CN103280535A - 一种白光有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
一种白光有机电致发光器件，自下而上依次设置有p型主体掺杂非蓝光层、p型传输阻挡层、非掺杂蓝光层、n型传输阻挡层、n型主体掺杂非蓝光层，还设置有基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和阴极；p型传输阻挡层的材料的三线态能级大于p型主体掺杂非蓝光层的材料的三线态能级；n型传输阻挡层的材料的三线态能级大于n型主体掺杂非蓝光层的材料的三线态能级。非掺杂蓝光层的发射波峰在400-490nm之间，p、n型主体掺杂非蓝光层的客体材料发射波峰在500-640nm之间。该白光有机电致发光器件色稳定性高、发光波段多且器件效率高。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件技术领域，尤其涉及一种白光有机电致发光器件。
背景技术
目前，白光有机电致发光器件（white organic light emitting device，简称白光OLED）在显示和照明中的应用将成为未来显示和照明技术的新方向。白光OLED在显示和照明技术应用的要求是多波段、色稳定、高效率，这样才能满足显示技术要求的高色域、色稳定、低功耗等参数，同时也能满足照明技术要求的高演色指数和高效率等参数。
白光是利用红绿蓝黄等颜色组合而得到的，通常，各种颜色是由各自对应的发光材料实现的，这些材料可以通过共掺杂实现白光，也可以掺杂到多层器件中实现白光效果。中国专利CN200410082023.8公开了一种红蓝掺杂结合电子传输型绿光的有机电致发光器件，得到一种白光器件。中国专利CN200510099229.6公开了一种对称发光层和中间发光层的白光器件，减小了光谱随电压的变化。中国专利CN200780039775.8公开了一种蓝色荧光结合红色和绿色磷光的白光器件，使理论激子利用率达到100%，提高了器件效率。中国专利CN200810190806.6公开了一种掺杂蓝色荧光结合非蓝光磷光材料的白光器件，得到色坐标稳定的白光器件。
但是，常规多层器件和多掺杂器件很难控制激子在各个发光材料中的分配比率，导致器件效率低，光色差，以及光谱随着操作电压变化而变化，阻碍了白光OLED器件在实际产品中的应用。同时由于蓝色荧光和蓝色磷光三线态能量差别，往往使相应白光器件结构大不相同，增加了结构设计难度。
因此，针对现有技术不足，提供一种色稳定性好、发光波段多及器件效率高白光有机电致发光器件以克服现有技术不足甚为必要。
发明内容
本发明的目的是提供一种白光有机电致发光器件，该器件具有色稳定性好、发光波段多及器件效率高的特点。
本发明的上述目的通过如下技术手段实现。
一种白光有机电致发光器件，自下而上依次设置有p型主体掺杂非蓝光层、p型传输阻挡层、非掺杂蓝光层、n型传输阻挡层、n型主体掺杂非蓝光层；
所述p型传输阻挡层的材料的三线态能级大于所述p型主体掺杂非蓝光层的材料的三线态能级；
所述n型传输阻挡层的材料的三线态能级大于所述n型主体掺杂非蓝光层的材料的三线态能级。
上述非掺杂蓝光层的发射波峰在400-490nm之间，所述非掺杂蓝光层由蓝色磷光材料或蓝色荧光材料制备而成，所述非掺杂蓝光层的厚度设置为0.1-3nm。
上述蓝色磷光材料为以苯基吡啶配体为发光核或者2，4-二氟苯基吡啶配位为发光核的铱复合物，具体设置为Firpic、FIr6、FIrpytz、FIrN4、FCNIr或Ir( dfpypy)3；
所述蓝色荧光材料为9，10-二芳基取代的蒽衍生物、苝衍生物、苯二乙烯芳香衍生物、芘衍生物或芴衍生物，具体设置为DSA-ph、BCzVBi、TBPe、DPAVBi、DPAVB、N-BDAVBi、、BDAVBi、MDP3FL或DADBT。
上述p型传输阻挡层的厚度设置为1-10 nm；
所述p型传输阻挡层为三级芳香胺类材料，具体设置为NPB、TCTA、TPD或TTP材料。
上述n型传输阻挡层的厚度设置为1-10 nm；
所述n型传输阻挡层为由金属配合物或者由含双键N的杂环芳香有机化合物制备而成，所述n型传输阻挡层具体设置为由Balq、TPBi、Bphen、TAZ、Bepp2、Mcp或BCP材料制备而成。
上述p型主体掺杂非蓝光层的厚度为5-30nm，所述p型主体掺杂非蓝光层的客体材料发射波峰在500-640nm之间，客体材料为一种材料或由多种材料共掺杂构成；
主体材料设置为NPB、TCTA、TPD或TTP空穴传输型材料，客体材料设置为C545T、DCM、DCJTB、Rubrene、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(ppy)3或Ir(MDQ)2(acac)。
上述n型主体掺杂非蓝光层的厚度为5-30nm，所述n型主体掺杂非蓝光层的客体材料发射波峰在500-640nm之间，客体材料是一种材料或多种材料共掺杂构成；主体材料设置为Balq、TPBi、Bphen、TAZ、Bepp2、Mcp或BCP电子传输型材料；客体材料设置为C545T、DCM、DCJTB、Rubrene、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(ppy)3或Ir(MDQ)2(acac)。
上述白光有机电致发光器件还设置有基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和阴极；所述基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、p型主体掺杂非蓝光层、p型传输阻挡层、非掺杂蓝光层、n型传输阻挡层、n型主体掺杂非蓝光层、电子传输层和阴极按照从下到上的顺序依次叠层排列；
上述空穴注入层由金属氧化物、聚合物、芳香胺类或者氟化小分子材料或者掺杂氧化剂的有机材料层制备而成；
当所述空穴注入层由金属氧化物制备而成时，所述金属氧化物具体设置为三氧化钼或者氧化钨；
当所述空穴注入层由聚合物制备而成时，所述聚合物具体设置为PEDOT:PSS或者CFx；
当所述空穴注入层由掺杂氧化剂的有机材料层制备而成时，所述氧化剂具体设置为FeCl3或者SbCl5或者F4-TCNQ；
所述空穴传输层设置为由p型掺杂传输层或是非掺杂有机小分子材料层构成，当所述空穴传输层设置为非掺杂小分子材料层时，所述小分子设置为NPB、TPD或BPAPF；
所述电子传输层设置为由蒽类衍生物、菲类衍生物、唑类衍生物、金属螯合物或全氟化寡聚物材料制备而成。
上述阳极设置为由金属氧化物或者高功函数金属或者导电聚合物或者单质碳类导电层制备而成；
当所述阳极设置为由金属氧化物制备而成时，所述金属氧化物具体为氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌或者氧化镓锌；
当所述阳极设置为由高功函数金属制备而成时，所述高功函数金属具体设置为金或者铂；
当所述阳极设置为由单质碳类导电层制备而成时，所述单质碳类导电层设置为碳纳米管或石墨烯导电层；
所述阴极设置为由功函数小于3eV的低功函数金属结合铝、银制备双层电极，例如Ca/Al或者制备共混电极例如Mg:Ag/Ag；或者由碱金属化合物或碱土金属化合物结合铝、银制备双层电极，例如Cs2CO3/Al。
上述基板设置为常规玻璃、柔性超薄玻璃或是聚酯类、聚酰亚胺类化合物或者表面经过硅化处理的聚酯类、聚酰亚胺类化合物。
本发明的白光有机电致发光器件，自下而上依次设置有p型主体掺杂非蓝光层、p型传输阻挡层、非掺杂蓝光层、n型传输阻挡层和n型主体掺杂非蓝光层；所述p型传输阻挡层的材料的三线态能级大于所述p型主体掺杂非蓝光层的材料的三线态能级；所述n型传输阻挡层的材料的三线态能级大于所述n型主体掺杂非蓝光层的材料的三线态能级。该白光有机电致发光器件将蓝光层单独作为一层并不进行掺杂，同时设置p型传输阻挡层、n型传输阻挡层避免空穴、电子传递到其他发光层，器件的色稳定性高、发光波段多且器件效率高。
附图说明
利用附图对本发明作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本发明的任何限制。
图1是本发明一种白光有机电致发光器件；
图2是本发明实施例2的亮度-电流效率示意图，中间的插图是实施例2所发出的光，其归一化波长密度示意图；
图3是本发明实施例3的亮度-电流效率示意图，中间的插图是实施例3所发出的光，其归一化波长密度示意图。
在图1至图3中，包括：
基板01、阳极02、空穴注入层03、空穴传输层04、p型主体掺杂非蓝光层05、p型传输阻挡层06、非掺杂蓝光层07、n型传输阻挡层08、n型主体掺杂非蓝光层09、电子传输层10、阴极11。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明作进一步描述。
实施例
1
。
一种白光有机电致发光器件，如图1所示，自下而上依次设置有p型主体掺杂非蓝光层05、p型传输阻挡层06、非掺杂蓝光层07、n型传输阻挡层08和n型主体掺杂非蓝光层09，还设置有基板01、阳极02、空穴注入层03、空穴传输层04、电子传输层10和阴极11，基板01、阳极02、空穴注入层03、空穴传输层04、p型主体掺杂非蓝光层05、p型传输阻挡层06、非掺杂蓝光层07、n型传输阻挡层08和n型主体掺杂非蓝光层09、电子传输层10和阴极11按照自下而上的顺序依次叠层设置。
需要说明的是，白光有机电致发光器件的层状结构通常是通过蒸镀法层层蒸镀的，具体制备工艺为本领域公知常识，在此不再赘述。
需要说明的是，白光电致发光器件的结构不局限于本实施例中的结构，也可以采用其他替换阳极02、空穴注入层03、空穴传输层04、电子传输层10和阴极11的常规结构。
p型传输阻挡层06的材料的三线态能级大于p型主体掺杂非蓝光层05的材料的三线态能级； n型传输阻挡层08的材料的三线态能级大于n型主体掺杂非蓝光层09的材料的三线态能级。
该白光有机电致发光器件将蓝光层单独作为一层并不进行掺杂，同时设置p型传输阻挡层06、n型传输阻挡层08避免空穴、电子传递到其他发光层，器件的色稳定性高、发光波段多且器件效率高。
具体的，基板01可以设置为常规玻璃、柔性超薄玻璃或是聚酯类、聚酰亚胺类化合物或者表面经过硅化处理的聚酯类、聚酰亚胺类化合物。
阳极02可以由金属氧化物或者高功函数金属或者导电聚合物或者单质碳类导电层制备而成。
当阳极02设置为由金属氧化物制备而成时，金属氧化物可以为氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌或者氧化镓锌。
当阳极02设置为由高功函数金属制备而成时，高功函数金属可以设置为金或者铂。
当阳极02设置为由单质碳类导电层制备而成时，单质碳类导电层可以设置为碳纳米管或石墨烯导电层。
空穴注入层由金属氧化物、聚合物、芳香胺类、氟化小分子材料或者掺杂氧化剂的有机材料层制备而成。
当空穴注入层03由金属氧化物制备而成时，金属氧化物具体可以为三氧化钼或者氧化钨。
当空穴注入层03由聚合物制备而成时，聚合物具体可以为PEDOT:PSS或者CFx。
当空穴注入层03由掺杂氧化剂的有机材料层制备而成时，氧化剂具体设置为FeCl3、SbCl5或者F4-TCNQ；
空穴传输层04设置为由p型掺杂传输层或是非掺杂有机小分子材料层构成，当空穴传输层04设置为非掺杂小分子材料层时，小分子可以为NPB、TPD或BPAPF。
p型主体掺杂非蓝光层05的厚度为5-30nm， p型主体掺杂非蓝光层05的客体材料发射波峰在500-640nm之间，客体材料为一种材料或由多种材料共掺杂构成的掺杂材料。主体材料可以为NPB、TCTA、TPD或TTP空穴传输型材料，客体材料可以为C545T、DCM、DCJTB、Rubrene、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(ppy)3或Ir(MDQ)2(acac)。
p型传输阻挡层06的厚度设置为1-10 nm，p型传输阻挡层06可以由NPB、TCTA、TPD或TTP材料制备而成。
非掺杂蓝光层07的发射波段设置为400-490nm，非掺杂蓝光层07由蓝色磷光材料或蓝色荧光材料制备而成，非掺杂蓝光层07的厚度设置为0.1-3nm。
蓝色磷光材料为以苯基吡啶配体为发光核或者2，4-二氟苯基吡啶配位为发光核的铱复合物，具体可以设置为Firpic、FIr6、FIrpytz、FIrN4、FCNIr或者Ir( dfpypy)3。
蓝色荧光材料为9，10-二芳基取代的蒽衍生物、苝衍生物、苯二乙烯芳香衍生物、芘衍生物或者芴衍生物，具体可以设置为DSA-ph、BCzVBi、TBPe、DPAVBi、DPAVB、N-BDAVBi、BDAVBi、MDP3FL或DADBT。
n型传输阻挡层08的厚度设置为1-10 nm，n型传输阻挡层08由Balq、TPBi、Bphen、TAZ、Bepp2、Mcp或BCP等材料制备而成。
n型主体掺杂非蓝光层09的厚度为5-30nm， n型主体掺杂非蓝光层09的客体材料发射波峰在500-640nm之间，客体材料是一种材料或多种材料共掺杂构成的掺杂材料；主体材料可以为Balq、TPBi、Bphen、TAZ、Bepp2、Mcp或BCP等电子传输型材料；客体材料可以为C545T、DCM、DCJTB、Rubrene、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(ppy)3或Ir(MDQ)2(acac)。
电子传输层10设置为由蒽类衍生物、菲类衍生物、唑类衍生物、金属螯合物或全氟化寡聚物等材料制备而成。
阴极11设置为由功函数小于3eV的低功函数金属结合铝、银制备双层电极例如Ca/Al或者制备共混电极例如Mg:Ag/Ag；或者由碱金属化合物或碱土金属化合物结合铝、银制备双层电极如Cs2CO3/Al。
本发明提供的白光有机电致发光器件，设置p、n型掺杂发光层、非掺杂蓝光层07和p、n型阻挡层，p型传输阻挡层06的材料的三线态能级大于p型主体掺杂非蓝光层05的材料的三线态能级， n型传输阻挡层08的材料的三线态能级大于n型主体掺杂非蓝光层09的材料的三线态能级。本发明将蓝光层单独作为一层并不进行掺杂，同时设置p型传输阻挡层06、n型传输阻挡层08避免空穴、电子传递到其他发光层，使得器件的色稳定性高、发光波段多且器件效率高。
需要说明的是，构成各层的材料并不仅仅局限于本实施例的情况，本领域技术人员也可以根据需要灵活选择。
实施例
2
。
制备一种白光有机电致发光器件并进行性能检测。
所使用的材料说明:
ITO：氧化铟锡；
HAT-CN：二吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹恶啉-2,3,6,7,10,11-六甲氰；
NPB：N,N’-二（萘-1-基）-N,N’二苯基-联苯胺；
Ir(MDQ)2(acac) ：(乙酰丙酮)双(2-甲基二苯并[F,H]喹喔啉)合铱；
TCTA：三(4-咔唑-9基-苯基)胺；
Firpic：双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶)铱；
TPBi：1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯;
Ir(ppy)3：三（2-苯基吡啶）合铱；
Bepp2 ：双(2-(2-酚基) 吡啶)铍。
在本实施例中，所采用的工艺流程如下：首先将商用ITO玻璃通过图案化、清洗、烘干后送入真空蒸镀设备；之后采用真空热沉积法制备各有机层；蒸发速率、掺杂浓度和实际厚度由膜厚监测仪实时控制；使用KEITHLEY2400和光度计评价器件EL性能。
其中，按以下顺序蒸镀各有机层：
1. 蒸镀200Å厚的空穴注入层，具体采用HAT-CN材料制备而成。
2. 蒸镀200Å厚的空穴传输层，具体采用NPB材料制备而成。
3. 蒸镀150Å厚的p型主体掺杂非蓝光层，具体采用掺杂有10%浓度Ir(MDQ)2(acac)的NPB材料制备而成。
4. 蒸镀25Å厚的p型阻挡层，具体采用TCTA材料制备而成。
5. 蒸镀5Å厚的非掺杂蓝光层，具体采用Firpic材料制备而成。
6. 蒸镀25Å厚的n型传输阻挡层，具体采用TPBi材料制备而成。
7. 蒸镀150Å厚的n型主体掺杂非蓝光层，具体采用掺杂有9%浓度Ir(ppy)3的Bepp2材料制备而成。
8. 蒸镀200Å厚的电子传输层，具体采用Bepp2材料制备而成。
9. 蒸镀10Å厚的电子注入层，具体采用LiF材料制备而成。
10. 蒸镀1000Å厚的铝电极作为阴极。
最终得到样品的结构为：
ITO/HAT-CN（200Å）/NPB（200Å）/NPB:Ir(MDQ)2(acac) （150Å，10%）/
TCTA（25Å）/Firpic（5Å）/TPBi（25Å）/ Bepp2:
Ir(ppy)3（150Å，9%）/ Bepp2（200Å）/LiF（10Å）/Al（1000Å）。
说明：以B：C（xÅ ,y%）表示结构中的一层，其制作材料为B，并且掺杂了C材料，比例为y%，该层的厚度为xÅ (埃)。
对所制备的样品进行测试，结果如图2所示，从图2中可以看出，该白光电致发光器件的效率可以达到50cd/A，光谱包括470nm、510nm、600nm三个波段，而且随着亮度变化，三个波段发光没有明显变化。
可见，本发明的器件的色稳定性高、发光波段多且器件效率高。
实施例
3
。
制备一种白光有机电致发光器件并进行性能检测。
所使用的材料说明:
ITO：氧化铟锡；
HAT-CN：二吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹恶啉-2,3,6,7,10,11-六甲氰；
NPB：N,N’-二（萘-1-基）-N,N’二苯基-联苯胺；
Ir(MDQ)2(acac) ：(乙酰丙酮)双(2-甲基二苯并[F,H]喹喔啉)合铱；
TCTA：三(4-咔唑-9基-苯基)胺；
DSA-ph：1,4-二[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基苯；TPBi：1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯;
Ir(ppy)3：三（2-苯基吡啶）合铱；
Bepp2 ：双(2-(2-酚基) 吡啶)铍；
Alq3：八羟基喹啉铝；
C545T：10-(2-苯并噻唑)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7,-四甲基l-1H,5H,11H-[1]苯丙吡喃酮基[6,7,8-ij]喹嗪-11-酮。
本实施例采用工艺流程如下：首先将商用ITO玻璃通过图案化、清洗、烘干后送入真空蒸镀设备；之后采用真空热沉积方法制备各有机层；蒸发速率、掺杂浓度和实际厚度由膜厚监测仪实时控制；使用KEITHLEY2400和光度计评价器件EL性能。
其中，按以下顺序蒸镀各有机层：
1. 蒸镀200Å厚的空穴注入层，具体采用HAT-CN材料制备而成。
2. 蒸镀200Å厚的空穴传输层，具体采用NPB材料制备而成。
3. 蒸镀150Å厚的p型主体掺杂非蓝光层，具体采用掺杂有10%浓度Ir(MDQ)2(acac)的NPB材料制备而成。
4. 蒸镀25Å厚的p型阻挡层，具体采用TCTA材料制备而成。
5. 蒸镀2Å厚的非掺杂蓝光层，具体采用DSA-ph材料制备而成。
6. 蒸镀25Å厚的n型传输阻挡层，具体采用TPBi材料制备而成。
7. 蒸镀150Å厚的n型主体掺杂非蓝光层，具体采用掺杂有5%浓度C545T的Alq3材料制备而成。
8. 蒸镀200Å厚的电子传输层，具体采用Alq3材料制备而成。
9. 蒸镀10Å厚的电子注入层，具体采用LiF材料制备而成。
10. 蒸镀1000Å厚的铝电极作为阴极。
最终得到样品的结构为：
ITO/HAT-CN（200Å）/NPB（200Å）/NPB:Ir(MDQ)2(acac) （150Å，10%）/TCTA（25Å）/DSA-ph（2Å）/TPBi（25Å）/ Alq3:C545T(150Å，5%)/
Alq3（200Å）/LiF（10Å）/Al（1000Å）。
说明：以B：C（xÅ ,y%）表示结构中的一层，其制作材料为B，并且掺杂了C材料，比例为y%，该层的厚度为xÅ (埃)。
对所制备的样品进行测试，结果如图3所示，从图3中可以看出，该白光电致发光器件的效率可以达到25cd/A，光谱包括470nm、500nm、530nm、600nm四个波段，而且随着亮度变化，四个波段发光没有明显变化。
可见，本发明的器件的色稳定性高、发光波段多且器件效率高。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对 本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1. 一种白光有机电致发光器件，其特征在于:自下而上依次设置有p型主体掺杂非蓝光层、p型传输阻挡层、非掺杂蓝光层、n型传输阻挡层和n型主体掺杂非蓝光层；
所述p型传输阻挡层的材料的三线态能级大于所述p型主体掺杂非蓝光层的材料的三线态能级；
所述n型传输阻挡层的材料的三线态能级大于所述n型主体掺杂非蓝光层的材料的三线态能级。
2.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于：所述非掺杂蓝光层的发射波峰在400-490nm之间，所述非掺杂蓝光层由蓝色磷光材料或蓝色荧光材料制备而成，所述非掺杂蓝光层的厚度设置为0.1-3nm。
3. 根据权利要求2的白光有机电致发光器件，其特征在于：
所述蓝色磷光材料为以苯基吡啶配体为发光核或者2，4-二氟苯基吡啶配位为发光核的铱复合物，具体设置为Firpic、FIr6、FIrpytz、FIrN4、FCNIr或Ir( dfpypy)3；
所述蓝色荧光材料为9，10-二芳基取代的蒽衍生物、苝衍生物、苯二乙烯芳香衍生物、芘衍生物或芴衍生物，具体设置为DSA-ph、BCzVBi、TBPe、DPAVBi、DPAVB、N-BDAVBi、BDAVBi、MDP3FL或DADBT。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的白光有机电致发光器件，其特征在于：所述p型传输阻挡层的厚度设置为1-10
nm；
所述p型传输阻挡层为三级芳香胺类材料，具体设置为由NPB、TCTA、TPD或TTP材料制备而成。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的白光有机电致发光器件，其特征在于：所述n型传输阻挡层的厚度设置为1-10
nm；
所述n型传输阻挡层为由金属配合物或者由含双键N的杂环芳香有机化合物制备而成，所述n型传输阻挡层具体设置为由Balq、TPBi、Bphen、TAZ、Bepp2、Mcp或BCP材料制备而成。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的白光有机电致发光器件，其特征在于：所述p型主体掺杂非蓝光层的厚度为5-30nm，所述p型主体掺杂非蓝光层的客体材料发射波峰在500-640nm之间，客体材料为一种材料或由多种材料共掺杂构成；
主体材料设置为NPB、TCTA、TPD或TTP空穴传输型材料，客体材料设置为C545T、DCM、DCJTB、Rubrene、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(ppy)3或Ir(MDQ)2(acac)。
7.根据权利要求1至3任意一项所述的白光有机电致发光器件，其特征在于：所述n型主体掺杂非蓝光层的厚度为5-30nm，所述n型主体掺杂非蓝光层的客体材料发射波峰在500-640nm之间，客体材料是一种材料或多种材料共掺杂构成；主体材料设置为Balq、TPBi、Bphen、TAZ、Bepp2、Mcp或BCP电子传输型材料；客体材料设置为C545T、DCM、DCJTB、Rubrene、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(ppy)3或Ir(MDQ)2(acac)。
8.根据权利要求1至3任意一项所述白光有机电致发光器件，其特征在于：还设置有基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和阴极；所述基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、p型主体掺杂非蓝光层、p型传输阻挡层、非掺杂蓝光层、n型传输阻挡层、n型主体掺杂非蓝光层、电子传输层和阴极按照从下到上的顺序依次叠层排列；
所述空穴注入层由金属氧化物、聚合物、芳香胺类或者氟化小分子材料或者掺杂氧化剂的有机材料层制备而成；
当所述空穴注入层由金属氧化物制备而成时，所述金属氧化物具体设置为三氧化钼或者氧化钨；
当所述空穴注入层由聚合物制备而成时，所述聚合物具体设置为PEDOT:PSS或者CFx；
当所述空穴注入层由掺杂氧化剂的有机材料层制备而成时，所述氧化剂具体设置为FeCl3或者SbCl5或者F4-TCNQ；
所述空穴传输层设置为由p型掺杂传输层或是非掺杂有机小分子材料层构成，当所述空穴传输层设置为非掺杂小分子材料层时，所述小分子设置为NPB、TPD或BPAPF；
所述电子传输层设置为由蒽类衍生物、菲类衍生物、唑类衍生物、金属螯合物或全氟化寡聚物材料制备而成。
9.根据权利要求8所述的白光有机电致发光器件，其特征在于：
所述阳极设置为由金属氧化物或者高功函数金属或者导电聚合物或者单质碳类导电层制备而成；
当所述阳极设置为由金属氧化物制备而成时，所述金属氧化物具体为氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌或者氧化镓锌；
当所述阳极设置为由高功函数金属制备而成时，所述高功函数金属具体设置为金或者铂；
当所述阳极设置为由单质碳类导电层制备而成时，所述单质碳类导电层设置为碳纳米管或石墨烯导电层；
所述阴极设置为由功函数小于3eV的低功函数金属结合铝、银制备的双层电极或者制备的共混电极；或者由碱金属化合物或碱土金属化合物结合铝、银制备的双层电极。
10.根据权利要求8所述的白光有机电致发光器件，其特征在于：所述基板设置为玻璃、柔性超薄玻璃或是聚酯类、聚酰亚胺类化合物或者表面经过硅化处理的聚酯类、聚酰亚胺类化合物。
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