CN103435004B - 基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，包括以下步骤：利用表面具有纳米阵列结构的母模板，通过聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液对母模板进行翻模复制，得到带有相反纳米结构的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA阵列结构，然后对聚甲基丙烯酸甲酯PMMA阵列结构进行蒸镀金属层，得到金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底；本发明基于模板复制技术制备表面增强拉曼活性基底，模板复制技术可以利用一块带有微纳结构的母模板，通过翻模复制，获得多个具有相反微纳结构的聚合物表面，然后通过在聚合物表面蒸镀金属层，可以快速、低成本获得大面积金属微纳阵列表面拉曼增强活性基底。
Description
技术领域
本发明涉及金属表面处理技术领域，具体涉及一种基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法。
技术背景：
表面增强拉曼光谱（Surface Enhanced Raman Scattering,SERS)是指当分子吸附在一些特殊制备的金属良导体表面或溶胶中，吸附分子的拉曼信号要比普通拉曼信号得到极大增强的现象，一般其拉曼增强因子可以达到105～1012倍，有望实现单个分子的检测技术。SERS技术在传感器、生物探针、痕量检测等领域有着广泛的应用。
表面增强拉曼光谱必须依靠具有表面增强拉曼效应的活性基底，一般是具有一定粗糙度的金属表面、金属岛膜或金属纳米结构阵列。通过电化学氧化还原处理、化学刻蚀等多种方法可以获得具有一定粗糙度的金属表面，这种活性基底具有制备工艺多样、制作成本低等优点，但是由于表面粗糙度起伏较大、表面结构不均匀，从而容易影响SERS光谱的稳定性和重现性。金属岛膜的制备一般是在石英、硅片或者玻璃等基体上真空蒸镀或者溅射一层金属，通过控制温度、沉积速度以及晶核生长等方式获得具有均匀粗糙度的金属表面，其优点是粗糙度均匀、沉积的金属层厚度可控，但是影响表面形貌的沉积因素较多，对沉积条件的控制要求较严格。金属纳米结构阵列一般通过平板印刷（Lithograph）的方法制备，这种基底的优点是微纳结构可以精确控制，但是制备流程复杂、对设备要求高，从而成本较高。
发明内容：
本发明的目的为了解决目前金属纳米阵列活性基底制作成本高等问题，提供一种基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，模板复制技术是利用一块带有微纳结构的母模板，通过翻模复制，获得多个具有相反微纳结构的聚合物表面，然后通过在聚合物表面蒸镀金属层，可以快速、低成本获得金属微纳阵列表面拉曼增强活性基底，该方法具有工艺过程简明、材料适用范围广、制作成本低等特点。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案为：
一种基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，包括以下步骤：利用表面具有纳米阵列结构的母模板，通过聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液对母模板进行翻模复制，得到带有相反纳米结构的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA阵列结构，然后对聚甲基丙烯酸甲酯PMMA阵列结构进行蒸镀金属层，得到金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底。
上述的制备方法具体包括以下步骤：
（1）制备表面具有纳米阵列结构的母模板，所述母模板通过气相CVD沉积一层纳米厚度的抗粘层；
（2）配制浓度为20～300mg/ml的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液电磁搅拌2～4小时，使聚甲基丙烯酸甲酯PMMA完全溶解于溶剂中，得到聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液；
（3）将步骤（2）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液采用旋涂方式涂覆到步骤（1）所述母模板表面，旋涂速度为500～3000rpm；
（4）将步骤（3）所述母模板在温度80～150℃范围内干燥，干燥时间1～3小时，干燥后得到母模板与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层的两层结构；
（5）制备粘结层聚合物，将粘结层聚合物浇筑在步骤（4）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层表面，在80～200℃温度范围内使粘结层聚合物固化，固化后得到母模板、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层与粘结层的三层结构；
（6）将步骤（5）所述粘结层连所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层从母模板表面剥离，得到与母模板纳米阵列结构相反的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构；
（7）在步骤（6）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构表面蒸镀5～50nm厚的活性金属，得到金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底。
所述母模板表面具有纳米孔、纳米棒、纳米锥或纳米金字塔阵列结构，水平方向结构尺寸介于10～500nm之间，垂直方向结构尺寸介于10nm～5μm之间，周期介于5nm～10μm之间。
所述母模板材质为无机材料或有机材料，无机材料为氧化铝、石英、硅或金属镍，有机材料为环氧树脂、有机硅树脂或聚氨酯。
所述母模板不溶于甲苯、丙酮、氯仿、二氯甲烷的有机溶剂中的一种或几种。
步骤（1）所述抗粘层减小步骤（2）所述溶剂去除后聚甲基丙烯酸甲酯PMMA与母模板的脱模阻力。
所述溶剂为甲苯、丙酮、氯仿、三氯甲烷、二氯甲烷中的一种或几种。
所述的旋涂方式为先滴加所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液后旋转所述母模板，或者先旋转所述母模板后滴加所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液。
所述粘结层聚合物为环氧树脂、聚酰胺、聚丙烯酸树脂中的一种；所述活性金属为银、金或镍。
制备过程无需化学试剂溶解模板过程。
本发明的有益效果是：本发明基于模板复制技术制备表面增强拉曼活性基底，模板复制技术可以利用一块带有微纳结构的母模板，通过翻模复制，获得多个具有相反微纳结构的聚合物表面，然后通过在聚合物表面蒸镀金属层，可以快速、低成本获得大面积金属微纳阵列表面拉曼增强活性基底。
本发明制备的基于模板复制技术的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列表面增强拉曼活性基底，不仅具有很好的表面增强拉曼效应，而且工艺过程简单、材料适用范围广、制作成本低、生物相容性好，可以做为医学检测中可抛式活性基底使用。
附图说明
图1是氧化铝AAO母模板放大结构示意图；
图2是蒸镀5nm厚金膜后聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米棒阵列表面增强拉曼活性基底放大结构示意图；
图3是蒸镀10nm厚金膜后聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米线阵列表面增强拉曼活性基底放大结构示意图；
图4是聚甲基丙烯酸甲酯PMMA表面增强拉曼活性基底和普通聚甲基丙烯酸甲酯PMMA表面蒸镀金基底的拉曼光谱曲线对比。
具体实施方式
实施例1：参见图1～图4，本实施例提供的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其包括以下步骤：利用表面具有纳米阵列结构的母模板，通过聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液对母模板进行翻模复制，得到带有相反纳米结构的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA阵列结构，然后对聚甲基丙烯酸甲酯PMMA阵列结构进行蒸镀金属层，得到金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底。
上述的制备方法具体包括以下步骤：
（1）制备表面具有纳米阵列结构的母模板，所述母模板通过气相CVD沉积一层纳米厚度的抗粘层；
（2）配制浓度为20～300mg/ml的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液电磁搅拌2～4小时，使聚甲基丙烯酸甲酯PMMA完全溶解于溶剂中，得到聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液；
（3）将步骤（2）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液采用旋涂方式涂覆到步骤（1）所述母模板表面，旋涂速度为500～3000rpm；
（4）将步骤（3）所述母模板在温度80～150℃范围内干燥，干燥时间1～3小时，干燥后得到母模板与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层的两层结构；
（5）制备粘结层聚合物，将粘结层聚合物浇筑在步骤（4）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层表面，在80～200℃温度范围内使粘结层聚合物固化，固化后得到母模板、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层与粘结层的三层结构；
（6）将步骤（5）所述粘结层连所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层从母模板表面剥离，得到与母模板纳米阵列结构相反的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构；
（7）在步骤（6）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构表面蒸镀5～50nm厚的活性金属，得到金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底。
所述母模板表面具有纳米孔、纳米棒、纳米锥或纳米金字塔阵列结构，水平方向结构尺寸介于10～500nm之间，垂直方向结构尺寸介于10nm～5μm之间，周期介于5nm～10μm之间。
所述母模板材质为无机材料或有机材料，无机材料为氧化铝、石英、硅或金属镍，有机材料为环氧树脂、有机硅树脂或聚氨酯。
所述母模板不溶于甲苯、丙酮、氯仿、二氯甲烷的有机溶剂中的一种或几种。
步骤（1）所述抗粘层减小步骤（2）所述溶剂去除后聚甲基丙烯酸甲酯PMMA与母模板的脱模阻力。
所述溶剂为甲苯、丙酮、氯仿、三氯甲烷、二氯甲烷中的一种或几种。
所述的旋涂方式为先滴加所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液后旋转所述母模板，或者先旋转所述母模板后滴加所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液。
所述粘结层聚合物为环氧树脂、聚酰胺、聚丙烯酸树脂中的一种；所述活性金属为银、金或镍。
本发明在制备过程无需化学试剂溶解模板过程，母模板可以重复使用，减少了成本。
实施例2：参见图1、图2及图4，本实施例提供的基于表面增强拉曼活性基底的制备方法，其组分和步骤基本与实施例1相同，其不同之处在于：
所述基于模板复制技术表面增强拉曼活性基底的制备方法，其包括以下步骤：
（1）制备表面具有纳米孔阵列结构的多孔阳极氧化铝母模板，所述母模板通过气相CVD沉积一层纳米厚度的抗粘层，该抗粘层为CF3—（CF2）7—（CH2）2—SiCl3抗粘层；
（2）配制浓度为100mg/ml的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液电磁搅拌4小时，使聚甲基丙烯酸甲酯PMMA完全溶解于甲苯溶剂中，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液澄清，得到聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液；
（3）将步骤（2）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液采用旋涂方式涂覆到步骤（1）所述母模板表面，旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为1分钟；
（4）将步骤（3）所述母模板在温度150℃真空干燥，干燥时间为1小时，干燥后得到母模板与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层的两层结构；
（5）制备环氧树脂粘结层聚合物，将粘结层聚合物浇筑在步骤（4）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层表面，在120℃温度加热30分钟，使环氧树脂粘结层聚合物固化，固化后得到母模板、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层与粘结层的三层结构；
（6）将步骤（5）所述粘结层连所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层从母模板表面剥离，得到与母模板纳米阵列结构相反的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构；
（7）在步骤（6）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米棒阵列结构表面真空蒸镀5nm厚的活性金属银，得到金属纳米棒阵列表面增强拉曼活性基底，如图2所示；
（8）配制浓度为10-5mol/L的罗丹明R6G水溶液，将步骤（7）所述金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底和普通甲基丙烯酸甲酯聚甲基丙烯酸甲酯PMMA表面蒸镀金基底一起浸没到所述罗丹明R6G水溶液中，30分钟后取出，用去离子水冲洗5次，氮气吹扫干燥后测试二者的激光拉曼光谱并对比，结果如图4所示。
实施例3：参见图1、图3及图4，本实施例提供的基于表面增强拉曼活性基底的制备方法，其组分和步骤基本与实施例1、2相同，其不同之处在于：
所述基于模板复制技术表面增强拉曼活性基底的制备方法，其包括以下步骤：
（1）制备表面具有纳米孔阵列结构的多孔阳极氧化铝母模板，所述母模板通过气相CVD沉积一层纳米厚度的抗粘层，该抗粘层为CF3—（CF2）7—（CH2）2—SiCl3抗粘层；
（2）配制浓度为20mg/ml的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液电磁搅拌4小时，使聚甲基丙烯酸甲酯PMMA完全溶解于丙酮溶剂中，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液澄清，得到聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液；
（3）将步骤（2）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液采用旋涂方式涂抹到步骤（1）所述母模板表面，旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为1分钟；
（4）将步骤（3）所述母模板在温度150℃真空干燥，干燥时间为1小时，干燥后得到母模板与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层的两层结构；
（5）制备聚酰胺粘结层聚合物，将粘结层聚合物浇筑在步骤（4）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层表面，在200℃温度加热30分钟，使聚酰胺粘结层聚合物固化，固化后得到母模板、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层与粘结层的三层结构；
（6）将步骤（5）所述粘结层连所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层从母模板表面剥离，得到与母模板纳米阵列结构相反的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米线阵列结构；
（7）在步骤（6）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构表面真空蒸镀10nm厚的活性金属金，得到金属纳米线阵列表面增强拉曼活性基底，如图3所示；
（8）配制浓度为10-5mol/L的罗丹明R6G水溶液，将步骤（7）所述金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底和普通甲基丙烯酸甲酯聚甲基丙烯酸甲酯PMMA表面蒸镀金基底一起浸没到所述罗丹明R6G水溶液中，30分钟后取出，用去离子水冲洗5次，氮气吹扫干燥后测试二者的激光拉曼光谱并对比，结果如图4所示。
实施例4：本实施例提供的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底的备方法，其组分和步骤基本与实施例1、2、3相同，其不同之处在于：
所述基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其包括以下步骤：
（1）制备表面具有纳米锥阵列结构的环氧树脂母模板，所述母模板通过气相CVD沉积一层纳米厚度的抗粘层，该抗粘层为CF3—（CF2）7—（CH2）2—SiCl3抗粘层；
（2）配制浓度为150mg/ml的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液电磁搅拌2小时，使聚甲基丙烯酸甲酯PMMA完全溶解于氯仿溶剂中，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液澄清，得到聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液；
（3）将步骤（2）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液采用旋涂方式涂覆到步骤（1）所述母模板表面，旋涂速度为500rpm，旋涂时间为2分钟；
（4）将步骤（3）所述母模板在温度80℃真空干燥，干燥时间为3小时，干燥后得到母模板与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层的两层结构；
（5）制备聚丙烯酸树脂粘结层聚合物，将粘结层聚合物浇筑在步骤（4）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层表面，在150℃温度加热30分钟，使聚丙烯酸树脂粘结层聚合物固化，固化后得到母模板、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层与粘结层的三层结构；
（6）将步骤（5）所述粘结层连所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层从母模板表面剥离，得到与母模板纳米阵列结构相反的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构；
（7）在步骤（6）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构表面真空蒸镀20nm厚的活性金属镍，得到金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底。
实施例5：本实施例提供的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其组分和步骤基本与实施例1、2、3、4相同，其不同之处在于：
所述基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其包括以下步骤：
（1）制备表面具有金字塔阵列结构的硅母模板，所述母模板通过气相CVD沉积一层纳米厚度的抗粘层，该抗粘层为CF3—（CF2）7—（CH2）2—SiCl3抗粘层；
（2）配制浓度为300mg/ml的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液电磁搅拌3小时，使聚甲基丙烯酸甲酯PMMA完全溶解于三氯甲烷溶剂中，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液澄清，得到聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液；
（3）将步骤（2）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液采用旋涂方式涂抹到步骤（1）所述母模板表面，旋涂速度为1500rpm，旋涂时间为1分钟；
（4）将步骤（3）所述母模板在温度110℃真空干燥，干燥时间为2小时，干燥后得到母模板与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层的两层结构；
（5）制备环氧树脂粘结层聚合物，将粘结层聚合物浇筑在步骤（4）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层表面，在80℃温度加热30分钟，使环氧树脂粘结层聚合物固化，固化后得到母模板、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层与粘结层的三层结构；
（6）将步骤（5）所述粘结层连所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层从母模板表面剥离，得到与母模板纳米阵列结构相反的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构；
（7）在步骤（6）所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构表面真空蒸镀50nm厚的活性金属银，得到金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底。
但以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，并非用以局限本发明的专利范围，故凡运用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变化，均包含在本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：利用表面具有纳米阵列结构的母模板，通过聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液对母模板进行翻模复制，得到带有相反纳米结构的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA阵列结构，然后对聚甲基丙烯酸甲酯PMMA阵列结构进行蒸镀金属层，得到金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底；
其具体包括以下步骤：
(1)制备表面具有纳米阵列结构的母模板，所述母模板通过气相CVD沉积一层纳米厚度的抗粘层；
(2)配制浓度为20～300mg/ml的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，将所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液电磁搅拌2～4小时，使聚甲基丙烯酸甲酯PMMA完全溶解于溶剂中，得到聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液；
(3)将步骤(2)所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液采用旋涂方式涂覆到步骤(1)所述母模板表面，旋涂速度为500～3000rpm；
(4)将步骤(3)所述母模板在温度80～150℃范围内干燥，干燥时间1～3小时，干燥后得到母模板与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层的两层结构；
(5)制备粘结层聚合物，将粘结层聚合物浇筑在步骤(4)所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层表面，在80～200℃温度范围内使粘结层聚合物固化，固化后得到母模板、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层与粘结层的三层结构；
(6)将步骤(5)所述粘结层连所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层从母模板表面剥离，得到与母模板纳米阵列结构相反的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构；
(7)在步骤(6)所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA纳米阵列结构表面蒸镀5～50nm厚活性金属，得到金属纳米阵列表面增强拉曼活性基底。
2.根据权利要求1所述的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，所述母模板表面具有纳米孔、纳米棒、纳米锥或纳米金字塔阵列结构，水平方向结构尺寸介于10～500nm之间，垂直方向结构尺寸介于10nm～5μm之间，周期介于5nm～10μm之间。
3.根据权利要求2所述的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，所述母模板材质为无机材料或有机材料，无机材料为氧化铝或硅，有机材料为环氧树脂。
4.根据权利要求3所述的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，所述母模板不溶于甲苯、丙酮、氯仿、二氯甲烷的有机溶剂中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，步骤(1)所述抗粘层减小步骤(2)所述溶剂去除后聚甲基丙烯酸甲酯PMMA与母模板的脱模阻力。
6.根据权利要求1所述的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，步骤(2)所述溶剂为甲苯、丙酮、氯仿或三氯甲烷中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的旋涂方式为先滴加所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液后旋转所述母模板，或者先旋转所述母模板后滴加所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA澄清溶液。
8.根据权利要求1所述的基于模板复制技术的表面增强拉曼活性基底制备方法，其特征在于，步骤(5)所述粘结层聚合物为环氧树脂、聚酰胺、聚丙烯酸树脂中的一种；步骤(7)所述活性金属为银、金或镍。
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Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103966549A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-08-06 | 哈尔滨工业大学 | 一种图案化电致变色聚苯胺薄膜的制备方法 |
| CN104803348A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-07-29 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种牺牲模板制备高深宽比聚合物纳米柱阵列的方法 |
| CN107907529B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-11-10 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种适用于复杂样品环境中拉曼痕量检测的芯片及其制备方法和使用方法 |
| CN108344725A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-07-31 | 南通大学 | 顶端包覆贵金属的柔性纳米柱阵列及其制备方法和用途 |
| CN109580577A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-04-05 | 深圳拓扑精膜科技有限公司 | 基于模板复制技术的表面增强拉曼检测基底的制备方法 |
| CN110316697A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-11 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于afm加工的表面增强拉曼基底的制备方法 |
| CN111398242A (zh) * | 2020-04-02 | 2020-07-10 | 南通大学 | 基于聚合物阵列多孔结构的纳米银膜sers基底制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101024483B (zh) * | 2007-03-27 | 2010-12-29 | 吉林大学 | 金属有序结构表面增强基底的构筑方法 |
| CN103033496B (zh) * | 2012-12-17 | 2015-11-25 | 南开大学 | 一种大面积表面增强拉曼散射基底的制备方法 |
| CN103091983A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-05-08 | 南京丰强纳米科技有限公司 | 一种表面增强拉曼散射基底的制备方法 |
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2013
- 2013-07-25 CN CN201310316980.1A patent/CN103435004B/zh active Active
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| CN103435004A (zh) | 2013-12-11 |
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