CN103508450B - 一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法 - Google Patents

一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103508450B
CN103508450B CN201310412379.2A CN201310412379A CN103508450B CN 103508450 B CN103508450 B CN 103508450B CN 201310412379 A CN201310412379 A CN 201310412379A CN 103508450 B CN103508450 B CN 103508450B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
graphene
power density
preparation
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310412379.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103508450A (zh
Inventor
钟敏霖
叶晓慧
张红军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Original Assignee
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University filed Critical Tsinghua University
Priority to CN201310412379.2A priority Critical patent/CN103508450B/zh
Publication of CN103508450A publication Critical patent/CN103508450A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103508450B publication Critical patent/CN103508450B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法。包括如下步骤:(1)将固体碳源分散到有机溶剂中得到分散液,将分散液旋涂到金属基材的表面,得到均匀的碳涂层;(2)在惰性气体保护下,用高功率密度激光束辐照碳涂层,固体碳源中的碳原子和金属基材中的金属原子在所述辐照的作用下形成固溶体;移开所述高功率密度激光束或停止辐照,则金属基材冷却时形成过饱和的固溶体,碳原子从过饱和的固溶体中析出在基材表面形成石墨烯。本发明提供了一种方便快捷、低成本高效率的大面积、可图案化石墨烯制备的新方法,本发明所得到产品的应用领域包括下一代微型计算机、平板显示器、超级电容、透明导电电极、传感器、太阳能电池、微纳电子器件、光电子器件、自旋量子器件以及新型复合材料等。

Description

一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法
技术领域
本发明涉及一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法。
背景技术
石墨烯(Graphene)是由单层碳原子紧密堆积成的二维蜂窝状结构,是构成其他维数碳材料的基本结构单元,可以包覆成零维的富勒烯、卷曲成一维的碳纳米管或者堆垛成三维的石墨。自2004年英国曼彻斯特大学的Geim小组利用胶带剥离高定向热解石墨获得了独立存在的高质量石墨烯以来,石墨烯被发现具有优异的电学、光学、热学、力学等特性,在微型计算机、平板显示器、晶体管、集成电路、超级电容、透明导电电极、传感器、太阳能电池、微纳电子器件、光电子器件、自旋量子器件以及新型复合材料等众多方面有着广阔的应用前景。对石墨烯基础理论、制备技术、性能探索和应用研究是目前的国际研究热点和各国科技竞争的前沿之一。
石墨烯的制备方法按碳源分类,可分为固相法、气相法和液相法,其中以固相法中的机械剥离高定向热解石墨法(HOPG)、气相法中的化学气相沉积法(CVD)和液相法中的化学还原氧化石墨烯(RGO)应用最为广泛。这几种方法各有优势,也各自存在一定的不足之处。机械剥离法制备的石墨烯质量高,尺寸一般为几微米至几十微米、产率极低,适于微量基础研究;化学气相沉积法可制备大面积的石墨烯多晶薄膜或微米级单晶片,多晶薄膜存在缺陷、不均匀和不连续等现象。还原氧化法制备的石墨烯多为溶液中的石墨烯纳米条带和石墨烯颗粒,应用范围有限。目前,石墨烯的大面积、高质量、高效制备技术仍然是国内外重点探索的领域之一。
激光具有高亮度、高方向性、高相干性和单色性等优异特性,是一种精密可控的高能量密度热源,文献报道激光已经被用于石墨烯的制备研究中,例如激光辅助化学气相沉积(LCVD)制备石墨烯薄膜;激光轰击碳靶材、在镀镍硅基板上沉积石墨烯薄膜;激光还原氧化石墨烯;激光打开碳纳米管等。以上方法中激光是辅助能源,并没有克服其原有方法如化学气相沉积、氧化石墨烯还原等方法自身存在的问题,目前石墨烯制备中存在的尺寸小、效率低、高质有待提高等问题仍然没有很好解决。因此发明一种方便快捷的石墨烯大面积、高质量、可图案化制备方法具有重要的意义和广阔的应用前景。
发明内容
本发明的目的是提供一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法,本发明利用高功率密度激光束作用固体碳源直接在金属基体表面快速制备石墨烯,属于一种固体碳源石墨烯制备方法。
本发明所提供的一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法,包括如下步骤:
(1)将固体碳源分散到有机溶剂中得到分散液,将所述分散液旋涂到金属基材的表面,得到均匀的碳涂层;
(2)在惰性气体保护下,用高功率密度激光束辐照所述碳涂层,所述固体碳源中的碳原子和所述金属基材中的金属原子在所述辐照的作用下形成固溶体;移开所述高功率密度激光束或停止辐照,则所述金属基材冷却时形成过饱和的固溶体,所述碳原子从所述过饱和的固溶体中析出在所述基材表面形成石墨烯。
上述的激光制备方法中,步骤(1)中,所述有机溶剂为乙醇或丙酮;
所述金属基材的材质可为镍、钛、铂、钌、铱或铜镍合金,也可将上述金属材质预先涂在其他工程金属材料或合金的表面。
上述的激光制备方法中,步骤(1)中,在旋涂所述分散液之前,所述方法还包括去除所述金属基材的表面上的氧化物的步骤,可首先用机械打磨或者化学腐蚀的方法除去所述金属基材表面的氧化物或其他附着物,再用磨抛机进行磨抛,最后用酒精进行超声清洗。
上述的激光制备方法中,步骤(1)中,所述固体碳源可为石墨、无定形碳、C60或碳纳米管;
所述固体碳源的颗粒粒径可为1~100000nm,具体可为350~70000nm、350nm、48000nm或70000nm。
上述的激光制备方法中,步骤(1)中,所述碳涂层的厚度可为0.01~0.5mm,具体可为0.05~0.2mm、0.05mm、0.1mm或0.2mm。
上述的激光制备方法中,步骤(2)中,所述高功率密度激光束可为CO2激光束、Nd:YAG激光束、半导体激光束(diode laser)、薄片激光束(thin disk laser)或光纤激光束(fiber laser),上述光束以高斯分布或矩形分布等。
上述的激光制备方法中,步骤(2)中,所述高功率密度激光束的功率密度可为103~106W/cm2,具体可为1×104W/cm2~8×104W/cm2、1×104W/cm2、3×104W/cm2或8×104W/cm2,足以使得所述金属基材表面产生熔化以形成熔池。
上述的激光制备方法中,步骤(2)中,用所述激光束经过光束变换为宽带激光束照射时,得到大面积石墨烯,所述大面积石墨烯的宽度与所述激光束的宽度相等,其长度取决于激光束扫描长度。
上述的激光制备方法中,步骤(2)中,所述功率密度激光束经经聚焦或离焦进行照射时,并配合数控加工机床的运动可扫描出任意可设计的图案,得到图案化石墨烯。
上述的激光制备方法中,步骤(2)中,用所述脉冲激光束进行照射时,并配合扫描振镜的二维运动,可得到任意可设计的点状或线状二维列阵分布的图案化石墨烯。
本发明由于采取以上技术方案,具有如下优点:
(1)本发明利用高功率密度激光束扫描熔化金属基体表面的含碳涂层,具有快速升温、快速冷却的特点;快速升温可以使金属基材和含碳涂层快速熔化,涂层中的碳进入基材形成过饱和固溶体;快速冷却可以使溶质碳原子无法聚集形成具有一定尺寸的有效晶核,减少形核率,通过控制冷却速度可实现单晶生长,得到高质量石墨烯薄膜,石墨烯薄膜的层数由析出的碳决定,因此在一定固溶度下,控制基材的熔化程度、冷却速率和碳涂层的厚度可以达到控制石墨烯层数的目的。因此,本分明的制备方法是一种高质量生长石墨烯的方法;
(2)高功率密度激光束作用加热快、冷却快,石墨烯生长速度很高,可达28.8cm2/min,远高于CVD方法和其他方法,是一种快速高效生长石墨烯的方法;
(3)采用宽光斑的激光束时(如16×2mm2的半导体激光束)作用时,单次扫描即可获得大面积石墨烯,石墨烯的宽度与激光束相同,其长度取决于激光束扫描长度,可以实现很大的生长面积,是一种大面积生长石墨烯的方法;
(4)采用聚焦的激光束作用时,配合数控加工机床的运动可扫描出任意可设计的图案,得到图案化的石墨烯;当用脉冲激光束(如脉冲Nd:YAG激光束,聚焦束斑0.5mm)作用时,配合扫描振镜的二维运动,可得到任意可设计的点状/线状二维列阵分布的图案化石墨烯,是一种柔性的、灵活的图案化生长石墨烯的方法;
(5)本发明采用常见的固体碳源(例如石墨),获取途径方便快捷,能大幅度降低原材料的成本;制备过程不涉及可燃性气体(例如甲烷、乙烯等),整个制备过程安全、无污染;不生成附加产物,制备的石墨烯纯度高,易于清理;制备过程在常温常压下进行,工艺简单,易于操作。
综上所述,本发明提供了一种方便快捷、低成本高效率的大面积、可图案化石墨烯制备的新方法,本发明所得到产品的应用领域包括下一代微型计算机、平板显示器、晶体管、集成电路、超级电容、透明导电电极、传感器、太阳能电池、微纳电子器件、光电子器件、自旋量子器件以及新型复合材料等。
附图说明
图1是本发明激光制备石墨烯的示意图。
图2是本发明实施例2制备的大面积石墨烯的照片。
图3为本发明实施例2制备的大面积石墨烯的扫描电镜照片((a))和其拉曼光谱面扫描图像((b))。
图4是本发明实施例3制备的图案化石墨烯的实物照片。
图5为图4中a、b、c和d4点的拉曼光谱图,分别为图5(a)、图5(b)、图5(c)和图5(d)。
具体实施方式
下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明,均为常规方法。
下述实施例中所用的材料、试剂等,如无特殊说明,均可从商业途径得到。
本发明的基本原理是激光的高能量使得金属基材熔化,形成熔池,碳原子在高温下与金属原子形成固溶体,冷却时过饱和固溶体析出的碳在基材表面形成石墨烯。控制基材的熔化程度和碳涂层的厚度可以达到控制石墨烯层数的目的。本发明采用的激光加工方法具有快速升温和快速冷却的特点,快速升温可以使基材快速熔化,涂层中的碳进入基材形成过饱和固溶体,快速冷却可以使溶质碳原子无法聚集形成具有一定尺寸的有效晶核,从而减少形核率。因此通过控制冷却速度可实现控制大面积单晶生长,得到高质量石墨烯薄膜。
以下结合附图和实施例对本发明进行详细的描述,需要指出的是实施例仅用于理解和描述本发明,并不用于限定本发明。
实施例1、CO2激光高效制备石墨烯
本实施例通过CO2激光高效制备石墨烯,制备过程的示意图如图1所示。
(1)首先用机械打磨的方法除去铂板表面氧化物,再用磨抛机进行磨抛,最后用酒精进行超声清洗;其中铂板的尺寸为20mm×20mm×5mm;
(2)将纳米级石墨粉末分散到酒精中,用滴管吸取含碳源的酒精溶液滴到已处理的铂板表面,再将此铂板放到匀胶机中进行甩匀和干燥,为保证均匀和一定厚度,采用分级加速,得到厚度为0.05mm的碳涂层;其中石墨粉末颗粒大小为350nm。
(3)采用3000W CO2激光器辐照石墨层,激光功率密度为1×104W/cm2,激光光斑近高斯束,直径为2mm,加氩气侧吹保护,以10mm/s速度进行扫描,激光移开,工件冷却,在激光扫描处生长出均匀的连续的石墨烯薄膜。
将上述制备的带有石墨烯薄膜的工件用王水将铂板腐蚀完全,将石墨烯薄膜转移至镀有300nm厚的SiO2的硅片、石英片或透射电镜用微栅。
本实施例制备的石墨烯,经拉曼测试石墨烯重量高(其拉曼光谱图与图5类似)。
本实施例的制备效率(激光光斑宽度乘以扫描速度)可达25cm2/min。
实施例2、半导体激光大面积高效制备石墨烯
半导体激光器结构紧凑,激光输出稳定、电光效率高、寿命长,特别是半导体激光能输出矩形均匀光斑,能实现大面积制备石墨烯,本实施例通过半导体激光器辐照预涂了微米石墨的镍基快速制备大面积石墨烯,制备过程的示意图如图1所示。
(1)首先用机械打磨的方法除去镍板表面氧化物,再用磨抛机进行磨抛,最后用酒精进行超声清洗;其中镍板的尺寸为20mm×20mm×5mm。
(2)将石墨粉末分散到酒精中,用滴管吸取含碳源的酒精溶液滴到已处理的镍板表面,再将此镍板放到匀胶机中进行甩匀和干燥,为保证均匀和一定厚度,采用分级加速,得到厚度0.1mm的碳涂层;其中石墨粉末颗粒大小为48μm。
(3)采用4000W半导体激光器辐照石墨层,激光功率密度为3×104W/cm2,激光光斑放方形光斑,大小为16mm×2mm,加氩气侧吹保护,以2.5mm/s速度进行扫描,激光移开,工件冷却,在激光扫描处生长出均匀的连续的石墨烯薄膜。
将上述制备的带有石墨烯薄膜的工件用FeCl3水溶液将镍板腐蚀完全,将石墨烯薄膜转移至镀有300nm厚的SiO2的硅片、石英片或透射电镜用微栅。
本实施例制备的大面积石墨烯,其照片如图2所示。本实施例的大面积石墨烯的扫描电镜照片如图3(a)所示,其拉曼光谱面扫描图像如图3(b)所示,由该图可以看出,本实施例制备的大面积石墨烯质量均匀。
本实施例的制备效率可达28.8cm2/min。
实施例3、光纤激光高效制备图案化石墨烯
光纤激光器具有光束质量高、功率密度高、稳定性高的优势,广泛应用于先进制造领域,本实施例通过光纤激光辐照预涂了微米石墨的钛基快速制备图案化石墨烯,制备过程的示意图如图1所示。
(1)首先用化学腐蚀的方法除去钛板表面氧化物,再用磨抛机进行磨抛,最后用酒精进行超声清洗;其中钛板的尺寸为20mm×20mm×5mm。
(2)将石墨粉末分散到酒精中,用滴管吸取含碳源的酒精溶液滴到已处理的钛板表面,再将此钛板放到匀胶机中进行甩匀和干燥,为保证均匀和一定厚度,采用分级加速,得到厚度0.2mm的碳涂层;其中石墨粉末颗粒大小为70μm。
(3)采用2000W半导体激光器辐照石墨层,激光功率密度为8×104W/cm2,激光光斑圆形高斯光斑,光斑直径为2mm,加氩气侧吹保护,以20mm/s速度进行扫描,预先设计螺旋线图案,在数控激光加工机中编制好相应程序,控制光纤激光束按螺旋线在预涂了微米石墨的钛基体上扫描,冷却后在钛基表面得到按螺旋线生长的石墨烯,
将带有石墨烯薄膜的工件用HNO3水溶液将钛板腐蚀完全,将石墨烯薄膜转移至镀有300nm厚的SiO2的硅片、石英片或透射电镜用微栅。
本实施例的图案化石墨烯,其实物照片如图4所示。对图4中的4个点进行拉曼分析测试,得到的拉曼光谱图如图5所示,由该图可知,本实施例制备的图案化石墨烯质量均匀良好。
本实施例的制备效率可达18cm2/min。

Claims (6)

1.一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法,包括如下步骤:
(1)将固体碳源分散到有机溶剂中得到分散液,将所述分散液旋涂到金属基材的表面,得到均匀的碳涂层;
所述固体碳源为石墨、无定形碳、C60或碳纳米管;
所述固体碳源的颗粒粒径为1~100000nm;
所述碳涂层的厚度为0.01~0.5mm;
(2)在惰性气体保护下,用高功率密度激光束辐照所述碳涂层,所述固体碳源中的碳原子和所述金属基材中的金属原子在所述辐照的作用下形成固溶体;移开所述高功率密度激光束或停止辐照,则所述金属基材冷却时形成过饱和的固溶体,所述碳原子从所述过饱和的固溶体中析出在所述基材表面形成石墨烯;
所述高功率密度激光束为连续激光束或脉冲激光束;
所述高功率密度激光束为CO2激光束、Nd:YAG激光束、半导体激光束、薄片激光束或光纤激光束;
所述高功率密度激光束的功率密度为103~106W/cm2
2.根据权利要求1所述的激光制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述有机溶剂为酒精或丙酮;
所述金属基材的材质为镍、钛、铂、钌、铱或铜镍合金。
3.根据权利要求1或2所述的激光制备方法,其特征在于:步骤(1)中,在旋涂所述分散液之前,所述方法还包括去除所述金属基材的表面上的氧化物的步骤。
4.根据权利要求3所述的激光制备方法,其特征在于:步骤(2)中,将所述高功率密度激光束变换为宽带激光束进行照射时,得到大面积石墨烯,所述大面积石墨烯的宽度与所述激光束的宽度相等。
5.根据权利要求3所述的激光制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述高功率密度激光束经聚焦或离焦进行照射时,并配合光束的扫描运动,得到预定的图案化石墨烯。
6.根据权利要求3所述的激光制备方法,其特征在于:步骤(2)中,用所述脉冲激光束进行照射时,并配合扫描振镜的扫描运动时,得到预定的点状或线状二维列阵分布的图案化石墨烯。
CN201310412379.2A 2013-09-11 2013-09-11 一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法 Active CN103508450B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310412379.2A CN103508450B (zh) 2013-09-11 2013-09-11 一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310412379.2A CN103508450B (zh) 2013-09-11 2013-09-11 一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103508450A CN103508450A (zh) 2014-01-15
CN103508450B true CN103508450B (zh) 2015-05-20

Family

ID=49891949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310412379.2A Active CN103508450B (zh) 2013-09-11 2013-09-11 一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103508450B (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112661139A (zh) 2011-12-21 2021-04-16 加州大学评议会 互连波纹状碳基网络
KR102231070B1 (ko) 2012-03-05 2021-03-23 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 상호 연결된 파형 카본-기반 네트워크로 만들어진 전극을 갖는 커패시터
CN103922321B (zh) * 2014-03-21 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 石墨烯的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
WO2015180163A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 East China University Of Science And Technology Methods and systems for converting carbon dioxide into graphene
CN106575806B (zh) 2014-06-16 2020-11-10 加利福尼亚大学董事会 混合电化学电池
CN104810163B (zh) * 2014-07-18 2017-08-08 纳米新能源(唐山)有限责任公司 石墨烯超级电容器的制备方法、石墨烯超级电容器及储能系统
CN107112144A (zh) 2014-11-18 2017-08-29 加利福尼亚大学董事会 多孔互连波纹状碳基网络(iccn)复合材料
JP6435986B2 (ja) * 2015-05-15 2018-12-12 住友電気工業株式会社 カーボンナノ構造体の製造方法
CN105040095B (zh) * 2015-08-11 2018-03-23 国家纳米科学中心 一种图案化石墨烯及其制备方法和用途
WO2017112575A1 (en) 2015-12-22 2017-06-29 The Regents Of The University Of California Cellular graphene films
CN105576123B (zh) * 2016-01-08 2018-07-20 中国计量学院 全石墨烯族柔性有机场效应管及其制造方法
CN108475590B (zh) 2016-01-22 2021-01-26 加利福尼亚大学董事会 高电压装置
CN105523554B (zh) * 2016-02-04 2018-07-17 福州大学 一种常温常压下利用激光快速制备石墨烯的方法
US11062855B2 (en) 2016-03-23 2021-07-13 The Regents Of The University Of California Devices and methods for high voltage and solar applications
CN109845004B (zh) 2016-08-31 2022-10-14 加利福尼亚大学董事会 包括碳基材料的装置以及其制造
EP3535214A1 (en) * 2016-11-06 2019-09-11 William Marsh Rice University Methods of fabricating laser-induced graphene and compositions thereof
CN106744860B (zh) * 2017-02-06 2019-04-30 中国科学院微电子研究所 一种石墨烯材料制备方法及器件制备方法
CN107298439B (zh) * 2017-06-14 2018-05-18 成都新柯力化工科技有限公司 一种利用飞秒激光制备石墨烯片的方法
US11133134B2 (en) * 2017-07-14 2021-09-28 The Regents Of The University Of California Simple route to highly conductive porous graphene from carbon nanodots for supercapacitor applications
CN107381548A (zh) * 2017-07-31 2017-11-24 江苏大学 一种激光快速原位制备与转移大面积石墨烯的装置与方法
CN107973284B (zh) * 2017-11-07 2020-09-08 西安交通大学 一种基于高重频激光石墨化的纳米多孔碳材料的制备方法
CN108483429A (zh) * 2018-06-15 2018-09-04 北京航空航天大学 一种大面积石墨烯纸的制备方法
CN109573990B (zh) * 2019-01-21 2019-10-11 广东工业大学 一种通过紫外激光快速制备图案化掺杂石墨烯的方法
CN110040723B (zh) * 2019-04-26 2022-06-10 辽宁烯旺石墨科技有限公司 一种利用离子溅射与激光复合技术制备石墨烯的方法
CN110108376B (zh) * 2019-05-08 2021-11-02 陕西科技大学 一种利用激光制备图案化石墨烯温度传感器的方法
CN110759338A (zh) * 2019-12-04 2020-02-07 广东工业大学 一种基于激光定点加工制备大尺寸石墨烯的方法
CN110983331B (zh) * 2019-12-24 2022-07-19 陕西清科智能科技有限公司 一种原位自修复石墨烯金属基自润滑复合涂层的制备方法
CN111441047B (zh) * 2020-04-01 2021-12-28 陕西科技大学 一种石墨烯/金属基复合触头材料及其制备方法和应用
CN111549339B (zh) * 2020-05-22 2023-01-24 蚌埠学院 一种增强石墨烯与基材结合牢度的方法
CN113000859A (zh) * 2021-02-24 2021-06-22 武汉大学 一种用于粉末床激光熔融增材制造的3d石墨烯原位自生装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012250875A (ja) * 2011-06-02 2012-12-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 炭素薄膜の形成方法
TW201341310A (zh) * 2012-04-12 2013-10-16 Nat Univ Tsing Hua 利用雷射誘發石墨烯之製備方法
CN102627275B (zh) * 2012-04-28 2015-05-20 郑州大学 一种通过熔融含碳合金在凝固过程中析出碳制备石墨烯的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103508450A (zh) 2014-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103508450B (zh) 一种大面积、可图案化石墨烯的激光制备方法
Hu et al. Laser irradiation of electrode materials for energy storage and conversion
Rabiei Baboukani et al. Liquid‐based exfoliation of black phosphorus into phosphorene and its application for energy storage devices
Ostrikov et al. From nucleation to nanowires: a single-step process in reactive plasmas
CN104073786A (zh) 一种精确控制石墨烯层数的方法
Xiang et al. Progress in application and preparation of silver nanowires
CN107385372B (zh) 一种纳米结构过渡金属薄膜的制备方法
CN102717083B (zh) 激光制备金属镉纳米颗粒的方法
CN102285635A (zh) 一种利用激光制作金属微纳结构的系统与方法
Chu et al. Facile synthesis, characterization of ZnO nanotubes and nanoflowers in an aqueous solution
CN111496384A (zh) 一种脆性材料表面纳米孔阵列的加工装置及方法
CN110695366A (zh) 快速制备多孔炭负载金属或金属碳化物纳米颗粒的方法
Fan et al. Large scale and cost effective generation of 3D self-supporting oxide nanowire architectures by a top-down and bottom-up combined approach
Wang et al. Novel laser-based metasurface fabrication process for transparent conducting surfaces
Zhou et al. The femtosecond laser micro-processing of the field-emission tip arrays in single crystal CeB6
Zhang et al. Photo-thermoelectric conversion and photo-induced thermal imaging using 2D/3D ReS2@ carbon framework with enhanced photon harvesting
CN103818960B (zh) 一种热丝化学气相沉积技术制备氧化钼纳米带的方法
JP7012393B2 (ja) グラファイト薄膜、グラファイト薄膜積層体、およびそれらの製造方法
Wang et al. In situ growth mechanism and the thermodynamic functions of zinc oxide nano-arrays and hierarchical structure
Pathak et al. Effect of laser power on conductivity and morphology of silver nanoparticle thin films prepared by a laser assisted electrospray deposition method
Huang et al. Precise patterning of carbon films on polyethylene terephthalate polymer substrates using femtosecond lasers
Wang et al. Femtosecond laser direct ablating micro/nanostructures and micropatterns on CH3NH3 PbI3 single crystal
CN102701270A (zh) 胶体硫化锡空心纳米颗粒的制备方法
Agool et al. Preparation and Study of colloidal CdO nanoparticles by laser ablation in polyvinylpyrrolidone
Saryanto et al. The simple fabrication of nanorods mass production for the dye-sensitized solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant