CN103422338B - 一种无尘抹布的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种全新的无尘抹布清洗方法,包括将抹布浸泡于经过离子交换树脂过滤的超纯水,并加入脂肪醇聚乙二醇醚、烷基三甘油酰胺和磺基琥珀酸,同时要进行织物精练与酸碱清洗、烘干冷却和无尘检测。所述清洗方法是本公司经过多年创新实践研究总结出来的清洗工艺,通过本发明所述方法清洗出来的无尘抹布几乎完全的清除了其中的有机和无机残留物、液体尘粒以及阴阳离子等污染物,完全满足了半导体生产线芯片、微处理器、半导体装配生产线、碟盘驱动器、LCD显示类产品、无尘车间等诸多领域对抹布的无尘清洁要求,属于无尘抹布清洗加工技术领域的一种革新。
Description
技术领域
本发明涉及清洗技术领域,更具体的涉及一种无尘抹布的清洗方法。
背景技术
现有技术中无尘抹布表面柔软,易于擦拭敏感表面,摩擦不脱纤维,具有良好的吸水性及清洁效果,被广泛应用于以下领域:半导体生产线芯片、微处理器、半导体装配生产线、碟盘驱动器、LCD显示类产品、线路板生产线、精密仪器、光学产品、航空工业、PCB产品、医疗设备、无尘车间等诸多领域。但是无尘抹布在其生产制造过程中,无法避免的会被硅油及离子、尘粒、有机物、无机物残留等污染,尽管现有技术中在无尘抹布成品前要进行洗水精练,但这种清洗无法彻底使无尘抹布恢复干净,尤其是无法清除其中的油物、污染残留物、液体尘粒以及阴阳离子等污染物,导致生产出来的抹布清洁度低、灰尘吸附能力差、抗静电效果差,无法满足半导体芯片、微处理器、LCD显示、线路板生产、精密仪器、无尘车间等诸多领域的纯度要求,尤其是多数清洗所用的水是普通的井水、河水或自来水,普通的井水、河水或自来水含有大量离子和杂质,在洗水精练过程中,也会造成无尘抹布的交叉污染。
发明内容
本发明基于上述技术问题,提出一种全新的无尘抹布清洗方法,所述清洗方法是本公司经过多年创新实践研究总结出来的清洗工艺,通过本发明所述方法清洗出来的无尘抹布几乎完全的清除了其中的有机和无机残留物、液体尘粒以及阴阳离子等污染物,完全满足了半导体生产线芯片、微处理器、半导体装配生产线、碟盘驱动器、LCD显示类产品、无尘车间等诸多领域对抹布的无尘清洁要求,属于无尘抹布清洗加工技术领域的一种革新。
本发明解决上述技术问题所采取的技术方案如下:
一种无尘抹布的清洗方法,包括以下步骤:
(1)、将抹布通过激光/超声波进行切割;
(2)、将切割后的抹布按照浴比1∶10-1∶15浸泡于经过离子交换树脂过滤的18MΩ电阻的超纯水中;
(3)、在浸泡抹布的超纯水中加入脂肪醇聚乙二醇醚,并使脂肪醇聚乙二醇醚的浓度达到0.2-0.4mL/L,脂肪醇聚乙二醇醚结构通式R-O-(CH2-CH2-O)n-H中的R为C12-18,n=8-10,其亲水亲油平衡值HLB在10至15之间;
(4)、在上述溶液中按质量分数3-8克/升加入烷基三甘油酰胺,同时按质量分数0.2-0.8克/升加入微量的磺基琥珀酸;
(5)、将抹布在上述溶液中浸泡1到2个小时,然后将抹布在溶液中轻甩若干下后捞出,按照浴比1∶10-1∶15再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中;
(6)、向步骤(5)中的溶液中以1-1.5克/升的量加入织物精练剂,并浸泡10-20分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次以上;
(7)、将步骤(6)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的、温度在50-70℃的超纯水中,以1-1.5克/升的量加入烧碱,并浸泡30-50分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次以上;
(8)、将步骤(7)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中,以1.5-3克/升的量加入醋酸,并浸泡8-10分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ电阻的超纯水冲洗10次以上;
(9)、将步骤(8)处理后的抹布放入脱水清洗设备内,按照体积比1∶1000加入抗静电剂SN和18MΩ电阻的超纯水,用超纯水在常温下清洗三次,每次清洗8-10分钟,然后按照300-400RPM脱水5-8分钟;
(10)、将脱水后的抹布放入烘干机,控制温度在70-80摄氏度,烘干30-40分钟,然后于30摄氏度以下冷却10分钟以上;
(11)、将步骤(10)冷却后的抹布取出进行无尘检测,包括有机油物污染检测、残留物检测、液体尘粒检测和离子污染检测。
进一步的本发明所述的清洗方法,其中步骤(2)中的浴比为1∶12。
进一步的本发明所述的清洗方法,其中步骤(3)中脂肪醇聚乙二醇醚的浓度为0.3mL/L,结构通式R-O-(CH2-CH2-O)n-H中R为C12-18,n=9。
进一步的本发明所述的清洗方法,其中步骤(4)中烷基三甘油酰胺的质量分数为5克/升;磺基琥珀酸的质量分数为0.6克/升,并选用TegoRTMSulfosueeinateF30(GOLDSCHMIDT)、MONAWATRTMMB45、MO-84R2W、SULFOSUCCINATES-2、TEXAPONRTMSB-3、TEXINRTMDOS75128-P其中之一。
进一步的本发明所述的清洗方法,其中步骤(5)中的浸泡时间为1.5小时,浴比为1∶12。
进一步的本发明所述的清洗方法,其中步骤(6)中织物精练剂的加入量为1.2克/升,浸泡时间为15分钟,超纯水冲洗10次。
进一步的本发明所述的清洗方法,其中步骤(7)中抹布浸泡的超纯水温度为60℃,烧碱加入量为1.2克/升,抹布浸泡时间为35分钟,抹布捞出后冲洗10次。
进一步的本发明所述的清洗方法,其中步骤(8)中醋酸加入量为2.5克/升,抹布浸泡时间为10分钟,抹布捞出后冲洗10次。
进一步的本发明所述的清洗方法,其中步骤(9)中所述的抗静电剂SN为十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐,每次清洗时间为10分钟,清洗完后以400RPM脱水5分钟。
进一步的本发明所述的清洗方法,其中步骤(11)中的检测结果为:有机和无机残留物小于等于0.11毫克/克、每平方厘米内大于0.5微米的液体尘粒小于等于369粒、氯离子小于等于0.08微克/克、硫醇根离子小于等于0.17微克/克、氨根离子小于等于0.22微克/克。
通过本发明的技术方案至少能够达到以下技术效果:
1)、通过本发明的方法能够几乎完全的清除抹布中的有机和无机残留物、液体尘粒以及阴阳离子等污染物,包括100%涤纶长丝和70%涤纶、30%锦纶复合化纤的抹布,实现了生产低尘粒、低离子、低残留物的无尘抹布;
2)、通过本发明所述方法生产的无尘抹布经过实验检测可以轻易达到硬盘、半导体、液晶显示、线路板、精密仪器、无尘车间等行业对工业抹布质量的要求。
具体实施方式
以下对本发明的技术方案进行详细的描述,以使本领域技术人员能够更加清楚的理解本发明的方案,但并不因此限制其保护范围。
本发明所提供的无尘抹布清洗方法包括以下步骤:
(1)、将抹布通过激光/超声波进行切割;
(2)、将切割后的抹布按照浴比1∶10-1∶15浸泡于经过离子交换树脂过滤的超纯水中,其电阻至少是18MΩ,其中浴比在本领域指“纺织品与染液等的重量比例”,在本发明的技术方案中是指切割后的抹布与超纯水的质量比,其中的浴比更优选的为1∶12。
(3)然后在浸泡抹布的超纯水中加入脂肪醇聚乙二醇醚,并使脂肪醇聚乙二醇醚在超纯水中的浓度达到的0.2-0.4mL/L,优选为0.3mL/L,脂肪醇聚乙二醇醚的结构通式为R-O-(CH2-CH2-O)n-H,应用于本发明技术方案中的R为C12-18,n=8-10,优选n=9,其中的亲水亲油平衡值HLB选择在10-15之间,通过脂肪醇聚乙二醇醚去除抹布中的油污和纤维织物污染物。
(4)接着在上述溶液中进一步加入烷基三甘油酰胺,质量分数为3-8g/L,提高洗净白度。并可选择加入微量(质量分数0.2-0.8g/L)的磺基琥珀酸HOOCCH(SO3H)CH2COOH,以进一步提高洗白性能,优选采用MONAWATRTMMB45,TegoRTMSulfosueeinate F30(GOLDSCHMIDT),MO-84R2W,SULFOSUCCINATES-2,TEXAPONRTMSB-3,TEXINRTMDOS75128-P等。
(5)然后待抹布在上述溶液中浸泡1到2个小时,优选1.5小时后,将抹布在溶液中轻甩若干下后,从溶液中将抹布捞出,按照浴比1∶10-1∶15再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中。
(6)然后向步骤(5)中的溶液中以1-1.5克/升的量加入织物精练剂,并浸泡10-20分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次以上。
(7)将步骤(6)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的、温度在50-70℃左右的超纯水中,以1-1.5克/升的量加入烧碱,并浸泡30-50分钟,完成抹布纤维杂质的剥离,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次以上,洗净残留有烧碱的抹布。
(8)将步骤(7)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中,以1.5-3克/升的量加入醋酸,并浸泡8-10分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次以上,洗净残留有醋酸的抹布,通过酸碱清洗能够彻底清除抹布中可能残留的无机物。
(9)最后将上述酸碱清洗处理后的抹布放入脱水清洗设备(专业洗衣机)内,按照1∶1000(体积比)加入抗静电剂SN(化学成份为十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐)和超纯水,用超纯水在常温下清洗三次,每次清洗时间8-10分钟,清洗后进行脱水,按照300-400RPM脱水5-8分钟。
(10)从洗衣机取出脱水后的抹布放入烘干机,控制温度在70-80摄氏度,烘干30-40分钟,然后于30摄氏度下冷却10分钟。
(11)将烘干机内冷却下来的抹布进行无尘检测,检测合格后在10/100级无尘室里进行包装。
其中步骤(11)中所述清洗烘干后的抹布进行无尘检测的过程包括如下:
一、有机物污染物(FT-IR)检测
所用设备:红外光谱仪器,烧杯,有机试剂,加热板。
步骤:
(1)把清洗后的抹布样品放进烧杯,然后加入适量的有机溶剂,浸泡2个小时,然后把样品拿出来;
(2)挥发掉有机溶剂;
(3)转移样品到红外光谱仪器去检测。
二、NVR残留物检测
所用设备:万份之一的电子分析天平,容器皿,蒸发盘60ml,试剂,量筒50ml,100ml,250ml各一个,烘箱,干燥器。
步骤:
(1)称取清洗后的抹布样品,记录数据,标记为S,然后把样品放进容器皿里;
(2)加入试剂浸泡样品,加入试剂的量根据样品的重量来定(比例为样品3-4g,试剂100ml),记为V;
(3)在常温下浸泡样品24小时后,把样品拿出来;
(4)烘盘,将蒸发盘放进烘箱去烘1个小时,温度设为120度;
(5)把烘好后的蒸发盘拿出来,放进干燥器中冷却1个小时,之后称盘,记录数据S1。
(6)蒸发溶剂,从容器皿里面转移50ml的溶液到蒸发盘去蒸发。
(7)把蒸发完的蒸发盘,放进干燥器中冷却1个小时,之后称盘,记录数据B2;
(8)将样品放入上述的蒸发盘中,然后放入烘箱去烘1个小时,温度设为120度,之后取出放进干燥器中冷却1个小时,之后称盘,记录数据S2;
(9)计算结果:C=(((S2-S1)-(B2-S1))×(V/50))×1000/S
各参数含义:
C.计算结果(单位mg/g);
S样品的重量;
S2样品烘后带盘的重量;
S1蒸发盘的重量;
B2蒸发盘加入试剂蒸发后的重量;
V试剂体积。
三、LPC液体尘粒检测
所用设备,液本尘粒检测仪PMS-SO5,振动仪,秒表,烧杯;
步骤:
(1)清洁烧杯,用液本尘粒检测仪PMS-SO5检测空白烧杯,记录数据为B;
(2)把样品放进检测好的空白烧杯内并装入600ml水,然后以150转速振动5分钟;
(3)把样品取出来,然后用液本尘粒检测仪PMS-SO5检测,记录数据为R;
(4)计算结果:C=(R-B)×600ml/S,其中:
C-计算结果count/cm2
R-样品记录数据;
B-空白烧杯记录数据;
S-样品面积。
四、IC阴阳离子检测
所用设备,离子检测仪器,戴安ICS-90,去离子水,烧杯;
步骤:
(1)称取样品质量,记录数据,标记为S,然后把样品放进烧杯里面;
(2)加入去离子水浸泡样品,加入去离子水的量根据样品的重量来定,比例为(样品3-4g,去离子水100ml),记为V;
(3)在常温下浸泡样品24小时后,把样品拿出来;
(4)采样离子检测仪器进行进样检测,期中空白记录为B,样品进样后记录为R;
(5)计算方法:C=(R-B)/1000ml/L×(V/S),其中:
C-计算结果为ug/g;
R-样品读数;
B-空白读数;
V-去离子水体积;
S-样品重量。
通过上述步骤,对用本发明所述方法清洗的抹布的有机油物污染(FT-IR)、残留物污染(NVR)、液体尘粒污染(LPC)和阴阳离子污染(IC)分别进行了检测,同时对未采用本发明所述方法清洗的无尘抹布也进行了检测,检测对比结果如下表所示:
上表给出了使用现有方法清洗后的无尘抹布样品与使用本发明所述方法清洗后的无尘抹布样品的污染物检测对比结果,其中样品1为使用现有方法清洗后的无尘抹布样品的检测结果,样品2为使用本发明所述清洗方法清洗后的无尘抹布样品的检测结果,可见通过本发明所述的清洗方法能够有效的清洗掉抹布中的有机油物污染,能够使多项有机和无机残留物降低到0.15毫克/克以下,能够使大于0.5微米的液体尘粒污染降低到369粒/平方厘米以下,能够将常见的氯离子污染降低至0.08微克/克、将疏醇根离子污染降低至0.17微克/克、将氨根离子污染降低至0.22微克/克,完全满足了半导体生产线芯片、微处理器、半导体装配生产线、碟盘驱动器、LCD显示类产品、线路板生产线、精密仪器、光学产品、航空工业、PCB产品、医疗设备、无尘车间等诸多领域对抹布的无尘清洁要求,而且与现有技术中清洗方法相比,清洁检测结果差异巨大(若干数量级)。因此本发明所述的无尘抹布清洗方法能够彻底使无尘抹布恢复干净,几乎完全的清除了其中的无机物以及硅油等有机残留物,属于无尘抹布清洗加工技术领域的一种革新。
实施例1
具体的一种优选的无尘抹布清洗方法包括以下步骤:
(1)、将抹布通过激光/超声波进行切割;
(2)、将切割后的抹布按照浴比1∶12浸泡于经过离子交换树脂过滤的超纯水中,其电阻是18MΩ;
(3)然后在浸泡抹布的超纯水中加入脂肪醇聚乙二醇醚,并使脂肪醇聚乙二醇醚在超纯水中的浓度为0.3mL/L,脂肪醇聚乙二醇醚的结构通式R-O-(CH2-CH2-O)n-H中R为C12-18,n=9;
(4)在上述溶液中进一步加入烷基三甘油酰胺,使其浓度为5g/L,并加入微量(质量分数0.6g/L)的磺基琥珀酸HOOCCH(SO3H)CH2COOH;
(5)然后待抹布在上述溶液中浸泡1.5小时后,将抹布在溶液中轻甩若干下后,从溶液中将抹布捞出,按照浴比1∶12再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中;
(6)然后向步骤(5)中的溶液中以1.2克/升的量加入织物精练剂,并浸泡15分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次;
(7)将步骤(6)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的温度在60℃的超纯水中,以1.2克/升的量加入烧碱,并浸泡35分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次;
(8)将步骤(7)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中,以2.5克/升的量加入醋酸,并浸泡10分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次,洗净残留有醋酸的抹布,通过酸碱清洗能够彻底清除抹布中可能残留的无机物;
(9)最后将上述酸碱清洗处理后的抹布放入脱水清洗设备(专业洗衣机)内,按照1∶1000(体积比)加入抗静电剂SN(化学成份为十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐)和超纯水,用超纯水在常温下清洗三次,每次清洗时间10分钟即10分钟×3次,清洗后按照400RPM脱水5分钟;
(10)取出脱水后的抹布放入烘干机,控制温度在70摄氏度,烘干30分钟,然后于30摄氏度下冷却10分钟;
(11)将烘干机内冷却下来的抹布进行无尘检测,包括有机油物污染检测、残留物检测、液体尘粒检测和离子污染检测,检测结果为:
可见本发明所述的无尘抹布清洗方法能够彻底使无尘抹布恢复干净,几乎完全的清除了其中的有机油物,并使无机、有机残留物、液体尘粒和常见阴阳离子含量处于高纯度级别以下,属于无尘抹布清洗加工技术领域的一种革新。
以上仅是对本发明的优选实施方式进行了描述,并不将本发明的技术方案限制于此,本领域技术人员在本发明的主要技术构思的基础上所作的任何公知变形都属于本发明所要保护的技术范畴,本发明具体的保护范围以权利要求书的记载为准。
Claims (10)
1.一种无尘抹布的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)、将抹布通过激光/超声波进行切割;
(2)、将切割后的抹布按照浴比1:10-1:15浸泡于经过离子交换树脂过滤的18MΩ电阻的超纯水中;
(3)、在浸泡抹布的超纯水中加入脂肪醇聚乙二醇醚,并使脂肪醇聚乙二醇醚的浓度达到0.2-0.4mL/L,脂肪醇聚乙二醇醚结构通式R-0-(CH2-CH2-O)n-H中的R为C12-18,n=8-10,其亲水亲油平衡值HLB在10至15之间;
(4)、在上述溶液中按质量分数3-8克/升加入烷基三甘油酰胺,同时按质量分数0.2-0.8克/升加入微量的磺基琥珀酸;
(5)、将抹布在上述溶液中浸泡1到2个小时,然后将抹布在溶液中轻甩若干下后捞出,按照浴比1:10-1:15再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中;
(6)、向步骤(5)中的溶液中以1-1.5克/升的量加入织物精练剂,并浸泡10-20分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次以上;
(7)、将步骤(6)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的、温度在50-70℃的超纯水中,以1-1.5克/升的量加入烧碱,并浸泡30-50分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次以上;
(8)、将步骤(7)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中,以1.5-3克/升的量加入醋酸,并浸泡8-10分钟,然后将抹布捞出后用18MΩ电阻的超纯水冲洗10次以上;
(9)、将步骤(8)处理后的抹布放入脱水清洗设备内,按照体积比1:1000加入抗静电剂SN和18MΩ电阻的超纯水,用超纯水在常温下清洗三次,每次清洗8-10分钟,然后按照300-400RPM脱水5-8分钟;
(10)、将脱水后的抹布放入烘干机,控制温度在70-80摄氏度,烘干30-40分钟,然后于30摄氏度以下冷却10分钟以上;
(11)、将步骤(10)冷却后的抹布取出进行无尘检测,包括有机油物污染检测、残留物检测、液体尘粒检测和离子污染检测。
2.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,其中步骤(2)中的浴比为1:12。
3.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,其中步骤(3)中脂肪醇聚乙二醇醚的浓度为0.3mL/L,结构通式R-0-(CH2-CH2-O)n-H中R为C12-18,n=9。
4.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,其中步骤(4)中烷基三甘油酰胺的质量分数为5克/升;磺基琥珀酸的质量分数为0.6克/升。
5.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,其中步骤(5)中的浸泡时间为1.5小时,浴比为1:12。
6.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,其中步骤(6)中织物精练剂的加入量为1.2克/升,浸泡时间为15分钟,超纯水冲洗10次。
7.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,其中步骤(7)中抹布浸泡的超纯水温度为60℃,烧碱加入量为1.2克/升,抹布浸泡时间为35分钟,抹布捞出后冲洗10次。
8.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,其中步骤(8)中醋酸加入量为2.5克/升,抹布浸泡时间为10分钟,抹布捞出后冲洗10次。
9.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,其中步骤(9)中所述的抗静电剂SN为十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐,每次清洗时间为10分钟,清洗完后以400RPM脱水5分钟。
10.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,其中步骤(11)中的检测结果为:有机和无机残留物小于等于0.11毫克/克、每平方厘米内大于0.5微米的液体尘粒小于等于369粒、氯离子小于等于0.08微克/克、硫醇根离子小于等于0.17微克/克、氨根离子小于等于0.22微克/克。
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