CN103444548A

CN103444548A - 一种茵芋的快速繁殖方法

Info

Publication number: CN103444548A
Application number: CN 201310423824
Authority: CN
Inventors: 杨存
Original assignee: Nanjing Tongze Agricultural Science and Technology Co Ltd
Current assignee: Nanjing Tongze Agricultural Science and Technology Co Ltd
Priority date: 2013-09-17
Filing date: 2013-09-17
Publication date: 2013-12-18

Abstract

本发明公开了一种茵芋的快速繁殖方法，包括无菌芽的获得，丛生芽的诱导，丛生芽的增殖，生根诱导，野外炼苗移栽，大田栽培管理。本发明方法建立了茵芋的快速微繁体系，可以在短期内培育大量的茵芋幼苗，并用于大田生产。

Description

一种茵芋的快速繁殖方法

技术领域

本发明涉及茵芋组织培养的快繁方法，属于植物技术领域。

背景技术

茵芋，又名卑山共、莞草、卑共、茵蓣、因预。喜生于树阴下、海拔较高的树林下。主要分布在华东、西南及台湾、湖北、湖南、广东、广西等地。茎皮、叶、根均可入药，是一种药用植物，茎皮和根含呋喃喹啉生物碱7-异戊烯氧基-γ-崖椒碱，茵芋碱，单叶芸香品碱等，叶中含茵芋甙和茵芋碱。主治风湿痹痛，四肢挛急，两足软弱等症。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种茵芋的组培微繁殖方法，由该方法所制备得到的茵芋组培幼苗生长周期短，成活率高，可控性好，可以规模化的进行生产。

本发明所要解决的技术问题是通过以下方案来实现的：

选用茵芋生长健壮的带芽的茎段，用漂白粉浸泡三分钟，自来水冲洗1.5h，在超净工作台上用 75％酒精处理30s，0.2％的升汞消毒 10分钟，无菌水冲洗 4-5 次，接种在 DKW+NAA0.2mg/L+6-BA0.6mg/L腋芽诱导培养基上，将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKW+2，4-D0.3mg/L+KT0.3mg/L+PVP上进行增殖培养，培养条件为光照1000lx，光期10h，暗期14h，温度25℃，湿度60%～70%，增殖培养25天，转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根，培养条件为光照2000lx，光期12h，暗期12h，温度27℃，湿度60%～70%，试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽，将茵芋幼苗从培养瓶中取出，洗去根部的琼脂，用10-50mg/L的IAA浸蘸根系，迅速移栽入装有消毒基质的盆中，防止在光照培养箱中，光照强度2000lx，温度27℃，光期12h，暗期12h，湿度60%-70%，两周后从光照培养基中取出的小苗，定植于铺好的苗床上，盖上薄膜和阴网，一周后去掉薄膜，两周后去掉阴网，组培苗移栽 25天以上就可以移栽大田或推广应用。

采用本发明培养出来的试管苗长势好，生长速度快，成活率达94%，周期短，操作可控，可进行工业扩大化生产。

下面将结合具体实施方式对本发明作进一步阐述，但本发明要求保护的范围并不局限于下列实施方式。

具体实施方式

实施例1

选用茵芋生长健壮的带芽的茎段，用漂白粉浸泡三分钟，自来水冲洗1.5h，在超净工作台上用75％酒精处理30s，0.2％的升汞消毒 10分钟，无菌水冲洗4-5 次。接种在 DKW+NAA0.1mg/L+6-BA0.2mg/L腋芽诱导培养基上，将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKW+2,4-D0.2mg/L+KT0.2mg/L+PVP上进行增殖培养，培养条件为光照1000lx，光期10h，暗期14h，温度25℃，湿度60%～70%，增殖培养25天，转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根，培养条件为光照2000lx，光期12h，暗期12h，温度27℃，湿度60%～70%，试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽，成活率达94%，成活率达85%。

实施例2

选用茵芋生长健壮的带芽的茎段，用漂白粉浸泡三分钟，自来水冲洗1.5h，在超净工作台上用 75％酒精处理30s，0.2％的升汞消毒 10分钟，无菌水冲洗 4-5 次。接种在 DKW+NAA0.2mg/L+6-BA1mg/L腋芽诱导培养基上，将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKW+2，4-D0.5mg/L+KT0.4mg/L+PVP上进行增殖培养，培养条件为光照1000lx，光期10h，暗期14h，温度25℃，湿度60%～70%，增殖培养25天，转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根，培养条件为光照2000lx，光期12h，暗期12h，温度27℃，湿度60%～70%，试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽，成活率达90%。

实施例3

选用茵芋生长健壮的带芽的茎段，用漂白粉浸泡三分钟，自来水冲洗1.5h，在超净工作台上用 75％酒精处理30s，0.2％的升汞消毒 10分钟，无菌水冲洗 4-5 次。接种在 DKW+NAA0.1mg/L+6-BA0.6mg/L腋芽诱导培养基上，将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKW+2，4-D0.3mg/L+KT0.3mg/L+PVP上进行增殖培养，培养条件为光照1000lx，光期10h，暗期14h，温度25℃，湿度60%～70%，增殖培养25天，转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根，培养条件为光照2000lx，光期12h，暗期12h，温度27℃，湿度60%～70%，试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽，成活率达88%。

实施例4

选用茵芋生长健壮的带芽的茎段，用漂白粉浸泡三分钟，自来水冲洗1.5h，在超净工作台上用 75％酒精处理30s，0.2％的升汞消毒 10分钟，无菌水冲洗 4-5 次。接种在 DKW+NAA0.2mg/L+6-BA1mg/L腋芽诱导培养基上，将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKW+2，4-D0.3mg/L+KT0.4mg/L+PVP上进行增殖培养，培养条件为光照1000lx，光期10h，暗期14h，温度25℃，湿度60%～70%，增殖培养25天，转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根，培养条件为光照2000lx，光期12h，暗期12h，温度27℃，湿度60%～70%，试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽，成活率达89%。

Claims

1.一种茵芋的快速繁殖方法，其步骤如下：

（1）外植体的处理：采用常规的组织培养方法对茵芋带芽茎段进行消毒处理；

（2）诱导培养：取步骤（1）获得的无菌带芽茎段接种在接种在 DKW+NAA0.2mg/L+6-BA0.6mg/L腋芽诱导培养基上进行芽诱导；

（3）增殖培养：取步骤（2）诱导出来的丛生芽接入增殖培养基DKW+2，4-D0.3mg/L+KT0.3mg/L+PVP上进行增殖培养；

（4）生根诱导：取步骤（3）增殖培养25天，转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根；

（5）炼苗移栽。

2.根据权利要求 1 所述的一种茵芋的快速繁殖方法，其特征是：茵芋的芽经消毒处理，接种在 DKW+NAA0.1～0.2mg/L+6-BA 0.2~1mg/L腋芽诱导培养基上，将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKW+2，4-D0.2~0.5mg/L+KT0.2～0.4mg/L+PVP上进行增殖培养25天，转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根，试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽，大田大规模生产。

3.根据权利要求 1 所述的一种茵芋的快速繁殖方法，其特征是：所述的消毒处理为：选用茵芋生长健壮的带芽的茎段，用漂白粉浸泡三分钟，自来水冲洗1.5h，在超净工作台上用 75％酒精处理30s，0.2％的升汞消毒 10分钟，无菌水冲洗 4-5 次。

4.根据权利要求 1 所述的一种茵芋的快速繁殖方法，其特征是：诱导增殖的条件为光照1000lx，光期10h，暗期14h，温度25℃，湿度60%～70%；生根的条件为光照2000lx，光期12h，暗期12h，温度27℃，湿度60%～70%。

5.根据权利要求 1 所述的一种茵芋的快速繁殖方法，其特征是：获得的茵芋增殖后的丛生芽易产生玻璃化现象，在培养基中加入适量的PVP会有效阻止此现象。

6.根据权利要求 1 所述的一种茵芋的快速繁殖方法，其特征是：炼苗移栽过程中，将茵芋幼苗从培养瓶中取出，洗去根部的琼脂，用10-50mg/L的IAA浸蘸根系，迅速移栽入装有消毒基质的盆中，防止在光照培养箱中，光照强度2000lx，温度27℃，光期12h，暗期12h，湿度60%-70%，两周后从光照培养基中取出的小苗，定植于铺好的苗床上，盖上薄膜和阴网，一周后去掉薄膜，两周后去掉阴网，组培苗移栽 25天以上就可以移栽大田或推广应用。