CN103490017A

CN103490017A - 一种杂化白光有机电致发光器件

Info

Publication number: CN103490017A
Application number: CN201310440421.1A
Authority: CN
Inventors: 邹建华; 刘佰全; 徐苗; 陶洪; 王磊; 彭俊彪
Original assignee: GUANGZHOU NEW VISION OPTOELECTRONIC CO Ltd
Current assignee: GUANGZHOU NEW VISION OPTOELECTRONIC CO Ltd
Priority date: 2013-09-25
Filing date: 2013-09-25
Publication date: 2014-01-01
Anticipated expiration: 2033-09-25
Also published as: CN103490017B

Abstract

一种杂化白光有机电致发光器件，设有基板、阳极、阴极以及介于阳极与阴极之间的有机功能层，有机功能层设有发光层，发光层的蓝色荧光发光层与磷光发光层通过间隔层隔开，间隔层含有主体材料和客体掺杂剂，客体掺杂剂掺杂于主体材料，主体材料为有机半导体材料，客体掺杂剂为无机材料。主体材料为p型有机半导体材料，客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层的无机材料。主体材料为n型有机半导体材料，客体掺杂剂为能够形成p型掺杂层的无机材料。主体材料为双极性型有机半导体材料，客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层或者能够形成p型掺杂层的无机材料。本发明器件效率高、稳定性好，寿命长。

Description

一种杂化白光有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及用作显示和照明的白光有机电致发光器件，特别涉及一种杂化白光有机电致发光器件。

背景技术

白光OLED(Organic Light Emitting Diode)属于平面发光器件，具备超薄、形状选择度大、适合作为大面积发光光源、无需散热、加工简单等优点，被认为是最理想的照明光源；同时，白光OLED还可以替代普通LED光源，作为现代主流液晶显示器的背光源，实现超薄液晶显示。白光OLED还可以结合彩色滤光膜实现彩色OLED显示。因此白光OLED受到越来越多学术界和工业界的关注。

白光OLED根据器件结构可以分为单发光层器件和多发光层器件。实现白光OLED器件的方法主要有两种：1）荧光白光OLED，即发光层全部由荧光材料组成的白光器件；2）磷光白光OLED，即发光层全部由磷光材料组成的白光器件。对于荧光白光OLED而言，其寿命虽然长，但是器件的效率一般都低于

20 lm/W，对磷光白光OLED而言，其效率虽然高，但是到目前为止还没有发现合适的蓝色磷光材料，导致器件的寿命较短。对于上述两种白光OLED器件各自存在的问题，可通过混合白光器件结构或者也称杂化白光器件（hybrid white OLED），即使用稳定蓝色荧光材料与其他颜色波段的磷光材料相结合实现白光。相对于荧光白光OLED和磷光白光OLED，杂化白光器件不仅寿命长，而且效率高。

对杂化白光器件而言，磷光发光层和荧光发光层之间，通常会设置一个间隔层（Spacer），用来阻止磷光材料与荧光材料之间的能量转移，从而有效利用器件所产生的单线态激子和三线态激子，从而保证器件的高效率和高性能。现有技术中，最常用的Spacer为有机材料4,4-N,N-dicarbazolebiphenyl（CBP），但是CBP的空穴迁移率比电子迁移率高一个数量级以上，并且CBP材料的禁带很宽，这会导致器件的工作电压较高，增加功耗，使得器件的功率效率降低。因此，现有技术中的杂化白光有机电致发光器件存在效率低、寿命短、稳定性差的缺陷。

针对现有技术不足，提供一种效率高、寿命长、稳定性好的杂化白光有机电致发光器件以克服现有技术不足甚为必要。

发明内容

本发明的目的是提供一种杂化白光有机电致发光器件，该杂化白光有机电致发光器件具有效率高、寿命长、稳定性好的特点。

本发明的上述目的通过如下技术手段实现。

一种杂化白光有机电致发光器件，设置有基板、阳极、阴极、以及介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层，所述有机功能层设有发光层，所述发光层至少包括一层蓝色荧光发光层、至少一层与蓝光形成互补色的磷光发光层和至少一层间隔层，所述间隔层含有主体材料和客体掺杂剂，所述客体掺杂剂掺杂于所述主体材料，所述主体材料为有机半导体材料，所述客体掺杂剂为无机材料。

优选的，上述主体材料为p型有机半导体材料，所述客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层的无机材料。

另一优选的，上述主体材料为n型有机半导体材料，所述客体掺杂剂为能够形成p型掺杂层的无机材料。

另一优选的，上述主体材料为双极性型有机半导体材料，所述客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层的无机材料或者为能够形成p型掺杂层的无机材料。

另一优选的，上述主体材料为n型有机半导体材料、p型有机半导体材料或者双极性有机半导体材料；

当所述主体材料为n型有机半导体材料时，n型有机半导体材料为由金属配合物或者由含双键N的杂环芳香有机化合物制备而成，具体为B3PyPB、B3PyMPm、B4PyMPm、InmND₃、GamND₃、AlmND₃、3TPYMB、SPPO1、Tm3PyPB、Al(DBM)₃、DPPS 、TpPyPB 、BCP、TmPyPB、TAZ、Alq₃、Bepp₂、TPBi、Bebq₂、BAlq、BAlq₃、Gaq₃、Liq、UGH1、UGH2、UGH3、Bphen、OXD-7或NBphen中的至少一种；

当所述主体材料为p型有机半导体材料时，p型有机半导体材料为三级芳香胺类材料，具体为DNTPD、HAT-CN、NPB、NPD、TPD、MeO-TPD、C60、ZnPc、NiPc、CoPC、PbPc、Ir(ppz)₃、CuPc、TAPC、m-MTDATA、TCTA、mCP、2-NATA或者Spiro-TAD中的至少一种；

当所述主体材料为双极性有机半导体材料时，具体为CBP、MADN或者26DCzPPy中的至少一种。

进一步的，上述能够形成n型掺杂层的无机材料为具有低功函数的金属单质，具体为铯单质、钠单质、钾单质、镁单质、锂单质、锌单质、钙单质、锶单质或者钐单质中的至少一种。

进一步的，上述能够形成n型掺杂层的无机材料为碱金属化合物，具体为氧化锂、氧化锂硼、硅酸钾、碳酸钾、硼氢化钾、碳酸铷、碱金属氯化物或者碱金属氟化物中的至少一种。

进一步的，上述能够形成n型掺杂层的无机材料为在热蒸镀时会发生裂解或者反应而释放出低功函数金属的无机物，具体为碱金属醋酸盐、MgCl、ZnO、CaCl₂、Si3N₄或者SiC_x中的至少一种。

进一步的，上述能够形成p型掺杂层的无机材料为氧化性材料，具体为碘单质、Fe₃O₄、FeCl₃、SbCl₅、SnCl₅、SiO₂ 、I₂O₅、MoO₃、V₂O₅、WO₃、TiO₂、CuO、Cu₂O、NiO、ReO₃、Mo(tfd)₃、ReO₇或者Ag₂O中的至少一种。

优选的，上述间隔层的厚度为0.05至20nm。

进一步的，上述间隔层的厚度为0.4至10 nm。

本发明的杂化白光有机电致发光器件，设置有基板、阳极、阴极、以及介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层，所述有机功能层设有发光层，所述发光层至少包括一层蓝色荧光发光层、至少一层与蓝光形成互补色的磷光发光层和至少一层间隔层，所述蓝色荧光发光层与所述磷光发光层通过所述间隔层隔开，所述间隔层含有主体材料和客体掺杂剂，所述客体掺杂剂掺杂于所述主体材料，所述主体材料为有机半导体材料，所述客体掺杂剂为无机材料。该器件采用有机材料与无机材料掺杂来平衡空穴迁移率和电子迁移率，能够提高器件的效率和稳定性，延长器件的使用寿命。

附图说明

结合附图对本发明作进一步说明，但附图中的内容不构成对本发明的限制。

图1是本发明一种杂化白光有机电致发光器件的其中一种结构示意图；

图2是本发明一种杂化白光有机电致发光器件的其中一种结构示意图；

图3是本发明一种杂化白光有机电致发光器件的其中一种结构示意图；

图4是本发明一种杂化白光有机电致发光器件的其中一种结构示意图；

图5是本发明实施例2的两种器件的波长—照度特性示意图；

图6是本发明实施例3的器件的照度—发光效率关系示意图；

图7是至图11是本发明实施例3的器件在不同的驱动电压下的波长—照度特性示意图；

图12是本发明实施例4的器件的波长—照度特性示意图；

图13是本发明实施例4的器件在光谱为电流密度在20mA/cm²下测量的波长—照度特性示意图；

图14是本发明实施例5的器件D的波长—照度特性示意图；

图15是本发明实施例5的器件E的波长—照度特性示意图；

图16是本发明实施例5的器件F的波长—照度特性示意图。

具体实施方式

结合以下实施例对本发明作进一步描述。

实施例 1 。

一种杂化白光有机电致发光器件，设置有基板、阳极、阴极、以及介于阳极与阴极之间的有机功能层，有机功能层包括至少一层发光层，至少一层空穴注入层或者空穴传输层，至少一层电子传输层或者电子注入层。发光层至少包括一层蓝色荧光发光层、至少一层与蓝光形成互补色的磷光发光层和至少一层间隔层，蓝色荧光发光层与磷光发光层通过间隔层隔开，其间隔层含有主体材料和客体掺杂剂，客体掺杂剂掺杂于主体材料，主体材料为有机半导体材料，客体掺杂剂为无机材料。蓝光层发射波峰在400-499nm之间，磷光发射层发射波峰在500-700nm之间。

间隔层的厚度为0.05至20nm，优选为为0.4至10 nm，以0.2至8 nm更佳。

需要说明的是，本发明适合于现有技术中不同结构的有机电致发光器件，包括但不限于附图1至附图4中四种有机电致发光器件。

具体的，主体材料可为n型有机半导体材料、p型有机半导体材料或者双极性有机半导体材料中的至少一种。

当主体材料为n型有机半导体材料时，n型有机半导体材料为由金属配合物或者由含双键N的杂环芳香有机化合物制备而成，具体为B3PyPB、B3PyMPm、B4PyMPm、InmND₃、GamND₃、AlmND₃、3TPYMB、SPPO1、Tm3PyPB、Al(DBM)₃、DPPS 、TpPyPB 、BCP、TmPyPB、TAZ、Alq₃、Bepp₂、TPBi、Bebq₂、BAlq、BAlq₃、Gaq₃、Liq、UGH1、UGH2、UGH3、Bphen、OXD-7或NBphen中的至少一种。

当主体材料为p型有机半导体材料时，p型有机半导体材料为三级芳香胺类材料，具体为DNTPD、HAT-CN、NPB、NPD、TPD、MeO-TPD、C60、ZnPc、NiPc、CoPC、PbPc、Ir(ppz)₃、CuPc、TAPC、m-MTDATA、TCTA、mCP、2-NATA或者Spiro-TAD中的至少一种。

当主体材料为双极性有机半导体材料时，具体为CBP、MADN或者26DCzPPy中的至少一种。

具体的，当主体材料为p型有机半导体材料，客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层的无机材料。当主体材料为n型有机半导体材料，客体掺杂剂为能够形成p型掺杂层的无机材料。当主体材料为双极性型有机半导体材料，客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层的无机材料或者为能够形成p型掺杂层的无机材料。

优选的，上述能够形成n型掺杂层的无机材料为具有低功函数的金属单质，具体为铯单质、钠单质、钾单质、镁单质、锂单质、锌单质、钙单质、锶单质或者钐单质中的至少一种。

能够形成n型掺杂层的无机材料也可以为碱金属化合物，具体为氧化锂（Li₂O）、氧化锂硼（LiBO₂）、硅酸钾（K₂SiO₄）、碳酸钾（Cs₂CO₃）、硼氢化钾（KBH₄ ）、碳酸铷（Rb₂CO₃）、碱金属氯化物（MCl， M代表Li,Na,K,Rb,Cs）或者碱金属氟化物（MF， M代表Li,Na,K,Rb,Cs）中的至少一种。

能够形成n型掺杂层的无机材料也可以为在热蒸镀时会发生裂解或者反应而释放出低功函数金属的无机物，具体为碱金属醋酸盐（CH₃COOM，M代表Li,Na,K,Rb,Cs）、MgCl、ZnO、CaCl₂、Si3N₄或者SiC_x中的至少一种。

能够形成p型掺杂层的无机材料为氧化性材料，具体为碘单质、Fe₃O₄、FeCl₃、SbCl₅、SnCl₅、SiO₂ 、I₂O₅、MoO₃、V₂O₅、WO₃、TiO₂、CuO、Cu₂O、NiO、ReO₃、Mo(tfd)₃、ReO₇或者Ag₂O中的至少一种。

本发明的杂化白光有机电致发光器件，对间隔层的构成材料进行了特殊设置。其他结构与现有技术中的特征相同。

其基板可以是常规玻璃、柔性超薄玻璃或是聚酯类、聚酰亚胺类化合物中的一种材料，也可以是表面经过准硅化处理的聚酯类、聚酰亚胺类化合物。

阳极设置为由金属氧化物或者高功函数金属或者导电聚合物或者单质碳类导电层制备而成。当阳极设置为由金属氧化物制备而成时，金属氧化物具体为氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌或者氧化镓锌；当阳极设置为由高功函数金属制备而成时，高功函数金属具体设置为金或者铂；当阳极设置为由单质碳类导电层制备而成时，单质碳类导电层设置为碳纳米管或石墨烯导电层。

阴极设置为由功函数小于3eV的低功函数金属结合铝、银制备的双层电极或者制备的共混电极；或者由碱金属化合物或碱土金属化合物结合铝、银制备的双层电极。

蓝色荧光发光层材料为9，10-二芳基取代的蒽衍生物、苝衍生物、苯二乙烯芳香衍生物、芘衍生物或芴衍生物，具体设置为DSA-ph、BCzVBi、TBPe、DPAVBi、DPAVBi、BUBD-1、BD012、BH046、N-BDAVBi、BDAVBi、MDP₃FL或DADBT。

磷光发光层材料一般指含有铱(Ir)、铂(Pt)、铼(Re)、锇(Os)的有机化合物发光材料，可以是单独磷光材料层发光，也可以为将磷光材料作为客体材料掺杂于主体材料中。

本发明的技术与现有技术中的掺杂不同，现有技术中的掺杂为N型掺杂或者p型掺杂。n型掺杂是指“n型有机半导体材料掺杂n型无机半导体材料”，所选择的掺杂剂是n型无机半导体材料，其作用是强化n型有机半导体层的电子传输能力；相对的，p型掺杂是指“p型有机半导体掺杂p型无机半导体材料”，所选择的掺杂剂是p型无机半导体材料，作用是强化p型有机半导体层的空穴传输能力。本发明突破现有技术中常规取向，克服技术偏见，调换了两种掺杂的搭配方式，更改了强化方向，实践证明，本发明的杂化白光有机电致发光器件载流子的传输更平衡，器件性能更佳。

本发明的有机电致发光器件，由于使用性能更好的间隔层，能够有效利用器件的单线态激子和三线态激子，使激子的利用率达到100%，故能够大大提高器件的效率。

该杂化白光有机电致发光器件，使用载流子传输性能更好的无机物掺杂有机物作为间隔层，能有效改善间隔层的电阻，提高电导率，从而增加载流子传输能力，改善器件的驱动电压。

此外，由于无机物的稳定性比有机物更好，故本发明有利于获得长寿命器件。

对于使用无机半导体材料与有机半导体材料共混的间隔层的器件，其发光光谱可以通过无机物的掺杂比例进行简便调控，能够获得色坐标可以调节、色温可以变化的高效器件，从而满足不同环境、不同要求下的使用，适用范围广泛。因此，实际制备过程中，主体材料与掺杂剂的含量因不同的需求可以灵活调整，在此不再赘述。

实施例 2 。

下面结合详细的实验例进一步对本发明进行说明。

首先对所使用的材料进行说明：

ITO：氧化铟锡；

HAT-CN：2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯；

LiF：氟化锂；

MoO₃：氧化钼；

CsCO₃：碳酸铯；

Al：铝；

Bebq₂：双 (10-羟基苯并喹啉)铍；

Ir(MDQ)₂(acac)：(乙酰丙酮)双(2-甲基二苯并[F,H]喹喔啉)合铱；

NPB：(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)；

ITO：氧化铟锡；

TAPC：二[4-(N,N-二甲苯基-氨基)苯基]环己烷；

Bepp₂：双(2-(2-酚基) 吡啶)铍；

Ir(ppy)3：三(2-苯基吡啶)合铱

CBP：4,4’-N,N-二咔唑-联苯；

(MPPZ)₂Ir(acac)：嘧啶铱配合物二(2—苯基嘧啶)乙酰丙酮铱；

MADN：3-叔丁基-910-二2-萘蒽；

DSA-ph：双对(4-N,N-二苯氨基苯乙烯) ；

TmPyPB：1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯。

采用如下方法制备本发明的杂化白光有机电致发光器件B：

1.在衬底上制备ITO薄膜作为阳极；

2. 再在阳极上制备 400 Å的HAT-CN作为空穴注入层；

3.在上述空穴注入层上制备200 Å厚度的NPB薄膜作为空穴传输层；

4.在上述蓝光层上制备200 Å厚度、掺杂2% DSA-ph的 MADN薄膜作为荧光发光层；

5.在上述荧光发光层上制备50 Å 厚度的掺杂2% Cs₂CO₃的 CBP薄膜作为间隔层；

6.在上述间隔层上制备100 Å厚度、掺杂2% Ir(MDQ)₂(acac)的 Bebq₂薄膜作为磷光发光层；

7. 在上述磷光发光层上制备250 Å的 Bebq₂薄膜作为电子传输层；

8. 在上述电子传输层上制备10 Å的LiF薄膜作为电子注入层；

9. 在上述电子注入层上制备2000 Å的Al薄膜作为阴极。

以B：C（xÅ ,y%）表示结构中的一层，其制作材料为B，并且掺杂了C材料，比例为y%，该层的厚度为xÅ (埃)。

所制备器件B的结构为：

ITO/ HAT-CN(400 Å) /NPB(200 Å) /MADN:DSA-ph(200 Å，2%)/CBP:Cs₂CO₃(50 Å，2%)/ Bebq₂:Ir(MDQ)₂(acac)（100 Å，2%）/Bebq₂(250 Å) /LiF(10 Å) /Al(2000 Å) 。

为了便于比对，以上述相同的方法制备对比器件A, 器件A的结构为：

ITO/HAT-CN(400 Å) /NPB(200Å) /MADN:DSA-ph(200Å，2%)/CBP(50Å) / Bebq₂:Ir(MDQ)₂(acac)（100Å，2%）/Bebq₂(250Å) / LiF(10Å) /Al(2000Å)。

器件A、器件B的波长——照度特性如图5所示，从图中可以看出，对于单独以CBP做间隔层的器件A，该器件无法产生白光。对于以CBP掺杂CsCO₃为间隔层的器件B，该器件能够有效产生白光，并且白光色坐标为（0.3176,0.3241），其非常接近白光等能点（0.3333,0.3333），说明加入无机物的间隔层，能有效调节器件光谱，实现颜色可调的特点。

实施例 3 。

采用与实施例2相同的方法制备本实施例的杂化白光有机电致发光器件C，其结构为：ITO/ HAT-CN(400Å) /NPB(200Å) /MADN:DSA-ph（100 Å，2%）/ MADN:Cs₂CO₃(40 Å, 50%) / Bebq₂:Ir(MDQ)₂(acac)（120 Å，2%）/ MADN:Cs₂CO₃(40 Å, 50%) / MADN：DSA-ph（100 Å，2%）/Bebq₂(250 Å) / LiF(10 Å) /Al(2000 Å。

对所制备的器件的性能进行检测，器件的照度—发光效率（电流效率）关系示意图如图6所示，器件在不同的照度即驱动电压下的波长—照度特性示意图如图7至11所示。从图中可以看出，器件效率可以高达31cd/A，光谱包括465nm、610nm两个主峰和492nm的一个肩峰，而且随着亮度变化，三个波段发光变化较小，说明光谱相对比较稳定。

可见，本发明的有机电致发光器件能够大大提高器件的效率、改善器件的驱动电压，还具有稳定性好的特点。

实施例 4 。

采用与实施例2相同的方法制备本实施例的杂化白光有机电致发光器件C，器件C的结构为：ITO/HAT-CN(200 Å) / TAPC (200 Å) / MADN:DSA-ph(200 Å,2%)/ Bepp₂:MoO₃(35Å, 9%)/ Bepp₂:Ir(ppy)₃: Ir(MDQ)₂(acac) (200 Å,1:9%:0.2%)/ Tmpypb(350 Å) /LiF(10 Å) /Al(2000 Å) 。

对所制备的器件C的性能进行检测，器件C的波长—照度特性分别如图12、图13所示。可见，光谱为电流密度在20mA/cm²下获得，并且器件效率可以达到47cd/A。

实施例 5 。

采用与实施例2相同的方法制备本实施例的三种杂化白光有机电致发光器件D、E和F。

器件D的结构为：

ITO/HAT-CN(1000 Å) /NPB(200 Å) / MADN：DSA-ph(100 Å,1%)/ NPB:Cs₂CO₃(50 Å,0.2%)/CBP:(MPPZ)₂Ir(acac)(300 Å，3%)/Be(bq)₂(250 Å) /LiF(10 Å) /Al(2000 Å)。

器件E的结构为：

ITO/HAT-CN(1000 Å) /NPB(200 Å) / MADN：DSA-ph(100 Å,1%)/ NPB:Cs₂CO₃(50 Å, 25%)/CBP:(MPPZ)₂Ir(acac)(300 Å，3%)/Be(bq)₂(250 Å) /LiF(10 Å) /Al(2000 Å)。

器件F的结构为：

ITO/HAT-CN(1000 Å) /NPB(200 Å) / MADN：DSA-ph(100 Å,1%)/ NPB:Cs₂CO₃(50 Å, 50%)/CBP:(MPPZ)₂Ir(acac)(300 Å，3%)/Be(bq)₂(250 Å) /LiF(10 Å) /Al(2000 Å)。

对所制备的器件D、E和F的性能进行检测，器件D、E和F的波长—照度特性分别如图14、图15和图16所示。从图中可以看出，

随着NPB掺杂比例的提升，色坐标出现偏移，光谱朝着波长较长的方向移动，而合成出来的白光更加偏近于暖白色。

需要说明的是，实施例2至实施例5只是列举了本发明的几个实施方式，在实际使用中，可以根据需要灵活调整。

最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims

1.一种杂化白光有机电致发光器件，设置有基板、阳极、阴极以及介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层，所述有机功能层设有发光层，所述发光层至少包括一层蓝色荧光发光层、至少一层与蓝光形成互补色的磷光发光层和至少一层间隔层，所述蓝色荧光发光层与所述磷光发光层通过所述间隔层隔开，其特征在于：所述间隔层含有主体材料和客体掺杂剂，所述客体掺杂剂掺杂于所述主体材料，所述主体材料为有机半导体材料，所述客体掺杂剂为无机材料。

2.根据权利要求1所述的杂化白光有机电致发光器件，其特征在于：所述主体材料为p型有机半导体材料，所述客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层的无机材料。

3.根据权利要求1所述的杂化白光有机电致发光器件，其特征在于：所述主体材料为n型有机半导体材料，所述客体掺杂剂为能够形成p型掺杂层的无机材料。

4.根据权利要求1所述的杂化白光有机电致发光器件，其特征在于：所述主体材料为双极性型有机半导体材料，所述客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层的无机材料或者为能够形成p型掺杂层的无机材料。

5.根据权利要求1所述的杂化白光有机电致发光器件，其特征在于：

所述主体材料为n型有机半导体材料、p型有机半导体材料或者双极性有机半导体材料；

6.根据权利要求1或4所述的杂化白光有机电致发光器件，其特征在于：所述能够形成n型掺杂层的无机材料为具有低功函数的金属单质，具体为铯单质、钠单质、钾单质、镁单质、锂单质、锌单质、钙单质、锶单质或者钐单质中的至少一种。

7.根据权利要求1或4所述的杂化白光有机电致发光器件，其特征在于：所述能够形成n型掺杂层的无机材料为碱金属化合物，具体为氧化锂、氧化锂硼、硅酸钾、碳酸钾、硼氢化钾、碳酸铷、碱金属氯化物或者碱金属氟化物中的至少一种。

8.根据权利要求1或4所述的杂化白光有机电致发光器件，其特征在于：所述能够形成n型掺杂层的为在热蒸镀时会发生裂解或者反应而释放出低功函数金属的无机物，具体为碱金属醋酸盐、MgCl、ZnO、CaCl₂、Si3N₄或者SiC_x中的至少一种。

9.根据权利要求2或4所述的杂化白光有机电致发光器件，其特征在于：所述能够形成p型掺杂层的无机材料为氧化性材料，具体为碘单质、Fe₃O₄、FeCl₃、SbCl₅、SnCl₅、SiO₂ 、I₂O₅、MoO₃、V₂O₅、WO₃、TiO₂、CuO、Cu₂O、NiO、ReO₃、Mo(tfd)₃、ReO₇或者Ag₂O中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的一种杂化白光有机电致发光器件，其特征在于：所述间隔层的厚度为0.05至20nm。