CN103557995A - 一种电子器件的检漏方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子电路技术领域,特别涉及一种电子器件的检漏方法。包括如下步骤:将被检电子器件放入加压容器,待容器抽成真空后,用纯度为99.999%高压的示踪气体氦对器件加压;待加压处理完毕后,将电子器件直接浸入到轻氟油中,通过观察器件是否冒泡来进行判断;将经过冒泡合格的被检电子器件放入真空容器,采用氦质谱抽真空检漏法进行漏率测试和判断。通过本发明所述的检漏方法,在原有设备下,提高检漏的效率、无需净化处理、避免了引入新的缺陷、同时节约了检漏成本。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,特别涉及一种电子器件的检漏方法。
背景技术
电子元器件是电子产品中不可缺少的组成部分,其质量的好坏直接影响着各种装备的质量。电子产品必须具有抵抗外部环境腐蚀的能力,因而许多电子器件都要求做成密封的。这样首先是阻止器件中的芯片、电路等不与外部环境尤其是那些具有较高湿度的外部环境相通,以避免电解腐蚀而改变器件的电参数,造成性能下降,甚至严重的更会造成器件的熔封结构破坏而导致器件报废。其次,一些器件要求在某种气体保护下工作,或在真空环境下工作,或为了防电磁辐射、防光源干扰等要求器件密封时,却出现密封不好从而直接导致器件失效。
虽然传统的检漏方法多种多样,但电子器件的检漏有其自身的特殊性。目前最常用的检漏方法是氦质谱背压检漏法(简称为细检漏)与氟油加压高温液体气泡检漏法(简称为冒泡)相结合,组成密封性检测程序。常规检漏的方法有以下缺点:
(1)检漏效率低
整个检漏过程分为两次检漏过程,首先需要加一次氦气做氦质谱背压细检漏,再加一次氟油做粗检漏,工作过程较为繁琐,处理时间比较长。
(2)需净化处理
每次解压后都必须对表面吸附问题进行表面化处理,无论是氦气还是氟油,净化效果处理不当会对检漏造成误判或者漏判,影响最终结果。
(3)可能引入新的缺陷
进行冒泡时由于采用的是高温热氟油,被检器件从常温直接进入高温就有可能因为温度激变而产生新的缺陷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服上述问题的不足,提供一种电子器件的检漏方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种电子器件的检漏方法,包括如下步骤:
步骤1:将被检电子器件放入加压容器,待容器抽成真空后,用纯度为99.999%高压的示踪气体氦对器件加压,氦气通过器件上存在的漏孔被压入器件内腔;
步骤2:待加压处理完毕后,将电子器件直接浸入到轻氟油中,通过观察器件是否冒泡来进行判断;
步骤3;将经过冒泡合格的被检电子器件放入真空容器,采用氦质谱抽真空检漏法进行漏率测试和判断。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,步骤1中所述被检电子器件的加压时间与压力分别为30~60分钟,1~3×102Pa·cm3/s。
进一步,步骤2中所述通过观察器件是否冒泡来进行判断,具体实现如下:将冒泡的电子器件筛选剔除,将未冒泡的电子器件继续后续操作。
进一步,步骤3中所述的采用氦质谱抽真空检漏法进行漏率测试和判断,具体实现如下:如果检测的漏率大于标准漏率,则所述电子器件不合格;如果检测的漏率小于或等于标准漏率,则所述电子器件合格。
本发明的有益效果是:通过本发明的电子器件检漏方法,在原有设备下,提高检漏的效率、无需净化处理、避免了引入新的缺陷、同时节约了检漏成本。
附图说明
图1为本发明所述的一种电子器件的检漏方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
如图1所示,为本发明所述的一种电子器件的检漏方法流程图,所述步骤如下:
步骤1:将被检电子器件放入加压容器,待容器抽成真空后,用纯度为99.999%高压的示踪气体氦对器件加压,氦气通过器件上存在的漏孔被压入器件内腔;
步骤2:待加压处理完毕后,将电子器件直接浸入到轻氟油中,通过观察器件是否冒泡来进行判断;
步骤3;将经过冒泡合格的被检电子器件放入真空容器,采用氦质谱抽真空检漏法进行漏率测试和判断。
步骤1中所述被检电子器件的加压时间与压力分别为30~60分钟,1~3×102Pa·cm3/s。
加压后直接进行粗检漏,而粗检漏的液体是轻氟油(Fl13),它是一种良好的清洗剂,在进行粗检漏的同时也解决了对表面吸附的净化问题,从而减少了误判和漏判。
步骤2中所述通过观察器件是否冒泡来进行判断,具体实现如下:将冒泡的电子器件筛选剔除,将未冒泡的电子器件继续后续操作。
步骤3中所述的采用氦质谱抽真空检漏法进行漏率测试和判断,具体实现如下:如果检测的漏率大于标准漏率,则所述电子器件不合格;
如果检测的漏率小于或等于标准漏率,则所述电子器件合格。
上述技术方案进行检漏不需要增加新的硬件设备和材料,只通过改变检漏流程就能节约检测费用,降低了检漏的成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种电子器件的检漏方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:将被检电子器件放入加压容器,待容器抽成真空后,用纯度为99.999%高压的示踪气体氦对器件加压;
步骤2:待加压处理完毕后,将电子器件直接浸入到轻氟油中,通过观察器件是否冒泡来进行判断;
步骤3;将经过冒泡合格的被检电子器件放入真空容器,采用氦质谱抽真空检漏法进行漏率测试和判断。
2.根据权利要求1所述的一种电子器件的检漏方法,其特征在于,步骤1中所述被检电子器件的加压时间与压力分别为30~60分钟,1~3×102Pa·cm3/s。
3.根据权利要求1所述的一种电子器件的检漏方法,其特征在于,步骤2中所述通过观察器件是否冒泡来进行判断,具体实现如下:将冒泡的电子器件筛选剔除,将未冒泡的电子器件继续后续操作。
4.根据权利要求1所述的一种电子器件的检漏方法,其特征在于,骤3中所述的采用氦质谱抽真空检漏法进行漏率测试和判断,具体实现如下:如果检测的漏率大于标准漏率,则所述电子器件不合格;如果检测的漏率小于或等于标准漏率,则所述电子器件合格。
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