CN103418563A - 晶片边缘清洗装置 - Google Patents

晶片边缘清洗装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103418563A
CN103418563A CN2012101631454A CN201210163145A CN103418563A CN 103418563 A CN103418563 A CN 103418563A CN 2012101631454 A CN2012101631454 A CN 2012101631454A CN 201210163145 A CN201210163145 A CN 201210163145A CN 103418563 A CN103418563 A CN 103418563A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
cleaning device
nozzle
support arm
edge cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101631454A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103418563B (zh
Inventor
王坚
赵宇
吴均
王晖
Original Assignee
ACM (SHANGHAI) Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ACM (SHANGHAI) Inc filed Critical ACM (SHANGHAI) Inc
Priority to CN201210163145.4A priority Critical patent/CN103418563B/zh
Publication of CN103418563A publication Critical patent/CN103418563A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103418563B publication Critical patent/CN103418563B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开一种晶片边缘清洗装置,包括一支撑臂、一连接部、一固持部、一喷嘴及一阻挡罩。所述支撑臂具有相对的第一端和第二端。所述连接部的一端与所述支撑臂的第一端活动连接。所述固持部设置在所述连接部的另一端。所述喷嘴安装在所述固持部上。所述阻挡罩具有一底壁、后壁及两侧壁,所述底壁、后壁及两侧壁围成一收容空间收容所述固持部及安装其上的喷嘴,所述底壁的边缘凸伸形成一与所述后壁平行的挡板,所述底壁的两侧靠近侧壁处分别开设有一导流槽。本发明晶片边缘清洗装置通过设置所述阻挡罩,在清洗晶片边缘的过程中,很好的阻止了清洗液向晶片中心区域的飞溅,同时也利于清洗液的回收。

Description

晶片边缘清洗装置
技术领域
本发明涉及一种晶片清洗装置,尤其涉及一种晶片边缘清洗装置。
背景技术
在半导体器件的制造过程中,半导体晶片要经受例如掩膜、刻蚀、淀积以及清洗等工艺处理,由此来形成半导体器件所需的电子电路。随着半导体器件尺寸的逐渐变小,去除晶片表面的污染物变得愈来愈重要,从而使得清洗工艺在半导体器件的制造过程中变得十分关键。晶片每经受一次工艺处理之后,都需要被清洗。但常规的清洗工艺只能去除晶片中心区域的污染物,而不能有效去除晶片边缘的污染物。而晶片边缘的污染物如果得不到很好的去除,将会导致至少两方面的危害:一是晶片边缘的污染物如金属离子会扩散到晶片中心区域,进而污染整个晶片,从而降低半导体器件的制造良率;二是晶片边缘的污染物会通过边缘夹、晶片夹以及晶片盒等的使用而转移到其它晶片上,造成对其它晶片的污染。
为了有效去除晶片边缘的污染物,各种清洗晶片边缘的装置应运而生。例如美国专利号5868857公开一种名为“旋转带晶片边缘清洗装置”,该晶片边缘清洗装置利用旋转带按压晶片的边缘,旋转带转动时,旋转带与晶片的边缘之间产生摩擦力,通过摩擦力去除晶片边缘的污染物。该晶片边缘清洗装置采用机械结构的方式去除晶片边缘的污染物,而此种方式容易对晶片造成物理损伤。
为了克服上述技术问题,通常采用化学液体清洗晶片的边缘。例如美国专利号6691719公开一种名为“用于晶片边缘清洗的可调整的喷嘴”,该晶片边缘清洗装置利用喷嘴喷射化学液体到晶片的边缘,化学液体与晶片边缘的污染物发生化学反应,从而去除晶片边缘的污染物。在清洗过程中,晶片往往通过边缘夹而定位在晶片夹盘上以便清洗,晶片夹盘带动晶片旋转时,化学液体会喷射到边缘夹上,从而造成化学液体的飞溅,当化学液体飞溅到晶片的中心区域时,会损伤晶片中心区域的图形,同时,化学液体的飞溅也为化学液体的回收增加了难度。
发明内容
本发明的目的是提供一种能阻止清洗液飞溅并有利于清洗液回收的晶片边缘清洗装置。
为实现上述目的,本发明晶片边缘清洗装置包括一支撑臂、一连接部、一固持部、一喷嘴及一阻挡罩。所述支撑臂具有相对的第一端和第二端。所述连接部的一端与所述支撑臂的第一端活动连接。所述固持部设置在所述连接部的另一端。所述喷嘴安装在所述固持部上。所述阻挡罩具有一底壁、后壁及两侧壁,所述底壁、后壁及两侧壁围成一收容空间收容所述固持部及安装其上的喷嘴,所述底壁的边缘凸伸形成一与所述后壁平行的挡板,所述底壁的两侧靠近侧壁处分别开设有一导流槽。
综上所述,本发明晶片边缘清洗装置清洗一晶片的边缘时,该晶片边缘清洗装置设置在所述晶片的边缘的上方。所述晶片放置在一可旋转的晶片夹盘上。若干边缘夹均匀分布在所述晶片夹盘的边缘并将所述晶片固定在所述晶片夹盘上。所述喷嘴向所述晶片边缘喷射清洗液,所述晶片夹盘带动所述晶片旋转,所述阻挡罩的后壁和两侧壁阻挡从所述边缘夹反溅回来的清洗液,从而阻止清洗液飞溅到所述晶片的中心区域而对所述晶片中心区域的图形造成损伤。清洗液沿着所述阻挡罩的后壁和两侧壁流入所述两导流槽内,方便了清洗液的回收。
附图说明
图1是本发明晶片边缘清洗装置的立体示意图。
图2是本发明晶片边缘清洗装置移除阻挡罩后的立体示意图。
图3是本发明晶片边缘清洗装置的阻挡罩的立体示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。
请参阅图1、图2及图3,为本发明晶片边缘清洗装置的一实施例的示意图。该晶片边缘清洗装置设置在一晶片W的边缘的上方。该晶片W放置在一可旋转的晶片夹盘10上。若干边缘夹20均匀分布在所述晶片夹盘10的边缘并将所述晶片W固定在所述晶片夹盘10上。
所述晶片边缘清洗装置包括一水平布置的支撑臂30、一连接部40和一固持部50。所述支撑臂30具有相对的第一端和第二端,所述第二端与一个驱动装置相连(图中未示)。所述连接部40的一端与所述支撑臂30的第一端活动连接,该活动连接是指所述连接部40连接于所述支撑臂30,同时,能够绕垂直于所述晶片W的直线顺时针或者逆时针转动。所述固持部50设置在所述连接部40的另一端,与所述支撑臂30相对,也可以理解为所述固持部50和所述支撑臂30位于所述连接部40的两端。该固持部50上安装有喷嘴70,具体的,所述喷嘴70与转杆80连接,所述转杆80设置在所述固持部50上。所述喷嘴70可绕所述转杆80在垂直于所述晶片W的平面内逆时针或顺时针转动,这样,可以改变所述喷嘴70的喷射方向与所述晶片W径向之间的夹角。所述喷嘴70是可拆卸式的喷嘴,因此所述喷嘴70可以更换,比如,在出口直径为0.1mm-1mm中选取不同大小的喷嘴,以达到清洗效果和效率的最优化。
为了实现本发明的目的,本发明晶片边缘清洗装置还包括阻挡罩90,所述阻挡罩90具有一底壁91、后壁92及两侧壁93。所述底壁91、后壁92及两侧壁93围成一收容空间收容所述固持部50及安装其上的喷嘴70。所述底壁91具有一“U”形开口,所述底壁91的边缘向上凸伸形成一与所述后壁92平行的挡板96,所述底壁91的两侧靠近侧壁93处分别开设有一导流槽94。所述导流槽94呈倾斜状,具体的,自靠近所述后壁92的一端向远离所述后壁92的一端逐渐向下倾斜,这样,便于清洗液沿所述导流槽94流出所述阻挡罩90。所述两导流槽94分别延伸到所述晶片W的边缘外。所述两侧壁93上分别设有安装孔95以将所述固持部50固定在所述阻挡罩90内。
使用该晶片边缘清洗装置清洗所述晶片W的边缘时,为了得到理想的边缘清洗效果,首先,通过所述驱动装置驱动所述支撑臂30沿所述晶片W的径向运动,使所述喷嘴70运动至所述晶片W边缘的上方,然后通过所述驱动装置驱动所述支撑臂30沿垂直于所述晶片W的直线上下运动而调节所述支撑臂30相对于所述晶片W的距离,由于所述连接部40连接于所述支撑臂30,所述固持部50连接于所述连接部40以及所述喷嘴70连接于所述固持部50,进而,调节所述喷嘴70与所述晶片W之间的距离,比如,控制所述喷嘴70与所述晶片W表面之间的距离在0-15毫米;所述喷嘴70与所述晶片W之间的距离设定之后,所述连接部40绕垂直于所述晶片W的直线旋转到一定角度,此时,所述喷嘴70与所述晶片W的圆周切线之间具有一夹角,该夹角的范围在10°-80°为最佳;所述喷嘴70绕所述转杆80转动到一定角度,具体的,为所述喷嘴70与所述晶片W径向之间的夹角,该夹角的范围在0°-70°为最佳。所述喷嘴70喷射清洗液清洗所述晶片W的边缘时,所述晶片夹盘10带动所述晶片W旋转,所述阻挡罩90的后壁92和两侧壁93阻挡从所述边缘夹20反溅回来的清洗液,阻止了清洗液飞溅到所述晶片W的中心区域而对所述晶片W中心区域的图形造成损伤。所述挡板96的设置使得所述阻挡罩90内积聚的清洗液只能流入两导流槽94内,进而流出晶片W边缘外,方便了清洗液的回收。
由上述可知,本发明晶片边缘清洗装置通过设置所述阻挡罩90,在清洗所述晶片W边缘的过程中,很好的阻止了清洗液向所述晶片W中心区域的飞溅,同时也利于清洗液的回收。
综上所述,本发明晶片边缘清洗装置通过上述实施方式及相关图式说明,己具体、详实的揭露了相关技术,使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述实施例只是用来说明本发明,而不是用来限制本发明的,本发明的权利范围,应由本发明的权利要求来界定。至于本文中所述元件数目的改变或等效元件的代替等仍都应属于本发明的权利范围。

Claims (7)

1.一种晶片边缘清洗装置,用于清洗一晶片的边缘,包括:
一支撑臂,具有相对的第一端和第二端;
一连接部,所述连接部的一端与所述支撑臂的第一端活动连接;
一固持部,设置在所述连接部的另一端;
一喷嘴,安装在所述固持部上;以及
一阻挡罩,具有一底壁、后壁及两侧壁,所述底壁、后壁及两侧壁围成一收容空间收容所述固持部及安装其上的喷嘴,所述底壁的边缘凸伸形成一与所述后壁平行的挡板,所述底壁的两侧靠近侧壁处分别开设有一导流槽。
2.根据权利要求1所述的晶片边缘清洗装置,其特征在于:所述两导流槽分别自靠近后壁的一端向远离后壁的一端逐渐向下倾斜。
3.根据权利要求1所述的晶片边缘清洗装置,其特征在于:所述两导流槽分别延伸到所述晶片的边缘外。
4.根据权利要求1所述的晶片边缘清洗装置,其特征在于:所述支撑臂的第二端与一个驱动装置相连,以使所述驱动装置能驱动所述支撑臂沿垂直于所述晶片的直线上下运动而调节所述支撑臂相对于所述晶片的距离,进而调节所述喷嘴与所述晶片之间的距离。
5.根据权利要求1所述的晶片边缘清洗装置,其特征在于:所述连接部能绕垂直于晶片的直线顺时针或者逆时针转动以调节所述喷嘴与所述晶片的圆周切线之间的夹角。
6.根据权利要求1所述的晶片边缘清洗装置,还进一步包括一转杆,所述转杆设置在所述固持部上,所述喷嘴与所述转杆连接并能绕转杆在垂直于晶片的平面内逆时针或顺时针转动以调节所述喷嘴与所述晶片径向之间的夹角。
7.根据权利要求1所述的晶片边缘清洗装置,其特征在于:所述喷嘴是可拆卸式的喷嘴。
CN201210163145.4A 2012-05-22 2012-05-22 晶片边缘清洗装置 Active CN103418563B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210163145.4A CN103418563B (zh) 2012-05-22 2012-05-22 晶片边缘清洗装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210163145.4A CN103418563B (zh) 2012-05-22 2012-05-22 晶片边缘清洗装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103418563A true CN103418563A (zh) 2013-12-04
CN103418563B CN103418563B (zh) 2016-12-14

Family

ID=49644240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210163145.4A Active CN103418563B (zh) 2012-05-22 2012-05-22 晶片边缘清洗装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103418563B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105513994A (zh) * 2014-09-22 2016-04-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种防止晶圆背面污染的机构
CN110957208A (zh) * 2019-12-16 2020-04-03 长江存储科技有限责任公司 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置
CN113118099A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 旋转喷头、清洗设备及清洗方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007508684A (ja) * 2003-10-08 2007-04-05 ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト 基板を縁洗浄するための装置および方法
WO2009010394A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-22 Sez Ag Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles
CN101620987A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置
CN102084458A (zh) * 2007-11-23 2011-06-01 朗姆研究公司 湿法处理晶片状物品的外围区域的装置和工艺
CN102148131A (zh) * 2010-02-09 2011-08-10 联华电子股份有限公司 晶片清洗方法与清洗装置
CN102243988A (zh) * 2011-07-05 2011-11-16 上海集成电路研发中心有限公司 半导体硅片的清洗工艺腔及半导体硅片的清洗工艺

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007508684A (ja) * 2003-10-08 2007-04-05 ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト 基板を縁洗浄するための装置および方法
WO2009010394A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-22 Sez Ag Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles
CN102084458A (zh) * 2007-11-23 2011-06-01 朗姆研究公司 湿法处理晶片状物品的外围区域的装置和工艺
CN101620987A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置
CN102148131A (zh) * 2010-02-09 2011-08-10 联华电子股份有限公司 晶片清洗方法与清洗装置
CN102243988A (zh) * 2011-07-05 2011-11-16 上海集成电路研发中心有限公司 半导体硅片的清洗工艺腔及半导体硅片的清洗工艺

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105513994A (zh) * 2014-09-22 2016-04-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种防止晶圆背面污染的机构
CN105513994B (zh) * 2014-09-22 2018-02-02 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种防止晶圆背面污染的机构
CN110957208A (zh) * 2019-12-16 2020-04-03 长江存储科技有限责任公司 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置
CN113118099A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 旋转喷头、清洗设备及清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103418563B (zh) 2016-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180147599A1 (en) Substrate processing apparatus, film formation unit, substrate processing method and film formation method
TWI816180B (zh) 多工位夾取裝置
EP2779211B1 (en) Metal Liftoff Tools and Methods
CN103418563A (zh) 晶片边缘清洗装置
CN105185734A (zh) 一种晶圆湿法腐蚀清洗装置
CN107665832B (zh) 晶盒清洗设备
TW201926530A (zh) 晶圓保持設備
TW434668B (en) Wafer rinse apparatus and rinse method of the same
KR101172591B1 (ko) 화학 기계식 연마 시스템의 기판의 헹굼 건조 장치
US8973199B2 (en) Photomask cleaning device
CN206849814U (zh) 一种剥离晶圆表面光刻胶的清洗机构及清洗花篮
CN207294891U (zh) 避免二次蚀刻的蚀刻机
CN105304522A (zh) 硅片背面清洗装置
JP6499019B2 (ja) ケース洗浄治具
JP4095478B2 (ja) 基板のエッチング装置及びエッチング方法
CN214505459U (zh) 一种半导体固定花篮
CN211743108U (zh) 一种晶圆篮具
KR200470997Y1 (ko) Pcb기판 세척용 스핀 지그
CN218133634U (zh) 一种晶圆清洗装置
CN219677221U (zh) 防喷溅液体供应装置及单晶片处理设备
CN103785638A (zh) 清洗晶圆背面的喷出装置
JP3196861U (ja) 放水駆動型基板回転治具
CN109594078A (zh) 避免二次蚀刻的蚀刻机及其使用方法
CN201859845U (zh) 承漏盘以及晶圆刻蚀系统
JP2703424B2 (ja) 洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 201203 building 4, No. 1690, Cailun Road, free trade zone, Pudong New Area, Shanghai

Patentee after: Shengmei semiconductor equipment (Shanghai) Co., Ltd

Address before: 201203 Shanghai Zhangjiang High Tech Park of Pudong New Area Cailun Road No. 4 1690

Patentee before: ACM (SHANGHAI) Inc.

CP03 Change of name, title or address