CN103543561B - 液晶显示器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种液晶显示(LCD)器件，该液晶显示器件包括：彼此面对的第一和第二基板，第一和第二基板均具有显示区(DR)、非显示区(NDR)和设置在非显示区中的密封图案区域；位于第一基板上并且在密封图案区域具有第一密封图案槽的保护层；位于第二基板上并且分别设置在第一密封图案槽两端的第一和第二挡板，第一和第二挡板被配置为形成与第一密封图案槽的位置相对应的第二密封图案槽；位于第一基板上的像素电极；位于第一和第二基板之一上的公共电极；位于第一和第二基板之间的液晶层；以及一端插入到第一密封图案槽中而另一端插入到第二密封图案槽中的密封图案。

Description

液晶显示器件

技术领域

本发明涉及显示器件，更具体地涉及一种LCD器件，其中形成有用于密封图案的引导图案，以在形成该密封图案的过程中减少设计余量，从而可以实现窄边框(bezel)。

背景技术

近些年，随着信息社会的到来，被设置为处理和显示大量信息的显示器件已被快速开发出来。在这些显示器件中，LCD器件作为高效的平板显示(FPD)器件最近得到了发展，其制作得纤薄并且功耗低从而取代了传统的阴极射线管(CRT)。

在LCD器件中，包括阵列基板的有源矩阵型LCD吸引了大量的注意，因为有源矩阵型LCD具有高分辨率并能很好地表现动态图像，在阵列基板中，薄膜晶体管(TFT)用作能控制每个像素中电压的开/关状态的开关装置。

图1是传统液晶显示(LCD)器件的平面示意图，图2是图1的A部分的示意性截面图。

如图1中所示，LCD器件可以包括第一基板10，其上形成有用作开关装置的薄膜晶体管(TFT)Tr和像素电极50；第二基板60，其上形成有公共电极66；插入在第一基板10和第二基板60之间的LC层70；以及配置为接合第一基板10和第二基板10以防止液晶从LC层70泄漏的密封图案80。第一基板10和第二基板60可以彼此相对设置。

可以在第一基板10上限定出显示区DR和非显示区NDR。显示区DR可被配置为显示图像，而非显示区NDR可相邻于显示区DR设置。密封图案80可以设置在非显示区NDR中。

选通线(没有示出)和数据线(没有示出)可以形成在第一基板10上以使TFT Tr能进行开关操作。配置为施加信号到选通线和数据线的驱动器可以形成在第一基板10的至少一边。在这种情况下，为了连接驱动器和外部驱动电路，第二基板60可以具有比第一基板10更小的尺寸并且露出第一基板10的至少一边。

TFT Tr可以包括连接到选通线的栅极14、覆盖栅极14的栅极绝缘层20、设置在栅极绝缘层20上并包括由纯净非晶硅(a-Si)形成的有源层22a和由掺杂a-Si形成的欧姆接触层22b的半导体层22、设置在半导体层22上并且连接到数据线的源极32，和设置在半导体层22上并且与源极32分隔开的漏极34。

可以形成具有漏极接触孔42(其露出漏极34)的保护层40以覆盖TFT Tr。像素电极50可以形成在保护层40上并且通过漏极接触孔42连接到漏极34。像素电极50可以设置在由选通线和数据线的交叉所限定的每个像素区P中。

另外，黑底62、滤色器层64和公共电极66可以形成在与第一基板10相对设置的第二基板60上。黑底62可以覆盖选通线和数据线，滤色器层64可以与像素区P相对应，并且公共电极66可以被配置成与像素电极50一起形成电场。

LC层70可以设置在第一基板10和第二基板60之间，也就是说，像素电极50和公共电极66之间，并且LC层70的LC分子由于形成在像素电极50和公共电极66之间的电场会被驱动。

如上所述，密封图案80可以形成在非显示区NDR中以防止LC从LC层70泄漏并且将第一基板10和第二基板60彼此接合。密封图案80的一端可以与保护层40接触，其另一端可以与第二基板60接触。

密封图案80可以通过用滴涂器(dispenser)在第一基板10或第二基板60上涂覆密封剂而形成。

然而，密封图案80在其形成期间可能会偏离期望的位置。

密封图案80的位置偏差将稍后参照图3A和3B进一步详细描述。

首先，如图3A中所示，当用位于第一位置P01的滴涂器(没有示出)涂覆密封剂时，密封图案80可以形成在期望位置。然而，如图3B和3C中所示，当用偏离第一位置P01并位于第二位置P02或第三位置P03的滴涂器来涂覆密封剂时，在接合工艺期间可能发生由于密封剂散开而引起的偏差DV，从而密封剂80可能偏离期望位置。

考虑到这种偏差DV，要形成密封剂80的区域会增大与偏差DV一样的面积，这样就造成非显示区NDR可能扩大。也就是说，会阻碍LCD所要求的窄边框的实现。

发明内容

因此，本发明意指一种能基本上消除由于现有技术的局限性或缺点引起的一个或多个问题的液晶显示(LCD)器件。

本发明的目的是提供一种液晶显示(LCD)器件，特别是一种避免出现密封图案位置偏差的窄边框类型的液晶显示(LCD)器件。

这个目的通过独立权利要求给出的方案而实现。优选实施方式在从属权利要求中给出。

本发明的主旨是提供一种避免密封图案的偏离或错位的结构。这种结构被配置成限定要形成密封图案的位置。这样就能够减少用于布置密封图案的基板的部分。此外，通过提供密封图案容纳结构，密封图案的宽度能减小，从而进一步节省空间。

为了提供用于解决上述目的的方案，一种显示器件最好包括：彼此面对的第一基板和第二基板、第一基板与第二基板之间的密封图案，其中，密封图案至少部分地设置在位于第一基板和第二基板上的至少一个上的至少一个密封图案容纳结构中。

优选地，第一密封图案容纳结构设置在第一基板上，而第二密封图案容纳结构设置在第二基板上。通过提供两个密封图案容纳结构，能获得最好的结果。然而，通过使用两个基板其中之一上的密封图案容纳结构也能获得相对于现有技术的改进。

在进一步的优选实施方式中，第一和第二密封图案容纳结构分别位于第一和第二基板上的相对位置。此外，密封图案容纳结构的尺寸或宽度最好应当是相同的。然而，高度上可能有差异并且也有可能在宽度上有差异。因此，滴涂有该密封图案的基板会具有比位于滴涂有密封剂的基板上基板的密封图案容纳结构更宽的密封图案容纳结构。

优选地，第一和第二密封容纳结构具有相同的密封图案容纳结构或者密封图案容纳结构能相同地形成。但是，在基板上形成不同的密封图案容纳结构也是可能的，并且由于制造基板的不同工艺有时也是必需的。

优选地，密封图案容纳结构设置在设置于第一或第二基板上的层中。当两个基板被导电层和非导电层的层结构覆盖时，密封图案容纳结构可以形成在这样的层中，特别是在非导电层中。

通常，密封图案容纳结构的每种形态能够限定要滴涂密封剂的位置。在优选实施方式中，密封图案容纳结构以密封图案槽的形式实现。特别地，密封图案槽被实现在设置于第一和第二基板中的至少一个上的保护层中。

作为选择或者补充，密封图案容纳结构由第一和第二挡板(dam)形成。这些挡板位于基板上或者基板上的某一层上，以建立在滴涂期间容纳密封剂的形状，其以后表示密封图案。第一和第二挡板可以设置在第一和第二基板中的至少一个上。也有可能将第一和第二档板放置在两个基板上或者设置于两个基板上的特定层上。第一和第二档板可以形成第二密封图案槽，第二密封图案槽可以与设置在第一基板上或者相应另外一个基板上的第一密封图案槽的位置相对应。

在优选实施方式中，所述显示器件可以进一步包括第一基板上的像素电极以及第一基板和第二基板之一上的公共电极。

优选地，密封图案可以一端插入第一密封图案容纳结构，另一端插入第二密封图案容纳结构。

所述显示器件的第一基板和第二基板可以具有显示区、非显示区和设在非显示区中的密封图案区域。

优选地，所述显示器件可以是在第一基板和第二基板之间具有液晶层的液晶显示器件。然而，密封图案容纳结构的实现不限于LCD，只要两个基板需要密封，就可以应用。由于有了密封图案容纳结构，放置密封剂所需的空间减小了，因为限定了准确的位置并且不再需要放置密封剂的容错区域。这样，密封图案容纳结构可以应用到OLED显示器件上。

该目标也可以通过制造显示器件的方法来实现，该方法包括以下步骤：提供第一基板；提供第二基板；在第一基板和第二基板中的至少一个上提供至少一个密封图案容纳结构；至少部分地向密封图案容纳结构中滴涂密封图案；彼此放置第一基板和第二基板以使它们彼此相对。

优选地，该方法包括完全去除第一基板的一部分中的保护层以形成漏极接触孔，并且部分去除该保护层以形成第一密封图案槽。

本发明其他的特征和优点将在随后的说明书中阐述，通过阐述显而易见，或者可以从本发明的实施中获悉。本发明的目的和其它优点将通过说明书及其权利要求和附图中特别指出的结构实现和获得。

为了实现这些和其它优点并且根据如本文中的实例和概括描述的本发明的目的，一种LCD器件优选地包括：彼此面对的第一基板和第二基板；第一基板和第二基板均具有显示区、非显示区，和设置在非显示区中的密封图案区域；第一基板上的保护层，其在密封图案区域中具有第一密封图案槽；第二基板上的第一挡板和第二挡板，其分别设置在第一密封图案槽两端，所述第一挡板和第二档板被配置为形成与第一密封图案槽相对应的第二密封图案槽；第一基板上的像素电极；第一基板和第二基板中的一个上的公共电极；第一基板和第二基板之间的液晶层；以及一端插入到第一密封图案槽并且另一端插入到第二密封图案槽的密封图案。

优选地，该LCD器件还包括配置为在第一基板上交叉并且在显示区中限定出像素区的选通线和数据线。该LCD器件可以包括配置为分别从选通线和数据线延伸到非显示区的选通连接线和数据连接线。薄膜晶体管(TFT)可以连接到选通线和数据线并且可以设置在保护层之下的像素区中。选通线和选通连接线可以设置在第一基板上。

所述器件还可以包括覆盖选通线和选通连接线的栅极绝缘层，其中数据线和数据连接线可以设置在栅极绝缘层上。保护层在显示区中可以为第一厚度并且在密封图案区域中可以为第二厚度。第二厚度优选小于第一厚度。

保护层可以包括第二厚度的下层和设置在下层上的上层。优选地，下层由二氧化硅或者氮化硅形成，而上层由光敏型亚克力(photoacryl)或者苯并环丁烯(BCB)形成。

优选地，选通线、选通连接线和数据连接线设置在第一基板上，其中栅极绝缘层可以覆盖选通线、选通连接线和数据连接线，其中数据线可以设置在栅极绝缘层上并且穿过形成在栅极绝缘层中的数据线接触孔而连接到数据连接线。

优选地，选通连接线和数据连接线通过第一密封图案槽而暴露。

优选地，TFT包括连接到选通线的栅极、覆盖栅极的栅极绝缘层，包括设置在栅极绝缘层上并由纯净非晶硅(a-Si)形成的有源层和由掺杂a-Si形成的欧姆接触层的半导体层、设置在半导体层上并且连接到数据线的源极，和设置在半导体层上并且与源极分隔开的漏极。

优选地，该LCD器件还包括与选通线、数据线和TFT相对应的黑底；和与像素区相对应的滤色器层。

第一挡板和第二挡板均可由与滤色器层相同的材料形成并且与滤色器层设置在同一层中。

优选地，间隔体形成在第二基板上并且被配置为保持第一基板与第二基板之间的距离。第一挡板和第二挡板均可由与间隔体相同的材料形成并且与间隔体形成在同一层中。

可以理解前述的概括说明和下面的详细说明都是示例性和解释性的，并且目的是对所要求的发明提供进一步的解释。

附图说明

所含附图用于提供发明的进一步理解，被纳入并构成本说明书的一部分，用作解释本发明原理，与说明书一起说明本发明的实施方式。在图中：

图1是传统的液晶显示(LCD)器件的示意性平面图；

图2是图1的A部分的示意性截面图；

图3A至3C是用于解释密封图案出现位置偏差的示意性截面图；

图4是根据本发明第一实施方式的LCD器件的示意性平面图；

图5是沿图4的线V-V截取的一部分的截面图；

图6是沿图4的线VI-VI截取的一部分的截面图；

图7是根据本发明第一实施方式的LCD器件的像素区的示意性截面图；

图8是根据本发明第二实施方式的LCD器件的示意性平面图；

图9是沿图8的线IX-IX截取的一部分的截面图；

图10是沿图8的线X-X截取的一部分的截面图；

图11是根据本发明第二实施方式的LCD器件的像素区的示意性截面图。

具体实施方式

现在将详细说明在附图中示例性展示的示范性实施方式。

图4是根据本发明第一实施方式的液晶显示(LCD)器件的示意性平面图，图5是沿图4的线V-V截取的一部分的截面图，图6是沿图4的线VI-VI截取的一部分的截面图，图7是根据本发明第一实施方式的LCD器件的像素区的示意性截面图。

如图4-7中所示，根据本发明第一实施方式的LCD器件可以包括第一基板110、第二基板160、LC层180和密封图案190。用作开关器件的薄膜晶体管(TFT)Tr和像素电极150可以形成在第一基板110上。其上形成有公共电极166的第二基板160可以与第一基板110相对设置。LC层180可以插入在第一基板110和第二基板160之间。密封图案190可以彼此接合第一基板110和第二基板160以防止液晶从LC层180泄漏。

显示区DR和非显示区NDR可以限定在第一基板110上。显示区DR可被配置为显示图像，而非显示区NDR可与显示区DR相邻设置。密封图案190可以形成在设置于非显示区NDR中的密封图案区域(没有示出)中。

选通线112和数据线130可以形成在第一基板110上以使TFT Tr能进行开关操作。配置为向选通线112和数据线130施加信号的驱动器可以形成在第一基板110的至少一边。在这种情况下，为了将驱动器与外部驱动电路连接起来，第二基板160具有比第一基板110更小的尺寸并且暴露出第一基板110的至少一边。

选通线112和数据线130可以交叉以显示区DR上限定多个像素区P。用作开关器件的TFT Tr和像素电极150可以形成在每个像素区P中。

TFT Tr可以包括连接到选通线112的栅极114、覆盖栅极114的栅极绝缘层120、包括设置在栅极绝缘层120上并由纯净非晶硅(a-Si)形成的有源层122a和由掺杂a-Si形成的欧姆接触层122b的半导体层122、设置在半导体层122上并且连接到数据线130的源极132，和设置在半导体层122上并且与源极132分隔开的漏极134。

可以形成具有暴露出漏极134的漏极接触孔142的保护层140以覆盖TFT Tr。像素电极150可以形成在保护层140上并且穿过漏极接触孔142而连接到漏极134。

选通连接线116和选通焊盘118可以形成在设置于第一基板110一边上的非显示区NDR中。选通连接线116可以从选通线112延伸，并且选通焊盘118可以连接到选通连接线116的一端。尽管没有示出，但是选通焊盘电极可以由与同一层中的像素电极150相同的材料形成并且连接到选通焊盘118。

栅极绝缘层120和保护层140可以堆叠以覆盖选通连接线118。

数据连接线136和数据焊盘138可以形成在设置于第一基板110另一边上的非显示区NDR中。数据连接线136可以从数据线130延伸，并且数据焊盘138可以连接到数据连接线136的一端。尽管没有示出，但是数据焊盘电极可以由与同一层中的像素电极150相同的材料形成并且连接到数据焊盘138。

栅极绝缘层120可以设置在数据连接线138的下方，并且保护层140可以覆盖数据连接线138。

在这种情况下，保护层140的与选通连接线116和数据连接线136相对应的一部分可以被蚀刻以使第一密封图案槽144可以形成在密封图案区域(没有示出)。也就是说，当保护层140具有第一厚度时，由于第一密封图案槽144，保护层140可以具有比第一厚度小的第二厚度。换句话说，保护层140在密封图案区域中可以具有从第一基板110起的第一高度，并且在其余区域中可以具有从第一基板110起的大于第一高度的第二高度。

在这种情况下，保护层140的蚀刻可以包括完全去除保护层140以形成漏极接触孔142的工艺和仅仅去除保护层140的一部分以形成第一密封图案槽144的工艺。

同时，可以使用半色调掩模来蚀刻保护层140以提高工艺效率。也就是说，掩模工艺可以使用具有透单元、阻光单元和半透单元的掩模来执行，以使保护层140的与透单元相对应的一部分能被完全去除，而保护层140的与半透单元相对应的一部分能被部分蚀刻。

通过完全去除保护层140，栅极绝缘层120和数据连接线136可以通过第一密封图案槽144而被暴露。然而，可仅仅暴露保护层140的一部分以防止数据连接线136暴露并在蚀刻保护层140的过程中受损。

尽管图5-7示出了具有单一结构的保护层140，但是保护层140可以具有包括上层和下层的双层结构，并且可以仅仅蚀刻保护层140的上层。例如，由无机绝缘材料例如二氧化硅或者氮化硅形成的下层，和由有机绝缘材料例如光敏型亚克力或者苯并环丁烯(BCB)形成的上层，可以堆叠以形成保护层140，并且可以仅仅蚀刻上层而留下下层从而形成第一密封图案槽144。

另外，黑底162、滤色器层164和公共电极166可以形成在与第一基板110相对设置的第二基板160上。黑底162可以被配置为覆盖TFT Tr、选通线112和数据线130。滤色器层164可以与像素区P相对应，并且公共电极166可以配置为与像素电极150一起形成电场。黑底162和滤色器层164可以被省略或者形成在第一基板110上。

同时，公共电极166可以与像素电极150一起形成在第一基板110上以形成面内切换模式或者边缘场切换(FFS)模式结构。

配置为保持单元间隙的间隔体172可以形成在显示区DR中。此外，第一挡板176和第二挡板178可以形成在非显示区NDR中以与第一密封图案槽144的两端相对应，从而形成与第一密封图案槽144相对应的第二密封图案槽174。

在这种情况下，第一挡板176和第二挡板178可以由与同一层中的间隔体172同样的材料形成。第一挡板176和第二挡板178的形成可以使用半透掩模工艺来实现，以使间隔体172能具有从第一挡板176和第二挡板178起不同的高度。同时，第一挡板176和第二挡板178可以由与同一层中的滤色器层164同样的材料形成。当滤色器层164包括红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色器图案时，第一挡板176和第二挡板178可以包括由形成R、G和B滤色器图案的材料中的任意一种所形成的单层，或者包括通过堆叠形成R、G和B滤色器图案的材料中的至少两种所形成的双层或三层。

此外，第一挡板176和第二挡板178可以沿着密封图案190连续形成或者多个第一挡板176和第二挡板178可以彼此分离地形成。

LC层180可以插入在第一基板110和第二基板160之间，也就是像素电极150和公共电极166之间，并且LC层180的LC分子可以由于像素电极150和公共电极166之间形成的电场而被驱动。

密封图案190可以形成在非显示区NDR中以防止LC从LC层180泄漏，并互相接合第一基板110和第二基板160。密封图案190的一端可以插入到形成在保护层140中的第一密封图案槽144中，而其另一端可以插入到第一挡板176和第二挡板178之间的第二密封图案槽174中。

由于上述结构，即使使用位于不期望的第二位置(参考图3B中的P02)或者第三位置(参考图3C中的P03)的滴涂器来涂覆密封剂，密封图案190仍然可以在接合工艺期间形成在与第一密封图案槽144和第二密封图案槽174相对应的位置。

因此，可以避免出现由于滴涂器位置或者接合工艺而引起的密封图案190的位置偏差。同样，因为不再需要考虑工艺误差，非显示区NDR的面积可以减小。也就是说，可以提供窄边框类型的LCD器件。

同时，密封图案的宽度应当被减小以实现窄边框。尽管可以通过减小使用滴涂器所涂覆的密封剂的量来减小密封图案的宽度，但是可能会有在保持单元间隙的同时减小密封图案宽度的技术限制。

本发明的第二实施方式提出了一种结构，其中密封图案的宽度进一步被缩小，并且密封图案在整个LCD器件中可以有统一的厚度。

图8是根据本发明第二实施方式的LCD器件的示意性平面图，图9是沿图8的线IX-IX截取的一部分的截面图，图10是沿图8的线X-X截取的一部分的截面图，图11是根据本发明第二实施方式的LCD器件的像素区的示意性截面图。

如图8-11中所示，根据本发明第二实施方式的LCD器件可以包括第一基板210、第二基板260、LC层280和密封图案290。用作开关器件的TFT Tr和像素电极250可以形成在第一基板210上。其上形成有公共电极266的第二基板260可以与第一基板210相对设置。LC层280可以插入在第一基板210和第二基板260之间。密封图案290可以相互接合第一基板210和第二基板260以防止液晶从LC层280泄漏。

显示区DR和非显示区NDR可以限定在第一基板210上。显示区DR可被配置为显示图像，而非显示区NDR可与显示区DR相邻设置。密封图案290可以形成在设置于非显示区NDR中的密封图案区域(没有示出)中。

选通线212和数据线230可以形成在第一基板210上以使TFT Tr能进行开关操作，并且配置为向选通线212和数据线230施加信号的驱动器可以形成在第一基板210的至少一边。在这种情况下，为了将驱动器与外部驱动电路相连接，第二基板260可以具有比第一基板210更小的尺寸并且暴露第一基板210的至少一边。

选通线212和数据线230可以在显示区DR上交叉以限定多个像素区P，并且用作开关器件的TFT Tr和像素电极250可以形成在每个像素区P中。

TFT Tr可以包括连接到选通线212的栅极214、覆盖栅极214的栅极绝缘层220、包括设置在栅极绝缘层220上并由纯净a-Si形成的有源层222a和由掺杂a-Si形成的欧姆接触层222b的半导体层222、设置在半导体层222上并且连接到数据线230的源极232，和设置在半导体层222上并且与源极232分隔开的漏极234。

可以形成具有暴露漏极234的漏极接触孔242的保护层240以覆盖TFT Tr，并且像素电极250可以形成在保护层240上并且穿过漏极接触孔242连接到漏极234。

选通连接线216和选通焊盘218可以形成在设置于第一基板210一边上的非显示区NDR中。选通连接线216可以从选通线212延伸，并且选通焊盘218可以连接到选通连接线216的一端。尽管没有示出，但是选通焊盘电极可以由与同一层中的像素电极250相同的材料形成并且连接到选通焊盘218。

栅极绝缘层220和保护层240可以堆叠以覆盖选通连接线218。

另外，数据连接线236和数据焊盘238可以形成在设置于第一基板210另一边上的非显示区NDR中。数据连接线236可以连接到数据线230，数据焊盘238可以连接到数据连接线236的一端。数据线230可以通过数据线接触孔224连接到数据连接线236。尽管没有示出，但是数据焊盘电极可以由与同一层中的像素电极250相同的材料形成并且连接到数据焊盘238。

栅极绝缘层220和保护层240可以堆叠以覆盖数据连接线238。

在这种情况下，保护层240和栅极绝缘层220的与选通连接线216和数据连接线236相对应的一部分可以被完全去除以形成第一密封图案槽244。也就是说，保护层240和栅极绝缘层220的与密封图案290所要形成的区域相对应的一部分可以被完全去除以形成第一密封图案槽244。选通连接线216和数据连接线236可以通过第一密封图案槽244而暴露。

当通过完全去除保护层240和栅极绝缘层220来形成第一密封图案槽244时，密封图案290的厚度会增加。因此，当涂覆预定量的密封剂时，密封图案290的宽度会由于其厚度的增加而减小，从而能实现窄边框。

同时，当通过完全去除保护层240和栅极绝缘层220来形成第一密封图案槽244时，数据连接线236可以从数据线230延伸并且与数据线230设置在同一层中，从而第一密封图案槽244的与选通连接线216相对应的一部分和第一密封图案槽244的与数据连接线236相对应的一部分可以具有不同的深度。

特别地是，仅仅选通连接线216可以堆叠在第一基板210上、第一密封图案槽244的与选通连接线216相对应的一部分中，而栅极绝缘层220和数据连接线236可以堆叠在第一基板210上、第一密封图案槽244的与数据连接线236相对应的一部分中。因此，第一密封图案槽244的与选通连接线216相对应的一部分和第一密封图案槽244的与数据连接线236相对应的一部分可能具有不同的深度。结果，会发生密封图案290的厚度差异，造成第一基板210和第二基板260的一部分不能完全互相接合。

然而，在根据本实施方式的LCD器件中，当通过完全去除保护层240和栅极绝缘层220来形成第一密封图案槽244时，数据连接线236可以与选通连接线216形成在同一层，从而可以避免出现第一密封图案槽244的深度差异。

也就是说，在本实施方式中，第一密封图案槽244可以通过完全去除保护层240和栅极绝缘层220来形成，以使密封图案290的宽度可以减小，从而实现窄边框。同时，数据连接线236可与选通连接线216形成在同一层以使密封图案290的厚度能一致。

此外，黑底262、滤色器264和公共电极266可以形成在与第一基板210相对设置的第二基板260上。黑底262可以被配置为覆盖TFT Tr、选通线212和数据线230。滤色器层264可以与像素区P相对应，并且公共电极266可以配置为与像素电极250一起形成电场。黑底262和滤色器层264可以被省略或者形成在第一基板210上。

另外，配置为保持单元间隙的间隔体272可以形成在显示区DR中，并且第一挡板276和第二挡板278可以形成在非显示区NDR中，以与第一密封图案槽244的两端相对应，从而形成与第一密封图案槽244相对应的第二密封图案槽274。

在这种情况下，第一挡板276和第二挡板278可以由与同一层中的间隔体272同样的材料形成。第一挡板276和第二挡板278的形成可以使用半透掩模工艺来实现，以使间隔体272能具有与第一挡板276和第二挡板278不同的高度。

同时，第一挡板276和第二挡板278可以由与同一层中的滤色器层264同样的材料形成。当滤色器层264包括R、G和B滤色器图案时，第一挡板276和第二挡板278可以包括由形成R、G和B滤色器图案的材料中的任意一种来形成的单层，或者包括通过堆叠形成R、G和B滤色器图案的材料中的至少两种来形成的双层或三层。

此外，第一挡板276和第二挡板278可以沿着密封图案290连续形成或者多个第一挡板276和第二挡板278可以彼此分离地形成。

LC层280可以插入在第一基板210和第二基板260之间，也就是像素电极250和公共电极266之间，并且LC层280的LC分子会由于像素电极250和公共电极266之间形成的电场而被驱动。

同时，公共电极266可以与像素电极250一起形成在第一基板210上以形成面内切换模式或者FFS模式结构。

密封图案290可以形成在非显示区NDR中，以防止LC从LC层280泄漏并互相接合第一基板210和第二基板260。密封图案290的一端可以插入到形成在保护层240和栅极绝缘层220中的第一密封图案槽244中，而其另一端可以插入到第一挡板276和第二挡板278之间的第二密封图案槽274中。

由于上述结构，即使使用位于不期望的第二位置(参考图3B中的P02)或者第三位置(参考图3C中的P03)的滴涂器来涂覆密封剂，密封图案290也可以在接合工序期间形成在与第一密封图案槽244和第二密封图案槽274相对应的位置。

因此，可以避免出现由于滴涂器位置或者接合工艺而引起的密封图案290的位置偏差。同样，因为不再需要考虑工艺误差，所以非显示区NDR的面积可以减小。也就是说，可以提供窄边框类型的LCD器件。

根据本实施方式的LCD器件可以进一步包括能确定密封图案的位置的结构，防止出现密封图案的位置误差，从而实现窄边框。

此外，通过防止密封图案的厚度增大可以进一步减少边框的宽度，也就是说，通过减小密封图案的宽度，可以防止出现密封图案厚度的差异。因此，可以防止由于密封图案厚度差异引起的上下基板接合过程中的故障。

根据本发明，其中形成有密封图案的槽能通过蚀刻形成在下基板上的保护层而形成。这样，即使出现了用于密封剂的滴涂器的位置偏差，也能避免密封图案出现位置偏差，从而使要形成密封图案的区域最小化。

因此，能够实现窄边框。

另外，因为通过仅仅蚀刻保护层的一部分来形成槽，所以能避免损害设置在保护层之下的数据连接线。

再者，因为通过去除保护层和设置在保护层之下的栅极绝缘层来形成槽，所以密封图案的厚度可以增加而密封图案的宽度能被减小，从而非显示区的面积能进一步被减小。而且，数据连接线能与选通线形成在同一层中以使密封图案的厚度统一。

对本领域技术人员来说显而易见的是，在不背离本发明范围的条件下，能够对本发明的显示器件做出各种修改和改变。因此，本发明也涵盖了在附加的权利要求及其等同物的范围内所提及的本发明的修改和改变。

本申请要求2012年7月16日在韩国提交的韩国专利申请10-2012-0077145的优先权。

Claims (6)

1.一种显示器件，所述显示器件包括：

彼此面对的第一基板和第二基板，所述第一基板具有显示区、非显示区、以及设置于非显示区中的密封图案区；

形成于所述显示区的选通线和数据线、形成于所述非显示区的选通连接线、以及形成于所述非显示区的数据连接线，其中，所述选通线、所述选通连接线和所述数据连接线设置在所述第一基板上的同一层中，所述选通连接线连接到所述选通线，并且所述数据连接线通过数据线接触孔连接到所述数据线；

形成在所述选通线、所述选通连接线和所述数据连接线上的栅极绝缘层；

设置在所述栅极绝缘层上并且穿过形成在所述栅极绝缘层中的数据线接触孔而连接到所述数据连接线的数据线；

形成在所述栅极绝缘层上的保护层，所述保护层包括在所述密封图案区的第一密封图案槽；

第二密封图案容纳结构，其位于所述第二基板上与所述第一密封图案槽相对应的位置；

密封图案，其至少部分地设置在所述第一密封图案槽中和所述第二密封图案容纳结构中；以及

第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和第二挡板被配置为形成所述第二密封图案容纳结构，其中，所述第一挡板和所述第二挡板设置在所述第二基板上并且由与同一层中的形成在所述第二基板上的滤色器层相同的材料形成，所述第一挡板和所述第二挡板包括由形成R、G和B滤色器图案的材料中的任意一种所形成的单层或者包括通过堆叠形成所述R、G和B滤色器图案的材料中的至少两种所形成的双层或三层；

其中，所述保护层和所述栅极绝缘层的与在所述密封图案区的所述选通连接线和所述数据连接线相对应的一部分被完全去除以形成所述第一密封图案槽，从而形成在与所述第一密封图案槽相对应的位置处的所述选通连接线和形成在与所述第一密封图案槽相对应的位置处的所述数据连接线通过所述第一密封图案槽而暴露，并且

其中，所述第一密封图案槽的宽度与所述第二密封图案容纳结构的宽度相等。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述第二密封图案容纳结构设置在设置于所述第二基板上的层中。

3.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述第一挡板和所述第二挡板形成第二密封图案槽，所述第二密封图案槽与所述第一密封图案槽设置在所述第一基板上的位置相对应。

4.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述密封图案的一端插入所述第一密封图案槽中，并且所述密封图案的另一端插入所述第二密封图案容纳结构中。

5.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述显示器件是在所述第一基板和所述第二基板之间具有液晶层的液晶显示LCD器件。

6.一种制造显示器件的方法，所述方法包括以下步骤：

提供第一基板，所述第一基板包括显示区、非显示区、以及设置于所述非显示区中的密封图案区；

在所述第一基板上形成选通线、连接到所述选通线的选通连接线、数据线以及数据连接线，其中，所述数据连接线通过数据线接触孔连接到所述数据线，并且，其中，所述选通线和所述数据线形成于所述显示区，所述选通连接线形成于所述非显示区，所述数据连接线形成于所述非显示区，并且所述选通线、所述选通连接线和所述数据连接线设置在同一层中；

在所述选通线、所述选通连接线和所述数据连接线上形成栅极绝缘层；

形成在所述栅极绝缘层上并且穿过形成在所述栅极绝缘层中的数据线接触孔而连接到所述数据连接线的数据线；

在所述栅极绝缘层上形成保护层，其中，所述保护层包括在所述密封图案区的第一密封图案槽，并且

其中，所述保护层和所述栅极绝缘层的与在所述密封图案区的所述选通连接线和所述数据连接线相对应的一部分被完全去除以形成所述第一密封图案槽，从而形成在与所述第一密封图案槽相对应的位置处的所述选通连接线和形成在与所述第一密封图案槽相对应的位置处的所述数据连接线通过所述第一密封图案槽而暴露；

提供第二基板；

在所述第二基板上与所述第一密封图案槽相对应的位置形成第二密封图案容纳结构，

其中，所述第二密封图案容纳结构由第一挡板和第二挡板形成，并且其中，所述第一挡板和所述第二挡板设置在所述第二基板上并且由与同一层中的形成在所述第二基板上的滤色器层相同的材料形成，所述第一挡板和所述第二挡板包括由形成R、G和B滤色器图案的材料中的任意一种所形成的单层或者包括通过堆叠形成所述R、G和B滤色器图案的材料中的至少两种所形成的双层或三层；

将密封图案至少部分地滴涂至所述第一密封图案槽和所述第二密封图案容纳结构中；以及

彼此放置所述第一基板和所述第二基板以使它们彼此相对，

其中，所述第一密封图案槽的宽度与所述第二密封图案容纳结构的宽度相等。