CN103500694A - 一种pdp屏充气方法及基于该方法的等离子显示屏 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种PDP屏充气方法及基于该方法的等离子显示屏。该发明通过在气体放电器件经高温烘烤后温度降到50℃~200℃时,对气体放电器件内充入潘宁放电气体,及与该充气方法相适宜的等离子显示屏,改善了屏内残余气体成分,使得着火电压降低,放电效率提高,使得PDP屏具有较低的电压、较高的光效,以及更优的放电均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及一种PDP屏充气方法及基于该方法的等离子显示屏,特别是涉及气体放电器件如等离子显示面板(PDP)等生产技术领域。
背景技术
在等离子显示面板(PDP)的制造过程中,在封排炉中完成对 PDP 面板的封接、抽真空排气并充以潘宁放电气体是 PDP 关键制程之一。现有的封排充气技术是在 PDP 面板完成封接、持续真空烘烤排气并降温至室温后充入潘宁放电气体。在此过程中,真空内的残余气体对PDP材料造成一定污染。
气体的脱附与吸附是一种真空物理现象,当材料在真空中加热时,材料表面及材料内部的气体分子会脱附并逸出到真空中,脱附的气体与材料表面积成正比。按PDP 面板封排制程技术要求,PDP须在封排炉中经历 400℃~500℃的加热、保温、冷却至室温的处理过程,在高真空状态下,在此工艺过程中必然产生PDP材料在烘烤过程中的放气,以及降温过程中屏内的气体吸附。
在PDP升温排气时,PDP内部材料气体脱附大于吸附,放气和与真空系统的极限真空度达到动态平衡。
同时,某些材料如MgO在真空中还发生化学平衡反应:
MgCO3=MgO+CO2
Mg(OH)2=MgO+H2O
在降温至室温的过程中,气体分子的吸附量大于脱附量,所以导致系统真空度升高。
然而,当器件温度从室温重新开始上升至器件极限工作温度(通常约60℃~80℃)时,这些在原降温段吸附的杂质气体即会重新释放出来。导致放电着火电压升高,斑纹等现象。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种工作气体充气方法和基于该充气方法的等离子显示屏以改善现有等离子显示技术中存在的残余气体污染、放电电压高的问题。
本发明采用的技术方案如下:一种PDP屏充气方法,其具体方法为:在封排降温段,当气体放电器件温度降到50℃~200℃时,对气体放电器件内充入潘宁放电气体。
作为优选,根据公式P=k×P0 计算补偿压力值,充入潘宁放电气体,直至压力达到P;其中,P0为常温下的潘宁气体充气压力,k为充气开氏温度与室温开氏温度的比值。
基于上述充气方法的等离子显示屏,其特征在于:包括上基板,沿上基板下表面延伸的PDP放电电极,依次覆盖在上基板及PDP放电电极上的介质层和介质保护层,下基板;所述下基板上设置有与PDP放电电极垂直设置的寻址电极、与寻址电极平行设置的障壁及荧光粉;上基板或下基板的边缘涂覆有封接材料。
作为优选,所述封接材料为低熔点玻璃。
作为优选,下基板与上基板相对封接形成多个放电单元。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:改善了屏内残余气体成分,使得着火电压降低,放电效率提高;采用本发明中的潘宁气体高温充气方法与常规方法相比,PDP屏具有较低的电压、较高的光效,以及更优的放电均匀性。
附图说明
图1为真空中材料受热的放气特性的示意图。
图2为PDP封排烘烤温度、真空度及常规充气及本发明其中一实施例的充气条件的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本说明书中公开的所有特征,除了互相排除的特征以外,均可以以任何方式组合。
本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
一种PDP屏充气方法,其具体方法为:在封排降温段,当气体放电器件经高温烘烤后温度降到50℃~200℃时,对气体放电器件内充入潘宁放电气体。
其中所述200℃上限可根据实际气体放电器件的材料特性允许温度进行提高。
在PDP的封排过程中,在对PDP进行充分的高温烘烤排气后,当温度降低到50℃~200℃时,以一定的速率充入潘宁工作气体,然后进行封离,则PDP内材料原在此温度降温至室温段所吸附的杂质气体将由潘宁放电气体取代,产生气体“饱和”效应。再升温时,材料重新脱附的气体中杂质含量减少,将改善屏内残余气体成分,使得着火电压降低,放电效率提高。
根据公式P=k×P0 计算补偿压力值,充入潘宁放电气体,直至压力达到P;其中,P0为常温下的潘宁气体充气压力,k为充气开氏温度与室温开氏温度的比值。
为避免高温条件充气与常温条件充气带来的气体压力差,充气气压可根据温度进行补偿的方法。
基于上述充气方法的等离子显示屏,包括上基板,沿上基板下表面延伸的PDP放电电极,依次覆盖在上基板及PDP放电电极上的介质层和介质保护层,下基板;所述下基板上设置有与PDP放电电极垂直设置的寻址电极、与寻址电极平行设置的障壁及荧光粉;上基板或下基板的边缘涂覆有封接材料。
所述封接材料为低熔点玻璃。
以封排时气体放电器件55℃为例进行具体步骤说明:
1、提供51寸HD显示屏,设置有PDP放电电极、介质层及介质保护层的上基板和设置有寻址电极及障壁和荧光粉的下基板,将上基板与下基板对合在一起,其中上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料;
2、计算55℃时的充气压力值P= k×P0 ,P0为常温下的潘宁气体充气压力,k为充气开氏温度与室温开氏温度的比值;
3、在PDP完成封接并对PDP进行充分的高温烘烤排气后,当温度降低到55℃的温度时,以一定的速率充入潘宁放电气体,直至压力达到P。
通过上述方法制备的等离子显示屏性能参数见表1,同时从肉眼观察,屏的斑纹问题方面,采用本发明充气的实施例的PDP屏均优于对比例。
表1
通过表1的数据以及肉眼对屏均匀性的判定说明,在其他条件相同的情况下,对比例1和2为未采用本发明所述方法和装置的实验结果,实验1和2是采用了本发明所述方法和装置的实验结果,可以看出,采用本发明中的潘宁气体高温充气方法与常规方法相比,具有较低的电压、较高的光效,以及更优的放电均匀性。
本发明所述方法制备的等离子显示屏及其它气体放电器件,均在本发明专利的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种PDP屏充气方法,其具体方法为:在封排降温段,当气体放电器件温度降到50℃~200℃时,对气体放电器件内充入潘宁放电气体。
2.根据权利要求1所述的方法,根据公式P=k×P0 计算补偿压力值,充入潘宁放电气体,直至压力达到P;其中,P0为常温下的潘宁气体充气压力,k为充气开氏温度与室温开氏温度的比值。
3.基于权利要求1所述充气方法的等离子显示屏,其特征在于:包括上基板,沿上基板下表面延伸的PDP放电电极,依次覆盖在上基板及PDP放电电极上的介质层和介质保护层,下基板;所述下基板上设置有与PDP放电电极垂直设置的寻址电极、与寻址电极平行设置的障壁及荧光粉;上基板或下基板的边缘涂覆有封接材料。
4.根据权利要求3所述的显示屏,其特征在于:所述封接材料为低熔点玻璃。
5.根据权利要求3所述的显示屏,其特征在于:下基板与上基板相对封接形成多个放电单元。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1240534A (zh) * | 1996-12-16 | 2000-01-05 | 松下电器产业株式会社 | 气体放电屏及其制造方法 |
CN1265516A (zh) * | 1999-03-01 | 2000-09-06 | 中外炉工业株式会社 | 等离子显示装置面板的排气密封方法 |
TW468192B (en) * | 1998-06-29 | 2001-12-11 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of plasma display panels |
US20020111103A1 (en) * | 2001-02-13 | 2002-08-15 | Nec Corporation | Method for manufacturing plasma display panel |
CN1591747A (zh) * | 2003-12-29 | 2005-03-09 | 友达光电股份有限公司 | 无突出尖端的等离子体显示面板及其制造方法与设备 |
CN101123052A (zh) * | 2006-08-09 | 2008-02-13 | Lg电子株式会社 | 等离子显示设备 |
CN101123161A (zh) * | 2006-08-10 | 2008-02-13 | Lg电子株式会社 | 等离子显示设备 |
JP2008047350A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
CN101558466A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-10-14 | 松下电器产业株式会社 | 放电管的充填气体压力的测定方法及放电管的制造方法 |
CN102436994A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-02 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏的封接方法 |
-
2013
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1240534A (zh) * | 1996-12-16 | 2000-01-05 | 松下电器产业株式会社 | 气体放电屏及其制造方法 |
TW468192B (en) * | 1998-06-29 | 2001-12-11 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of plasma display panels |
CN1265516A (zh) * | 1999-03-01 | 2000-09-06 | 中外炉工业株式会社 | 等离子显示装置面板的排气密封方法 |
US20020111103A1 (en) * | 2001-02-13 | 2002-08-15 | Nec Corporation | Method for manufacturing plasma display panel |
CN1591747A (zh) * | 2003-12-29 | 2005-03-09 | 友达光电股份有限公司 | 无突出尖端的等离子体显示面板及其制造方法与设备 |
CN101123052A (zh) * | 2006-08-09 | 2008-02-13 | Lg电子株式会社 | 等离子显示设备 |
CN101123161A (zh) * | 2006-08-10 | 2008-02-13 | Lg电子株式会社 | 等离子显示设备 |
JP2008047350A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
CN101558466A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-10-14 | 松下电器产业株式会社 | 放电管的充填气体压力的测定方法及放电管的制造方法 |
CN102436994A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-02 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏的封接方法 |
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