CN103569938A

CN103569938A - 微电子机械系统装置、电子模块、电子设备以及移动体

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Publication number: CN103569938A
Application number: CN201310309015.1A
Authority: CN
Inventors: 古畑诚; 田中悟
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2012-07-23
Filing date: 2013-07-22
Publication date: 2014-02-12
Anticipated expiration: 2033-07-22
Also published as: US20140021562A1; US9067777B2; JP2014021037A; CN103569938B

Abstract

本发明提供一种微电子机械系统装置、电子模块、电子设备以及移动体，其能够对在配线间产生的寄生电容进行抑制。所述微电子机械系统装置具备：底基板；第一配线，其使用第一结构体并被配置在底基板上；第二配线，其使用第一结构体和与第一结构体相连接的第二结构体并被配置在底基板上；微电子机械系统元件，其上连接有第一配线和第二配线，并被配置在底基板上，并且，所述微电子机械系统装置具备第一配线和第二配线相互交叉的交叉部，在交叉部处，第一配线的第一结构体和第二配线的第二结构体交叉。

Description

微电子机械系统装置、电子模块、电子设备以及移动体

技术领域

本发明涉及一种微电子机械系统装置、电子模块、电子设备以及移动体。

背景技术

一直以来，已知一种对角速度等进行检测的MEMS（Micro ElectroMechanical System:微电子机械系统）装置，所述MEMS装置使用MEMS技术而在底基板上形成MEMS元件，并且将与MEMS元件相连接的配线形成在底基板上。

作为这种MEMS装置的制造方法，例如通过阳极接合而将成为半导体元件的材料的硅基板接合于由玻璃等形成的底基板上。而且，通过如下方式而获得MEMS装置，即，以保留硅基板中的形成MEMS装置的结构要素即MEMS元件的区域、以及形成与该MEMS元件相连接的配线的区域的方式，对硅基板进行蚀刻，并对MEMS元件及配线进行模切。

例如，在非专利文献1中，作为底基板而使用SOI（Silicon on Insulator：绝缘体上硅）基板。而且，公开了如下的结构，即，在将MEMS元件配置在SOI基板上的MEMS装置中，将以多晶硅为材料并用于与MEMS元件连接的配线埋入SOI基板中，并使该配线与作为连接目标的MEMS元件连接。在非专利文献1的SOI基板中，在与埋入有配线的位置相比成为下层的位置处具有SiO₂层。

但是，以接近SiO₂的玻璃基板或SiO₂层的方式配置有配线。由于SiO₂的介电常数较高，因此当对配线以接近SiO₂的方式进行配置时，在配线之间容易产生寄生电容（杂散电容）。因此，无论哪种方法，都存在因配线之间的寄生电容而对MEMS元件的电特性造成不良影响的可能性。

非专利文献1：电装技术评论（デンソーテクニカルレビュー）Vol.5No.12000p39－p44

发明内容

本发明是为了解决上述的课题中的至少一部分而被完成的，并且能够作为以下的方式或者应用例而实现。

应用例1

本应用例所涉及的MEMS装置的特征在于，具备：底基板；第一配线，其使用第一结构体并被配置在底基板上；第二配线，其使用第一结构体和与第一结构体相连接的第二结构体并被配置在底基板上；MEMS元件，其上连接有第一配线和第二配线，并被配置在底基板上，并且，所述MEMS装置具备第一配线和第二配线相互交叉的交叉部，在交叉部处，第一配线的第一结构体和第二配线的第二结构体交叉。

根据这种MEMS装置，与MEMS元件相连接的第一配线具有第一结构体，第二配线具有第一结构体和第二结构体，并且分别被设置在底基板上。此外，具备第一配线和第二配线相交叉的交叉部，在交叉部中，第一结构体和第二结构体交叉。

由此，能够以使被设置在底基板上的第一配线和第二配线交叉的方式进行配线，并能够对该底基板的配线所占用的面积进行抑制，从而实现MEMS装置的小型化。

应用例2

在上述应用例所涉及的MEMS装置中，优选为，在底基板上设置有槽部，第一结构体被设置在槽部内。

根据这种MEMS装置，第一结构体被设置在设置于底基板上的槽部内，第二结构体被设置在底基板上。

由此，能够使被设置在底基板上的第二结构体在跨越且不接触的条件下与被设置在槽部内的第一结构体交叉。

因此，能够以具有空隙的方式使第一配线和第二配线交叉，从而能够获得如下的MEMS装置，即，对因第一结构体和第二结构体交叉而产生的寄生电容进行抑制，从而对MEMS元件的电特性造成不良影响的情况较少的MEMS装置。

应用例3

在上述应用例所涉及的MEMS装置中，优选为，交叉部处的槽部与其他的槽部相比较深。

根据这种MEMS装置，在加深了第一配线和第二配线相交叉的交叉部处的、槽的深度的槽部内，设置有第一结构体。

由此，能够增加第一结构体和第二结构体交叉的部分的分开距离，从而能够获得如下的MEMS装置，即，对在第一结构体与第二结构体之间产生的寄生电容进行抑制，从而对MEMS元件的电特性造成不良影响的情况较少的MEMS装置。

应用例4

在上述应用例所涉及的MEMS装置中，优选为，交叉部处的第二结构体的宽度与其他的所述第二结构体的宽度相比较窄。

根据这种MEMS装置，第一配线和第二配线相交叉的交叉部处的、跨越第一结构体的第二结构体的宽度被设置为，与被设置在其他部分处的第二结构体相比缩小了宽度。由此，通过缩小在俯视观察设置有第一结构体和第二结构体的底基板时，第一结构体和第二结构体交叉的部分的面积、即重叠的面积，从而能够抑制在两个结构体上产生的寄生电容。因此，能够获得对MEMS元件的电特性造成不良影响的情况较少的MEMS装置。

应用例5

在上述应用例所涉及的MEMS装置中，优选为，第一结构体包含金属，第二结构体包含硅。

根据这种MEMS装置，通过使用溅射法等，从而能够将作为第一结构体的包含金属的膜设置在槽部中。由此，能够将可获得电导通的金属膜作为第一结构体而简单地设置在槽部中。此外，第二结构体能够通过干蚀刻法等，而以包含硅的方式形成。由此，能够设置跨越设置有第一结构体的槽部的第二配线。此外，能够以与由硅形成的MEMS元件同时的方式，容易地形成于交叉部处宽度有所不同的第二结构体。

应用例6

本应用例所涉及的电子模块的特征在于，搭载有上述的MEMS装置。

根据这种电子模块，由于搭载有上述的MEMS装置，因此能够获得如下的电子模块，即，对配线间的寄生电容对电特性造成的不良影响进行抑制，从而提高了对角速度等的检测精度的电子模块。

应用例7

本应用例所涉及的电子设备的特征在于，搭载有上述的MEMS装置。

根据这种电子设备，由于搭载有上述的MEMS装置，因此能够获得如下的电子设备，即，对寄生电容对电特性造成的不良影响进行抑制，从而提高了对角速度等的检测精度的电子设备。

应用例8

本应用例所涉及的移动体的特征在于，搭载有上述的MEMS装置。

根据这种移动体，由于搭载有上述的MEMS装置，因此能够获得如下的移动体，即，对寄生电容对电特性造成的不良影响进行抑制，从而提高了对角速度等的检测精度的移动体。

附图说明

图1为模式化地表示第一实施方式所涉及的MEMS装置的概要结构的俯视图。

图2为模式化地表示第一实施方式所涉及的MEMS装置的概要结构的剖视图。

图3为将第一实施方式所涉及的MEMS装置的配线放大并模式化地表示的放大图。

图4为将第一实施方式所涉及的MEMS装置的配线放大并模式化地表示的放大图。

图5为对第一实施方式所涉及的MEMS装置的动作进行说明的图。

图6为对第一实施方式所涉及的MEMS装置的动作进行说明的图。

图7为对第一实施方式所涉及的MEMS装置的动作进行说明的图。

图8为对第一实施方式所涉及的MEMS装置的动作进行说明的图。

图9为模式化地表示第二实施方式所涉及的电子模块的概要结构的图。

图10为表示实施例所涉及的电子设备的模式图。

图11为表示实施例所涉及的电子设备的模式图。

图12为表示实施例所涉及的电子设备的模式图。

图13为表示实施例所涉及的移动体的模式图。

具体实施方式

以下，根据附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下所示的各个图中，为了将各个结构要素设为在附图上可识别的程度的大小，而存在以使各个结构要素的尺寸或比例与实际的结构要素适当不同的方式进行记载的情况。此外，对XYZ直角坐标系进行设定，并参照该XYZ直角坐标系来对各个部分的位置关系进行说明。将铅直面内的预定方向设为X轴方向，将在铅直面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向，将与X轴方向以及Y轴方向均正交的方向设为Z轴方向。此外，以重力方向为基准，将重力方向设为下方，即“－”方向，并将反方向设为上方，即“＋”方向。

第一实施方式

在图1至图8中图示了第一实施方式所涉及的MEMS装置。

图1为表示从Z轴方向俯视观察MEMS装置时的概要结构的俯视图。图2为表示图1所示的MEMS装置的线段A－A处的截面的模式图。图3及图4为将图1所示的MEMS装置的配线放大表示的放大图。图5至图8为对MEMS装置的动作进行说明的图。

另外，对于本实施方式的MEMS装置100，作为其方式，以构成为对角速度等进行检测的陀螺传感器的方式为例而进行说明。

MEMS装置的结构

如图1及图2所示，MEMS装置100具备底基板10、MEMS元件102、第一配线30和第二配线40。

作为底基板10的材料，例如使用玻璃。如图2所示，底基板10具有第一面11、和第一面11的相反侧的第二面12。

在底基板10的第一面11上设置有凹部14。在凹部14的上方，以隔开间隙的方式而设置有MEMS元件102的振动体112。通过凹部14，从而能够使振动体112在不与底基板10发生干涉的条件下，在所需的方向上进行振动（可动）。此外，在底基板10上，具有用于设置后述的第一结构体211的槽部16。另外，为了便于说明，在图1中省略了凹部14及槽部16的图示。

MEMS元件102被设置在底基板10上（底基板10的第一面11上）。在下文中，对MEMS元件102为对绕Z轴的角速度进行检测的陀螺传感器元件（静电电容型MEMS陀螺传感器元件）的示例进行说明。

如图1及图2所示，MEMS元件102具备第一MEMS元件（结构体）106以及第二MEMS元件（结构体）108。第一MEMS元件106及第二MEMS元件108沿着X轴被相互连结在一起。第一MEMS元件106与第二MEMS元件108相比位于－X轴方向侧。

如图1及图2所示，第一MEMS元件106及第二MEMS元件108具备振动体112、第一弹簧部114、可动驱动电极116、位移部122、第二弹簧部124、可动检测电极126、第一固定驱动电极130、132、第二固定驱动电极134、136、固定检测电极140、142和固定部150。

图1所示的第一配线30具有第一结构体211。第一配线30被连接于构成MEMS元件102的第一固定驱动电极130和固定检测电极142。此外，通过第一配线30的未与MEMS元件102连接的另一端与电极衬垫50相连接，并且使未图示的配线连接于电极衬垫50，从而能够将通过第一固定驱动电极130和固定检测电极142而获得的信号向MEMS装置100的外部进行输出。

图1所示的第二配线40具有第一结构体211和第二结构体221。在第二配线40中，通过连接部320（参照图3）而将第一结构体211和第二结构体221连接在一起。第二配线40被连接于构成MEMS元件102的第一弹簧部114、第二固定驱动电极136和第一固定驱动电极132。此外，通过第二配线40的未与MEMS元件102连接的另一端与电极衬垫50相连接，并且使未图示的配线连接于电极衬垫50，从而能够从MEMS装置100的外部向第一弹簧部114、第一固定驱动电极132和第二固定驱动电极136施加驱动信号等。

第一配线30和第二配线40中所包含的第一结构体211例如可以使用如下的导电膜，即，通过溅射法而以ITO（Indium Tin Oxide：氧化铟锡）、银（Ag）、铝（Al）等金属为材料所形成的导电膜。

此外，第二配线40所具有的第二结构体221可以使用例如由硅等而形成的、具有导电性的结构体。通过对被接合于底基板10上的硅基板（未图示）进行加工，从而第二结构体221与上述的MEMS元件102的振动体112、第一弹簧部114、第二弹簧部124、可动驱动电极116、位移部122、可动检测电极126以及固定部150一体地形成。由此，能够使用硅半导体装置的制造中所使用的微细的加工技术。

本实施方式的MEMS装置100具有与MEMS元件102相连接的第一配线30和第二配线40相交叉的交叉部300（在图1中省略了符号及详细图示）。

图3（a）放大图示了在图1中标记符号B并用虚线包围起来的交叉部300。此外，图3（b）图示了由图3（a）所示的交叉部300的线段D－D所示的、从X轴方向进行剖视观察时的交叉部300。此外，图3（c）图示了图3（a）中由线段C－C所示的、从Y轴方向进行剖视观察时的连接部320的剖面。

在图2及图3（a）、（b）所示的交叉部300中，使第一配线30和第二配线40的不同的结构体，即，第一结构体211和第二结构体221交叉。

在本实施方式的MEMS装置100中，第一配线30和第二配线40中所包含的第一结构体211被设置在槽部16中，所述槽部16被设置于底基板10的第一面11上。此外，第二配线40中所包含的第二结构体221被设置在底基板10上的第一面11上。

由此，在交叉部300中，采用如下的结构，即，被设置于底基板10上的第一面11上的第二结构体221跨越被设置在槽部16中的第一结构体211，并以具有空隙20的方式与第一结构体211交叉。

在MEMS装置100中，第一配线30通过被设置于槽部16中的第一结构体211而与MEMS元件102相连接。此外，第二配线40具有连接部320（在图1中省略符号及详细图示），所述连接部320在向MEMS元件102连接的路径中，使第一结构体211和第二结构体221相连接。

图3（c）所示的连接部320为，对第二配线40中所包含的第一结构体211和第二结构体221进行电连接的部分。

在连接部320处，以覆盖被设置在槽部16中的、底基板10的凸部18的方式设置有第一结构体211。此外，在凸部18被第一结构体211所覆盖的部分处，还设置有凸块部212。凸块部212例如由包含铬（Cr）、金（Au）的金属膜、或者包含铂（Pt）、钛（Ti）的金属膜构成。

此外，在连接部320处与第一结构体211相连接的第二结构体221，以重叠于凸部18的方式而设置，并且与凸块部212相连接（接合）。

另外，在第二结构体221与底基板10的第一面11之间设置有膜223，从而起到对第二结构体221与底基板10之间的间隔进行调节的作用。在假设没有膜223的情况下，存在如下的可能性，即，当凸块部212的高度较低时，将由于与第二结构体221的接触不良而无法形成导通，而当凸块部212的高度较高时，第二结构体221将从底基板10剥离。在本实施方式中，膜223例如可以使用硅氧化膜（SiO₂）。另外，对于膜223，在图3（c）以外的附图中省略了图示。

在如图3（a）所示那样从Z轴方向俯视观察底基板10时，在第二结构体221中具有缩小了宽度的跨线部222，在交叉部300处，跨线部222以跨越第一结构体211的方式而设置。由此，能够减少第二结构体221（跨线部222）与第一结构体211重叠的面积。因此，由于在交叉部300处，第一结构体211和第二结构体221重叠，从而能够抑制在第一配线30与第二配线40之间产生的寄生电容（杂散电容）。另外，在图1中省略了交叉部300的符号，并且也省略了跨线部222的图示。

此外，如图4所示，也可以在交叉部300处，于设置有第一结构体211的槽部16中设置凹部17。通过设置凹部17，从而能够增加交叉部300处以空隙20而交叉的第一结构体211与第二结构体221（跨线部222）之间的分开距离，由此能够抑制在两个配线之间产生的寄生电容（杂散电容）。

在本实施方式的MEMS装置100中，通过对例如被接合于底基板10上的硅基板（未图示）进行加工，从而能够将振动体112、第一弹簧部114、第二弹簧部124、可动驱动电极116、位移部122、可动检测电极126、固定部150以及第二结构体221一体地形成。由此，能够应用在硅半导体装置的制造中所使用的微细的加工技术，并且能够通过简单的结构而使第一配线30和第二配线40交叉，从而能够实现MEMS装置100的小型化。

MEMS装置的动作

接下来，对作为陀螺传感器的MEMS装置100的动作进行说明。图5至图8为用于对MEMS装置100的动作进行说明的图。另外，在图5至图8中，作为相互正交的三个轴，图示了X轴、Y轴、Z轴。此外，为了便于说明，在图5至图8中，省略了MEMS元件102以外的结构部件的图示。此外，省略了可动驱动电极116、可动检测电极126、第一固定驱动电极130、132、第二固定驱动电极134、136以及固定检测电极140、142的图示，从而简单地图示了MEMS元件102。

当通过未图示的电源，而向从振动体112起向＋Y轴方向延伸的可动驱动电极（第一可动驱动电极）116（在图5至图8中省略图示）与第一固定驱动电极130、132（在图5至图8中省略图示）之间、以及从振动体112起向－Y轴方向延伸的可动驱动电极（第二可动驱动电极）116（在图5至图8中省略图示）与第二固定驱动电极134、136（在图5至图8中省略图示）之间施加电压时，能够使可动驱动电极116与固定驱动电极130、132之间、以及第二可动驱动电极116与第二固定驱动电极134、136之间产生静电力。由此，如图5及图6所示，能够使第一弹簧部114沿着X轴进行伸缩，从而能够使振动体112沿着X轴进行振动。

更具体而言，通过成为固定电位配线的第二配线40，而向可动驱动电极116施加固定的电位（Vr）。而且，通过第一配线30（第一结构体211），而向固定驱动电极130、134施加以固定的电位（Vr）为基准的第一交流电压。此外，通过第二配线40（第一结构体211）而向固定驱动电极132、136施加第二交流电压，所述第二交流电压为，以固定的电位Vr为基准的、相位与第一交流电压错开了180度的交流电压。

在此，在隔着第一可动驱动电极116的第一固定驱动电极130、132中，在第一MEMS元件106中，于第一可动驱动电极116的－X轴方向侧设置有第一固定驱动电极130，并于第一可动驱动电极116的＋X轴方向侧设置有第一固定驱动电极132（参照图1）。在第二MEMS元件108中，于第一可动驱动电极116的＋X轴方向侧设置有第一固定驱动电极130，并于第一可动驱动电极116的－X轴方向侧设置有第一固定驱动电极132（图1）。此外，在隔着第二可动驱动电极116的第二固定驱动电极134、136中，在第一MEMS元件106中，于第二可动驱动电极116的－X轴方向侧设置有第二固定驱动电极134，并于第二可动驱动电极116的＋X轴方向侧设置有第二固定驱动电极136（参照图1）。在第二MEMS元件108中，于第二可动驱动电极116的＋X轴方向侧设置有第二固定驱动电极134，并于第二可动驱动电极116的－X轴方向侧设置有第二固定驱动电极136（参照图1）。因此，能够通过第一交流电压及第二交流电压，从而使第一MEMS元件106的振动体112a及第二MEMS元件108的振动体112b以相互反相且预定的频率，沿着X轴进行振动。在图5所示的示例中，振动体112a向α1方向进行位移，振动体112b向与α1方向相反的α2方向进行位移。在图6所示的示例中，振动体112a向α2方向进行位移，振动体112b向α1方向进行位移。

另外，位移部122随着振动体112（112a、112b）的振动，而沿着X轴进行位移。同样地，可动检测电极126（参照图1）随着振动体112的振动，而沿着X轴进行位移。

如图7及图8所示，当在振动体112a、112b正在沿着X轴进行振动的状态下，向MEMS元件102施加绕Z轴的角速度ω时，科里奥利力将发挥作用，从而位移部122将沿着Y轴进行位移。即，与振动体112a相连接的位移部122a、以及与振动体112b相连接的位移部122b将沿着Y轴而相互地向相反方向进行位移。在图7所示的示例中，位移部122a向β1方向进行位移，位移部122b向与β1方向相反的β2方向进行位移。在图8所示的示例中，位移部122a向β2方向进行位移，位移部122b向β1方向进行位移。

由于位移部122（122a、122b）沿着Y轴进行位移，从而可动检测电极126与固定检测电极140之间的距离发生变化（参照图1）。同样地，可动检测电极126与固定检测电极142之间的距离也发生变化（参照图1）。因此，可动检测电极126与固定检测电极140之间的静电电容发生变化。同样地，可动检测电极126与固定检测电极142之间的静电电容也发生变化。

在作为陀螺传感器的MEMS装置100中，通过经由成为检测配线的第一配线30及成为固定电位配线的第二配线40而向可动检测电极126与固定检测电极140之间施加电压，从而能够检测出可动检测电极126与固定检测电极140之间的静电电容的变化量（参照图1）。而且，通过经由成为检测配线的第一配线30及成为固定电位配线的第二配线40而向可动检测电极126与固定检测电极142之间施加电压，从而能够检测出可动检测电极126与固定检测电极142之间的静电电容的变化量（参照图1）。如此，作为陀螺传感器的MEMS装置100能够通过可动检测电极126与固定检测电极140、142之间的静电电容的变化量，从而求出绕Z轴的角速度ω。

根据上述的第一实施方式，能够获得以下的效果。

根据这种MEMS装置100，能够使第二结构体221与被设置在槽部16中的第一结构体211保持空隙20，且以跨越第一结构体211的方式而与第一结构体211交叉。此外，通过在交叉部300处，于槽部16中设置凹部17，从而能够增加被设置在槽部16中的第一结构体211、和以跨越第一结构体211的方式而与第一结构体211交叉的第二结构体221之间的分开距离。此外，通过在交叉部300中设置跨线部222，从而能够减少第一结构体211与第二结构体221重叠的面积，其中，所述跨线部222使以跨越第一结构体211的方式而与第一结构体211交叉的第二结构体221的宽度变细。

由此，MEMS装置100通过使第一配线30和第二配线40以保持空隙20的方式交叉，从而能够抑制在第一结构体211与第二结构体221之间产生的寄生电容。此外，通过增加第一结构体211与第二结构体221之间的分开距离，从而能够抑制在第一配线30与第二配线40之间产生的寄生电容。此外，通过减少交叉部300中第一结构体211和第二结构体221重叠的面积，从而能够抑制在第一结构体211与第二结构体221之间产生的寄生电容。此外，由于能够通过简单的结构使第一配线30和第二配线40交叉，因此即使在复杂的配线结构的MEMS装置100中，也能够容易进行配线布局，并且使MEMS装置100小型化。

因此，能够获得如下的MEMS装置100，即，对配线间产生的寄生电容进行抑制从而对MEMS元件102的电特性造成不良影响的情况较少的、提高了对角速度等的检测精度的MEMS装置100。

第二实施方式

在图9中图示了第二实施方式所涉及的电子模块。

图9为表示剖视观察电子模块200时的概要结构的剖视图，且图示了搭载（收纳）有上述的MEMS装置100的情况。另外，由于所搭载的MEMS装置100的结构与第一实施方式相同，因此对相同的结构标记相同的符号，并简化或省略说明，且利用图9对本实施方式的电子模块200进行说明。

电子模块200具备MEMS装置100、和搭载该MEMS装置100的封装件500。在封装件500中具有搭载了MEMS装置100的凹部530a、和搭载了用于对MEMS装置100进行驱动的驱动电路模块550的凹部530b。本实施方式的封装件500例如由陶瓷等材料构成。

在电子模块200中，所搭载的MEMS装置100被设置在凹部530a的底面531a上。MEMS装置100使用粘合剂540等，而对构成该MEMS装置100的底基板10的第二面12、和底面531a进行连接（接合）。此外，在凹部530b中设置有驱动电路模块550，并且使用粘合剂541等而与凹部530b的底面531b相连接（接合）。

虽然在图9中，驱动电路模块550以隔着封装件500的方式而被安装在MEMS装置100的背面上，但即使为直接粘贴在MEMS装置100上的结构也没有问题。

此外，为了将从MEMS装置100输出的角速度等信号向封装件500的外部、或者驱动电路模块550传递，从而在封装件500上设置有配线电极510a。配线电极510a通过配线511而与被设置在MEMS装置100的底基板10上的电极衬垫50电连接。本实施方式的配线511例如通过引线接合法，而使用金（Au）线来对电极衬垫50和配线电极510a进行电连接。另外，对于配线511而言，作为线材，并不限定于金（Au），也可以使用铝（Al）或铜（Cu）等，并通过其他的配线方法进行电连接。此外，电极衬垫50与配线电极510a之间的连接并不限定于引线接合法，只要能够通过配线511来对两个电极之间进行连接，则也可以使用其他的连接方法。此外，被设置在驱动电路模块550上的电极551与配线电极510b之间通过配线512，而以与配线511相同的方式，例如通过引线接合法而被电连接。

电子模块200具备盖520a、520b，并且凹部530a的顶面532a和盖520a相连接，凹部530b的顶面532b和盖520b相连接。形成盖520a、520b的材料例如可以使用不锈钢等金属、或玻璃等材料。

由此，电子模块200能够通过被搭载于凹部530a中的MEMS装置100而对角速度等进行检测，并且作为与该角速度等相对应的信号而向封装件500的外部进行输出。

根据上述的第二实施方式，能够获得以下的效果。

根据这种电子模块200，由于MEMS装置100所具备的第一配线30和第二配线40以具有空隙20的方式而交叉，因此抑制了在两个配线间产生的寄生电容。此外，能够通过简单的结构而使第一配线30和第二配线40交叉，并且能够实现MEMS装置100的小型化。因此，能够获得如下的电子模块200，即，抑制了配线间的寄生电容从而对MEMS元件102的电特性造成不良影响的情况较少的、对角速度等的检测精度较高且可实现小型化的电子模块200。

实施例

接下来，根据图10至图13，对应用了如下的电子模块200的实施例进行说明，所述电子模块200搭载了本发明的一个实施方式所涉及的MEMS装置100。

电子设备

接下来，根据图10至图12，对应用了第二实施方式所涉及的电子模块200的电子设备进行详细说明，所述电子模块200搭载了本发明的第一实施方式所涉及的MEMS装置100。

图10为表示作为具备本发明的第二实施方式所涉及的电子模块的电子设备的、便携式（或者笔记本式）个人计算机的结构的概要的立体图。在该图中，个人计算机1100通过具备键盘1102的主体部1104、和具备显示部1008的显示单元1106而构成，并且显示单元1106以能够通过铰链结构部而相对于主体部1104进行屈折的方式被支承。在这样的个人计算机1100中内置有作为用于检测其倾斜等的陀螺传感器等而发挥功能的电子模块200。由于电子模块200的小型化，从而也能够内置于显示单元1106等厚度较薄的部分中。

图11为表示作为具备本发明的第二实施方式所涉及的电子模块的电子设备的、移动电话（也包括PHS：Personal Handy-phone System，个人移动电话系统）的结构的概要的立体图。在该图中，移动电话1200具备多个操作按钮1202、听筒1204以及话筒1206，并且在操作按钮1202与听筒1204之间配置有显示部1208。在这样的移动电话1200中内置有作为对移动电话1200的倾斜、移动方向进行检测的陀螺传感器等而发挥功能的电子模块200。由于电子模块200的小型化，从而也能够容易地内置于要求小型化的移动电话1200中。

图12为表示作为具备本发明的第二实施方式所涉及的电子模块的电子设备的、数码照相机的结构的概要的立体图。另外，在该图中，还简单地图示了与外部设备之间的连接。在此，通常的照相机通过被摄物体的光学图像而使银盐感光胶片感光，与此相对，数码照相机1300通过CCD（ChargeCoupled Device：电荷耦合元件）等摄像元件而对被摄物体的光学图像进行光电转换，从而生成摄像信号（图像信号）。

在数码照相机1300的壳体（主体）1302的背面上设置有显示部1308，并且成为根据CCD的摄像信号而进行显示的结构，显示部1308作为将被摄物体显示为电子图像的取景器而发挥功能。此外，在壳体1302的正面侧（图中背面侧），设置有包括光学镜片（摄像光学系统）和CCD等在内的受光单元1304。

当摄影者对被显示在显示部1308上的被摄图像进行确认，并按下快门按钮1306时，该时间点的CCD的摄像信号将被传送并存储于存储器1310中。此外，在该数码照相机1300中，在壳体1302的侧面设置有影像信号输出端子1312、和数据通信用的输入输出端子1314。而且，如图所示，根据需要，而在影像信号输出端子1312上连接有影像监视器1430，在数据通信用的输入输出端子1314上连接有个人计算机1440。而且，成为如下的结构，即，通过预定的操作，从而使存储于存储器1310中的摄像信号向影像监视器1430或个人计算机1440输出。在这样的数码照相机1300中内置有作为对其倾斜度进行检测的陀螺传感器等而发挥功能电子模块200。由于电子模块200的小型化，从而也能够容易地内置于要求小型化的数码照相机1300中。

另外，本发明的第二实施方式所涉及的电子模块200除了能够应用于图10的个人计算机（便携式个人计算机）、图11的移动电话、图12的数码照相机中之外，还能够应用于如下的装置中，例如，喷墨式喷出装置（例如，喷墨打印机）、膝上型个人计算机、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本（也包括带有通信功能的产品）、电子词典、台式电子计算机、电子游戏机、文字处理器、工作站、可视电话、防盗用视频监控器、电子双筒望远镜、POS（Point of Sale：销售点）终端、医疗设备（例如，电子体温计、血压计、血糖仪、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜）、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类（例如，车辆、飞机、船舶的计量仪器类）、飞行模拟器等电子设备。

移动体

图13为概要性地表示作为移动体的一个示例的汽车的立体图。在汽车1500中应用有，搭载了本发明所涉及的MEMS装置100的电子模块200。例如，如该图所示，在作为移动体的汽车1500中，内置有电子模块200，并且对汽车1500的倾斜度等进行控制的电子控制单元1508被搭载于车身1507上。通过将实现了小型化的该电子模块200用于搭载了多个电子控制单元1508的汽车1500等移动体中，从而能够实现该电子控制单元1508的小型化，并提高搭载位置的自由度。此外，电子模块200还能够广泛应用于汽车导航系统、防抱死制动系统（ABS）、安全气囊、发动机控制器等的电子控制单元（ECU：Electronic Control Unit）中。

符号说明

10…底基板；11…第一面；12…第二面；14…凹部；16…槽部；17…凹部；18…凸部；20…空隙；30…第一配线；40…第二配线；50…电极衬垫；100…MEMS装置；102…MEMS元件；200…电子模块；211…第一结构体；212…凸块部；221…第二结构体；222…跨线部；300…交叉部；320…连接部；500…封装件；510…配线电极；511、512…配线；520…盖；530…凹部；550…驱动电路模块；551…电极；1100…个人计算机；1200…移动电话；1300…数字照相机；1500…汽车。

Claims

1.一种微电子机械系统装置，其特征在于，

具备：

底基板；

第一配线，其使用第一结构体并被设置在所述底基板上；

第二配线，其使用所述第一结构体和与所述第一结构体相连接的第二结构体，并被设置在所述底基板上；

微电子机械系统元件，其上连接有所述第一配线和所述第二配线，并被配置在所述底基板上，

并且，所述微电子机械系统装置具备所述第一配线和所述第二配线相互交叉的交叉部，

在所述交叉部处，所述第一配线的所述第一结构体和所述第二配线的所述第二结构体交叉。

2.如权利要求1所述的微电子机械系统装置，其特征在于，

在所述底基板上设置有槽部，

所述第一结构体被设置在所述槽部内。

3.如权利要求2所述的微电子机械系统装置，其特征在于，

所述交叉部处的所述槽部与其他的所述槽部相比较深。

4.如权利要求1所述的微电子机械系统装置，其特征在于，

所述交叉部处的所述第二结构体的宽度与其他的所述第二结构体的宽度相比较窄。

5.如权利要求1所述的微电子机械系统装置，其特征在于，

所述第一结构体包含金属，

所述第二结构体包含硅。

6.一种电子模块，其特征在于，

搭载有权利要求1所述的微电子机械系统装置。

7.一种电子设备，其特征在于，

搭载有权利要求1所述的微电子机械系统装置。

8.一种移动体，其特征在于，

搭载有权利要求1所述的微电子机械系统装置。