CN112230507B - 光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备，涉及半导体制造技术领域。本申请通过对包括有待校验掩膜图案及对应的至少一种基础掩膜图案的待测掩膜板图案进行真实曝光试验及曝光模拟仿真，而后根据得到的基础掩膜图案的第一曝光图案尺寸信息、待校验掩膜图案的第二曝光图案轮廓信息，及待校验掩膜图案的仿真曝光图案轮廓信息，将待校验掩膜图案在真实曝光与光学仿真下分别对应的整体曝光轮廓状况结合到目标电路图案的光学邻近矫正模型构建过程中，使最终得到的模型直接具有较高的矫正预测精准度，无需反复调整待校验掩膜图案进行真实曝光试验来改善模型的矫正预测精准度，从而减少模型构建成本及模型构建时长。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备。
背景技术
在半导体制程领域中，掩膜板属于光刻工艺中的一个必须器件。在光刻过程中，掩膜板通常被放置在辐射光源与透镜之间，辐射光源发出的光线穿过掩膜板并通过透镜后照射在表面旋涂有光刻胶的晶圆上，使晶圆表面上的光刻胶层被选择性曝光，从而将掩膜板上的掩膜板图案映射到光刻胶层上，得到对应的曝光图形。而在辐射光源发出的光线穿过掩膜板时，通常会因光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)受到掩膜板图案边缘的影响而发生折射和散射，使曝光图形与掩膜板图案存在明显变形和失真，无法在晶圆上光刻出与掩膜板图案一致的图形。
因此，为保证晶圆上光刻出的图形能够达到目标电路图案效果，通常需要采用光学邻近矫正(Optical Proximity Correction，OPC)技术针对目标电路图案建立匹配的OPC模型，并采用构建出的OPC模型与对掩膜板上的掩膜板图案进行修改，使最终得到的曝光图形尽可能地接近用户期望的目标电路图案。在此情况下，OPC模型对掩膜板图案的矫正预测精准度、OPC模型的模型构建成本以及OPC模型的模型构建时长，便是影响半导体器件的制造成本及制造效率的几项重要因素。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种光学邻近矫正模型构建方法、装置、计算机设备及可读存储介质，能够在减少与目标电路图案匹配的光学邻近矫正模型的模型构建成本及模型构建时长的同时，提升光学邻近矫正模型的矫正预测精准度，以降低半导体器件的制造成本，提升半导体器件的制造效率。
为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供一种光学邻近矫正模型构建方法，所述方法包括：
获取待测掩膜板图案，其中所述待测掩膜板图案包括与目标电路图案对应的待校验掩膜图案及构成所述待校验掩膜图案所需的至少一种基础掩膜图案；
对所述待测掩膜板图案进行真实曝光试验，并采集得到与所述待测掩膜板图案对应的真实曝光图形；
对所述待测掩膜板图案进行曝光模拟仿真，得到对应的仿真曝光图形；
从所述真实曝光图形中提取与所述基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息，及与所述待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息，并从所述仿真曝光图形中提取与所述待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息；
根据得到的所述第一曝光图案尺寸信息、所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息，针对所述待校验掩膜图案构建与所述目标电路图案匹配的目标光学邻近矫正模型。
在可选的实施方式中，所述根据得到的所述第一曝光图案尺寸信息、所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息，针对所述待校验掩膜图案构建与所述目标电路图案匹配的目标光学邻近矫正模型，包括：
计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异；
基于所述第一曝光图案尺寸信息构建初始光学邻近矫正模型，并基于所述目标图案轮廓差异及所述目标电路图案的图案形状对所述初始光学邻近矫正模型进行参数调整，得到所述目标光学邻近矫正模型。
在可选的实施方式中，所述计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异，包括：
根据所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息，确定与所述待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓之间的轮廓基准点；
基于所述轮廓基准点将所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓进行轮廓对准；
确定对准后的所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓各自对应的多个轮廓特征量测点；
针对第二曝光图案轮廓上的每个轮廓特征量测点，计算该轮廓特征量测点与所述仿真曝光图案轮廓上的各轮廓特征量测点之间的最小量测距离，得到所述目标图案轮廓差异。
在可选的实施方式中，所述计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异，包括：
根据所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息，确定与所述待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓各自的外接矩形框；
在确定出的每个外接矩形框内，构建位置相同且与该外接矩形框内的曝光图案轮廓连接的多根量测线段；
计算两个所述外接矩形框内位置相同的多根量测线段之间的长度差值，得到所述目标图案轮廓差异。
在可选的实施方式中，所述计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异，包括：
根据所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息，在与所述待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓内填充基础尺寸网格；
根据所述基础尺寸网格的网格尺寸以及所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓各自对应的网格数目，计算所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓之间的轮廓面积差值，得到所述目标图案轮廓差异。
在可选的实施方式中，所述方法还包括：
基于所述目标光学邻近矫正模型对所述待校验掩膜图案进行光学矫正，并对矫正得到的目标掩膜图案进行真实曝光验证。
第二方面，本申请实施例提供一种光学邻近矫正模型构建装置，所述装置包括：
待测掩膜获取模块，用于获取待测掩膜板图案，其中所述待测掩膜板图案包括与目标电路图案对应的待校验掩膜图案及构成所述待校验掩膜图案所需的至少一种基础掩膜图案；
真实曝光处理模块，用于对所述待测掩膜板图案进行真实曝光试验，并采集得到与所述待测掩膜板图案对应的真实曝光图形；
曝光仿真处理模块，用于对所述待测掩膜板图案进行曝光模拟仿真，得到对应的仿真曝光图形；
曝光信息提取模块，用于从所述真实曝光图形中提取与所述基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息，及与所述待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息，并从所述仿真曝光图形中提取与所述待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息；
矫正模型构建模块，用于根据得到的所述第一曝光图案尺寸信息、所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息，针对所述待校验掩膜图案构建与所述目标电路图案匹配的目标光学邻近矫正模型。
在可选的实施方式中，所述装置还包括：
掩膜图案调验模块，用于基于所述目标光学邻近矫正模型对所述待校验掩膜图案进行光学矫正，并对矫正得到的目标掩膜图案进行真实曝光验证。
第三方面，本申请实施例提供一种计算机设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令，所述处理器可执行所述机器可执行指令，以实现前述实施方式中任意一项所述的光学邻近矫正模型构建方法。
第四方面，本申请实施例提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现前述实施方式中任意一项所述的光学邻近矫正模型构建方法。
本申请实施例的有益效果包括如下内容：
本申请通过对包括有待校验掩膜图案及构成待校验掩膜图案的至少一种基础掩膜图案的待测掩膜板图案进行真实曝光试验及曝光模拟仿真，得到对应的真实曝光图形及仿真曝光图形，而后根据真实曝光图形中与基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息和与待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息，以及仿真曝光图形中与待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息，将待校验掩膜图案在真实曝光与光学仿真下分别对应的整体曝光轮廓状况结合到目标电路图案的光学邻近矫正模型构建过程中，使最终得到的模型针对目标电路图案直接具有较高的矫正预测精准度，无需反复调整待校验掩膜图案进行真实曝光试验来改善光学邻近矫正模型的矫正预测精准度，从而减少模型构建成本及模型构建时长，以降低半导体器件的制造成本，提升半导体器件的制造效率。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的计算机设备的组成示意图；
图2为本申请实施例提供的光学邻近矫正模型构建方法的流程示意图之一；
图3为图2中的步骤S250包括的子步骤的流程示意图；
图4为图3中的子步骤S251包括的子步骤的流程示意图之一；
图5为图3中的子步骤S251包括的子步骤的流程示意图之二；
图6为图3中的子步骤S251包括的子步骤的流程示意图之三；
图7为本申请实施例提供的光学邻近矫正模型构建方法的流程示意图之二；
图8为本申请实施例提供的光学邻近矫正模型构建装置的组成示意图之一；
图9为本申请实施例提供的光学邻近矫正模型构建装置的组成示意图之二。
图标：10-计算机设备；11-存储器；12-处理器；13-通信单元；100-光学邻近矫正模型构建装置；110-待测掩膜获取模块；120-真实曝光处理模块；130-曝光仿真处理模块；140-曝光信息提取模块；150-矫正模型构建模块；160-掩膜图案调验模块。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
申请人通过辛苦调研发现，目前通常需要预先为受光学邻近效应影响小的简单规则掩膜图案构建匹配的初始化光学邻近矫正模型，接着采用构建出的初始化光学邻近矫正模型去验证复杂且不规则的预期电路图案，并通过不停地迭代矫正预期电路图案所对应的掩膜图案及当前的光学邻近矫正模型的方式，才能最终构建出与预期电路图案匹配的光学邻近矫正模型。
而在每次迭代矫正的过程中，均需要收集预期电路图案当前的掩膜图案在真实曝光试验下对应的曝光图形的部分特征尺寸，然后基于收集到的特征尺寸改进当前采用的光学邻近矫正模型，而后采用改进后的光学邻近矫正模型调整预期电路图案的掩膜图案，生产新的掩膜板并开启新的迭代矫正操作。因此，这种光学邻近矫正模型构建方案在每次迭代矫正操作后得到的模型一般不具有良好的矫正预测精准度，需要反复调整掩膜图案进行真实曝光试验来改善模型的矫正预测精准度，在整体上需要耗费大量的掩膜板开发成本，无法快速得到最终的光学邻近矫正模型。
在此情况下，本申请实施例通过提供一种光学邻近矫正模型构建方法、装置、计算机设备及可读存储介质，来改善上述光学邻近矫正模型构建方案存在的各项问题，达到在减少预期电路图案的光学邻近矫正模型的模型构建成本及模型构建时长的同时，提升光学邻近矫正模型的矫正预测精准度的效果。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
请参照图1，图1是本申请实施例提供的计算机设备10的组成示意图。在本申请实施例中，所述计算机设备10能够针对用户想要光刻出的目标电路图案构建出匹配的光学邻近矫正模型，并在模型构建过程中减少模型构建成本及模型构建时长，提升模型的矫正预测精准度，从而降低与目标电路图案相关的半导体器件的制造成本，提升半导体器件的制造效率。其中，所述计算机设备10可以是，但不限于，服务器、终端设备、个人计算机等。
在本实施例中，所述计算机设备10包括存储器11、处理器12、通信单元13及光学邻近矫正模型构建装置100。其中，所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元13各个元件相互之间接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元13这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。
在本实施例中，所述存储器11可存储有光学仿真软件的软件功能模块及计算机程序等，所述存储器11还可存储用于目标电路图案的具体图案形状。其中，所述存储器11可以是，但不限于，随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，只读存储器(Read OnlyMemory，ROM)，可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory，PROM)，可擦除只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM)，电可擦除只读存储器(Electric Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)等。其中，所述存储器11用于存储程序，所述处理器12在接收到执行指令后，可相应地执行所述程序。
在本实施例中，所述处理器12可以是一种具有信号的处理能力的集成电路芯片。所述处理器12可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)及网络处理器(Network Processor，NP)中的至少一种。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。其中，所述处理器12可用于执行图像轮廓提取操作。
在本实施例中，所述通信单元13用于通过网络建立所述计算机设备10与其他电子设备之间的通信连接，并通过所述网络收发数据，其中所述网络包括有线通信网络和/或无线通信网络。例如，所述计算机设备10可通过所述通信单元13与光刻设备通信连接，以控制所述光刻设备基于当前选定的掩膜板在晶圆上进行曝光、显影及刻蚀等操作；所述计算机设备10也可通过所述通信单元13与特征尺寸扫描电子显微镜(Critical Dimension-Search Engine Marketing，CDSEM)通信连接，以控制所述特征尺寸扫描电子显微镜对投射在晶圆上的曝光图形进行图像采集，并获取曝光图形特征尺寸。
在本实施例中，所述光学邻近矫正模型构建装置100包括至少一个能够以软件或固件的形式存储于所述存储器11中或固化在所述计算机设备10的操作系统中的软件功能模块。所述处理器12可用于执行所述存储器11存储的可执行模块，例如所述光学邻近矫正模型构建装置100所包括的软件功能模块及计算机程序等。所述计算机设备10通过所述光学邻近矫正模型构建装置100在减少与目标电路图案匹配的光学邻近矫正模型的模型构建成本及模型构建时长的同时，提升光学邻近矫正模型的矫正预测精准度，以降低半导体器件的制造成本，提升半导体器件的制造效率。
可以理解的是，图1所示的框图仅为所述计算机设备10的一种组合示意图，所述计算机设备10还可包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。图1中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。
在本申请中，为确保所述计算机设备10能够为目标电路图案构建匹配的光学邻近矫正模型，并在模型构建过程中减少模型构建成本及模型构建时长，提升模型的矫正预测精准度，本申请通过执行应用于所述计算机设备10的光学邻近矫正模型构建方法实现前述目的，下面对本申请提供的光学邻近矫正模型构建方法进行详细描述。
可选地，请参照图2，图2是本申请实施例提供的光学邻近矫正模型构建方法的流程示意图之一。在本申请实施例中，图2所示的光学邻近矫正模型构建方法的具体流程和步骤如下文所示。
步骤S210，获取待测掩膜板图案，其中待测掩膜板图案包括与目标电路图案对应的待校验掩膜图案及构成待校验掩膜图案所需的至少一种基础掩膜图案。
在本实施例中，所述待校验掩膜图案为所述待测掩膜板图案中的用于光刻出所述目标电路图案的待校验图案，所述基础掩膜图案为所述待测掩膜板图案中作为所述待校验掩膜图案的组件的规则图案。其中，所述基础掩膜图案的复杂程度远远低于所述待校验掩膜图案的复杂程度，所述基础掩膜图案受光学邻近效应的影响程度远远小于所述待校验掩膜图案受光学邻近效应的影响程度，所述待校验掩膜图案可由所述至少一种基础掩膜图案进行参数调整后拼接得到。
在本实施例的一种实施方式中，所述至少一种基础掩膜图案环绕所述待校验掩膜图案进行设置，并配合所述待校验掩膜图案形成所述待测掩膜板图案。
步骤S220，对待测掩膜板图案进行真实曝光试验，并采集得到与待测掩膜板图案对应的真实曝光图形。
在本实施例中，所述计算机设备10在获取到的所述待测掩膜板图案后，可通过所述通信单元13控制光刻设备针对具有所述待测掩膜板图案的待测掩膜板在晶圆上进行真实曝光试验，以将所述待测掩膜板图案映射到晶圆上，得到所述待测掩膜板图案在真实环境下受到光学邻近效应影响的真实曝光图形。接着，所述计算机设备10可通过所述通信单元13控制所述特征尺寸扫描电子显微镜对所述晶圆上的真实曝光图形进行图像采集，得到与所述待测掩膜板图案对应的真实曝光图形。其中，所述真实曝光图形包括与所述基础掩膜图案对应的第一曝光图案以及与所述待校验掩膜图案对应的第二曝光图案。
步骤S230，对待测掩膜板图案进行曝光模拟仿真，得到对应的仿真曝光图形。
在本实施例中，所述在获取到的所述待测掩膜板图案后，可通过调用自身存储的光学仿真软件对该待测掩膜板图案进行曝光模拟仿真，以仿真得到该待测掩膜板图案在无外界环境干扰(即排除光学邻近效应影响)的情况下的仿真曝光图形。其中，所述仿真曝光图形包括与所述基础掩膜图案对应的仿真曝光图案以及与所述待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案。
其中，所述步骤S230可以先于所述步骤S220执行，也可以在执行完所述步骤S220之后执行，还可以与所述步骤S220并行执行，因此所述步骤S230与所述步骤S220各自的执行时机可由所述计算机设备10根据自身的计算资源大小灵活地调整。例如，若所述计算机设备10的计算资源充足，可并行地执行所述步骤S220及所述步骤S230；若所述计算机设备10的计算资源不足，可优先执行所述步骤S220再执行所述步骤S230。
步骤S240，从真实曝光图形中提取与基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息，及与待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息，并从仿真曝光图形中提取与待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息。
在本实施例中，所述计算机设备10在获取到所述真实曝光图形后，根据所述基础掩膜图案在所述待测掩膜板图案中的分布位置，从所述真实曝光图形中提取出与所述基础掩膜图案对应的第一曝光图案的特征尺寸，得到所述第一曝光图案尺寸信息。同时，所述计算机设备10也会根据所述待校验掩膜图案在所述待测掩膜板图案中的分布位置，从所述真实曝光图形中提取出与所述待校验掩膜图案对应的第二曝光图案的轮廓信息，得到所述第二曝光图案轮廓信息。
所述计算机设备10在获取到所述仿真曝光图形后，会根据所述待校验掩膜图案在所述待测掩膜板图案中的分布位置，从所述仿真曝光图形中提取出与所述待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案的轮廓信息，得到所述仿真曝光图案轮廓信息。
步骤S250，根据得到的第一曝光图案尺寸信息、第二曝光图案轮廓信息及仿真曝光图案轮廓信息，针对待校验掩膜图案构建与目标电路图案匹配的目标光学邻近矫正模型。
在本实施例中，所述计算机设备10在得到与目标电路图案对应的待测验掩膜图案在真实环境下对应的第二曝光图案轮廓信息、构成所述待测验掩膜图案的至少一种基础掩膜图案在真实环境下对应的第一曝光图案尺寸信息以及所述待测验掩膜图案在无外界环境干扰下对应的仿真曝光图案轮廓信息后，以受光学邻近效应影响小的第一曝光图案尺寸信息为基础，综合考虑第二曝光图案轮廓信息与仿真曝光图案轮廓信息之间的差异状况进行光学邻近矫正模型构建，以确保最终得到的目标光学邻近矫正模型对应预测出的与目标电路图案对应的掩膜图案，能够充分利用光学邻近效应对复杂掩膜图形的影响，使预测出的掩膜图案能够尽可能地直接光刻出所述目标电路图案，从而无需反复调整待校验掩膜图案进行真实曝光试验来改善光学邻近矫正模型的矫正预测精准度，直接从根本上达到了在减少光学邻近矫正模型的模型构建成本及模型构建时长的同时，提升光学邻近矫正模型的矫正预测精准度的效果。
由此，所述计算机设备10通过执行图2所示的光学邻近矫正模型构建方法，以基础掩膜图案在真实环境下对应的第一曝光图案尺寸信息为基础，综合考虑与目标电路图案对应的待校验掩膜图案在真实曝光与光学仿真下分别对应的整体曝光轮廓状况构建目标光学邻近矫正模型，以确保目标光学邻近矫正模型预测出的与目标电路图案对应的掩膜图案，能够充分利用光学邻近效应对复杂掩膜图形的影响，使预测出的掩膜图案能够尽可能地直接光刻出所述目标电路图案，从而无需反复调整待校验掩膜图案进行真实曝光试验来改善光学邻近矫正模型的矫正预测精准度，直接从根本上达到了在减少光学邻近矫正模型的模型构建成本及模型构建时长的同时，提升光学邻近矫正模型的矫正预测精准度的效果。
在本申请中，为确保所述计算机设备10能够正常构建目标光学邻近矫正模型，本申请通过对上述步骤S250的具体执行过程进行详细阐述，以实现具体的光学邻近矫正模型构建功能。下面对上述步骤S250的具体执行过程进行详细阐述。
请参照图3，图3是图2中的步骤S250包括的子步骤的流程示意图。在本实施例中，所述步骤S250包括子步骤S251及子步骤S252。
子步骤S251，计算第二曝光图案轮廓信息与仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异。
在本实施例中，所述计算机设备10可采用量测点计算轮廓差异、量测线计算轮廓差异及网格面积计算轮廓差异等轮廓差异计算方式中的一种或多种组合，计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异。得到所述目标图案轮廓差异。下面以量测点计算轮廓差异方式、量测线计算轮廓差异方式及网格面积计算轮廓差异方式为例，对所述步骤S251的具体执行过程进行解释说明。
可选地，请参照图4，图4是图3中的步骤S251包括的子步骤的流程示意图之一。在本实施例的一种实施方式中，图4所示的流程示意图与量测点计算轮廓差异方式相对应，此时所述子步骤S251可以包括子步骤S2511～子步骤S2514。
子步骤S2511，根据第二曝光图案轮廓信息及仿真曝光图案轮廓信息，确定与待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓之间的轮廓基准点。
子步骤S2512，基于轮廓基准点将第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓进行轮廓对准。
子步骤S2513，确定对准后的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓各自对应的多个轮廓特征量测点。
子步骤S2514，针对第二曝光图案轮廓上的每个轮廓特征量测点，计算该轮廓特征量测点与仿真曝光图案轮廓上的各轮廓特征量测点之间的最小量测距离，得到目标图案轮廓差异。
其中，所述第二曝光图案轮廓为所述待校验掩膜图案在真实曝光试验下对应的真实曝光图形中的第二曝光图案的轮廓，所述仿真曝光图案轮廓为所述待校验掩膜图案在曝光模拟仿真下对应的仿真曝光图案的轮廓。所述轮廓基准点用于表示同一待校验掩膜图案在真实曝光与光学仿真下分别对应的位置参照点。所述轮廓特征量测点用于表示所述第二曝光图案轮廓或所述仿真曝光图案轮廓进行轮廓特征提取时的特征采样点。所述计算机设备10通过确定第二曝光图案轮廓上的每个轮廓特征量测点在仿真曝光图案轮廓上对应的量测距离最小的轮廓特征量测点，得到所述目标图案轮廓差异。
可选地，请参照图5，图5是图3中的子步骤S251包括的子步骤的流程示意图之二。在本实施例的另一种实施方式中，图5所示的流程示意图与量测线计算轮廓差异方式相对应，此时所述子步骤S251可以包括子步骤S2515～子步骤S2517。
子步骤S2515，根据第二曝光图案轮廓信息及仿真曝光图案轮廓信息，确定与待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓各自的外接矩形框。
子步骤S2516，在确定出的每个外接矩形框内，构建位置相同且与该外接矩形框内的曝光图案轮廓连接的多根量测线段。
子步骤S2517，计算两个,外接矩形框内位置相同的多根量测线段之间的长度差值，得到目标图案轮廓差异。
其中，所述计算机设备10在针对所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓确定其对应的外接矩形框后，会在得到的两个外接矩形框内的相同位置处布置多根量测线段，并保证每根量测线段会与该外接矩形框内的曝光图案轮廓相连接，而后会针对与第二曝光图案轮廓对应的第一外接矩形框内的每根量测线段，计算该量测线段和所述仿真曝光图案轮廓所对应的第二外接矩形框内的位置相同的另一根量测线段之间的长度差值，从而得到所述目标图案轮廓差异。
可选地，请参照图6，图6是图3中的子步骤S251包括的子步骤的流程示意图之三。在本实施例的另一种实施方式中，图6所示的流程示意图与网格面积计算轮廓差异方式相对应，此时所述子步骤S251可以包括子步骤S2518及子步骤S2519。
子步骤S2518，根据第二曝光图案轮廓信息及仿真曝光图案轮廓信息，在与待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓内填充基础尺寸网格。
子步骤S2519，根据基础尺寸网格的网格尺寸以及第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓各自对应的网格数目，计算第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓之间的轮廓面积差值，得到目标图案轮廓差异。
其中，被填充在所述第二曝光图案轮廓及所述仿真曝光图案轮廓内的基础尺寸网格相同，所述计算机设备10可通过统计所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓各自的网络数目，根据所述基础尺寸网格的网格尺寸计算所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓各自的轮廓面积，而后计算所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓的轮廓面积差值，得到所述目标图案轮廓差异。同时，所述计算机设备10可获取所述第二曝光图案轮廓及所述仿真曝光图案轮廓内的每个基础尺寸网格的分布位置及每个基础尺寸网格被曝光图案轮廓分割占据的面积，得到所述目标图案轮廓差异。
请再次参照图3，子步骤S252，基于第一曝光图案尺寸信息构建初始光学邻近矫正模型，并基于目标图案轮廓差异及目标电路图案的图案形状对初始光学邻近矫正模型进行参数调整，得到目标光学邻近矫正模型。
在本实施例中，所述计算机设备10会以基础掩膜图案的第一曝光图案尺寸信息为基础，所述目标图案轮廓差异为参照，所述目标电路图案的图案形状为目标进行光学邻近矫正模型构建，得到所述目标光学邻近矫正模型。其中，所述计算机设备10可预先采用与所述待测掩膜板图案相关的所有基础掩膜图案的第一曝光图案尺寸信息，结合所述目标电路图案的图案形状构建出一个初始化光学邻近矫正模型，并基于目标图案轮廓差异及目标电路图案的图案形状对初始光学邻近矫正模型进行进一步地参数调整，从而最终输出一个针对目标电路图案直接具有较高的矫正预测精准度的目标光学邻近矫正模型。
由此，所述计算机设备10能够通过执行上述子步骤S251、子步骤S252以及子步骤S2511～子步骤S2519，将受光学邻近效应影响小的第一曝光图案尺寸信息、第二曝光图案轮廓信息与仿真曝光图案轮廓信息之间的差异状况进行综合考虑，使最终构建出的光学邻近矫正模型能够充分利用光学邻近效应对复杂掩膜图形的影响，使预测出的掩膜图案能够尽可能地直接光刻出所述目标电路图案，从而无需反复调整待校验掩膜图案进行真实曝光试验来改善光学邻近矫正模型的矫正预测精准度，直接从根本上达到了在减少光学邻近矫正模型的模型构建成本及模型构建时长的同时，提升光学邻近矫正模型的矫正预测精准度的效果。
可选地，请参照图7，图7是本申请实施例提供的光学邻近矫正模型构建方法的流程示意图之二。在本申请实施例中，与图2所示的光学邻近矫正模型构建方法相比，图7所示的光学邻近矫正模型构建方法还可以包括步骤S260。
步骤S260，基于目标光学邻近矫正模型对待校验掩膜图案进行光学矫正，并对矫正得到的目标掩膜图案进行真实曝光验证。
在本实施例中，所述计算机设备10在得到所述目标光学邻近矫正模型后，会基于所述目标光学邻近矫正模型对当前的待校验掩膜图案进行光学矫正，得到目标掩膜图案，而后控制光刻设备针对具有所述目标掩膜图案的掩膜板在晶圆上进行真实曝光验证，以确定所述目标掩膜图案在真实环境下对应的曝光图形是否与所述目标电路图案保持一致。在本实施例的一种实施方式中，若所述目标掩膜图案在真实环境下对应的曝光图形不与所述目标电路图案保持一致，则可将所述目标掩膜图案作为与所述目标电路图案对应的新待校验掩膜图案，并根据所述目标掩膜图案及所述目标掩膜图案所对应的基础掩膜图案构建出一个新的待测掩膜板图案，而后重新执行图2所示的光学邻近矫正模型构建方法，以确保最终得到的目标光学邻近矫正模型能够使矫正得到的掩膜图案对应投射形成的光刻图形与待曝光图案所述目标电路图案保持一致。
由此，所述计算机设备10能够通过执行上述步骤S260，对得到的目标光学邻近矫正模型的有效性进行验证，以便于及时将矫正得到的目标掩膜图案充当待校验掩膜图案重新生成新的目标光学邻近矫正模型。
在本申请中，为确保所述计算机设备10所包括的光学邻近矫正模型构建装置100能够正常实施，本申请通过对所述光学邻近矫正模型构建装置100进行功能模块划分的方式实现其功能。下面对本申请提供的光学邻近矫正模型构建装置100的具体组成进行相应描述。
可选地，请参照图8，图8是本申请实施例提供的光学邻近矫正模型构建装置100的组成示意图之一。在本申请实施例中，所述光学邻近矫正模型构建装置100包括待测掩膜获取模块110、真实曝光处理模块120、曝光仿真处理模块130、曝光信息提取模块140及矫正模型构建模块150。
待测掩膜获取模块110，用于获取待测掩膜板图案，其中待测掩膜板图案包括与目标电路图案对应的待校验掩膜图案及构成待校验掩膜图案所需的至少一种基础掩膜图案。
真实曝光处理模块120，用于对待测掩膜板图案进行真实曝光试验，并采集得到与待测掩膜板图案对应的真实曝光图形。
曝光仿真处理模块130，用于对待测掩膜板图案进行曝光模拟仿真，得到对应的仿真曝光图形。
曝光信息提取模块140，用于从真实曝光图形中提取与基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息，及与待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息，并从仿真曝光图形中提取与待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息。
矫正模型构建模块150，用于根据得到的第一曝光图案尺寸信息、第二曝光图案轮廓信息及仿真曝光图案轮廓信息，针对待校验掩膜图案构建与目标电路图案匹配的目标光学邻近矫正模型。
其中，所述待测掩膜获取模块110可以执行上述步骤S210，具体的执行过程可参照上文对所述步骤S210的详细阐述；所述真实曝光处理模块120可以执行上述步骤S220，具体的执行过程可参照上文对所述步骤S220的详细阐述；所述曝光仿真处理模块130可以执行上述步骤S230，具体的执行过程可参照上文对所述步骤S230的详细阐述；所述曝光信息提取模块140可以执行上述步骤S240，具体的执行过程可参照上文对所述步骤S240的详细阐述；所述矫正模型构建模块150可以执行上述步骤S250、上述子步骤S251～子步骤S252及上述子步骤S2511～子步骤S2519，具体的执行过程可参照上文对所述上述步骤S250、上述子步骤S251～子步骤S252及上述子步骤S2511～子步骤S2519的详细阐述。在此就不再对上述各项步骤的具体执行过程进行赘述。
可选地，请参照图9，图8是本申请实施例提供的光学邻近矫正模型构建装置100的组成示意图之二。在本申请实施例中，所述光学邻近矫正模型构建装置100还可以包括掩膜图案调验模块160。
掩膜图案调验模块160，用于基于目标光学邻近矫正模型对待校验掩膜图案进行光学矫正，并对矫正得到的目标掩膜图案进行真实曝光验证。
其中，所述掩膜图案调验模块160可以执行上述步骤S260，具体的执行过程可参照上文对所述步骤S260的详细阐述，在此就不再一一赘述。
需要说明的是，本申请实施例所提供的光学邻近矫正模型构建装置100，其基本原理及产生的技术效果与前述应用于光学邻近矫正模型构建方法相同，为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考上述针对光学邻近矫正模型构建方法的描述内容。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本申请的实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个可读存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个可读存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的可读存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
综上所述，在本申请实施例提供的光学邻近矫正模型构建方法、装置、计算机设备及可读存储介质中，本申请通过对包括有待校验掩膜图案及构成待校验掩膜图案的至少一种基础掩膜图案的待测掩膜板图案进行真实曝光试验及曝光模拟仿真，得到对应的真实曝光图形及仿真曝光图形，而后根据真实曝光图形中与基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息和与待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息，以及仿真曝光图形中与待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息，将待校验掩膜图案在真实曝光与光学仿真下分别对应的整体曝光轮廓状况结合到目标电路图案的光学邻近矫正模型构建过程中，使最终得到的模型针对目标电路图案直接具有较高的矫正预测精准度，无需反复调整待校验掩膜图案进行真实曝光试验来改善光学邻近矫正模型的矫正预测精准度，从而减少模型构建成本及模型构建时长，以降低半导体器件的制造成本，提升半导体器件的制造效率。
以上所述，仅为本申请的各种实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种光学邻近矫正模型构建方法，其特征在于，所述方法包括：
获取待测掩膜板图案，其中所述待测掩膜板图案包括与目标电路图案对应的待校验掩膜图案及构成所述待校验掩膜图案所需的至少一种基础掩膜图案，其中所述基础掩膜图案是作为所述待校验掩膜图案的组件的规则图案；
对所述待测掩膜板图案进行真实曝光试验，并采集得到与所述待测掩膜板图案对应的真实曝光图形，其中所述真实曝光图形由所述待测掩膜板图案在真实环境下受到光学邻近效应影响曝光得到；
对所述待测掩膜板图案进行曝光模拟仿真，得到对应的仿真曝光图形，其中所述仿真曝光图形由所述待测掩膜板图案在排除光学邻近效应影响的情况下通过光学仿真软件仿真得到；
从所述真实曝光图形中提取与所述基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息，及与所述待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息，并从所述仿真曝光图形中提取与所述待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息；
计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异；
基于所述第一曝光图案尺寸信息构建初始光学邻近矫正模型，并基于所述目标图案轮廓差异及所述目标电路图案的图案形状对所述初始光学邻近矫正模型进行参数调整，得到针对所述待校验掩膜图案且与所述目标电路图案匹配的目标光学邻近矫正模型。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异，包括：
根据所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息，确定与所述待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓之间的轮廓基准点；
基于所述轮廓基准点将所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓进行轮廓对准；
确定对准后的所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓各自对应的多个轮廓特征量测点；
针对第二曝光图案轮廓上的每个轮廓特征量测点，计算该轮廓特征量测点与所述仿真曝光图案轮廓上的各轮廓特征量测点之间的最小量测距离，得到所述目标图案轮廓差异。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异，包括：
根据所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息，确定与所述待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓各自的外接矩形框；
在确定出的每个外接矩形框内，构建位置相同且与该外接矩形框内的曝光图案轮廓连接的多根量测线段；
计算两个所述外接矩形框内位置相同的多根量测线段之间的长度差值，得到所述目标图案轮廓差异。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异，包括：
根据所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息，在与所述待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓内填充基础尺寸网格；
根据所述基础尺寸网格的网格尺寸以及所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓各自对应的网格数目，计算所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓之间的轮廓面积差值，得到所述目标图案轮廓差异。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
基于所述目标光学邻近矫正模型对所述待校验掩膜图案进行光学矫正，并对矫正得到的目标掩膜图案进行真实曝光验证。
6.一种光学邻近矫正模型构建装置，其特征在于，所述装置包括：
待测掩膜获取模块，用于获取待测掩膜板图案，其中所述待测掩膜板图案包括与目标电路图案对应的待校验掩膜图案及构成所述待校验掩膜图案所需的至少一种基础掩膜图案，其中所述基础掩膜图案是作为所述待校验掩膜图案的组件的规则图案；
真实曝光处理模块，用于对所述待测掩膜板图案进行真实曝光试验，并采集得到与所述待测掩膜板图案对应的真实曝光图形，其中所述真实曝光图形由所述待测掩膜板图案在真实环境下受到光学邻近效应影响曝光得到；
曝光仿真处理模块，用于对所述待测掩膜板图案进行曝光模拟仿真，得到对应的仿真曝光图形，其中所述仿真曝光图形由所述待测掩膜板图案在排除光学邻近效应影响的情况下通过光学仿真软件仿真得到；
曝光信息提取模块，用于从所述真实曝光图形中提取与所述基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息，及与所述待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息，并从所述仿真曝光图形中提取与所述待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息；
矫正模型构建模块，用于计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异，得到对应的目标图案轮廓差异，接着基于所述第一曝光图案尺寸信息构建初始光学邻近矫正模型，并基于所述目标图案轮廓差异及所述目标电路图案的图案形状对所述初始光学邻近矫正模型进行参数调整，得到针对所述待校验掩膜图案且与所述目标电路图案匹配的目标光学邻近矫正模型。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
掩膜图案调验模块，用于基于所述目标光学邻近矫正模型对所述待校验掩膜图案进行光学矫正，并对矫正得到的目标掩膜图案进行真实曝光验证。
8.一种计算机设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令，所述处理器可执行所述机器可执行指令，以实现权利要求1-5中任意一项所述的光学邻近矫正模型构建方法。
9.一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，实现权利要求1-5中任意一项所述的光学邻近矫正模型构建方法。
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Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111158210A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-05-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 光掩模的光学邻近校正方法及光掩模、半导体的制造方法 |
Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
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| KR100884985B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2009-02-23 | 주식회사 동부하이텍 | 광학적 근접보정 모델 조절 시스템 및 데이터 처리 방법 |
| CN102193302A (zh) * | 2010-03-03 | 2011-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜图形缺陷的检测方法及系统 |
| CN103105726B (zh) * | 2011-11-11 | 2015-04-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 布局图形校正方法 |
| CN103792785B (zh) * | 2012-10-29 | 2017-03-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种对具有低图像对比度的图形进行光学邻近修正的方法 |
| CN110780533B (zh) * | 2019-11-07 | 2023-11-17 | 联合微电子中心有限责任公司 | 一种新型opc模型的校正方法 |
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |