CN103427603B - 超高压组件与操作超高压组件的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种超高压组件与操作超高压组件的方法。该超高压组件包括第一栅极、第二栅极、漏极、第一源极、第二源极及第三源极。该第一栅极是用以接收产生自脉冲宽度调变控制器的第一控制信号；该第二栅极是用以接收产生自该脉冲宽度调变控制器的第二控制信号；该漏极是用以接收输入电压；从该漏极流向该第一源极的第一电流是随该第一控制信号与该输入电压而改变，该第二控制信号是用以控制从该漏极流向该第二源极的第二电流及从该漏极流向该第三源极的第三电流的开启与关闭，其中该第三电流和该第二电流成比例。因此，可减少该超高压组件的导通损失和热能产生以及大幅降低该电流侦测单元所产生的负压效应和噪声及该电流侦测单元的功率损失。

Description

超高压组件与操作超高压组件的方法

技术领域

本发明是有关于一种超高压组件与操作超高压组件的方法，尤指一种提供高压启动功能以及可减少超高压组件的功率损失的超高压组件与操作超高压组件的方法。

背景技术

于电源转换器的应用上，功率开关是受控于控制器(如脉冲宽度调变控制器)，用以决定功率开关的工作频率(duty ratio)或时间，而控制其所串接的能量储存组件(如电感)的储能或释能，进而将输入电源转换为输出电压，因此功率开关于高压应用时，无可避免的将连接至高压输入电源，也因此用于高压的功率开关需要特别的制程以增进其耐压能力。

现有技术中，控制器主要由集成电路所构成，基于芯片面积的考虑，一般以集成电路所构成的控制器若要直接连接至高压输入电源，其制造成本会增加，因此如何有效率地将连接高压电源或高压信号的组件整合起来，即是目前集成电路设计公司的重要目标。

发明内容

本发明的一实施例提供一种超高压组件。该超高压组件包括第一栅极、第二栅极、漏极、第一源极、第二源极及第三源极。该第一栅极是用以接收产生自脉冲宽度调变控制器的第一控制信号；该第二栅极是用以接收产生自该脉冲宽度调变控制器的第二控制信号；该漏极是用以接收输入电压；从该漏极流向该第一源极的第一电流是随该第一控制信号与该输入电压而改变，该第二控制信号是用以控制从该漏极流向该第二源极的第二电流及从该漏极流向该第三源极的第三电流的开启与关闭，其中该第三电流和该第二电流成比例。

本发明的另一实施例提供一种超高压组件。该超高压组件包括具有第一导电类型的基底、具有第二导电类型的第一掺杂井、具有该第二导电类型的漏极、具有该第一导电类型的第二掺杂井、具有该第二导电类型的第一源极、第一场氧化层、第一栅极、第二栅极、具有该第二导电类型的第二源极、具有该第二导电类型的第三源极及具有该第一导电类型的基极。该第一掺杂井形成于该基底之上，且具有延伸部；该漏极形成于该第一掺杂井，且该漏极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；该第二掺杂井围绕该延伸部之外的该第一掺杂井且形成于该基底之上；该第一源极形成于该延伸部，且该第一源极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；该第一场氧化层形成于该第一源极、该漏极及该第二掺杂井之外的该第一掺杂井之上；该第一栅极形成于该漏极与该第一源极之间，且位于该第一场氧化层之上；该第二栅极的部分形成于该第一掺杂井的该第一场氧化层之上，以及该第二栅极的部分形成于该第二掺杂井之上；该第二源极形成于该第二掺杂井，且该第二源极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；该第三源极形成于该第二掺杂井，且该第三源极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；该基极形成于该第二掺杂井，且该基极的离子浓度较该第二掺杂井的离子浓度高。

本发明的另一实施例提供一种操作超高压组件的方法，其中该超高压组件包括第一栅极、第二栅极、漏极、第一源极、第二源极和第三源极。该方法包括接收输入电压；提供第一电流，其中该第一电流是从该漏极流向该第一源极；接收产生自脉冲宽度调变控制器的第一控制信号；根据该第一控制信号，关闭该第一电流；接收产生自该脉冲宽度调变控制器的第二控制信号；根据该第二控制信号，控制从该漏极流向该第二源极的第二电流及从该漏极流向该第三源极的第三电流的开启与关闭。

本发明提供一种超高压组件与操作超高压组件的方法。该超高压组件与该方法是利用该超高压组件的接面场效晶体管根据输入电压，以产生脉冲宽度调变控制器的启动电流。当该脉冲宽度调变控制器启动之后，该脉冲宽度调变控制器可根据流经该超高压组件的电流侦测单元的第三电流，产生第二控制信号至该超高压组件。然后，该超高压组件的功率开关即可根据该第二控制信号，开启与关闭流经该超高压组件的功率开关的第二电流，以及该电流侦测单元即可根据该第二控制信号，开启与关闭流经该超高压组件的电流侦测单元的第三电流(该第三电流和该第二电流成比例)。因此，相较于现有技术，本发明有下列优点：第一、因为该超高压组件整合高压启动功能，所以具有该高压启动功能需求的该脉波控制芯片并不需要投片至具有超高压制程技术的晶圆厂；第二、因为该超高压组件的功率开关具有低导通组抗的特性，所以本发明可减少该超高压组件的导通损失和热能产生；第三、因为流经该超高压组件的功率开关的第二电流并不会流过该超高压组件的电流侦测单元，所以可大幅降低该电流侦测单元所产生的负压效应和噪声以及该电流侦测单元的功率损失。

附图说明

图1是为本发明的一实施例说明一种超高压组件的示意图。

图2是为说明脉冲宽度调变控制器利用感测电阻感测流经电流侦测单元的第三电流的示意图。

图3是为本发明的另一实施例说明一种超高压组件的示意图。

图4是为说明超高压组件的横切面I的示意图。

图5是为说明超高压组件的横切面II的示意图。

图6是为说明超高压组件的横切面III的示意图。

图7是为本发明的另一实施例说明一种操作超高压组件的方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：

100、300 超高压组件

102、314 第一栅极

104、316 第二栅极

106、306 漏极

108、310 第一源极

110、318 第二源极

112、320 第三源极

114 脉冲宽度调变控制器

116 封装

118 感测电阻

200 能量转换电路

302 基底

304 第一掺杂井

308 第二掺杂井

312 第一场氧化层

322 基极

324 第二场氧化层

326 第三场氧化层

3042 延伸部

FCS 第一控制信号

I、II、III 横切面

SCS 第二控制信号

VIN 输入电压

VAC 交流电压

700-712 步骤

具体实施方式

请参照图1，图1是为本发明的一实施例说明一种超高压组件100的示意图。如图1所示，超高压组件100包括第一栅极102、第二栅极104、漏极106、第一源极108、第二源极110及第三源极112。第一栅极102是用以接收产生自脉冲宽度调变控制器114的第一控制信号FCS；第二栅极104是用以接收产生自脉冲宽度调变控制器114的第二控制信号SCS，其中第栅极102的厚度与第二栅极104的厚度相同，或第一栅极102的厚度大于第二栅极104的厚度；漏极106是用以接收输入电压VIN，其中输入电压VIN是由能量转换电路200的一次侧根据交流电压VAC所产生。如图1所示，第一栅极102、漏极106和第一源极108是为接面场效晶体管；第二栅极104、漏极106和第二源极110是为功率开关；第二栅极104、漏极106和第三源极112是为电流侦测单元。但在本发明的另一实施例中，第一栅极102、漏极106和第一源极108亦可为空乏型场效晶体管、接面场效晶体管和金氧半场效晶体管的复合式结构或空乏型场效晶体管和金氧半场效晶体管的复合式结构。如图1所示，超高压组件100可在第一栅极102与第一源极108之间的电压未达夹止电压前，提供脉冲宽度调变控制器114第一电流(亦即提供脉冲宽度调变控制器114的启动电流)，以启动脉冲宽度调变控制器114。也就是说，在能量转换电路200启动时，能量转换电路200可根据交流电压VAC产生具有超高电压准位的输入电压VIN。此时，超高压组件100根据具有超高电压准位的输入电压VIN，提供脉冲宽度调变控制器114的第一电流，以启动脉冲宽度调变控制器114。在脉冲宽度调变控制器114启动后，脉冲宽度调变控制器114可产生第一控制信号FCS至第一栅极102。然后，超高压组件100即可根据第一控制信号FCS，关闭第一电流。亦即在脉冲宽度调变控制器114启动后，当第一栅极102与第一源极108之间的电压到达夹止电压时，关闭接面场效晶体管，以降低超高压组件100的功率消耗。另外，在本发明的另一实施例中，第一栅极102可接地。因此，脉冲宽度调变控制器114可通过调整第一源极108的电压，以关闭第一电流。第二栅极104、漏极106和第二源极110所构成的功率开关是根据第二控制信号SCS，以开启或关闭能量转换装置200的一次侧，其中第二栅极104、漏极106和第二源极110所构成的功率开关具有低导通阻抗，可减少导通损失和热能产生。如图1所示，第二栅极104、漏极106和第三源极112所构成的电流侦测单元是用以通过流经电流侦测单元的第三电流(亦即从漏极106流向第三源极112的第三电流)，侦测流经功率开关的第二电流(亦即从漏极106流向第二源极110的第二电流)，其中因为第三电流和第二电流成比例，所以电流侦测单元即可根据第三电流，侦测第二电流。

在脉冲宽度调变控制器114启动后，脉冲宽度调变控制器114可产生第二控制信号SCS，其中第二控制信号SCS是为脉冲宽度调变信号。当第二控制信号SCS的电压准位高于临界电压时，功率开关和电流侦测单元开启，导致第二电流从漏极106流向第二源极110以及第三电流从漏极106流向第三源极112；当第二控制信号SCS的电压准位低于临界电压时，功率开关和电流侦测单元关闭。因为第三电流和第二电流成比例，所以脉冲宽度调变控制器114即可根据第三电流，产生第二控制信号SCS，以控制第三电流和第二电流的开启与关闭。如图1所示，超高压组件100可与脉冲宽度调变控制器114整合在同一个封装116中，其中超高压组件100可与脉冲宽度调变控制器114置放于同一个导线架或是不同导线架上。另外，在本发明的另一实施例中，超高压组件100和脉冲宽度调变控制器114是整合在同一个芯片中。另外，在本发明的另一实施例中，超高压组件100是独立封装组件。

请参照图2，图2是为说明脉冲宽度调变控制器114利用感测电阻118感测流经电流侦测单元的第三电流的示意图。如图2所示，使用者可在超高压组件100的第三源极112上串连感测电阻118。因此，脉冲宽度调变控制器114即可根据感测电阻118的跨压，得知流经电流侦测单元的第三电流以及流经功率开关的第二电流。另外，由于功率损失考虑，图2的侦测方式通常是低压侦测模式。

请参照图3、图4、图5和图6，图3是为本发明的另一实施例说明一种超高压组件300的示意图，图4是为说明超高压组件300的横切面I的示意图，图5是为说明超高压组件300的横切面II的示意图，和图6是为说明超高压组件300的横切面III的示意图。超高压组件300包括具有第一导电类型的基底302、具有第二导电类型的第一掺杂井304、具有第二导电类型的漏极306、具有第一导电类型的第二掺杂井308、具有第二导电类型的第一源极310、第一场氧化层312、第一栅极314、第二栅极316、具有第二导电类型的第二源极318、具有第二导电类型的第三源极320、具有第一导电类型的基极322、第二场氧化层324及第三场氧化层326，其中第一导电态样是为P型且第二导电态样是为N型。但在本发明的另一实施例中，第一导电态样是为N型且第二导电态样是为P型。另外，第一掺杂井304、漏极306、第二掺杂井308、第一源极310、第二源极318、第三源极320与基极322是通过微影制程与离子植入而形成。另外，第一场氧化层312、第二场氧化层324及第三场氧化层326是为区域硅氧化法(Local Oxidation of Silicon,LOCOS)制作的场氧化层。如图3、图4、图5和图6所示，第一掺杂井304是形成于基底302之上，且具有延伸部3042，其中图3未绘出基底302和第一场氧化层312和第二掺杂井308，且漏极306、第一源极310与延伸部3042是位于同一轴上；漏极306是形成于第一掺杂井304，且漏极306的离子浓度较第一掺杂井304的离子浓度高。如图3、图4、图5和图6所示，第二掺杂井308是围绕延伸部3042之外的第一掺杂井304且形成于基底302之上。如图3和图4所示，第一源极310是形成于延伸部3042，且第一源极310的离子浓度较第一掺杂井304的离子浓度高。如图4、图5和图6所示，第一场氧化层312是形成于第一源极310、漏极306及第二掺杂井308之外的第一掺杂井304之上。如图3和图4所示，第一栅极314是形成于漏极306与第一源极310之间，且位于第一场氧化层312之上。如图3、图5和图6所示，第二栅极316的部分形成于第一掺杂井304的第一场氧化层312之上，以及第二栅极316的部分形成于第二掺杂井308之上。如图3和图5所示，第二源极318是形成于第二掺杂井308，且第二源极318的离子浓度较第一掺杂井304的离子浓度高。如图3和图6所示，第三源极320是形成于第二掺杂井308，且第三源极320的离子浓度较第一掺杂井304的离子浓度高。如图3、图5和图6所示，基极322是形成于第二掺杂井308，用以接收基极电压，且基极322的离子浓度较第二掺杂井308的离子浓度高。如图3和图6所示，第二场氧化层324是形成于第三源极320与基极322之间的第二掺杂井308之上。如图3、图5和图6所示，第三场氧化层326是形成于基极322的一边的第二掺杂井308之上。另外，第一栅极314与第二栅极316是为多晶硅(Polysilicon)栅极，以及第一栅极314的厚度与第二栅极316的厚度相同。但在本发明的另一实施例中，第一栅极314的厚度大于第二栅极316的厚度。另外，如图5所示，第二源极318和基极322相邻；如图6所示，第二场氧化层324隔开第三源极320和基极322。

如图3和图4所示，第一栅极314、漏极306和第一源极310是为接面场效晶体管。但在本发明的另一实施例中，第一栅极314、漏极306和第一源极310亦可为空乏型场效晶体管、接面场效晶体管和金氧半场效晶体管的复合式结构或空乏型场效晶体管和金氧半场效晶体管的复合式结构。在能量转换电路200(如图1所示)启动时，能量转换电路200可根据交流电压VAC产生具有超高电压准位的输入电压VIN，其中漏极306是用以接收具有超高电压准位的输入电压VIN。此时，接面场效晶体管根据具有超高电压准位的输入电压VIN，提供脉冲宽度调变控制器114(如图1所示)的第一电流，以启动脉冲宽度调变控制器114。在脉冲宽度调变控制器114启动后，脉冲宽度调变控制器114可产生第一控制信号FCS(如图1所示)至第一栅极314。然后，超高压组件300即可根据第一控制信号FCS，关闭第一电流。亦即在脉冲宽度调变控制器114启动后，当第一栅极314与第一源极310之间的电压到达夹止电压时，关闭接面场效晶体管，以降低超高压组件300的功率消耗。

如图3、图5和图6所示，第二栅极316、漏极306和第二源极318是为功率开关；第二栅极316、漏极306和第三源极320是为电流侦测单元。如图3、图5和图6所示，功率开关和电流侦测单元共享第二栅极316和漏极306，以及第二源极318所对应的第二栅极316的长度是大于第三源极320所对应的第二栅极316的长度。因此，当第二栅极316接收产生自脉冲宽度调变控制器114(如图1所示)的第二控制信号SCS时，从漏极306流向第二源极318的第二电流和从漏极306流向第三源极320的第三电流成比例(亦即等于第二源极318所对应的第二栅极316的长度与第三源极320所对应的第二栅极316的长度的比例)。也就是说，在脉冲宽度调变控制器114启动后，当第二控制信号SCS的电压准位高于临界电压时，功率开关和电流侦测单元开启，导致第二电流从漏极306流向第二源极318以及第三电流从漏极306流向第三源极320；当第二控制信号SCS的电压准位低于临界电压时，功率开关和电流侦测单元关闭。因为第三电流和第二电流成比例(例如第二电流约为第三电流的100倍)，所以脉冲宽度调变控制器114可根据第三电流的大小，产生第二控制信号SCS，以控制第三电流和第二电流的开启与关闭。另外，相较于现有技术，因为流经功率开关的第二电流并不会流过电流侦测单元，所以可大幅降低第三源极320的寄生电感所产生的负压效应和噪声以及电流侦测单元的功率损失。另外，超高压组件300中的功率开关和电流侦测单元是同一种结构。但本发明并不受限于超高压组件300中的功率开关和电流侦测单元是同一种结构。亦即在本发明的另一实施例中，超高压组件300中的功率开关和电流侦测单元是为电阻结构，或是金氧半场效晶体管与电阻结构所组成的复合式结构。

请参照图1和图7，图7是为本发明的另一实施例说明一种操作超高压组件的方法的流程图。图7的方法是利用图1的超高压组件100说明，详细步骤如下：

步骤700：开始；

步骤702：漏极106接收输入电压VIN；

步骤704：接面场效晶体管提供第一电流；

步骤706：第一栅极102接收产生自脉冲宽度调变控制器114的第一控制信号FCS；

步骤708：接面场效晶体管根据第一控制信号FCS，关闭第一电流；

步骤710：第二栅极104接收产生自脉冲宽度调变控制器114的第二控制信号SCS；

步骤712：功率开关根据第二控制信号SCS，控制从漏极106流向第二源极110的第二电流，以及电流侦测单元根据第二控制信号SCS，控制从漏极106流向第三源极112的第三电流的开启与关闭，跳回步骤710。

在步骤702中，在能量转换电路200启动时，能量转换电路200可根据交流电压VAC产生具有超高电压准位的输入电压VIN，然后漏极106接收输入电压VIN。在步骤704中，超高压组件100的接面场效晶体管(第一栅极102、漏极106和第一源极108)可在第一栅极102与第一源极108之间的电压未达夹止电压前，提供脉冲宽度调变控制器114第一电流(亦即提供脉冲宽度调变控制器114的启动电流)，以启动脉冲宽度调变控制器114。也就是说，在能量转换电路200启动时，能量转换电路200可根据交流电压VAC产生具有超高电压准位的输入电压VIN。此时，超高压组件100的接面场效晶体管根据具有超高电压准位的输入电压VIN，提供脉冲宽度调变控制器114的第一电流，以启动脉冲宽度调变控制器114。在步骤706中，脉冲宽度调变控制器114启动后，脉冲宽度调变控制器114可产生第一控制信号FCS至第一栅极102。然后，在步骤708中，超高压组件100的接面场效晶体管即可根据第一控制信号FCS，关闭第一电流。亦即在脉冲宽度调变控制器114启动后，当第一栅极102与第一源极108之间的电压到达夹止电压时，关闭接面场效晶体管，以降低超高压组件100的功率消耗。在步骤710中，在脉冲宽度调变控制器114启动后，脉冲宽度调变控制器114可产生第二控制信号SCS至第二栅极104，其中第二控制信号SCS是为脉冲宽度调变信号。在步骤712中，当第二控制信号SCS的电压准位高于临界电压时，功率开关(第二栅极104、漏极106和第二源极110)和电流侦测单元(第二栅极104、漏极106和第三源极112)开启，导致第二电流从漏极106流向第二源极110以及第三电流从漏极106流向第三源极112；当第二控制信号SCS的电压准位低于临界电压时，功率开关和电流侦测单元关闭。另外，因为第三电流和第二电流成比例，所以脉冲宽度调变控制器114可根据第三电流的大小，产生第二控制信号SCS，以控制功率开关和电流侦测单元的开启与关闭。另外，在本发明的另一实施例中，脉冲宽度调变控制器114即可根据感测电阻118的跨压，得知流经电流侦测单元的第三电流以及流经功率开关的第二电流。

综上所述，本发明所提供的超高压组件与操作超高压组件的方法是利用超高压组件的接面场效晶体管(第一栅极、漏极和第一源极)根据输入电压，以产生脉冲宽度调变控制器的启动电流。当脉冲宽度调变控制器启动之后，脉冲宽度调变控制器可根据流经超高压组件的电流侦测单元(第二栅极、漏极和第三源极)的第三电流，产生第二控制信号至超高压组件的第二栅极。然后，超高压组件的功率开关(第二栅极、漏极和第二源极)即可根据第二控制信号，开启与关闭流经超高压组件的功率开关的第二电流，以及电流侦测单元即可根据第二控制信号，开启与关闭流经超高压组件的电流侦测单元的第三电流(第三电流和第二电流成比例)。因此，相较于现有技术，本发明有下列优点：第一、因为超高压组件整合高压启动功能，所以具有高压启动功能需求的脉波控制芯片并不需要投片至具有超高压制程技术的晶圆厂；第二、因为超高压组件的功率开关具有低导通组抗的特性，所以本发明可减少超高压组件的导通损失和热能产生；第三、因为流经超高压组件的功率开关的第二电流并不会流过超高压组件的电流侦测单元，所以可大幅降低超高压组件的第三源极的寄生电感所产生的负压效应和噪声以及电流侦测单元的功率损失。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种超高压组件，其特征在于包括：

第一栅极，形成于第一场氧化层上，用以接收产生自脉冲宽度调变控制器的第一控制信号；

第二栅极，至少其部分是形成于该第一场氧化层上，用以接收产生自该脉冲宽度调变控制器的第二控制信号，其中该第一栅极的厚度大于或等于该第二栅极的厚度；

漏极，用以接收输入电压；

第一源极；

第二源极；及

第三源极；

其中从该漏极流向该第一源极的第一电流是随该第一控制信号与该输入电压而改变，该第二控制信号是用以控制从该漏极流向该第二源极的第二电流及从该漏极流向该第三源极的第三电流的开启与关闭，其中该第三电流和该第二电流成比例。

2.如权利要求1所述的超高压组件，其特征在于，该输入电压是由能量转换电路所产生。

3.如权利要求1所述的超高压组件，其特征在于，该第一电流是做为该脉冲宽度调变控制器的启动电流。

4.一种超高压组件，其特征在于包括：

具有第一导电类型的基底；

具有第二导电类型的第一掺杂井，其中该第一掺杂井形成于该基底之上，且具有延伸部；

具有该第二导电类型的漏极，其中该漏极形成于该第一掺杂井，且该漏极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；

具有该第一导电类型的第二掺杂井，其中该第二掺杂井围绕该延伸部之外的该第一掺杂井且形成于该基底之上；

具有该第二导电类型的第一源极，其中该第一源极形成于该延伸部，且该第一源极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；

第一场氧化层，形成于该第一源极、该漏极及该第二掺杂井之外的该第一掺杂井之上；

第一栅极，形成于该漏极与该第一源极之间，且位于该第一场氧化层之上；

第二栅极，部分形成于该第一掺杂井的该第一场氧化层之上和部分形成于该第二掺杂井之上；

具有该第二导电类型的第二源极，其中该第二源极形成于该第二掺杂井，且该第二源极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；

具有该第二导电类型的第三源极，其中该第三源极形成于该第二掺杂井，且该第三源极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；及

具有该第一导电类型的基极，其中该基极形成于该第二掺杂井，且该基极的离子浓度较该第二掺杂井的离子浓度高。

5.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，该第一掺杂井、该漏极、该第二掺杂井、该第一源极、该第二源极、该第三源极与该基极是通过微影制程与离子植入而形成。

6.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，该漏极、该第一源极与该延伸部是位于同一轴上。

7.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，该第一导电态样是为P型，且该第二导电态样是为N型。

8.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，该第一导电态样是为N型，且该第二导电态样是为P型。

9.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，该第一场氧化层是为区域硅氧化法制作的场氧化层。

10.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，该第一栅极与该第二栅极是为多晶硅栅极。

11.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，另包括：

第二场氧化层，形成于该第三源极与该基极之间的该第二掺杂井之上，且是为区域硅氧化法制作的场氧化层。

12.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，另包括：

第三场氧化层，形成于该基极的一边的该第二掺杂井之上，且是为区域硅氧化法制作的场氧化层。

13.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，该第二源极所对应的该第二栅极的长度是大于该第三源极所对应的该第二栅极的长度。

14.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，该第一栅极的厚度与该第二栅极的厚度相同。

15.如权利要求4所述的超高压组件，其特征在于，该第一栅极的厚度大于该第二栅极的厚度。

16.一种操作权利要求1所述的超高压组件的方法，该方法的特征在于包括：接收输入电压；

提供第一电流，其中该第一电流是从该漏极流向该第一源极；

接收产生自脉冲宽度调变控制器的第一控制信号；

根据该第一控制信号，关闭该第一电流；

接收产生自该脉冲宽度调变控制器的第二控制信号；及

根据该第二控制信号，控制从该漏极流向该第二源极的第二电流及从该漏极流向该第三源极的第三电流的开启与关闭；

其中该第一电流是做为该脉冲宽度调变控制器的启动电流。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，该第三电流和该第二电流成比例。