CN103474539B - 含有超晶格层的led结构外延生长方法及其结构 - Google Patents
含有超晶格层的led结构外延生长方法及其结构 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法及其结构，在生长发光层步骤与生长P型AlGaN层步骤之间，包括生长InN/GaN超晶格层的步骤：在温度为740-770℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长InN/GaN超晶格层，每层InN厚度为1-2nm，每层GaN厚度为1-2nm；InN/GaN超晶格层的周期数为10-15层，总厚度为20-30nm。本发明在传统的发光层量子阱层和电子阻挡层（AlGaN：Mg）之间插入InN/GaN超晶格层，利用InN的晶格系数从GaN顺利过渡到AlGaN，减小应力，增加量子阱的空穴浓度，提高发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED外延设计技术领域，特别地，涉及一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法及其结构。
背景技术
目前国内MOCVD厂家在生长LED外延层时都会在P层引入一层电子阻挡层，该电子阻挡层在LED器件中起着至关重要的作用，防止电子的外溢，对发光效率有帮助，对器件的抗静电能力有帮助，关系到器件的稳定性和器件的发光效率等。
但是该电子阻挡层也有很多缺点：例如电阻率高、空穴浓度低，空穴浓度迁移率低，空穴注入的效率非常差等。因为电子阻挡层是高能带的AlGaN：Mg材料，Mg的电离率很低空穴浓度低，迁移率低，空穴迁移的过程中受到能带的阻挡；GaN材料和电子阻挡层：Mg材料的接触面又由于晶格的不匹配导致接触面的能带弯曲，进一步加大了能带阻挡空穴迁移的作用；接触面晶格的不匹配AlGaN：Mg材料的结晶质量非常差，产生更多的缺陷，为电子的外溢提供通道，空穴受到缺陷的阻碍，使得迁移率进一步降低。
以目前MOCVD工艺而言，电子阻挡层虽然不能去掉，但是可以通过改变生长条件使得电子阻挡层的晶体质量得到改善，减弱负面影响。传统的做法是该电子阻挡层在N2、H2混合气氛下生长，H2的帮助使得其结晶质量变好；或者将这一层生长温度适当的提高以获得良好的晶体，但是温度太高对发光层又有伤害，所以温度提高有限制；或者减慢这一层的生长速率，以获得好的晶体质量。
发明内容
本发明目的在于提供一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法及其结构，以解决技术问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长发光层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，在生长发光层MQW步骤与生长P型AlGaN层步骤之间，包括生长InN/GaN超晶格层的步骤：
在温度为740-770℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长InN/GaN超晶格层，每层InN厚度为1-2nm，每层GaN厚度为1-2nm；
所述InN/GaN超晶格层的周期数为10-15层，总厚度为20-30nm。
优选地，所述生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层的步骤为：
生长低温缓冲GaN层：在530-560℃的反应室内，在衬底上生长厚度为30-50nm的低温缓冲GaN层；
生长不掺杂GaN层：升高温度到1100-1200℃，持续生长厚度为2-3um的不掺杂GaN；
生长掺Si的GaN层：持续生长掺杂Si的N型GaN，Si的掺杂浓度为5E+18-1E+19个/cm3，总厚度控制在4-5μm。
所述InN/GaN超晶格层的周期数为10-15层，总厚度为20-30nm。
优选地，所述生长发光层MQW步骤为：
在720-750℃的反应室内生长掺杂In的InxGa（1-x）N层，InxGa（1-x）N的厚度为3-4nm，In的掺杂浓度为2E+20-3E+20个/cm3，其中x=0.20-0.21；将温度调节为850-880℃生长GaN层，GaN层的厚度为11-13nm；InxGa（1-x）N/GaN层的周期数为14-16。
所述InN/GaN超晶格层的周期数为10-15层，总厚度为20-30nm。
优选地，生长P型AlGaN层、生长P型GaN层的步骤为：
生长P型AlGaN层：在930-980℃的反应室内持续生长厚度为50-60nm的P型AlGaN层，Al的掺杂浓度为1E+20-2E+20个/cm3，Mg的掺杂浓度为3E+19-4E+19个/cm3；
生长P型GaN层：升高温度到1000-1100℃持续生长厚度为100-150nm的掺镁的P型GaN层，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20个/cm3。
本发明还提供一种含有超晶格层的LED外延结构，在发光层MQW与P型AlGaN层之间包括InN/GaN超晶格层：
InN/GaN超晶格层包含若干个双层组合单元，每个组合单元包含一个InN层和一个GaN层，组合单元的个数为10-15，每层InN厚度为1-2nm，每层GaN厚度为1-2nm；
InN/GaN超晶格层的总厚度为20-30nm。
所述InN/GaN超晶格层的周期数为10-15层，总厚度为20-30nm。
优选地，在所述InN/GaN超晶格层之下，从下至上依次包括：
衬底；
低温缓冲GaN层：厚度为30-50nm；
不掺杂GaN层：厚度为2-3um；
掺Si的GaN层：Si的掺杂浓度为5E+18-1E+19个/cm3，总厚度控制在4-5μm；
发光层MQW：发光层为掺杂In的InxGa（1-x）N层，InxGa（1-x）N/GaN层的周期数为14-16；InxGa（1-x）N的厚度为3-4nm，In的掺杂浓度为2E+20-3E+20个/cm3，其中x=0.20-0.21；GaN层的厚度为11-13nm。
所述InN/GaN超晶格层的周期数为10-15层，总厚度为20-30nm。
优选地，在所述InN/GaN超晶格层之上，从下至上依次包括：
P型AlGaN层：厚度为50-60nm，Al的掺杂浓度为1E+20-2E+20个/cm3，Mg的掺杂浓度3E+19-4E+19个/cm3；
P型GaN层：厚度为100-150nm，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20个/cm3。
所述InN/GaN超晶格层的周期数为10-15层，总厚度为20-30nm。
优选地，在每个所述双层组合单元中：InN层在GaN层之上，或者InN层在GaN层之下。
本发明具有以下有益效果：
本发明在传统的发光层量子阱层和电子阻挡层（AlGaN：Mg）之间插入InN/GaN超晶格层，利用InN的晶格系数在AlGaN、GaN两者之间从GaN的生长顺利过渡到AlGaN的生长，使得AlGaN的晶格得到弛豫，应力释放比较明显。
InN/GaN超晶格层匹配了InGaN/GaN（量子阱）和AlGaN：Mg（电子阻挡层）之间的晶格，使得两者之间的应力减小，有利于空穴的扩展，界面能带弯曲程度减弱，增加量子阱的空穴浓度，提高发光效率；应力的减小还能提高空穴的迁移率，一定程度降低驱动电压，器件的光效会明显提升。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是现有的LED外延结构示意图；
图2是本发明优选实施例的LED外延结构示意图；
图3是现有的发光层和电子阻挡层的能带结构示意图；
图4是本发明优选实施例的发光层和电子阻挡层的能带结构示意图；
图5是本发明优选实施例和对比实施例的芯片亮度对比示意图；
图6是本发明优选实施例和对比实施例的芯片电压对比示意图；
其中，1、衬底，2、低温缓冲GaN层，3、不掺杂GaN层，4、掺Si的GaN层，5、发光层InxGa（1-x）N/GaN，6、InN/GaN超晶格层，7、P型AlGaN层，8、P型GaN层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
参见图2，本发明提供了一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长发光层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，
在生长发光层MQW步骤与生长P型AlGaN层步骤之间，包括生长InN/GaN超晶格层的步骤：
在温度为740-770℃的反应室内，采用高纯H2和/或高纯N2的混合气体作为载气，生长InN/GaN超晶格层，每层InN厚度为1-2nm，每层GaN厚度为1-2nm；
所述InN/GaN超晶格层的周期数为10-15层，总厚度为20-30nm。
本发明在传统的发光层量子阱层和电子阻挡层（AlGaN：Mg）之间插入InN/GaN超晶格层，利用InN的晶格系数在AlGaN、GaN两者之间从GaN的生长顺利过渡到AlGaN的生长，使得两者之间的应力减小，有利于空穴的扩展，提高发光效率。
以下分别说明采用以现有传统方法制备样品1的对比实施例一，和采用本发明生长方法制备样品2的实施例一，再将两种方法得到样品1和样品2进行性能检测比较。
对比实施例一、
1、在1000-1100℃的氢气气氛下高温处理蓝宝石衬底4-5分钟；
2、降温至530-560℃下，在蓝宝石衬底上生长厚度为30-50nm的低温缓冲层GaN；
3、升高温度到1100-1200℃下，持续生长2-3um的不掺杂GaN；
4、然后持续生长掺杂Si的N型GaN，Si的掺杂浓度为5E+18-1E+19个/cm3，总厚度控制在4-5μm；
5、周期性生长发光层MQW，低温720-750℃生长掺杂In的3-4nmInxGa（1-x）N（x=0.20-0.21）层，In的掺杂浓度为2E+20-3E+20个/cm3，高温850-880℃生长11-13nmGaN层.InxGa（1-x）N/GaN周期数为14-16；
6、再升高温度到930-980℃持续生长50-60nm的P型AlGaN层，Al的掺杂浓度为1E+20-2E+20个/cm3，Mg的掺杂浓度为3E+19-4E+19个/cm3；
7、再升高温度到1000-1100℃持续生长100-150nm的掺镁的P型GaN层，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20个/cm3；
8、最后降温至680-780℃，保温20-30min，接着炉内冷却，得到样品1。
样品1的结构可参见图1所示，其能带图见图3所示。其中，上方曲线为GaN导带能级，中间虚线为GaN费米能级；下方曲线为GaN价带能级，A、B、C、D、E点分别表示第一GaN层、InGaN层、第二GaN层、电子阻挡层P型AlGaN层、高温p型GaN层；第一GaN层、InGaN层、第二GaN层为发光层InxGa（1-x）N中的复合结构。
实施例一、
本发明运用AixtronMOCVD来生长高亮度GaN基LED外延片。采用高纯H2或高纯N2或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，金属有机源三甲基镓（TMGa）、三乙基镓（TEGa）作为镓源，三甲基铟（TMIn）作为铟源，N型掺杂剂为硅烷(SiH4)，三甲基铝（TMAl）作为铝源，P型掺杂剂为二茂镁（CP2Mg），衬底为（0001）面蓝宝石，反应压力在100mbar到800mbar之间。具体生长方式如下（外延结构请参考图2，第5、6、7步能带请参考图4）：
1、在1000-1100℃的氢气气氛下高温处理蓝宝石衬底4-5分钟；
2、降温至530-560℃下，在蓝宝石衬底上生长厚度为30-50nm的低温缓冲层GaN；
3、升高温度到1100-1200℃下，持续生长2-3um的不掺杂GaN；
4、然后持续生长掺杂Si的N型GaN，Si的掺杂浓度为5E+18-1E+19个/cm3，总厚度控制在4-5μm；
5、周期性生长发光层MQW，低温720-750℃生长掺杂In的3-4nmInxGa（1-x）N（x=0.20-0.21）层，In的掺杂浓度为2E+20-3E+20个/cm3，高温850-880℃生长11-13nmGaN层；周期数为14-16；
6、将温度控制在740-770℃，生长InN/GaN超晶格材料：（1）生长1-2nm的GaN；（2）停止Ga源的充入生长1-2nm的InN，以（1）（2）为周期，生长10-15周期的InN/GaN超晶格层，总厚度控制在20-30nm。
InN/GaN超晶格的InN和GaN生长顺序可以调换，其作用是调整第5步骤和第7步骤的晶格匹配。
7、再升高温度到930-980℃持续生长50-60nm的P型AlGaN层，Al的掺杂浓度为1E+20-2E+20个/cm3，Mg的掺杂浓度为3E+19-4E+19个/cm3；
8、再升高温度到1000-1100℃持续生长100-150nm的掺镁的P型GaN层，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20个/cm3；
9、最后降温至680-780℃，保温20-30min，接着炉内冷却；得到样品2。
样品2的结构可参见图2所示，其能带图见图4所示。其中，上方曲线为GaN导带能级，中间虚线为GaN费米能级；下方曲线为GaN价带能级，A、B、C、D、E点分别表示第一GaN层、InGaN层、第二GaN层、电子阻挡层P型AlGaN层、高温p型GaN层；第一GaN层、InGaN层、第二GaN层为发光层InxGa（1-x）N中的复合结构。F、G点分别表示InN/GaN超晶格层中的InN层、GaN层。
样品1和样品2在相同的前工艺条件下镀ITO层约100nm，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极约150nm，相同的条件下镀保护层SiO2约50nm，然后在相同的条件下将样品研磨切割成762μm*762μm(30mi*30mil)的芯片颗粒，然后在相同位置挑选样品1和样品2各自150颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。然后采用积分球在驱动电流350mA条件下测试样品1和样品2的光电性能。
参考附图5和附图6，样品2较样品1光效约提升10%，样品2较样品1驱动电压下降约0.2v，效果突出。
本发明还提供了一种含有超晶格层的LED外延结构，在MQW发光层5与P型AlGaN层7之间包括InN/GaN超晶格层6：
InN/GaN超晶格层6包含若干个双层组合单元，每个组合单元包含一个InN层和一个GaN层的，组合单元的个数为10-15，每层InN厚度为1-2nm，每层GaN厚度为1-2nm；
InN/GaN超晶格层6的总厚度为20-30nm。
优选地，在所述InN/GaN超晶格层6之下，从下至上依次包括：
衬底1；
低温缓冲GaN层2：厚度为30-50nm；
不掺杂GaN层3：厚度为2-3um；
掺Si的GaN层4：Si的掺杂浓度为5E+18-1E+19个/cm3，总厚度控制在4-5μm；
MQW发光层5：发光层5为掺杂In的InxGa（1-x）N层，InxGa（1-x）N/GaN层的周期数为14-16；InxGa（1-x）N的厚度为3-4nm，In的掺杂浓度为2E+20-3E+20个/cm3，其中x=0.20-0.21；GaN层的厚度为11-13nm。
优选地，在所述InN/GaN超晶格层6之上，从下至上依次包括：
P型AlGaN层7：厚度为50-60nm，Al的掺杂浓度为1E+20-2E+20个/cm3，Mg的掺杂浓度3E+19-4E+19个/cm3；
P型GaN层8：厚度为100-150nm，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20个/cm3。
需要注意的是，在每个双层组合单元中：InN层在GaN层之上，或者InN层在GaN层之下。也就是说，InN层和GaN层之间的顺序并无限制。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长发光层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，
在生长发光层MQW步骤与生长P型AlGaN层步骤之间，包括生长InN/GaN超晶格层的步骤：
在温度为740-770℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长InN/GaN超晶格层，每层InN厚度为1-2nm，每层GaN厚度为1-2nm；
所述InN/GaN超晶格层的周期数为10-15，总厚度为20-30nm。
2.根据权利要求1所述的一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法，其特征在于，所述生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层的步骤为：
生长低温缓冲GaN层：在530-560℃的反应室内，在衬底上生长厚度为30-50nm的低温缓冲GaN层；
生长不掺杂GaN层：升高温度到1100-1200℃，持续生长厚度为2-3μm的不掺杂GaN；
生长掺Si的GaN层：持续生长掺杂Si的N型GaN，Si的掺杂浓度为5E+18-1E+19个/cm3，总厚度控制在4-5μm。
3.根据权利要求1所述的一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法，其特征在于，所述生长发光层MQW步骤为：
在720-750℃的反应室内生长掺杂In的InxGa(1-x)N层，InxGa(1-x)N的厚度为3-4nm，In的掺杂浓度为2E+20-3E+20个/cm3，其中x＝0.20-0.21；将温度调节为850-880℃生长GaN层，GaN层的厚度为11-13nm；InxGa(1-x)N/GaN层的周期数为14-16。
4.根据权利要求1所述的一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法，其特征在于，生长P型AlGaN层、生长P型GaN层的步骤为：
生长P型AlGaN层：在930-980℃的反应室内持续生长厚度为50-60nm的P型AlGaN层，Al的掺杂浓度为1E+20-2E+20个/cm3，Mg的掺杂浓度为3E+19-4E+19个/cm3；
生长P型GaN层：升高温度到1000-1100℃持续生长厚度为100-150nm的掺镁的P型GaN层，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20个/cm3。
5.一种含有超晶格层的LED外延结构，其特征在于，在发光层MQW与P型AlGaN层之间包括InN/GaN超晶格层：
InN/GaN超晶格层包含若干个双层组合单元，每个组合单元包含一个InN层和一个GaN层的，组合单元的个数为10-15，每层InN厚度为1-2nm，每层GaN厚度为1-2nm；
InN/GaN超晶格层的总厚度为20-30nm。
6.根据权利要求5所述的一种含有超晶格层的LED外延结构，其特征在于，在所述InN/GaN超晶格层之下，依次包括：
衬底；
低温缓冲GaN层：厚度为30-50nm；
不掺杂GaN层：厚度为2-3μm；
掺Si的GaN层：Si的掺杂浓度为5E+18-1E+19个/cm3，总厚度控制在4-5μm；
发光层MQW：发光层为掺杂In的InxGa(1-x)N层，InxGa(1-x)N/GaN层的周期数为14-16；InxGa(1-x)N的厚度为3-4nm，In的掺杂浓度为2E+20-3E+20个/cm3，其中x＝0.20-0.21；GaN层的厚度为11-13nm。
7.根据权利要求5所述的一种含有超晶格层的LED外延结构，其特征在于，在所述InN/GaN超晶格层之上，依次包括：
P型AlGaN层：厚度为50-60nm，Al的掺杂浓度为1E+20-2E+20个/cm3，Mg的掺杂浓度3E+19-4E+19个/cm3；
P型GaN层：厚度为100-150nm，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20个/cm3。
8.根据权利要求5所述的一种含有超晶格层的LED外延结构，其特征在于，在每个所述双层组合单元中：InN层在GaN层之上，或者InN层在GaN层之下。
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Families Citing this family (10)
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| CN108682721A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-10-19 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
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| CN113451461B (zh) * | 2020-11-23 | 2022-08-23 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种氮化镓基红光外延片结构及其制备方法 |
| CN113140657B (zh) * | 2021-05-13 | 2022-04-19 | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 | 一种紫外led外延结构及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102185057A (zh) * | 2011-05-03 | 2011-09-14 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种氮化物led结构及其制备方法 |
| JP4877294B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2012-02-15 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| TW201230389A (en) * | 2010-10-27 | 2012-07-16 | Univ California | Method for reduction of efficiency droop using an (Al,In,Ga)N/Al(x)In(1-x)N superlattice electron blocking layer in nitride based light emitting diodes |
| CN102867895A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-09 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 一种有效提高led侧面出光的外延结构及其制造方法 |
-
2013
- 2013-09-25 CN CN201310441803.6A patent/CN103474539B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4877294B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2012-02-15 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| TW201230389A (en) * | 2010-10-27 | 2012-07-16 | Univ California | Method for reduction of efficiency droop using an (Al,In,Ga)N/Al(x)In(1-x)N superlattice electron blocking layer in nitride based light emitting diodes |
| CN102185057A (zh) * | 2011-05-03 | 2011-09-14 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种氮化物led结构及其制备方法 |
| CN102867895A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-09 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 一种有效提高led侧面出光的外延结构及其制造方法 |
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