CN103474537B - 包含渐变厚度势磊的led结构外延生长方法 - Google Patents
包含渐变厚度势磊的led结构外延生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103474537B CN103474537B CN201310441658.1A CN201310441658A CN103474537B CN 103474537 B CN103474537 B CN 103474537B CN 201310441658 A CN201310441658 A CN 201310441658A CN 103474537 B CN103474537 B CN 103474537B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- growth
- gan
- gan layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，生长发光层MQW的步骤为：在温度为730‑750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5‑3nm的InxGa（1‑x）N层，x=0.20‑0.21；将反应室温度调节为800‑840℃，通入R时长的三甲基镓，生长出厚度为D的第一个GaN层；重复生长InGaN层，通入0.75‑0.95倍R时长的三甲基镓，生成厚度为0.75‑0.95倍D的第二个GaN层；依次类推，GaN层厚度逐层减小。本发明改变了发光层的势磊GaN厚度，使其依次减少，从而改善电子和空穴的分布，提高LED光效。
Description
技术领域
本发明涉及LED外延设计领域，特别地，涉及一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法。
背景技术
目前国内MOCVD生长LED外延层其中涉及到发光层的生长，大抵都是势阱InGaN、势磊GaN为一个周期重复生长，一般周期数控制在11-15个左右。
发光层的厚度一般控制在150nm-250nm，相对于N、P型GaN而言发光层的阻值相对比较高；发光层中不掺杂Si或者低浓度掺杂Si的势磊GaN更是加大了发光层的阻值。
阻值较高的好处：发光层接近N层的结构势磊GaN阻值高能阻挡多数的电子,电子浓度数值在1E+20-2E+20个/cm3(N型GaN中电子的迁移率高达200-250v/cm2，Si掺杂剂电离90％以上，电子的浓度高速度快，电子容易穿透发光层泄露至P层产生非复合辐射消耗空穴)，让电子在发光层中减速，让电子均匀分散在发光层中，减弱电子的外溢泄露，提高势阱InGaN层的电子浓度。
坏处是：因为空穴的行为和电子的行为是相反的，P型掺杂剂Mg的电离率非常低，通常只有1％-2％，整个P层的空穴浓度相对电子而言浓度非常低，浓度数值在3E+18-5E+18个/cm3，P层阻值大约8-10欧姆(N层阻值大约3-4欧姆)，空穴的有效质量比电子有效质量大很多，所以空穴的迁移率非常低，发光层的阻值比P层的阻值高，空穴很难穿透发光层，很多论文指出，靠近发光层第一个势阱InGaN空穴浓度最高，第二、三、四个势阱InGaN空穴浓度递减，第五、六个势阱InGaN基本不存在空穴。
发明内容
本发明目的在于提供一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，以解决电子和空穴分布不均，影响LED光效的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长发光层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，所述生长发光层MQW的步骤为：
A、在温度为730-750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；In的通入量为1800sccm；
将反应室温度调节为800-840℃，通入总时长为333s的三甲基镓，生长出厚度为15nm的第一个GaN层；
B、将反应室温度调节为730-750℃，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；In的通入量为1800sccm；
将反应室温度调节为800-840℃，通入三甲基镓；通入总时长为290s的三甲基镓，生长出厚度为14-15nm的第二个GaN层；
C、将反应室温度调节为730-750℃，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；In的通入量为1800sccm；
将反应室温度调节为800-840℃，通入三甲基镓；通入总时长为230s的三甲基镓，生长出厚度为10-11nm的第N个GaN层；
D、将反应室温度调节为730-750℃，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；In的通入量为1800sccm；
将反应室温度调节为800-840℃，通入总时长为177s的三甲基镓，生长出厚度为8-10nm的第四个GaN层。
优选的，每一个步骤重复1-4次后，进行下一步骤。
优选的，所述三甲基镓为金属有机源三甲基镓。
本发明具有以下有益效果：本发明通过改变三甲基镓的通入时长，从而改变了发光层MQW的若干个InxGa(1-x)N/GaN组合单元中的势磊GaN厚度，使势磊GaN厚度依次减少，势磊GaN阻值减小，削弱了多电子和空穴传播时的阻挡作用，P层传播的空穴因为阻挡减弱能够传播更远，一方面增加了原来陷空穴的浓度，另一方面增加了含有空穴的势阱的个数，由于空穴的迁移率较低(10-15cm2/(V*s))，含有空穴的势阱个数约为4-5个，通过势磊GaN厚度依次减少，势阱个数增加为6-7个；对电子而言每个势阱都填充电子，这个是由电子迁移率高(100-150cm2/(V*s))决定的，势磊GaN厚度依次减少只能单方面提高势阱电子的浓度；通过势磊GaN厚度依次减少改善电子和空穴的分布，提高LED光效，改善发光层的阻值，降低LED的驱动电压。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是现有的LED外延结构示意图；
图2是本发明优选实施例的发光层势磊渐变的LED外延结构示意图；
图3是现有的发光层和电子阻挡层的能带结构示意图；
图4是本发明优选实施例的势磊渐变发光层的能带结构示意图；
图5是本发明优选实施例一和对比实施例一的芯片亮度对比示意图；
图6是本发明优选实施例一和对比实施例一的芯片电压对比示意图；
其中，1、衬底，2、低温缓冲GaN层，3、不掺杂GaN层，4、掺Si的GaN层，5、发光层InxGa(1-x)N/GaN，6、GaN层，7、P型AlGaN层，8、P型GaN层，9、InxGa(1-x)N层，10、第一个GaN层，11、第二个GaN层，12、第N个GaN层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
参见图2，本发明提供了包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长发光层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，所述生长发光层MQW的步骤为：
A、在温度为730-750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；
将反应室温度调节为800-840℃，通入R时长的三甲基镓，生长出厚度为D的第一个GaN层；
B、将反应室温度调节为730-750℃，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；In的掺杂浓度为1E+20-2E+20atom/cm3；
将反应室温度调节为800-840℃，通入三甲基镓；三甲基镓的通入时长为步骤A通入时长R的0.75-0.95倍，生长出厚度为0.75-0.95D的第二个GaN层；
三甲基镓可优选为金属有机源三甲基镓。
C、将反应室温度调节为730-750℃，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；
将反应室温度调节为800-840℃，通入三甲基镓；三甲基镓的通入时长为上一个步骤通入时长R的0.75-0.95倍，生长出厚度为(0.75-0.95)n*D的第N个GaN层；
D、重复C步骤，直至生成12-16个InxGa(1-x)N/GaN层。
本发明通过改变三甲基镓的通入时长，从而改变了生长发光层MQW的若干个InxGa(1-x)N/GaN组合单元中的势磊GaN厚度，使势磊GaN厚度依次减少，从而改善电子和空穴的分布，提高LED光效。
以下分别说明采用以现有传统方法制备样品1的对比实施例一，和采用本发明生长方法制备样品2的实施例一，再将两种方法得到样品1和样品2进行性能检测比较。
对比实施例一、
1、在1000-1100℃的氢气气氛下高温处理蓝宝石衬底8-10分钟；
2、降温至540-590℃下，在蓝宝石衬底上生长厚度为30-40nm的低温缓冲层GaN；
3、升高温度到1100-1200℃下，持续生长2.5-3.5μm的不掺杂GaN；
4、生长3-4μm持续掺杂Si的N型GaN，Si的掺杂浓度为5E+19-1E+20个/cm3；
5、周期性生长有发光层MQW：低温730-750℃生长掺杂In的2.5-3nm InxGa(1-x)N(x～＝0.20-0.21)层，高温800-840℃生长11-12nm GaN层；InxGa(1-x)N/GaN周期数为13-15个；
6、再升高温度到900-950℃持续生长20-30nm的P型AlGaN层，Al的掺杂浓度为1E+20-3E+20个/cm3，Mg的掺杂浓度为1E+19-2E+19个/cm3；
7、再升高温度到930-1000℃持续生长200-300nm的掺镁的P型GaN层，Mg的掺杂浓度为3E+19-4E+19个/cm3；
8、最后降温至650-680℃，保温20-30min，接着炉内冷却；得到样品1。
样品1的结构可参见图1所示，其能带图见图3所示。其中，上方曲线为GaN导带能级，中间虚线为GaN费米能级；下方曲线为GaN价带能级，A、B点分别表示发光层中的InGaN层和GaN层。
实施例一、
本发明运用Aixtron MOCVD来生长高亮度GaN基LED外延片。采用高纯H2或高纯N2或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，金属有机源三甲基镓(TMGa)、三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，N型掺杂剂为硅烷(SiH4)，三甲基铝(TMAl)作为铝源，P型掺杂剂为二茂镁(CP2Mg)，衬底为(0001)面蓝宝石，反应压力在100mbar到800mbar之间。具体生长方式如下(外延结构请参考图2，第5步的能带请参考图4)：
1、在1000-1100℃的氢气气氛下高温处理蓝宝石衬底8-10分钟；
2、降温至540-590℃下，在蓝宝石衬底上生长厚度为30-40nm的低温缓冲层GaN；
3、升高温度到1100-1200℃下，持续生长2.5-3.5μm的不掺杂GaN；
4、生长3-4μm持续掺杂Si的N型GaN，Si的掺杂浓度为5E+19-1E+20个/cm3；
5、周期性分组生长有发光层MQW：
(1)第一双层组合单元：低温730-750℃生长掺杂In的2.5-3nm InxGa(1-x)N(x＝0.20-0.21)层，In的掺杂浓度为1E+20-2E+20atom/cm3；高温800-840℃时，采用333s通入20sccm的TMGa，生长15-16nm厚度的GaN层，InxGa(1-x)N/GaN周期数为3-4个；
(2)第二双层组合单元：低温730-750℃生长掺杂In的2.5-3nm InxGa(1-x)N(x＝0.20-0.21)层，In的掺杂浓度为1E+20-2E+20atom/cm3；高温800-840℃时，采用290s通入20sccm的TMGa，生长14-15nm厚度的GaN层，InxGa(1-x)N/GaN周期数为3-4个；
(3)第三双层组合单元：低温730-750℃生长掺杂In的2.5-3nmInxGa(1-x)N(x＝0.20-0.21)层，In的掺杂浓度为1E+20-2E+20atom/cm3；高温800-840℃时，采用230s通入20sccm的TMGa，生长10-11nm厚度的GaN层，InxGa(1-x)N/GaN周期数为3-4个；
(4)第四双层组合单元：低温730-750℃生长掺杂In的2.5-3nmInxGa(1-x)N(x～＝0.20-0.21)层，In的掺杂浓度为1E+20-2E+20atom/cm3；高温800-840℃时，采用177s通入20sccm的TMGa，生长8-10nm厚度的GaN层，InxGa(1-x)N/GaN周期数为3-4个；
或者，第5步骤的发光层可以1-4个InGaN/GaN层为一个单元生长，每一个单元内的GaN层厚度一致；但整个发光层GaN厚度从16nm渐变为8nm。
优选为每个单元为1-2个InGaN/GaN层。
6、再升高温度到900-950℃持续生长20-30nm的P型AlGaN层，Al的掺杂浓度为1E+20-3E+20个/cm3，Mg的掺杂浓度为1E+19-2E+19个/cm3；
7、再升高温度到930-1000℃持续生长200-300nm的掺镁的P型GaN层，Mg的掺杂浓度为3E+19-4E+19个/cm3；
8、最后降温至650-680℃，保温20-30min，接着炉内冷却；得到样品2。
样品2的结构可参见图2所示，其能带图见图4所示。其中，上方曲线为GaN导带能级，中间虚线为GaN费米能级；下方曲线为GaN价带能级，A、B点分别表示发光层中的InGaN层和GaN层。
样品1和样品2发光层的生长工艺条件对比可参见下表1。
表1发光层生长参数的对比
样品1和样品2在相同的前工艺条件下镀ITO层约100nm，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极约150nm，相同的条件下镀保护层SiO2约50nm，然后在相同的条件下将样品研磨切割成762μm*762μm(30mi*30mil)的芯片颗粒，然后在相同位置挑选样品1和样品2各自150颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。然后采用积分球在驱动电流350mA条件下测试样品1和样品2的光电性能。
将积分球获得的数据进行分析对比，请参考附图5和附图6，从图5数据得出样品2较样品1光效提升6-7％，从图6数据得出样品2较样品1电压降低0.13-0.15v，效果突出。
本发明还公开了一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延结构，依次包括衬底1、低温缓冲GaN层2、不掺杂GaN层3、掺Si的GaN层4、MQW发光层5、P型AlGaN层6和P型GaN层7，所述MQW发光层5包含若干个双层组合单元，每个组合单元包含一个InxGa(1-x)N层9和一个GaN层6，x＝0.20-0.21，组合单元的个数为12-16，每层InxGa(1-x)N层9的厚度为2.5-3nm。
每层GaN层6的厚度为上一梯次的双层组合单元中GaN层6厚度的0.75-0.95倍。例如，第一个GaN层10的厚度为16nm，第二个GaN层11的厚度为第一个GaN层10的厚度的0.875倍，即14nm，第N个GaN层12则为第一个GaN层10的厚度的0.875n倍。
优选地，每一梯次的双层组合单元数可为1-4，GaN层厚度相同的为同一梯次的双层组合单元。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长发光层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，所述生长发光层MQW的步骤为：
A、在温度为730-750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；In的通入量为1800sccm；
将反应室温度调节为800-840℃，通入总时长为333s的三甲基镓，生长出厚度为15nm的第一个GaN层；
B、将反应室温度调节为730-750℃，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；In的通入量为1800sccm；
将反应室温度调节为800-840℃，通入三甲基镓；通入总时长为290s的三甲基镓，生长出厚度为14-15nm的第二个GaN层；
C、将反应室温度调节为730-750℃，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；In的通入量为1800sccm；
将反应室温度调节为800-840℃，通入三甲基镓；通入总时长为230s的三甲基镓，生长出厚度为10-11nm的第N个GaN层；
D、将反应室温度调节为730-750℃，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa(1-x)N层，x＝0.20-0.21；In的通入量为1800sccm；
将反应室温度调节为800-840℃，通入总时长为177s的三甲基镓，生长出厚度为8-10nm的第四个GaN层。
2.根据权利要求1所述的一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，其特征在于，每一个步骤重复1-4次后，进行下一步骤。
3.根据权利要求1或2所述的一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，其特征在于，所述三甲基镓为金属有机源三甲基镓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310441658.1A CN103474537B (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 包含渐变厚度势磊的led结构外延生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310441658.1A CN103474537B (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 包含渐变厚度势磊的led结构外延生长方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103474537A CN103474537A (zh) | 2013-12-25 |
| CN103474537B true CN103474537B (zh) | 2017-03-08 |
Family
ID=49799306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310441658.1A Active CN103474537B (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 包含渐变厚度势磊的led结构外延生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103474537B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103474540B (zh) * | 2013-09-25 | 2016-09-07 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 势磊厚度渐变的led结构外延生长方法及其结构 |
| CN104157746A (zh) * | 2014-08-15 | 2014-11-19 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 新型量子阱势垒层的led外延生长方法及外延层 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101582478A (zh) * | 2009-05-21 | 2009-11-18 | 上海蓝光科技有限公司 | 用于光电器件的多量子阱结构及其制造方法 |
| CN101667612A (zh) * | 2008-09-05 | 2010-03-10 | 晶元光电股份有限公司 | 光电元件 |
| CN102306691A (zh) * | 2011-09-02 | 2012-01-04 | 华灿光电股份有限公司 | 一种提高发光二极管发光效率的方法 |
| CN103474540A (zh) * | 2013-09-25 | 2013-12-25 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 势磊厚度渐变的led结构外延生长方法及其结构 |
| CN103022285B (zh) * | 2013-01-10 | 2015-02-04 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高led亮度的多量子阱层生长方法 |
| CN102368519B (zh) * | 2011-10-27 | 2016-04-20 | 华灿光电股份有限公司 | 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100658308B1 (ko) * | 2006-01-03 | 2006-12-14 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드 |
-
2013
- 2013-09-25 CN CN201310441658.1A patent/CN103474537B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101667612A (zh) * | 2008-09-05 | 2010-03-10 | 晶元光电股份有限公司 | 光电元件 |
| CN101582478A (zh) * | 2009-05-21 | 2009-11-18 | 上海蓝光科技有限公司 | 用于光电器件的多量子阱结构及其制造方法 |
| CN102306691A (zh) * | 2011-09-02 | 2012-01-04 | 华灿光电股份有限公司 | 一种提高发光二极管发光效率的方法 |
| CN102368519B (zh) * | 2011-10-27 | 2016-04-20 | 华灿光电股份有限公司 | 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 |
| CN103022285B (zh) * | 2013-01-10 | 2015-02-04 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高led亮度的多量子阱层生长方法 |
| CN103474540A (zh) * | 2013-09-25 | 2013-12-25 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 势磊厚度渐变的led结构外延生长方法及其结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103474537A (zh) | 2013-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103560187B (zh) | 含有超晶格势垒层的led结构外延生长方法及其结构 | |
| CN103474539B (zh) | 含有超晶格层的led结构外延生长方法及其结构 | |
| CN105098004B (zh) | 一种发光二极管外延片的生长方法及外延片 | |
| CN104157746A (zh) | 新型量子阱势垒层的led外延生长方法及外延层 | |
| CN111223764A (zh) | 一种提高辐射复合效率的led外延生长方法 | |
| CN103107255A (zh) | 一种led外延片生长方法 | |
| CN107195739A (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
| CN106328777A (zh) | 一种发光二极管应力释放层的外延生长方法 | |
| CN106711299A (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制作方法 | |
| CN106328788B (zh) | GaN基LED外延结构及其制造方法 | |
| CN104091871B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN108550665A (zh) | 一种led外延结构生长方法 | |
| CN104157763B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN105869999A (zh) | Led外延生长方法 | |
| CN105870277A (zh) | 一种发光二极管外延片及其生长方法 | |
| CN103413879A (zh) | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 | |
| CN103943740B (zh) | 增加发光效率的led外延层生长方法及led外延层 | |
| CN103746054B (zh) | 阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构 | |
| CN103985797B (zh) | 多量子阱结构及其生长方法、及具有该结构的led芯片 | |
| CN103594570B (zh) | 含有超晶格势垒层的led结构外延生长方法及其结构 | |
| CN103952684B (zh) | Led外延层生长方法及led外延层 | |
| CN105869994A (zh) | 一种超晶格层的生长方法及含此结构的led 外延结构 | |
| CN107359227A (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
| CN104733575A (zh) | 发光结构及包含该发光结构的半导体发光元件 | |
| CN103474537B (zh) | 包含渐变厚度势磊的led结构外延生长方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |