓度分布拐点处的陡直变化，减小离子注入造成的表面损伤，避免器件表面沾污，简化表面清洗工艺，从而降低工艺复杂度和不可控性。
选择性注入区域所要求的低损伤、厚度薄、面内均一性好及可控性强的离子注入牺牲层薄膜的作用非常关键。经离子注入工艺仿真，对于SiC材料的Al注入，此薄层最好精确控制在20-100nm，因此，选择性截止层与此离子注入牺牲层薄膜的刻蚀(腐蚀)选择比高达10倍，否则，将发生过刻蚀。
为了实现上述目的，图2提供了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其制造工艺步骤包括：
步骤1：清洗碳化硅衬底；
在本步骤中，采用标准RCA清洗碳化硅衬底，并用N2吹干。
步骤2：在得到的干净碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜。
步骤3：采用LPCVD法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层。
步骤4：在上一步的基础上，采用外延或者生长的方法，在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层。
步骤5：在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶，并光刻显影出选择性离子注入区域窗口。
步骤6：从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面；
步骤7：继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面；
步骤8：去掉光刻胶，获得离子注入区域所要求的低损伤、厚度薄、面内均一性好及可控性强的超薄离子注入牺牲层薄膜。
本发明中，所述在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜是通过干氧或者湿氧其中一种方式形成的。使用湿氧来形成离子注入牺牲层薄膜时，热氧化温度为1050℃-1150℃，热氧化时间为30分钟～120分钟；使用干氧来形成离子注入牺牲层薄膜时，热氧化温度为1150℃-1250℃，热氧化时间为60分钟～150分钟。
本发明中，优选地，离子注入牺牲层薄膜采用的材料可以是SiO2、Si3N4等与选择性截止层的腐蚀(刻蚀)选择比高于10的任意材料。
本发明中，从离子注入区域依次对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或腐蚀，其中干法刻蚀使用的气体可以是CF4、C4F8、CHF3、SF6中的一种或多种的任意混合物，必要时还可以添加O2、Ar等气体。
本发明中，选择性截止层可以是非晶硅或单晶硅中的一种，非晶硅使用的刻蚀气体为HBr、Cl2中的一种或任意混合物，必要时还可以添加SF6、O2等气体。
本发明中，去除选择性截止层，使用的腐蚀液为1#液等含NH3液体。
实施例：
为了深入了解本发明，下面结合具体实施例对本发明进行详细说明，一种在碳化硅(SiC)外延衬底上形成一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法：
步骤1：采用标准RCA清洗(3#，1#各10分钟)碳化硅衬底，并用N2吹干芯片。
步骤2：在上一步骤得到的干净碳化硅衬底上，采用湿氧(氢氧点火)的方法，1150℃，90分钟生长20-30nm离子注入牺牲层薄膜。
步骤3：采用LPCVD法在上一步骤得到的所述的离子注入牺牲层薄膜上，550℃生长500埃非晶硅层作为选择性截止层。
步骤4：在上一步的基础上，采用PECVD生长的方法，在非晶硅层上270℃生长2μm的SiO2作为绝缘介质掩蔽层。
步骤5：匀i线光刻胶1μm，光刻显影出选择性离子注入区域。
步骤6：采用RIE1设备刻蚀绝缘介质掩蔽层，直至刻蚀至选择性截止层的表面。
步骤7：采用RIE2设备去除选择性截止层。
步骤8：腐蚀掉光刻胶，从而获得注入区域所要求的低损伤、厚度薄、面内均一性好及可控性强的离子注入牺牲层薄膜，如图3所示。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，包括：
清洗碳化硅衬底；
在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；
采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层；
采用外延或者生长的方法，在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层；
在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶，并光刻显影出选择性离子注入区域窗口；
从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面；以及
继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面，并去掉光刻胶，获得超薄离子注入牺牲层薄膜。
2.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述清洗碳化硅衬底采用标准RCA清洗碳化硅衬底，并用N2吹干。
3.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜是通过干氧或者湿氧其中一种方式实现的。
4.根据权利要求3所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，使用湿氧来形成离子注入牺牲层薄膜时，热氧化温度为1050℃-1150℃，热氧化时间为30分钟～120分钟。
5.根据权利要求3所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，使用干氧来形成离子注入牺牲层薄膜时，热氧化温度为1150℃-1250℃，热氧化时间为60分钟～150分钟。
6.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述离子注入牺牲层薄膜采用的材料是与所述选择性截止层的刻蚀或腐蚀选择比高于10的任意材料。
7.根据权利要求6所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述与所述选择性截止层的刻蚀或腐蚀选择比高于10的任意材料是SiO2或Si3N4。
8.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或腐蚀，其中干法刻蚀使用的气体是CF4、C4F8、CHF3、SF6中的任意一种或任意多种的混合物。
9.根据权利要求8所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀使用的气体是在CF4、C4F8、CHF3、SF6中的任意一种或任意多种的混合物中添加O2或Ar。
10.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述选择性截止层是非晶硅或单晶硅中的一种。
11.根据权利要求10所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述选择性截止层采用非晶硅，所述继续刻蚀或腐蚀以去除选择性截止层时，使用的刻蚀气体为HBr、Cl2中的一种或任意混合物。
12.根据权利要求11所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述选择性截止层采用非晶硅，所述继续刻蚀或腐蚀以去除选择性截止层时，使用的刻蚀气体为在HBr、Cl2中的一种或任意混合物中添加气体SF6或O2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310559750.8A CN103578942B (zh) | 2013-11-12 | 2013-11-12 | 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310559750.8A CN103578942B (zh) | 2013-11-12 | 2013-11-12 | 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103578942A true CN103578942A (zh) | 2014-02-12 |
| CN103578942B CN103578942B (zh) | 2016-03-16 |
Family
ID=50050468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310559750.8A Active CN103578942B (zh) | 2013-11-12 | 2013-11-12 | 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103578942B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105206510A (zh) * | 2015-10-14 | 2015-12-30 | 上海华力微电子有限公司 | 小线宽超高离子注入阻挡层工艺方法 |
| CN108807157A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-13 | 江苏矽导集成科技有限公司 | 一种用于碳化硅的低损伤离子注入方法及注入掩膜结构 |
| CN109148274A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-04 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种用于SiC器件的离子注入方法 |
| CN109841505A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法 |
| CN113412536A (zh) * | 2018-09-28 | 2021-09-17 | 通用电气公司 | 制作宽带隙半导体器件时高能量植入期间掩蔽的系统和方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835424B1 (ko) * | 2006-11-23 | 2008-06-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 모스 트랜지스터 제조 방법 |
| CN101958268A (zh) * | 2009-07-21 | 2011-01-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 隔离结构的制作方法 |
| CN102315100A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-01-11 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 图形化膜层的方法 |
| CN102496559A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-06-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法 |
| CN102867748A (zh) * | 2011-07-06 | 2013-01-09 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片 |
-
2013
- 2013-11-12 CN CN201310559750.8A patent/CN103578942B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835424B1 (ko) * | 2006-11-23 | 2008-06-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 모스 트랜지스터 제조 방법 |
| CN101958268A (zh) * | 2009-07-21 | 2011-01-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 隔离结构的制作方法 |
| CN102867748A (zh) * | 2011-07-06 | 2013-01-09 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片 |
| CN102315100A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-01-11 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 图形化膜层的方法 |
| CN102496559A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-06-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105206510A (zh) * | 2015-10-14 | 2015-12-30 | 上海华力微电子有限公司 | 小线宽超高离子注入阻挡层工艺方法 |
| CN109841505A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法 |
| CN108807157A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-13 | 江苏矽导集成科技有限公司 | 一种用于碳化硅的低损伤离子注入方法及注入掩膜结构 |
| CN109148274A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-04 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种用于SiC器件的离子注入方法 |
| CN113412536A (zh) * | 2018-09-28 | 2021-09-17 | 通用电气公司 | 制作宽带隙半导体器件时高能量植入期间掩蔽的系统和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103578942B (zh) | 2016-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103560078B (zh) | 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法 | |
| CN103578942B (zh) | 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 | |
| CN101916773B (zh) | 一种双沟道mos-hemt器件的制作方法 | |
| CN101252088B (zh) | 一种增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法 | |
| CN110120425B (zh) | 垂直型的高压mosfet器件及制作方法 | |
| CN104810282B (zh) | 一种采用n型碳化硅衬底制作n沟道igbt器件的方法 | |
| CN103839805B (zh) | 一种功率器件的制备方法 | |
| CN107946180B (zh) | 一种在碳化硅基片上快速生长氧化层的方法 | |
| CN106128942A (zh) | 一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法 | |
| US20160233105A1 (en) | Method of forming a trench in a semiconductor device | |
| CN105529246A (zh) | 一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法 | |
| CN102867774A (zh) | 浅沟槽隔离的制造方法 | |
| CN108565222A (zh) | 一种SiC器件的横向变掺杂结终端结构制作方法 | |
| CN103187250B (zh) | 多次外延生长方法 | |
| CN108257855A (zh) | 高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件 | |
| CN106486355B (zh) | 一种InGaP的湿法刻蚀方法 | |
| CN103928524A (zh) | 带有n型漂移层台面的碳化硅umosfet器件及制作方法 | |
| CN108831920A (zh) | 一种SiC器件的结终端结构制作方法 | |
| Oda et al. | Optimizing the SiC plasma etching process for manufacturing power devices | |
| CN107369707B (zh) | 基于4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法 | |
| CN104867965A (zh) | 图形化衬底及其制备方法 | |
| CN106024627A (zh) | 具有低关态损耗的SiC基超结IGBT的制作方法 | |
| CN103839775A (zh) | 选区GeSn层及其形成方法 | |
| JP5964829B2 (ja) | 表面パッシベーションのための半導体レッジ層を有する電子デバイス構造 | |
| KR102422422B1 (ko) | 그래핀을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191111 Address after: 221000 1f-2f, A2 plant, No.26 Chuangye Road, economic and Technological Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu zhongkehanyun Semiconductor Co., Ltd Address before: 100083 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3 Patentee before: Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences |