CN103424982B - 运用多个程序的光学邻近校正方法和用于该方法的系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种运用多个程序的光学邻近校正方法和用于该方法的系统。标记层放置于设计布局的如下区域中，在这些区域中，图像斜率小于临界图像斜率或者周长与面积之比小于临界周长与面积。可以通过对其中误差均值和/或误差均方根(RMS)超过阈值的过程条件子集分组来生成多光学邻近校正(OPC)。用运用至少一个非标准抗蚀剂模型的严格OPC处理用标记层标记的区域，而用不及至少一个非标准抗蚀剂模型严格的标准OPC程序处理布局的未标记区域。此外，可以在布局剪辑之中比较边数和区域图像对比度以确定用于边数和区域图像对比度的阈值，这些阈值可以用来确定针对每个布局剪辑是否需要多OPC。

Description

运用多个程序的光学邻近校正方法和用于该方法的系统

技术领域

本公开内容涉及一种用于光学邻近校正(OPC)的方法和用于实施该方法的系统，该方法运用基于多个过程模型的多个OPC程序。

背景技术

运用OPC使在光刻过程中印刷受辐射光的波性质影响的光刻形状成为可能。OPC在待印刷的光刻形状包括亚光刻特征，即如下特征时特别有用，这些特征具有比最小可印刷孔、线或者间隔物更小的尺度。

在本领域中已知的OPC方法通常运用对整个设计布局运用相同参数集合的单个OPC程序。在OPC程序中的参数集合例如包括片段和迭代数目。另外，在本领域中已知的OPC方法运用单个过程模型，该单个过程模型被应用于整个设计布局。单个过程模型包括单个抗蚀剂模型。

因此，在本领域中已知的OPC方法无论设计布局内的各种图案的灵敏度如何都运用相同OPC程序。另外，由于抗蚀剂显影特性和横截面形状在与光刻剂量和聚焦深度的不同集合对应的不同过程条件中并不相同，所以运用单个抗蚀剂模型的单个过程模型不代表整个过程变化范围。

发明内容

标记层放置于设计布局的如下区域中，在这些区域中，图像斜率小于临界图像斜率或者周长与面积之比小于临界周长与面积之比。可以通过对其中误差均值和/或误差均方根(RMS)超过阈值的过程条件子集进行分组来生成包括多个抗蚀剂模型的多光学邻近校正(OPC)。使用运用至少一个非标准抗蚀剂模型的严格OPC来处理用标记层标记的区域，而用不及至少一个非标准抗蚀剂模型严格的标准OPC程序处理布局的未标记区域。此外，可以在布局剪辑之间比较边数和区域图像对比度以确定用于边数和区域图像对比度的阈值，这些阈值可以用来针对每个布局剪辑确定是否需要多OPC。

根据本公开内容的一个方面，提供一种对设计布局执行光学邻近校正的方法。该方法包括：从设计布局生成至少一个设计剪辑，其中至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括设计布局的子集；向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定选择的设计剪辑是否满足用于将选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准；针对被标识为满足预定标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定标准的区域；以及用OPC程序对未用标记层标记的区域执行OPC，并且用与OPC程序不同的至少另一OPC程序对用标记层标记的区域执行OPC。

根据本公开内容的另一方面，提供一种对设计布局执行光学邻近校正的方法。该方法包括：针对设计布局生成周长与面积之比的映射；将来自设计布局的多个设计剪辑排序到多个仓中，其中每个仓包括用于周长与面积之比的值的非重叠范围；针对从多个仓选择的每个仓，对于选择的仓内的设计剪辑确定用于至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数的阈值，其中该阈值表征其中设计形状的桥接或者夹断不存在空白的设计剪辑；针对每个选择的仓，将设计剪辑分类为第一设计剪辑和包括除了第一设计剪辑之外的所有其他设计剪辑的第二设计剪辑，该第一设计剪辑针对至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数具有代表比对应阈值更小的复杂度的值；以及用第一OPC程序对第一设计剪辑执行OPC，并且用与该OPC程序不同的至少一个第二OPC程序对第二设计剪辑执行OPC。

根据本公开内容的又一方面，提供一种标识具有不同设计复杂度水平的方法。该方法包括：从设计布局生成至少一个设计剪辑，其中至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括设计布局的子集；向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定选择的设计剪辑是否满足预定标准，该预定标准包括以下至少一个：选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比和选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率；针对满足标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定标准的每个区域；将用标记层标记的区域分类为第一区域集合，并且将未周标记层标记的区域分类为第二区域集合；以及在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储标识第一区域集合和第二区域集合中的至少一个区域集合的数据。

根据本公开内容的再一方面，提供一种于对设计布局执行光学邻近校正的系统。该系统包括计算机装置和非暂时性的机器可读数据存储介质。计算装置包括被配置用于运行自动化程序的处理器和存储器，该自动化程序包括以下步骤：从设计布局生成至少一个设计剪辑，其中至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括设计布局的子集；向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定选择的设计剪辑是否满足用于将选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准；针对被标识为满足预定标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定标准的区域；用OPC程序对未用标记层标记的区域执行OPC，并且用与OPC程序不同的至少另一OPC程序对用标记层标记的区域执行OPC；以及在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储代表用OPC程序执行OPC和用至少另一OPC程序执行OPC的结果的数据。

根据本公开内容的又一方面，提供一种用于对设计布局执行光学邻近校正的系统。该系统包括计算机装置和非暂时性的机器可读数据存储介质。计算装置包括被配置用于运行自动化程序的处理器和存储器，该自动化程序包括以下步骤：针对设计布局生成周长与面积之比的映射；将来自设计布局的多个设计剪辑排序到多个仓中，其中每个仓包括用于周长与面积之比的值的非重叠范围；针对从多个仓选择的每个仓，对于选择的仓内的设计剪辑确定用于至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数的阈值，其中该阈值表征在其中设计形状的桥接或者夹断不存在空白的设计剪辑；针对每个选择的仓，将设计剪辑分类为第一设计剪辑和包括除了第一设计剪辑之外的所有其他设计剪辑的第二设计剪辑，该第一设计剪辑针对至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数具有代表比对应阈值更小的复杂度的值；用第一OPC程序对第一设计剪辑执行OPC，并且周与OPC程序不同的至少一个第二OPC程序对第二设计剪辑执行OPC；以及在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储代表用OPC程序执行OPC和用至少另一OPC程序执行OPC的结果的数据。

附图说明

图1是图示根据本公开内容的一个实施例的将多个OPC程序应用于设计布局的方法的流程图。

图2是图示根据本公开内容的一个实施例的用标记层标记的示例区域集合的示意图。

图3A是图示在区域图像斜率与临界尺度之间的相关性有效性的第一示例直方图。

图3B是图示在区域图像斜率与临界尺度之间的相关性有效性的第二示例直方图。

图4A是图示根据本公开内容的一个实施例的高周长与面积之比的示例设计剪辑。

图4B是图示根据本公开内容的一个实施例的低周长与面积之比的示例设计剪辑。

图5是图示根据本公开内容的一个实施例的针对来自设计布局的每个设计剪辑确定标记层的方法的流程图。

图6A是根据本公开内容的一个实施例的其中标识初始标记层的示例设计剪辑。

图6B是根据本公开内容的一个实施例的其中已经调整标记层的示例设计剪辑。

图7是图示根据本公开内容的一个实施例的生成将在过程模型中运用的多个抗蚀剂模型的方法的流程图。

图8是图示根据本公开内容的一个实施例的对可以从应用多个OPC程序中受益的设计剪辑进行排序的方法的流程图。

图9A-9J是根据本公开内容的一个实施例的设计剪辑的各种例子。

图10A-10J是根据本公开内容的一个实施例的设计剪辑的仿真区域图像的各种例子。

图11A-11J分别是图9A-9J的设计剪辑的各种例子以及根据本公开内容的一个实施例的在每个对应设计剪辑的顶部标注的在每个设计布局内的区域图像对比度和边数。

图12图示用于对设计布局执行光学邻近校正的示例系统。

具体实施方式

如上文所言，本公开内容涉及现在参照附图具体描述的一种用于光学邻近校正(OPC)的方法和用于实施该方法的系统，该方法运用基于多个过程模型的多个OPC程序。这里提到和在附图中图示的相同和对应单元由相同标号指代。附图未必按比例绘制。

如这里所用，“设计剪辑(design clip)”指代用于半导体芯片的设计布局的比整个设计布局更小的子集。

如这里所用，“光刻过程模型”或者“过程模型”是如下方程集合，首先使用光学模型来数值计算这些方程以提取通过用单色光并且经由透镜和/或镜面系统照射的光刻掩模所产生的衍射的成像在晶片表面上产生的光强度分布，并且其次使用光阻剂模型来数值计算这些方程以根据该图像强度分布计算在光阻剂材料对在某个阈值以上的图像光强度在化学上做出反应以根据光阻剂极性变成对显影剂溶剂可溶或者不可溶、并且随后用所述显影剂溶剂清洗之后的剩余光阻剂形貌。

如这里所用，“光学模型”指代光刻过程模型内的模型并且包含如下方程集合，这些方程描述照射和来自光刻掩模的衍射以及所述衍射的光经过光刻扫描仪透镜系统向光阻剂膜上的传播和成像。

光学模型计算空间图像(aerial image)在晶片平面的强度分布。可以通过运用光刻掩模上的形状、照射源的配置和光学透镜系统的从步进器/扫描仪修正的其他参数来实现计算空间图像在晶片平面的强度分布。

如这里所用，“主要特征模型”、“主要特征过程模型”、“主要特征光刻过程模型”、“光学邻近校正模型”或者“OPC模型”指代预测与主要特征存在于光刻掩模的布局内对应的光阻剂轮廓的光刻过程模型。

主要特征模型预测如从俯视图所见的在光阻剂形貌的单个平面或者高度的光阻剂轮廓。可以在全芯片兼容光学邻近校正算法中使用主要特征模型。主要特征模型可以与全芯片比例的仿真相兼容。主要特征模型可以被校准以用于并且目标在于预测由于布局的可溶特征所致的光阻剂轮廓。

如这里所用，“光学模型参数”指代光学模型中的参数。计算在光阻剂层以内的图像强度需要关于最佳焦平面的位置的信息。此外，为了计算临界尺度值或者光阻剂轮廓，仿真器需要知道在光阻剂层中的哪个高度以计算二维图像，即将哪个水平平面运用作为图像平面。

如这里所用，“光阻剂模型”或者“抗蚀剂模型”指代如下方程或者方程集合，该方程描述在任何光刻过程模型中用图像曝光和用显影剂溶液显影之后的最终光阻剂形貌轮廓。

光阻剂模型预测光阻剂的物理结构。根据光阻剂对曝光和显影过程的化学响应的物理机械描述来推导光阻剂模型。在本公开内容的一个实施例中，可以运用光阻剂模型以用预定义的基函数的集合对作为用于光阻剂模型的输入而取得的空间图像执行运算。这些基函数可以使用先前已经校准的参数。每个操作可以例如是以在空间图像的每点在空间图像与高斯函数之间执行卷积的形式，其中先前已经在校准期间确定高斯函数的标准偏差。此后根据预定义的多项式方程将来自所述运算的所有结果组合在一起。这一多项式的每项是与先前也已经校准的系数相乘的、使用那些基函数对空间图像执行的运算之一的结果。将这一多项式应用于空间图像的最终结果是如下代表显影的光阻剂形貌的俯视图的轮廓的集合。

如这里所用，“聚焦深度”或者“焦距”指代晶片台在光刻曝光期间的高度。可以相对于最佳焦平面的平面定义焦距，该最佳焦平面是晶片台在扫描仪中的如下高度，图像并且因此光阻剂轮廓在该高度最清晰。

如这里所用，“剂量”指代在晶片上的光阻剂之上暴露的能量数量，而能量是曝光时间的函数(即能量＝强度×时间)。可以相对于如下最佳剂量的值定义剂量，光阻剂线宽在该最佳剂量处等于目标线宽值。

光刻过程可以由焦距与剂量的组合表征。这一组合也称为“焦距和剂量条件”、“曝光焦距和剂量条件”或者“光刻曝光和剂量条件”。

如这里所用，“标称剂量和聚焦条件”指代已知对于在光阻剂层上重复来自光刻掩模的既定图案这样的目的而言最优的标称剂量与标称焦距的组合。

如这里所用，可以定义“区域图像对比度”为在设计剪辑内的每个像素的强度与强度的区域平均值之间差值的平方之和的平均值。在设计剪辑内的每个像素执行差值的计算和平均值的计算。换而言之，对比度由下式给出：

其中I(x，y)是如由光学模型生成的设计剪辑的强度函数，并且ave[I(x，y)]是强度函数在设计剪辑内取得的数学平均值。

如这里所用，“桥接(bridging)”指代在用于显影图像的仿真中将两个相异和不相交设计形状合并成单个形状。

如这里所用，“夹断(pinching)”指代在用于显影图像的仿真中将单个设计形状的细分节拆分成两个不相交形状。

如这里所用，如果比如桥接或者夹断的特征不存在、但是可以通过过程参数的无穷小改变来再现，则特征是“不存在空白”。例如，在光阻剂显影过程或者蚀刻过程中，转变阶段可以存在，其中过程开始在再现特征时即在如原先既定的那样分辨图案时失败。在这一情况下，未再现的、但是可以用过程参数的无穷小改变来再现的特征称为不存在空白。过程性能在转变阶段中高度地非线性，并且模型往往在转变阶段中变得不准确。

如这里所用，“单位格尺度”是运用于设计的格的单位尺度。

参照图1，流程图图示根据本公开内容的一个实施例的将多个光学邻近校正程序应用于设计布局的方法。参照步骤10，标识设计布局中的满足标准的图案和/或区域。标准是图像斜率小于用于图像斜率的阈值这样的第一条件与周长与面积之比大于用于周长与面积之比的阈值这样的第二条件的逻辑“或”(OR)组合。用标记层标记满足标准的区域和/或包括满足标准的图案的区域。

参照图2，示意图图示用标记层标记的示例区域(阴影区域)集合。随后针对用标记层标记的区域运行与针对未用标记层标记的区域不同的光学邻近校正(OPC)程序。具体而言，将提供更广泛的和计算密集的校正的严格OPC程序应用于用标记层标记的区域，而将提供更少广泛的和计算高效的校正的简单OPC程序应用于未用标记层标记的区域。

参照图1的步骤20，运用严格OPC，即运用对用于光刻曝光和显影过程的过程窗的更广泛评估的OPC，以向设计布局中的在标记层以下的特征提供OPC。严格OPC可以运用多个抗蚀剂模型和至少一个严格OPC参数(即更小片段(用于在设计布局中应用OPC校正的单位面积)和/或用于OPC运行的增加迭代数目)。

参照步骤30，在设计布局的其余部分中，即在设计布局的未被标记层覆盖的部分中，运行简单OPC程序。简单OPC可以运用单个抗蚀剂模型和标准OPC参数集合，即标准尺寸的片段和用于OPC运行的标准迭代数目。在一个实施例中，简单OPC可以运用宽松的OPC参数集合，即更大尺寸的片段和用于OPC运行的减少迭代数目。

可以运用图1中所示方法以标识具有不同设计复杂度水平的区域。另外，可以运用图1中所示方法以运用与不同设计复杂度水平对应的多个OPC程序对设计布局执行光学邻近校正。

在一个实施例中，可以通过人工或者运用如下自动化系统执行系列步骤来实施图1的方法，该自动化系统包括计算装置和非暂时性的机器可读数据存储介质，其中计算装置包括被配置用于运行自动化程序的处理器和存储器。

可以被运用以标识具有不同设计复杂度水平的区域的系列步骤可以例如包括步骤：从设计布局生成至少一个设计剪辑使得至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括设计布局的子集；向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑确定选择的设计剪辑是否满足预定标准，该预定标准包括选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比、以及选择的设计剪辑是否包括其中区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率的测量部位中的至少一个；针对满足标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定条件的每个区域；将用标记层标记的区域分类为第一区域集合并且将未用标记层标记的区域分类为第二区域集合；以及在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储用于标识第一区域集合和第二区域集合中的至少一个区域集合的数据。

可以被运用以运用与不同设计复杂度水平对应的多个OPC程序对设计布局执行光学邻近校正的系列步骤可以例如包括步骤：从设计布局生成至少一个设计剪辑使得至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括设计布局的子集；向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑确定选择的设计剪辑是否满足用于将选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准；针对被标识为满足预定条件的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定条件的区域；以及用OPC程序对未用标记层标记的区域执行OPC并且用与OPC程序不同的至少另一OPC程序对用标记层标记的区域执行OPC。

可以例如通过将设计布局划分成多个设计剪辑来实现从设计布局生成至少一个设计剪辑使得至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括设计布局的子集。可以基于方便性、用于分析每个设计剪辑的分析程序的能力和/或用于运行分析程序的计算装置的能力确定每个设计剪辑的尺寸。在一个实施例中，可以将设计布局划分成相等尺寸的设计布局。在另一实施例中，可以将设计布局划分成设计布局使得每个设计布局包括近似相同数目的设计特征(例如边、拐角、相异形状等)。也可以运用将设计布局划分成设计剪辑的任何其他方法。

在本公开内容的实施例中运用的参数之一是区域图像斜率。区域图像斜率是针对与设计剪辑对应的仿真强度分布而测量的区域图像强度二维梯度的量值。

参照图3A和3B，针对两个样本布局中的设计形状集合示出在测量的临界尺度(比如最小尺寸的可印刷接触孔的直径、可印刷线的最小宽度、在两个可印刷线之间的最小间距)与对应区域图像斜率之间的相关性系数。在测量的临界尺度与对应区域图像斜率之间的相关性系数是比在测量的临界尺度与区域图像中的强度最大值、强度最小值和曲率(称为“因子”)中的每个因子之间的其他相关性系数更大的数量级。因此，图3A和3B图示在区域图像斜率与临界尺度之间的相关性有效性。

在本公开内容的实施例中运用的参数中的另一参数是周长与面积之比。周长与面积之比是在设计剪辑内的所有设计形状的周界长度之和与设计剪辑的面积之比。图4A图示高周长与面积之比，并且图4B图示低周长与面积之比。

参照图5，流程图图示根据本公开内容的一个实施例的针对来自设计布局的每个设计剪辑确定标记层的示例方法。图5的流程图包括可以被运用以执行以下步骤的示例步骤：向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定选择的设计剪辑是否满足预定标准；并且针对满足标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定条件的每个区域。另外，图5的流程图包括可以被运用以执行以下步骤的示例步骤：向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定选择的设计剪辑是否满足用于将选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准；并且针对被标识为满足预定条件的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定条件的区域。

在一个实施例中，预定标准可以包括以下标准的至少一个：选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比、以及选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。

在一个实施例中，预定标准可以包括以下标准中的一个标准或者逻辑组合：选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比；以及选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。如这里所用，至少一个条件的逻辑组合包括与至少一个条件中的任何条件恒等、要求同时满足至少一个条件中的两个或者更多条件的“与”(AND)组合、以及要求备选地满足至少一个条件中的两个或者更多条件的“或”组合、或者至少一个“与”组合与至少一个“或”组合的任何派生组合。

在一个实施例中，预定标准包括选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比的逻辑组合。

在一个实施例中，预定标准可以包括选择的设计剪辑是否包括如下测量部位的逻辑组合，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。

在一个实施例中，预定标准是选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比、或者选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。

尽管图5的流程图代表其中预定标准是选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比、或者选择的设计剪辑是否包括如下测量部位的一个实施例，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率，但是本领域普通技术人员可以构造图5的流程图的变化，这些变化代表如上文讨论的预定标准的实施例变化。

参照步骤510，选择来自设计布局的设计剪辑。

参照步骤520，在选择的设计剪辑内定义测量部位。可以运用任何如下算法来选择测量部位，只要受到不良印刷的选择的设计布局的敏感区域被系统地表示。在非限制例子中，可以从存在于选择的设计剪辑内的各种设计形状的周界选择测量部位。在图6A和6B中图示测量部位选择的例子，其中“x”标记代表测量部位。

参照步骤530，计算设计剪辑的周长与面积之比。具体而言，计算在设计剪辑内的全部周界的长度并且将该长度除以剪辑的面积以生成设计剪辑的周长与面积之比。

另外，在每个测量部位计算区域图像(AI)斜率。可以例如通过对设计剪辑运行光学模型以生成仿真强度分布、并且通过计算仿真强度分布的二维梯度在每个测量部位的量值来在每个测量部位计算AI斜率。AI斜率是仿真强度分布的二维梯度的量值。存储用于在每个测量部位的AI斜率的值的集合用于在后续步骤中比较。

参照步骤545，将设计剪辑的周长与面积之比(PAR)与阈值周长与面积之比(PAR_Th)进行比较，该PAR_Th是执行图5的方法的人员提供的或者作为用于将在计算装置上运行的自动化程序的程序参数之一而提供的预定数量。另外，将如在每个测量部位确定的AI斜率与阈值区域图像斜率(Slope_Th)进行比较，该Slope_Th是执行图5的方法的人员提供的或者作为用于将在计算装置上运行的自动化程序的程序参数之一而提供的预定数量。

如果在所有测量部位，设计剪辑的周长与面积之比(PAR)不大于阈值周长与面积之比(PAR_Th)，并且AI斜率不小于阈值区域图像斜率(Slope_Th)，则过程流程进行到步骤580。在这一情况下，在选择的设计剪辑内无如下测量部位，在该测量部位处的AI斜率小于阈值区域图像斜率。因此，设计剪辑的仿真图像在每个测量部位具有清晰对比度。另外，设计剪辑具有用于在设计剪辑中的设计形状的比与阈值周长与面积之比对应的总周界长度更小的总周界长度。预计这样的设计剪辑印刷无问题。无需标记层用于这一设计剪辑。

如果在任何测量部位，设计剪辑的周长与面积之比(PAR)大于阈值周长与面积之比(PAR_Th)，或者AI斜率小于阈值区域图像斜率(Slope_Th)，则过程流程进行步骤550。如在步骤550初始提供的，标记层可以涵盖整个设计剪辑或者可以包括如下的至少一个测量部位，在该测量部位处的AI斜率小于阈值区域图像斜率。

参照步骤555，分析用于所有测量部位的设计剪辑的周长与面积之比(PAR)和AI斜率集合以确定是否满足标准。标准是在所有测量部位，设计剪辑的周长与面积之比(PAR)是否大于阈值周长与面积之比(PAR_Th)、或者AI斜率是否小于阈值区域图像斜率(Slope_Th)。如果满足这一标准，则过程流程进行到步骤570，在该步骤，设置标记层以涵盖整个设计剪辑。

如果未满足步骤555的标准，则过程流程可以进行到步骤560。针对每个测量部位，标准是设计剪辑的周长与面积之比(PAR)是否大于阈值周长与面积之比(PAR_Th)或者对应AI斜率是否小于阈值区域图像斜率(Slope_Th)的逻辑“或”组合。由于设计剪辑的周长与面积之比(PAR)在步骤560不大于阈值周长与面积之比(否则，过程流程将已经进行到步骤570)，所以仅需分析区域图像斜率。在步骤560，移动如在步骤550提供的标记层的边以包括如下所有测量部位，在该测量部位处满足AI_Slope＜Slope_Th这一标准，并且未包括其中未满足AI_Slope＜Slope_Th这一标准的任何测量部位。

图6A和6B图示在设计剪辑中移动移动标记层。可以在步骤560如图6B中所示的那样移动图6A中所示并且在步骤550生成的初始标记层。

一般而言，针对被标识为包括满足预定条件的至少一个测量点的每个选择的设计剪辑，可以移动标记层以包括选择的设计剪辑内的满足预定条件的所有测量部位。可以从标记层排除不满足预定条件的所有测量部位。

在一个实施例中，可以变更选择的设计剪辑的尺寸。例如，如果标记层延伸至设计剪辑的边，则可以通过在相同设计布局内并入至少另一设计剪辑的部分来延伸设计剪辑。可以调整该至少另一设计剪辑以解决向设计剪辑中并入该部分。

图5的流程图的方法或者图5的流程图的任何变化的方法可以应用于每个选择的设计剪辑直至处理了所有设计剪辑。为了标识具有不同设计复杂度水平的区域，可以执行附加步骤。例如，可以将用标记层标记的区域分类为第一区域集合，并且可以将未用标记层标记的区域分类为第二区域集合。另外，可以随后在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储标识第一区域集合和第二区域集合中的至少一个区域集合的数据。

可以运用多个OPC程序对设计布局执行光学邻近校正。例如，可以用OPC程序对未用标记层标记的区域执行OPC，并且用与该OPC程序不同的至少另一OPC程序对用标记层标记的区域执行OPC。

将要应用于设计布局的多个OPC程序包括与图1的简单OPC程序对应的OPC程序、以及与图1的严格OPC程序共同对应的至少另一OPC程序。可以例如通过在光学模型预测值和与剂量和聚焦深度条件的多个组合对应的测量数据之间比较临界尺度来生成多个OPC程序。在一个实施例中，可以从与标准(标称)剂量和聚焦深度条件对应的组合生成与图1的简单OPC程序对应的OPC程序，并且可以从与至少一个非标准剂量和聚焦深度条件对应的至少另一组合生成与图1的严格OPC程序对应的至少另一OPC程序。

参照图7，图示生成将在过程模型中运用的多个抗蚀剂模型的方法。参照步骤710，可以使用剂量和聚焦深度条件的各种组合来校准过程窗(PW)模型。可以针对剂量和聚焦深度条件的每个组合计算用于测量PW模型的准确度的度量。例如，可以针对剂量和聚焦深度条件的每个组合计算误差均值和误差均方根(RMS)。误差均值是在如在光刻暴露和显影的光阻剂层上测量的临界度量的平均值与如光学模型针对剂量和聚焦深度条件的组合提供的对应光学模型预测值之间的差值。误差RMS是针对剂量和聚焦深度条件的组合用于如在光刻曝光和显影的光阻剂层上测量的临界尺度的各种测量数据的均方根偏差。

在一个实施例中，可以针对多个组合中的每个组合生成在光学模型预测值与测量数据之间的误差均值和误差均方根(RMS)。随后标识多个组合的子集，这些子集具有绝对值超过预定义阈值误差均值绝对值的误差均值或者超过预定义阈值误差RMS值的误差RMS。将子集分类成对于误差均值和误差RMS具有非重叠范围的类别。

表1示出标识多个组合的如下子集，这些子集具有其绝对值超过预定义的阈值误差均值绝对值的误差均值或者超过预定义的阈值误差RMS值的误差RMS。

表1.示例剂量和聚焦深度条件以及对应误差均值和误差RMS

在表1中，可以选择在其中误差均值的绝对值不大于1.0nm并且误差RMS不大于2.0nm的条件以生成可以被运用于标准OPC程序的标准抗蚀剂模型。可以选择在其中误差均值的绝对值大于1.0nm或者误差RMS大于2.0nm的条件以生成可以被运用于严格OPC程序(即与标准OPC程序不同的至少另一OPC程序)的非标准抗蚀剂模型。在这一例子中，条件2、3、5、11、14、15、21、22和23被运用以生成非标准抗蚀剂模型。

可以对多个组合的如下子集归类，这些子集具有其绝对值超过预定义的阈值误差均值绝对值的误差均值或者超过预定义的阈值误差RMS值的误差RMS。这样的子集包括条件2、3、5、11、14、15、21、22和23。第一类别包括在其中误差均值在0与1.0nm之间并且对应误差RMS大于2.0nm的条件2、3和15。第二类别包括在其中误差均值在-2.0nm与-1.0nm之间并且对应误差RMS小于2.0nm的条件5。第三类别包括在其中误差均值在-1.0nm与0.0nm之间并且对应误差RMS大于2.0nm的条件11。第四类别包括在其中误差均值在-2.0nm与-1.0nm之间并且对应误差RMS大于2.0nm的条件14。第五类别包括在其中误差均值在1.0nm与2.0nm之间并且对应误差RMS小于2.0nm的条件21。第六类别包括在其中误差均值在1.0nm与2.0nm之间并且对应误差RMS大于2.0nm的条件22和23。可以针对每个类别构造抗蚀剂模型，并且可以运用该抗蚀剂模型以生成比标准OPC程序更严格的多个非标准OPC程序。例如，非标准OPC参数的程序可以包括用于片段的减小尺寸和/或在完成校正过程之前的增加的迭代循环数目。

一般而言，可以针对每个类别生成不同抗蚀剂模型。至少另一OPC程序中的每个OPC程序可以包括这样生成的抗蚀剂模型之一。

参照图8，流程图图示根据本公开内容的一个实施例的对可以从应用多个OPC程序中受益的设计剪辑进行排序的方法。可以运用图8的流程图的方法以对设计剪辑执行光学邻近校正。该方法可以例如包括：针对设计布局生成周长与面积之比的映射；将来自设计布局的多个设计剪辑排序到多个仓中，其中每个仓包括用于周长与面积之比的值的非重叠范围；针对从多个仓选择的每个仓，对于选择的仓内的设计剪辑确定用于至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数的阈值，其中阈值表征在其中设计形状的桥接或者夹断不存在空白的设计剪辑；针对每个选择的仓，将设计剪辑分类为第一设计剪辑和包括除了第一设计剪辑之外的所有其他设计剪辑的第二设计剪辑，该第一设计剪辑针对至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数具有代表比对应阈值更低的复杂度的值；以及用第一OPC程序对第一设计剪辑执行OPC，并且用与OPC程序不同的至少一个第二OPC程序对第二设计剪辑执行OPC。

在一个实施例中，至少一个布局复杂度参数可以包括从对应设计剪辑的区域图像对比度推导的统计数量。

在一个实施例中，至少一个设计布局复杂度参数包括通过将在对应设计剪辑中的总边数除以对应设计剪辑的总面积来定义的边数密度。

在一个实施例中，至少一个布局复杂度参数可以包括：从对应设计剪辑的区域图像对比度推导的统计数量；以及通过在对应设计剪辑中的总边数定义除以对应设计剪辑的总面积来定义的边数密度。

在又一实施例中，可以与图1的方法结合运用图8中所示方法或者图8的方法的变化使得先执行图8的方法(或者其变化)并且接着执行图1的方法。可以在图8和图1的方法的依次应用中运用相同设计布局，并且可以运用图8的方法(或者其变化)的第二设计剪辑作为图1的至少一个设计剪辑，并且图8的至少一个第二OPC程序可以包括图1的OPC程序和至少另一OPC程序。

尽管8的流程图代表在其中至少一个布局复杂度参数包括对应设计剪辑的区域图像对比度和边数密度的一个实施例，但是本领域普通技术人员可以构造图8的流程图的变化，这些变化代表如上文讨论的至少一个布局密度参数的实施例变化。

可以运用用于对设计布局执行光学邻近校正的系统来实施图8的流程图的方法或者其任何变化。该系统可以包括计算装置和非暂时性的机器可读数据存储介质。计算装置包括被配置用于运行自动化程序的处理器和存储器，该自动化程序包括以下步骤：针对设计布局生成周长与面积之比的映射；将来自设计布局的多个设计剪辑排序到多个仓中，其中每个仓包括用于周长与面积之比的值的非重叠范围；针对从多个仓选择的每个仓，对于选择的仓内的设计剪辑确定用于至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数的阈值，其中阈值表征在其中设计形状的桥接或者夹断不存在空白的设计剪辑；以及针对每个选择的仓，将设计剪辑分类为第一设计剪辑和包括除了第一设计剪辑之外的所有其他设计剪辑的第二设计剪辑，该第一设计剪辑针对至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数具有代表比对应阈值更低的复杂度的值；用第一OPC程序对第一设计剪辑执行OPC，并且用与OPC程序不同的至少一个第二OPC程序对第二设计剪辑执行OPC；并且在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储代表用OPC程序执行OPC和用至少另一OPC程序执行OPC的结果的数据。

参照步骤810，提供设计布局。

参照步骤820，针对设计布局生成周长与面积之比的映射。在一个实施例中，可以针对设计布局生成网，并且针对网的每个交点计算周长与面积之比。在一个实施例中，可以运用以在其中执行计算的交点为中心的预定形状和尺寸的区域来计算周长与面积之比。在一个实施例中，每个网段的尺寸可以比设计布局的格尺寸大至少一个数量级。

按照步骤830，通过划分设计布局来生成设计剪辑。可以设置设计剪辑的尺寸使得每个设计剪辑包括网的至少一个交点。在一个实施例中，每个设计剪辑包括网的多个交点。

针对每个设计剪辑，可以通过计算设计剪辑内的所有周长与面积之比的数学平均值来生成用于设计剪辑的平均周长与面积之比。然后基于用于设计剪辑的平均周长与面积之比在仓中分布设计剪辑。每个仓具有相对于其他仓的用于周长与面积之比的值的非重叠范围。

参照步骤840，一次选择一个仓用于分析，在后续步骤，即步骤850、860和870中，分析选择的仓中的所有设计剪辑。

参照步骤850，在每个设计剪辑内计算边数密度。边数密度通过设计剪辑中的总边数除以对应设计剪辑的总面积来定义。因此，通过将给定设计剪辑内的总边数除以芯片的总面积来计算边数密度。

另外，生成从设计剪辑的区域图像对比度推导的统计数量。统计数量可以是区域图像对比度的平均值、区域图像对比度的更低百分比(例如最低10％、四分之一、更低一半等)的平均值、区域图像对比度的最小值、或者表征设计剪辑在设计剪辑的图像的准确光刻再现方面的最坏执行部分的任何其他度量。在一个实施例中，可以在设计剪辑内的所有格点执行计算区域图像对比度。在另一实施例中，可以在设计剪辑内的选择的计算点执行计算区域图像对比度。在这一情况下，可以用广义地捕获区域图像对比度在设计剪辑内的质量的任何方式进行选择计算点。

参照步骤860，按照用于设计剪辑的布局复杂度参数的升序或者降序排列设计剪辑，即对设计剪辑排序。可以针对每个布局复杂度参数排列设计剪辑。具体而言，布局复杂度参数的非限制例子包括从区域图像对比度和边数密度推导的任何统计数量。在一个实施例中，至少一个布局复杂度参数可以包括从对应设计剪辑的区域图像对比度和边数密度推导的统计数量。

对于针对布局复杂度参数的每个设计剪辑排列，对设计剪辑执行光学规则校验(ORC)程序以确定图案的完整(即无空白)桥接或者完整夹断是否存在。从设计剪辑的排列中去除包含这样的完整桥接或者这样的完整夹断的图案。

例如，可以如图9A-9J中所示针对平均区域图像(AI)对比度排列设计剪辑。在这一例子中，图9的设计剪辑具有最低AI对比度，图9B的设计剪辑具有比图9A的设计剪辑更大的AI对比度，图9C的设计剪辑具有比图9B的设计剪辑更大的AI对比度，图9D的设计剪辑具有比图9C的设计剪辑更大的AI对比度，图9E的设计剪辑具有比图9D的设计剪辑更大的AI对比度，图9F的设计剪辑具有比图9E的设计剪辑更大的AI对比度，图9G的设计剪辑具有比图9F的设计剪辑更大的AI对比度，图9H的设计剪辑具有比图9G的设计剪辑更大的AI对比度，图9I的设计剪辑具有比图9H的设计剪辑更大的AI对比度，并且图9J的设计剪辑具有比图9I的设计剪辑更大的AI对比度。运行光学规则校验(ORC)程序示出夹断出现于图9E和9F的设计剪辑中。

参照步骤870，针对每个排列，标识其中桥接和夹断按照在排列内的顺序不存在空白的设计剪辑。在排列内的顺序可以是用于确定桥接和夹断不存在空白的参数。在图9A-9J的示例情况下，其中桥接和夹断按照在排列内的顺序(即按照AI对比度)不存在空白的设计剪辑是图9G。

在排列内的顺序对应于选择的布局复杂度参数在仓内的顺序。因此，选择的布局复杂度参数在标识的设计剪辑的值可以是或者可以接近选择的布局复杂度参数的其中桥接和夹断不存在空白的临界值。如果选择的布局复杂度参数以更大值代表更大设计复杂度，则针对选择的布局复杂度参数具有超过临界值的值的设计布局可能在光刻印刷的图案中包含桥接或者夹断，而针对选择的布局复杂度参数具有小于临界值的值的设计布局不可能在光刻印刷的图案中包含桥接或者夹断。反言之，如果选择的布局复杂度参数以更大值代表更小设计复杂度，则针对选择的布局复杂度参数具有小于临界值的值的设计布局可能在光刻印刷的图案中包含桥接或者夹断，而针对选择的布局复杂度参数具有大于临界值的值的设计布局不可能在光刻印刷的图案中包含桥接或者夹断。

图10A-10J分别代表如由光学模型生成的图9A-9J的设计剪辑的强度函数I(x，y)。在图10A-10J中的每幅图上方的数值代表下方对应强度函数I(x，y)的AI对比度。强度函数I(x，y)的量值由每个图片中的灰度级代表。区域在每个图片中越亮，强度函数I(x，y)在该区域中的量值就越大。代表强度函数I(x，y)的每个图片越模糊，对应AI对比度就越低。

在这一情况下，选择的布局复杂度参数是以更大值代表更低设计复杂度的AI对比度。在这一示例情况下，可以设置用于AI对比度的临界值为在1764.9(其是用于在其中存在夹断的图11E和11F的AI对比度的两个数中的更大者)与1823.8之间的数。因此，针对AI对比度具有比临界值更小的值的设计布局，比如图9A、9B、9C、9D、9E和9F的设计布局，可能在光刻印刷的图案中包含桥接或者夹断。然而，针对AI对比度具有比临界值更大的值的设计布局，比如图9G、9H、9I和9J，不可能在光刻印刷的图案中包含桥接或者夹断。

可以针对多个布局复杂度参数执行步骤860和870。备选地，可以针对不同布局复杂度参数多次重复步骤860和870。针对每个布局复杂度参数，按照用于设计剪辑的选择的布局复杂度参数的升序或者降序重排设计剪辑。在一个实施例中，在步骤860，按照边数密度的顺序重排设计剪辑。

在按照边数密度的顺序重排设计剪辑之后，对设计剪辑执行光学规则检查(ORC)程序以确定图案的完整(即无空白)桥接或者完整夹断是否存在。从设计剪辑的排列中去除包含这样的完整桥接或者这样的完整夹断的图案。如果对图9A-9F的设计剪辑执行重排，并且如果对图9A-9J的设计剪辑执行光学规则检查(ORC)程序，则在边数密度为27和31的图9E和9F的设计剪辑中分别检测到存在夹断。

参照步骤870，针对每个排列，标识其中桥接和夹断按照在排列内的顺序不存在空白的设计剪辑。在排列内的顺序可以是用于确定桥接和夹断不存在空白的参数。在图11A-11J中，示出具有对应AI对比度和边数密度(在括号中)的图9A-9J的设计剪辑。图11A-11J的设计剪辑在根据边数密度升序的重排中的顺序将是：以值11作为边数密度的图11B和11H、以值20作为边数密度的图11D、以值22作为边数密度的图11A和11G、以值26作为边数密度的图11C和11J、以值27作为边数密度的图11E、以值31作为边数密度的图11F以及以值33作为边数密度的图11I。其中桥接和夹断按照在这一重排内的顺序(即按照边数密度)不存在空白的设计剪辑是以值26作为边数密度的图11C和11J。

在排列内的顺序对应于选择的布局复杂度参数在仓内的顺序。因此，选择的布局复杂度参数在标识的设计剪辑的值可以是或者可以接近选择的布局复杂度参数的其中桥接和夹断不存在空白的临界值。在这一情况下，选择的布局复杂度参数以更大值代表更大设计复杂度的边数密度。在这一示例情况下，可以设置用于边数密度的临界值为在26与27之间的数，用于在其中存在夹断的图11E和11F的边数密度的两个值中的更低者。因此，针对边数密度具有比临界值更大的值的设计布局，比如图11E、11F和11I的设计布局，可能在光刻印刷的图案中包含桥接或者夹断。然而，针对边数密度具有比临界值更小的值的设计布局，比如图11A、11B、11C、11D、11G、11H和11J，不可能在光刻印刷的图案中包含桥接或者夹断。

可以结合运用多个布局复杂度参数以确定不可能包括桥接或者夹断的布局剪辑。例如，可以标识包括比AI对比度的临界值更大的AI对比度和比边数密度的临界值更小的边数密度的设计布局作为图11G、11H和11J的设计布局。

参照图12，可以提供用于对设计布局执行光学邻近校正的系统。该系统可以包括至少一个计算装置910，该计算装置可以是计算机或者本领域已知的任何计算设备。至少一个计算装置910包括被配置用于允许自动化程序的处理器和存储器。至少一个计算装置910可以与数据库920通信，该数据库可以是独立计算装置或者可以集成在至少一个计算装置910中。如果数据库920是独立计算装置，则可以运用数据线缆930或者无线通信以在数据库920与至少一个计算装置910之间传送数据。该系统还包括可以嵌入至少一个计算装置910内的、可以存在于数据库920内的、或者可以作为可以运用数据写入设备940(可选地，其可以执行从便携非暂时性的机器可读数据存储介质942读取数据的任务)来访问的便携非暂时性的机器可读数据存储介质942而提供的非暂时性的机器可读数据存储介质。数据库920可以存储设计布局、光学模型、抗蚀剂模型和/或OPC模型。如果不提供数据库920，则可以在至少一个计算装置910中存储设计布局、光学模型、抗蚀剂模型和/或OPC模型。

可以运用至少一个计算装置910以执行图1、图5、图7和图8的至少一个或者所有步骤。至少一个计算装置910可以被配置用于一旦被提供设计布局就自动执行图1、图5、图7和/或图8中的各种步骤而无人工干预。可以在至少一个计算装置910内可以提供的至少一个非暂时性的机器可读数据存储介质中和/或在数据库920内提供的至少一个非暂时性的机器可读数据存储介质内存储从图1、图5、图7和/或图8的任何步骤得到的结果。非暂时性的机器可读数据存储介质可以是本领域已知的任何类型。

在至少一个计算装置910和/或数据库920内的一个或者多个非暂时性的机器可读介质可以是便携非暂时性的机器可读数据存储介质942，比如CD ROM或者DVD ROM。可以在至少一个计算装置910中或者在数据库920内提供数据写入设备940以使得能够存储从图1、图5、图7和/或图8的步骤得到的任何数据。

在一个实施例中，自动化程序可以包括以下步骤：从设计布局生成至少一个设计剪辑，其中至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括设计布局的子集；向至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；针对在至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑确定选择的设计剪辑是否满足用于将选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准；针对被标识为满足预定条件的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足预定条件的区域；用OPC程序对未用标记层标记的区域执行OPC，并且用与OPC程序不同的至少另一OPC程序对用标记层标记的区域执行OPC；并且在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储代表用OPC程序执行OPC和用至少另一OPC程序执行OPC的结果的数据。

在一个实施例中，自动化程序中的预定标准包括以下标准中的一个标准或者逻辑组合：选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比；以及选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。

在一个实施例中，自动化程序还可以包括以下步骤：针对被标识为满足预定条件的每个选择的设计剪辑，移动标记层以包括选择的设计剪辑内的满足预定条件的所有测量部位。

在一个实施例中，自动化程序还可以包括以下步骤：通过在光学模型预测值和与剂量和聚焦深度条件的多个组合对应的测量数据之间比较临界尺度来生成包括OPC程序和至少另一OPC程序的多个OPC程序。

在一个实施例中，自动化程序可以包括以下步骤：针对设计布局生成周长与面积之比的映射；将来自设计布局的多个设计剪辑排序到多个仓中，其中每个仓包括用于周长与面积之比的值的非重叠范围；针对从多个仓选择的每个仓，对于选择的仓内的设计剪辑确定用于至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数的阈值，其中该阈值表征在其中设计形状的桥接或者夹断不存在空白的设计剪辑；并且针对每个选择的仓，将设计剪辑分类为第一设计剪辑和包括除了第一设计剪辑之外的所有其他设计剪辑的第二设计剪辑，该第一设计剪辑针对至少一个布局复杂度参数中的每个布局复杂度参数具有代表比对应阈值更小的复杂度的值；用第一OPC程序对第一设计剪辑执行OPC，并且用与OPC程序不同的至少一个第二OPC程序对第二设计剪辑执行OPC；以及在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储代表用OPC程序执行OPC和用至少另一OPC程序执行OPC的结果的数据。

在一个实施例中，至少一个布局复杂度参数包括：从对应设计剪辑的区域图像对比度推导的统计数量；以及通过将对应设计剪辑中的总边数除以该对应设计剪辑的总面积来定义的边数密度。

在一个实施例中，自动化程序可以被配置为运用第二设计剪辑作为图1的至少一个设计剪辑来连续执行图8和图1的步骤。至少一个第二OPC程序可以包括图1的OPC程序。

尽管已经在具体实施例方面描述了本公开内容，但是鉴于前文描述明显的是许多备选、修改和变化对本领域技术人员将是清楚的。除非另外明示或者另外明显地在相互之间不兼容，本公开内容的各种实施例可以单独或者与任何其他实施例组合运用。因而，公开内容旨在于涵盖落入本公开内容和所附权利要求的范围和精神实质内的所有这样的备选、修改和变化。

Claims (15)

1.一种对设计布局执行光学邻近校正的方法，所述方法包括：

从所述设计布局生成至少一个设计剪辑，其中所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括所述设计布局的子集；

向所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；

针对在所述至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定所述选择的设计剪辑是否满足用于将所述选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准，其中所述预定标准包括以下标准中的一个标准或者逻辑组合：

所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比；以及

所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率；

针对被标识为满足所述预定标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足所述预定标准的区域；以及

用OPC程序对未用所述标记层标记的区域执行OPC，并且用与所述OPC程序不同的至少另一OPC程序对用所述标记层标记的区域执行OPC。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定标准包括所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比的逻辑组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定标准包括所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位的逻辑组合，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定标准是所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比，或者所述预定标准是所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：针对被标识为包括满足所述预定标准的至少一个测量部位的每个选择的设计剪辑，移动所述标记层以包括所述选择的设计剪辑内的满足所述预定标准的所有测量部位。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过在光学模型预测值和与剂量和聚焦深度条件的多个组合对应的测量数据之间比较临界尺度来生成包括所述OPC程序和所述至少另一OPC程序的多个OPC程序。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

从与标准剂量和聚焦深度条件对应的组合生成所述OPC程序；以及

从与至少一个非标准剂量和聚焦深度条件对应的至少另一组合生成所述至少另一OPC程序。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

针对所述多个组合中的每个组合生成在所述光学模型预测值与所述测量数据之间的误差均值和误差均方根(RMS)；

标识所述多个组合的具有绝对值超过预定义的阈值误差均值绝对值的误差均值或者具有超过预定义的阈值误差RMS值的误差RMS的子集；以及

将所述子集分类成具有用于所述误差均值和所述误差RMS的非重叠范围的类别。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

生成用于所述类别中的每个类别的不同抗蚀剂模型；以及

构造包括所述抗蚀剂模型中的一个抗蚀剂模型的所述至少另一OPC程序中的每个OPC程序。

10.一种标识具有不同设计复杂度水平的区域的方法，所述方法包括：

从所述设计布局生成至少一个设计剪辑，其中所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括所述设计布局的子集；

向所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位；

针对在所述至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定所述选择的设计剪辑是否满足预定标准，所述预定标准包括如下标准中的至少一个标准：所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比，以及所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率；

针对满足所述标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足所述预定标准的每个区域；

将用所述标记层标记的区域分类为第一区域集合，并且将未用所述标记层标记的区域分类为第二区域集合；以及

在非暂时性的机器可读数据存储介质中存储标识所述第一区域集合和所述第二区域集合中的至少一个区域集合的数据。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述预定标准包括以下标准中的一个标准或者逻辑组合：

所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比；以及

所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在所述测量部位的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述预定标准是所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比，或者所述预定标准是所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在所述测量部位的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率。

13.一种用于对设计布局执行光学邻近校正的系统，所述系统包括：

用于从所述设计布局生成至少一个设计剪辑的装置，其中所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括所述设计布局的子集；

用于向所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位的装置；

用于针对在所述至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑，确定所述选择的设计剪辑是否满足用于将所述选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准的装置；其中所述预定标准包括以下标准中的一个标准或者逻辑组合：

所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比；以及

所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位，在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率；

用于针对被标识为满足所述预定标准的每个选择的设计剪辑，用标记层标记满足所述预定标准的区域的装置；

用于用OPC程序对未用所述标记层标记的区域执行OPC，并且用与所述OPC程序不同的至少另一OPC程序对用所述标记层标记的区域执行OPC的装置。

14.根据权利要求13所述的系统，还包括：用于针对被标识为包括满足所述预定标准的至少一个测量部位的每个选择的设计剪辑，移动所述标记层以包括所述选择的设计剪辑内的满足所述预定标准的所有测量部位的装置。

15.根据权利要求13所述的系统，还包括：用于通过在光学模型预测值和与剂量和聚焦深度条件的多个组合对应的测量数据之间比较临界尺度来生成包括所述OPC程序和所述至少另一OPC程序的多个OPC程序的装置。