CN103426989B - 半导体发光器件及其制造方法、发光模块和照明设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。

Description

半导体发光器件及其制造方法、发光模块和照明设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年5月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0052926的优先权，该申请的公开内容以引用的方式结合于此。
技术领域
本发明涉及具有多单元阵列的半导体发光器件及其制造方法、包括具有多单元阵列的半导体发光器件的发光模块以及包括该发光模块的照明设备。
背景技术
通常，半导体发光器件（LED）作为光源在功率效率和可靠性方面是有利的。因此，半导体LED已被积极地开发为高功率、高效率的光源，用于各种照明设备以及用于显示装置的背光单元。
为了这种半导体LED作为照明光源的商业化，需要增加其光效率并减少其生成成本，同时将其功率增加到期望的水平。
然而，与使用低额定电流的低功率LED相比，使用高额定电流的高功率LED由于高电流密度而具有较低的光效率。
具体而言，如果增大LED芯片的额定电流以获取（例如，与相同面积的LED芯片相比）更高的光通量并获取更高的功率，则由于电流密度的增加会降低光效率。而且，由于该器件产生的热会进一步加剧光效率降低，从而导致半导体发光器件亮度的降低。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种具有提高的亮度的半导体发光器件及其制造方法。
根据本发明的一个方面，一种半导体发光器件包括：衬底；布置在所述衬底上的多个发光单元，其中每个发光单元包括第一导电半导体层，并且其中在所述第一导电半导体层的至少一部分顶面上布置有有源层和第二导电半导体层；对于所述多个发光单元中的每一个发光单元分别布置在第一和第二导电半导体层上的第一电极和第二电极；将一个发光单元的第一或第二电极连接至所述多个发光单元当中与所述一个发光单元相邻的另一个发光单元的第一或第二电极的互连部件；覆盖所述多个发光单元当中的至少一个发光单元的表面的第一绝缘层，其布置在该发光单元除了面对所述第一电极的部分之外的至少一部分表面上；以及布置在所述第一绝缘层上以便完全覆盖所述多个发光单元当中的所述至少一个发光单元的第二绝缘层。
每个发光单元中的第一绝缘层可以不被形成在所述第一电极与该发光单元面对所述第一电极的侧表面之间。
可以由氧化硅或氮化硅形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。
所述半导体发光器件还可以包括布置在每个发光单元的所述第二导电半导体层的顶部上的透明电极。
所述第一和第二电极可以布置在每个发光单元的顶面上。
在每个发光单元中，所述第一绝缘层可以不被形成在其上布置有第二电极的第二导电半导体层上。
至少两个发光单元可以通过发光单元的第一电极和第二电极被串联互连，并且所述至少两个发光单元的串联互连可以在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间被耦接。在一个示例中，至少两个发光单元的第一串联互连与至少两个发光单元的第二串联互连在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间被并联耦接。
每个发光单元的有源层和第二导电半导体层在该发光单元的顶面上可以布置成U形图案，并且所述第一电极在该发光单元的顶面上可以布置在所述U形成图案的间隙中。此外，所述第一绝缘层可以布置在每个发光单元上，使得所述第一绝缘层没有覆盖所述U形图案中的间隙的任何部分。
根据本发明的另一个方面，一种用于制造半导体发光器件的方法，包括步骤：在衬底上顺序地形成第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在所述第一导电半导体层、所述第二导电半导体层和所述有源层的彼此分开预定间隔的各个区域上执行隔离工艺以形成多个发光单元，每个发光单元包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在它们中间形成的有源层；在每个发光单元的第二导电半导体层和有源层的各个区域上执行台面刻蚀，使得所述有源层的一部分和所述第二导电半导体层的一部分被去除以暴露所述第一导电半导体层的顶面的一部分；在所述多个发光单元中的每一个发光单元的除了以下部分之外的至少一部分表面上形成第一绝缘层，所述被排除在外的部分有：（i）所述第一导电半导体层的顶面的暴露部分，以及（ii）与所述暴露部分相邻并且形成在所述多个发光单元中的每一个发光单元的侧表面中的一部分；在每个发光单元的第一导电半导体层的顶面的暴露部分上形成第一电极，并且在每个发光单元的第二导电半导体层的顶面上形成第二电极；以及在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以便完全覆盖每个发光单元。
所述第一绝缘层可以不被形成在所述第一电极与每个发光单元的与所述第一导电半导体层的顶面的暴露部分相邻的侧表面之间。
可以由氧化硅或氮化硅形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。
所述制造方法还可以包括在所述第二导电半导体层的顶部上形成透明电极。
所述第一和第二电极可以形成在每个发光单元的顶面上。
所述制造方法还可以包括在形成所述第一电极并且形成所述第二电极之后，形成将一个发光单元的第一或第二电极连接至在所述多个发光单元当中与所述一个发光单元相邻的另一个发光单元的第一或第二电极的互连部件。
至少两个发光单元可以通过形成互连部件以连接两个发光单元的第一和第二电极的制造方法而串联互连，使得至少两个发光单元在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间形成第一串联互连。此外，至少两个发光单元的所述第一串联互连可以与至少两个发光单元的第二串联互连在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间被并联耦接。
所述制造方法可以利用在每个发光单元的顶面上台面刻蚀成U形图案来形成每个发光单元的有源层和第二导电半导体层，并且在该发光单元的顶面上将所述第一电极形成在所述U形成图案的间隙中。此外，所述第一绝缘层可以形成在每个发光单元上，使得所述第一绝缘层没有覆盖所述U形图案中的间隙的任何部分。
附图说明
通过以下结合附图的详细说明将更加清楚地理解本发明的上述和其他方面、特征以及其他优点，其中：
图1示出了根据本发明一个实施例的具有多单元阵列的半导体发光器件的顶视平面图；
图2示出了在图1的半导体发光器件中实现的多单元阵列的说明性等效电路图；
图3示出了沿图1所示的Ⅲ-Ⅲ线截取的图1的半导体发光器件的侧剖面图；
图4示出了沿图1所示的Ⅵ-Ⅵ线截取的图1的半导体发光器件的侧剖面图；
图5A至图5G示出了对根据本发明一个实施例的制造多单元阵列半导体发光器件的过程进行说明的一系列示图，并且特别对沿图1所示的Ⅲ-Ⅲ线截取的图1的半导体发光器件的剖面上的制造过程进行说明；
图6A至图6G示出了对根据本发明一个实施例的制造多单元阵列半导体发光器件的过程进行说明的一系列示图，并且特别对沿图1所示的Ⅵ-Ⅵ线截取的图1的半导体发光器件的剖面上的制造过程进行说明；以及
图7A和图7B分别示出了包括根据本发明一个实施例的多单元阵列半导体发光器件的照明设备的分解透视图和（组装之后的）示意透视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图对本发明的实施例进行详细描述。然而，可以根据多种不同形式来具体实现本发明，并且不应当解释为将本发明限定于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员完整地传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见会放大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于指示相同或相似的元件。
图1示出了根据本发明一个实施例的具有多单元阵列的半导体发光器件的顶视平面图。图2示出了在图1的半导体发光器件中实现的多单元阵列的说明性等效电路图。图3示出了沿图1所示的Ⅲ-Ⅲ线截取的图1的半导体发光器件的侧剖面图。图4示出了沿图1所示的Ⅵ-Ⅵ线截取的图1的半导体发光器件的侧剖面图。
参考图1，根据本发明一个实施例的半导体发光器件100包括衬底11以及在衬底11的顶面上以3×3阵列布置的多个发光单元C1至C9。
这里所使用的术语“发光单元”通常表示具有有源层区域的半导体多层膜。
如图3和图4所示，可以通过在衬底11上制造半导体多层膜12来形成多个发光单元C1至C9中的每一个发光单元，其中半导体多层膜12包括在衬底11的顶面上顺序地形成的第一导电半导体层12a、有源层12c和第二导电半导体层12b。
如图3所示，可以执行单元隔离工艺来将半导体多层膜12处于使得各个不同的发光单元分离的区域中的部分从衬底11上全部去除（完全隔离工艺），从而在所述分离区域中暴露衬底11的表面。可附加地或可替换地，通过局部隔离（台面刻蚀工艺）可以使第一导电半导体层12a具有暴露区域。
参考图1、图3和图4，在每个发光单元C1至C9中，通过台面刻蚀可以使第一导电半导体层12a具有局部暴露的区域。
可以在第二导电半导体层12b的顶面上形成透明电极13。这里，可以由诸如ITO或ZnO之类的透明导电材料形成透明电极13。
可以在每个发光单元C1至C9中形成分别连接至第一导电半导体层12a和透明电极13的第一电极14a和第二电极14b。
图1说明性地示出了以规则间隔并行地形成了第一电极14a和第二电极14b以便在每个发光单元C1至C9中提供均匀的电流分布；然而，本发明不限于此，第一电极14a和第二电极14b更一般地可以形成为包括各种附加结构和/或以各种其他配置来布置。
如图2的等效电路图所示，根据本实施例的半导体发光器件具有串-并联结构，其中在每一列S1至S3中，一组三个发光单元彼此串联连接（例如，列S1中的发光单元C1至C3、列S2中的发光单元C4至C6以及列S3中的发光单元C7至C9各组），并且三列S1至S3在正极（+）端子与负极（-）端子之间彼此并联互连。
根据这种连接结构，可以根据电压标准来选择彼此串联连接的发光单元的数量，并且不限于如图1和图2所示的将三个发光单元串联连接。也就是说，在每一列中彼此串联连接的发光单元的数量被确定为满足期望的电压标准，并且可以在每一列中串联连接各种数量的发光单元（例如，1、2、4、5或更多）。此外，彼此并联连接的列的数量也不限于如图1和图2所示的将三个列并联连接。也就是说，可以将彼此并联连接的列的数量控制为提供期望的输出，并且可以并联连接各种数量的列（例如，1、2、4、5或更多）。在一个示例中，每一列可以具有相同数量的发光单元（例如，如图1和图2所示）。
为了连接各发光单元，可以在彼此相邻的发光单元的各自的电极之间形成互连部件16，互连部件16连接彼此相邻的发光单元的具有相反极性的各个电极。也就是说，如图1所示，每个互连部件16可以连接彼此相邻的发光单元的具有相反极性的电极以实现发光单元的串联连接。具体而言，如图1所示，在多个发光单元C1至C9中，一个发光单元C1的第一电极14a和与发光单元C1相邻的另一个发光单元C2的第二电极14b可以通过互连部件16彼此连接。
在该实施例中，为了防止相应的发光单元C1至C9的不期望的区域与互连部件16接触，每个发光单元C1至C9可以具有在其侧表面和/或顶面上形成的第一绝缘层15a和第二绝缘层15b。可以由氧化硅或氮化硅形成第一绝缘层15a和第二绝缘层15b。特别地，第一绝缘层15a可以将发光单元的侧表面与互连部件16彼此隔离。
具体而言，如图3和图4所示，第一绝缘层15a形成在透明电极13的顶部和发光单元通过台面刻蚀暴露出来的侧表面中没有面对第一电极14a的一部分侧表面上，从而使得相应的发光单元的侧表面与互连部件16彼此隔离。
图1中示出的附图标记“O”和虚线矩形表示第一绝缘层15a的开口区域。也就是说，在由O表示的并且位于虚线矩形内的开口区域中没有形成第一绝缘层15a。如图1所示，通常在每个发光单元中布置第一绝缘层15a，使得第一绝缘层15a没有覆盖在U形图案有源层12c和U形图案第二导电半导体层12b中刻蚀出的间隙的任何部分，并且将第一电极14a布置在该间隙中。
如上所述，当第一绝缘层15a未被形成在发光单元通过台面刻蚀暴露出来的面对第一电极14a的一部分侧表面上时，与将第一绝缘层15a形成在发光单元通过台面刻蚀暴露出来的面对第一电极14a的一部分侧表面上的情况相比，可以使得半导体多层膜12的有源层12c加宽了与第一绝缘层15a在朝向第一电极14a的方向上的厚度相等的距离。也就是说，当没有将第一绝缘层15a形成在发光单元面对第一电极14a的一部分侧表面上时确保了工艺边界（process margin），从而可以更宽地形成发光区域，即，有源层12c。
具体而言，当在发光单元通过台面刻蚀暴露出来的侧表面与第一电极14a之间形成预定间隔G时，与将绝缘层插入在发光单元的侧表面与第一电极14a之间的情况相比，有源层12c的面积被加宽，从而增加了发光器件的亮度，并因而可以改进其操作电压。在图1的由附图标记C4表示的发光单元中，有源层12c的形成区域表示为由阴影线所示的并且由附图标记“L”指示的区域。以此方式，有源层12c的面积被加宽以增加发光器件的亮度，从而改进其操作电压。如图所示，由附图标记“L”指示的有源层12c的面积（其也对应于第二导电半导体层12b的面积）在发光单元的顶面上布置为U形图案（如针对单元C4的附图标记“L”所示出的那样，并且对于其余单元C1至C3和C5至C9与之相类似）。将第一电极14a布置在发光单元的顶面上的U形图案的间隙中。
另外，第二绝缘层15b形成为覆盖发光单元通过台面刻蚀暴露出来的侧表面和第一电极14a。第二绝缘层15b可以使得第一电极14a与发光单元的侧表面彼此隔离。如附图所示，第二绝缘层15b可以用作在每个发光单元的几乎整个侧表面上提供的钝化层。
图1中没有示出第二绝缘层15b以便清楚地描述多个电极、多个互连部件、透明电极以及第一绝缘层的位置关系。
在具有多单元阵列的半导体发光器件的发光单元C1至C9的每一个中，可以将绝缘层形成为包括两层，第一绝缘层15a和第二绝缘层15b，使得确保工艺边界以增加有源层12c的面积，从而改进半导体发光器件的亮度。
在本实施例中使用的每个互连部件16可以连接至位于每一列的一端处的发光单元C3、C6和C9的第一电极14a，并且沿着第一绝缘层15a延伸以连接至第一连接部件18a。以类似的方式，位于每一列的相对一端处的发光单元C1、C4和C7的第二电极14b可以通过互连部件16连接至第二连接部件18b。
第一连接部件18a和第二连接部件18b可以分别连接至第一接合焊盘19a和第二接合焊盘19b。具体而言，位于半导体发光器件的一列的一端处的每个发光单元的一个电极可以通过第一连接部件18a和第二连接部件18b连接至第一接合焊盘19a和第二接合焊盘19b中的一个。
在此，第一接合焊盘19a和第二接合焊盘19b由与第一连接部件18a和第二连接部件18b以及互连部件16不同的金属形成。例如，第一接合焊盘19a和第二接合焊盘19b可以配置成由例如铬/金（Cr/Au）形成的普通金属层，而用于布线的第一连接部件18a和第二连接部件18b以及互连部件16可以由例如铝（Al）、银（Ag）等具有优良反射率和传导率的金属形成。
可替换地，也可以使用单一的金属图案形成工艺来形成接合焊盘、连接部件和互连部件。也就是说，第一接合焊盘19a和第二接合焊盘19b、第一连接部件18a和第二连接部件18b以及互连部件16可以由相同的金属形成，例如铬/金（Cr/Au）。
如上所述，当每个发光单元形成为确保更宽的有源层面积时，可以改进发光元件的亮度和操作电压。
图5A至图5G示出了对根据本发明一个示例性实施例的制造多单元阵列半导体发光器件的过程进行说明的一系列示图，并且特别沿图1所示的Ⅲ-Ⅲ线截取的图1的半导体发光器件的剖面来对制造过程进行说明。图6A至图6G示出了对根据本发明一个示例性实施例的制造多单元阵列半导体发光器件的过程进行说明的一系列示图，并且特别沿图1所示的Ⅵ-Ⅵ线截取的图1的半导体发光器件的剖面来对制造过程进行说明。
如图5A和图6A所示，在衬底11的顶面上形成用于发光的半导体多层膜12。也就是说，在衬底11的顶面上顺序地形成第一导电半导体层12a、有源层12c和第二导电半导体层12b。
衬底11可以是诸如蓝宝石衬底之类的绝缘衬底；然而本发明不限于此。例如，衬底11可以是导电衬底。
如果将导电衬底用作衬底11，由于发光单元的一个电极被导电衬底连接，则发光单元的具有与所述一个电极的极性相反的极性的另一个电极可以形成在该单元的顶面上，从而可以完成布线连接。
参考图5B和图6B，执行用于初始隔离的台面刻蚀以从半导体多层膜12的所选表面部分选择性地去除第二导电半导体层12b、有源层12c和一部分第一导电半导体层12a，从而暴露第一导电半导体层12a的区域。
在此过程中，经历了台面刻蚀的台面刻蚀区域ME包括隔离区域IE和将在其上形成第一电极的区域。
接下来，如图5C和图6C所示，可以根据需要在第二导电半导体层12b的顶面上形成透明电极13。然后，如图5D和图6D所示，为了获得多个发光单元，通过暴露衬底11的表面来执行完全隔离工艺以形成隔离区域IE。
图5B至图5D的工序以及图6B至图6D的工序的顺序可以改变，使得在不同的实施例中可以采取不同顺序的步骤。例如，虽然本实施例示出在台面刻蚀工艺（例如，在图5B和图6B中示出）之后来执行完全隔离工艺（例如，在图5D和图6D中示出），但是可以在执行完全隔离工艺之后分别地执行台面刻蚀工艺。
而且，可以省略形成透明电极的过程，并且即使在形成透明电极的情况下，也可以将用于形成透明电极的步骤的顺序与制造过程中的其他步骤进行改变。例如，可以在完全隔离工艺之后形成透明电极。
参考图5E和图6E，形成绝缘层15a，并且为了形成第一电极14a和第二电极14b，形成开口区域ON以选择性地暴露每个发光单元C1至C9的侧表面和第一导电半导体层12a，并且形成开口区域OP以选择性地暴露透明电极13的顶面。
具体而言，在通过台面刻蚀形成的每个发光单元C1至C9的侧表面中，将在其上形成第一电极14a的区域周围的一部分侧表面保留为被暴露的。特别地，保留为被暴露的区域包括其中暴露了第一导电半导体层12a并且将要在其上形成第一电极14a的区域。而且，透明电极13的顶面上将要形成第二电极14b的一部分被暴露。
此后，如图5F和图6F所示，形成第一电极14a和第二电极14b，并且形成用于布线的第一连接部件18a和第二连接部件18b以及互连部件16。为了实现如本实施例中那样的串联连接，每个互连部件16可以将一个发光单元的第一导电半导体层12a与相邻发光单元的第二导电半导体层12b彼此连接。
接下来，如图5G和图6G所示，形成第二绝缘层15b以完全覆盖第一电极14a和第二电极14b、互连部件16、第一连接部件18a和第二连接部件18b以及每个发光单元通过台面刻蚀暴露出来的侧表面。
当每个发光单元形成为确保了更宽的有源层的面积时，可以改进发光元件的亮度和操作电压。
根据本发明实施例的多单元阵列半导体发光器件可以用作包括具有诸如印刷电路板之类的电极部件的衬底在内的模块中的芯片。而且，前述发光器件和发光模块可以实现为包括驱动单元的照明设备。
图7A和图7B示出了作为根据本发明的照明设备的一个示例的说明性的灯泡型灯。图7A示出了照明设备的分解透视图，提供图7A以便于对该照明设备的组件的理解，图7B示出了照明设备的分解透视图，其示出了将分解的组件组装起来（除了凸透镜形的盖子的组合以外）的状态。
参考图7A和图7B，照明设备200包括发光模块150、驱动单元130和外部连接单元110。照明设备200还可以包括诸如外壳140和内壳120之类的外部结构。
发光模块150可以包括多单元阵列发光器件155和在其上安装有一个或多个多单元阵列发光器件155的电路板151。在此实施例中，在电路板151上安装了单个多单元阵列发光器件155；然而，本发明不限于此。也就是说，可以在电路板151上安装多个多单元阵列发光器件。
在根据本实施例的照明设备200中，发光模块150可以包括作为散热部件的外壳140。外壳140可以包括直接连接至发光模块150并与其直接接触的散热板145，以改进散热效果。外壳140还可以包括连接至散热板145的诸如鳍或片之类的散热部件142。而且，照明设备200可以包括安装在发光模块150上并且具有凸透镜形状的盖部160。
在本实施例中，驱动单元130安装在内壳120中并且连接至诸如插座结构之类的外部连接单元110，以便从外部电源单元接收电力。
而且，驱动单元130可以将接收的电力转换成能够用于驱动发光模块150的一个或多个多单元阵列发光器件155的适当的电流，并且将该电流提供至多单元阵列发光器件155。例如，驱动单元130可以包括AC-DC转换器、整流器电路组件等。
上述发光器件和发光模块可以用于诸如室内照明设备（例如，灯）、室外照明设备（例如，路灯和标志牌）以及交通照明设备（例如，用于车辆、飞机和船等交通工具的头灯和尾灯）之类的各种应用当中。另外，照明设备还可以包括散热元件和/或反射板。
如上所述，根据本发明的实施例，有源层12c的面积可以加宽以确保足够的发光面积，从而改进半导体发光器件的亮度。
尽管结合示例实施例已对本发明进行了图示和描述，但在不背离本发明所附权利要求定义的精神和范围的情况下各种改变和变型对本领域技术人员来说是显而易见的。

Claims (20)

1.一种半导体发光器件包括：
衬底；
多个发光单元，其布置在所述衬底上，其中每个发光单元包括第一导电半导体层，并且其中在所述第一导电半导体层的至少一部分的顶面上布置有有源层和第二导电半导体层；
第一电极和第二电极，对于所述多个发光单元中的每一个发光单元，所述第一电极和所述第二电极分别布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层上；
互连部件，其将一个发光单元的第一电极或第二电极连接至所述多个发光单元当中与所述一个发光单元相邻的另一个发光单元的第一电极或第二电极；
第一绝缘层，其覆盖所述多个发光单元当中的至少一个发光单元的表面，并且具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露所述第一电极以及发光单元面对所述第一电极的侧表面，所述第二开口与所述第一开口分离并且暴露所述第二电极；以及
第二绝缘层，其布置在所述第一绝缘层上，以便完全覆盖所述多个发光单元当中的所述至少一个发光单元，
其中，在所述多个发光单元中的每一个发光单元中，所述第一开口位于邻近第一边缘的中央的区域，并且在所述多个发光单元中的每一个发光单元中，所述第二开口位于邻近与第一边缘相对的第二边缘的中央的区域。
2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中在所述多个发光单元中的每一个发光单元中，第一绝缘层不被形成在所述第一电极与该发光单元面对所述第一电极的侧表面之间。
3.如权利要求1的所述半导体发光器件，其中由氧化硅或氮化硅形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。
4.如权利要求1的所述半导体发光器件，还包括：
透明电极，其布置在所述多个发光单元中的每一个发光单元的所述第二导电半导体层的顶部上。
5.如权利要求1的所述半导体发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极布置在所述多个发光单元中的每一个发光单元的顶面上。
6.如权利要求1的所述半导体发光器件，其中将所述第二开口形成为，使得在所述多个发光单元当中的每个发光单元中，所述第一绝缘层不被形成在布置有第二电极的第二导电半导体层的顶部上。
7.如权利要求1的所述半导体发光器件，其中至少两个发光单元通过发光单元的第一电极和第二电极在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间被串联互连。
8.如权利要求7的所述半导体发光器件，其中至少两个发光单元的第一串联互连与至少两个发光单元的第二串联互连在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间被并联耦接。
9.如权利要求1的所述半导体发光器件，其中每个发光单元的有源层和第二导电半导体层在该发光单元的顶面上布置成U形图案，并且所述第一电极在该发光单元的顶面上布置在所述U形成图案的间隙中。
10.如权利要求9的所述半导体发光器件，其中所述第一绝缘层布置在每个发光单元上，使得所述第一绝缘层没有覆盖所述U形图案中的间隙的任何部分。
11.一种用于制造半导体发光器件的方法，包括步骤：
在衬底上顺序地形成第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；
在所述第一导电半导体层、所述第二导电半导体层和所述有源层的彼此分开预定间隔的各个区域上执行隔离工艺以形成多个发光单元，每个发光单元包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在它们中间形成的有源层；
在每个发光单元的第二导电半导体层和有源层的各个区域上执行台面刻蚀，使得所述有源层的一部分和所述第二导电半导体层的一部分被去除以暴露所述第一导电半导体层的顶面的一部分；
在所述多个发光单元中的每一个发光单元的除了以下部分之外的至少一部分表面上形成第一绝缘层，其中被排除在外的部分有：(i)所述第一导电半导体层的顶面的暴露部分的第一部分，(ii)与所述暴露部分相邻并且形成在所述多个发光单元中的每一个发光单元的侧表面中的一部分，以及(iii)所述第二导电半导体层的顶面的第二部分，其中被排除的部分(i)和部分(ii)构成所述第一绝缘层的第一开口，被排除的部分(iii)构成所述第一绝缘层的第二开口，所述第一绝缘层覆盖所述第二导电半导体层的顶面的至少一部分；
在形成所述第一绝缘层之后，在每个发光单元的第一导电半导体层的顶面的暴露部分的第一部分上形成第一电极，并且在每个发光单元的第二导电半导体层的顶面的第二部分上形成第二电极；以及
在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以便完全覆盖每个发光单元，
其中，在所述多个发光单元中的每一个发光单元中，所述第一部分位于邻近第一边缘的中央的区域，并且在所述多个发光单元中的每一个发光单元中，所述第二部分位于邻近与第一边缘相对的第二边缘的中央的区域。
12.如权利要求11所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中所述第一绝缘层不被形成在所述第一电极与每个发光单元的与所述第一导电半导体层的顶面的暴露部分相邻的侧表面之间。
13.如权利要求11所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中由氧化硅或氮化硅形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。
14.如权利要求11所述的用于制造半导体发光器件的方法，还包括步骤：
在形成所述第一绝缘层之前，在所述第二导电半导体层的顶部上形成透明电极。
15.如权利要求11所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中所述第一电极和所述第二电极形成在所述多个发光单元中的每一个发光单元的顶面上。
16.如权利要求11所述的用于制造半导体发光器件的方法，还包括步骤：
在形成所述第一电极并且形成所述第二电极之后，并且在形成所述第二绝缘层之前，形成将一个发光单元的第一电极或第二电极连接至在所述多个发光单元当中与所述一个发光单元相邻的另一个发光单元的第一电极或第二电极的互连部件。
17.如权利要求16所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中至少两个发光单元通过形成互连部件以连接两个发光单元的第一电极和第二电极的步骤而串联互连，并且至少两个发光单元在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间形成第一串联互连。
18.如权利要求17所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中至少两个发光单元的所述第一串联互连与至少两个发光单元的第二串联互连在所述半导体发光器件的正极端子与负极端子之间被并联耦接。
19.如权利要求11所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中通过在每个发光单元的顶面上台面刻蚀成U形图案来形成每个发光单元的有源层和第二导电半导体层，并且在该发光单元的顶面上将所述第一电极形成在所述U形成图案的间隙中。
20.如权利要求19所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中所述第一绝缘层形成在每个发光单元上，使得所述第一绝缘层没有覆盖所述U形图案中的间隙的任何部分。
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