CN103390726A - 用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法 - Google Patents
用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103390726A CN103390726A CN2013101683699A CN201310168369A CN103390726A CN 103390726 A CN103390726 A CN 103390726A CN 2013101683699 A CN2013101683699 A CN 2013101683699A CN 201310168369 A CN201310168369 A CN 201310168369A CN 103390726 A CN103390726 A CN 103390726A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass substrate
- porous
- layer
- refractive index
- porous layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 226
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 172
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 4
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 2
- PZZYQPZGQPZBDN-UHFFFAOYSA-N aluminium silicate Chemical compound O=[Al]O[Si](=O)O[Al]=O PZZYQPZGQPZBDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- -1 saturated hexafluorosilicic acid Chemical class 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002520 cambial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24628—Nonplanar uniform thickness material
- Y10T428/24669—Aligned or parallel nonplanarities
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
可提高例如有机发光装置(OLED)的显示器的光学特性的用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法。所述多孔玻璃基板包括玻璃基板和在所述玻璃基板的一个表面的至少一部分内形成并延伸到所述玻璃基板内的多孔层,所述多孔层的折射率小于所述玻璃基板的折射率。所述多孔层具有多个形成在所述玻璃基板内的孔,以从所述玻璃基板洗脱所述玻璃基板中除了二氧化硅(SiO2)以外的至少一种组分。
Description
相关专利申请的交叉引用
本申请要求分别于2012年5月9日和2012年12月10日递交的韩国专利申请10-2012-0048903和10-2012-0142443的优先权,申请的全部内容为所有的目的通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法,更具体地涉及用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法,其中所述多孔玻璃基板可提高显示器,例如有机发光装置(OLED)的光学特性。
背景技术
图6为描述现有技术的有机发光装置(OLED)的光提取效率的横截面图和概念图。如图6所示,在现有技术的OLED中,只有约20%的OLED产生的光被发射到外部,并且约80%的光通过由于玻璃基板10、阳极20和有机发光层30之间的不同折射率产生的波导以及由于玻璃基板10和空气之间的折射率的差异产生的全内反射而被损失掉,其中有机发光层30包括空穴注入层、空穴载体层、发光层、电子载体层和电子注入层。具体地,内部有机发光层30的折射率在1.7至1.8的范围内,而通常用于阳极20的氧化铟锡(ITO)的折射率在1.9至2.0的范围内。这两个层具有在约100nm至约400nm的范围内的非常小的厚度,并且用于玻璃基板10的玻璃的折射率为约1.5,借此在OLED内部形成平面波导。经计算,由于上述原因产生的内部波导,损失了约45%的光。此外,玻璃基板10的折射率为约1.5,周围空气的折射率为1.0,当光从玻璃基板10的内部指向外部时,具有大于临界角的入射角的光线被全部反射,并在基板10的内部被捕获。捕获的光的比达到约35%,因而仅有约20%的产生的光被发射到外部。这里,附图标记31、32和33表示有机发光层30的部件。具体地,31表示空穴注入层和空穴载体层,32表示发光层,并且33表示电子注入层和电子载体层。
在现有技术中,为克服这个问题,二氧化硅气凝胶膜或低折射率层作为涂层位于玻璃基板和ITO之间,以提取被全内反射捕获的光(参见图7)。然而,由于它的制造工艺复杂、困难和昂贵,二氧化硅气凝胶未被应用到实际产品中。此外,二氧化硅气凝胶形成薄膜的能力有限,从而引起基板厚度的增加。
此外,如图8中所示,在现有技术中,凹凸结构60被设置在阳极20下面(相对于纸张表面),即在阳极20和玻璃基板10之间的界面中,以提高光提取效率。
如上所述,阳极20和有机发光层30通常作用为阴极40和玻璃基板10之间的一种光波导。因此,在阳极20和有机发光层30以波导模式作用的情况下,当在邻接阳极20的界面中形成引起光散射的凹凸结构60时,扰乱了波导模式,所以增加了被提取到外面的光的量。然而,当在阳极20下面形成凹凸结构60时,阳极20的形状类似于阳极20下面的凹凸结构60的形状,从而增加尖锐部分被局部化的可能性。由于OLED具有非常薄的膜的堆积结构,当阳极20具有尖锐突出部分时,电流集中于那个部分,这作用为大的漏电流或减小的功率效率的原因。因此,为防止电特性的这种劣化,当在阳极20下面形成凹凸结构60时,有必要加入平膜70。平膜70用于使凹凸结构60的凸起和凹入部分平坦。当平膜70不平并具有尖锐突出部分时,阳极20也具有突出部分,这引起了漏电流。因此,平膜70的光滑度非常重要,并需要为约Rpv=30nm或更小。
此外,平膜70需要由折射率与阳极20的折射率相似的材料制造。如果平膜70的折射率低,大部分光在被凹凸结构60扰乱前就会在阳极20和平膜70之间的界面被反射。然后,光在阳极20和有机发光层30之间被捕获,这被称为波导模式。平膜70需要尽可能地薄。如果平膜70太厚,光会被不必要地吸收,并且由于凹凸结构60与有机发光层30之间的距离太大,会减小散射的效果。
然而,使用具有几百纳米厚度的薄的平膜70使凹凸结构60完全变平的工艺非常困难。此外,覆盖凹凸结构60并使凹凸结构60变平的方法包括沉积涂布和溶液涂布。由于沉积涂布的特征为按照凹凸结构60的形状形成膜,当形成平膜70时,溶液涂布优于沉积涂布。然而,目前,获得具有高的折射率,即等于或大于ITO阳极20的折射率的溶液涂布材料,并且满足用于多晶薄膜晶体管的工艺条件,例如OLED基板的表面和高温加工所需的复杂条件,是非常难的。
现有技术中,将微腔结构用于OLED以提高OLED的光提取效率。这里,ITO阳极20或透明电极由ITO/金属/ITO制造。在这个方法中,一部分的光从阳极20反射,并且在阳极20和金属阴极40之间形成微腔结构,以使光发生相长干涉和谐振,从而增加光提取效率。然而,该微腔结构具有引起色移的问题,其中,颜色根据观察者在视角内的位置而改变。
发明部分的背景公开的信息仅用于更好地理解本发明的背景,并且不应被认为是承认或以任何形式暗示该信息形成本领域技术人员已知的现有技术。
发明内容
本发明的各个方面提供了可改善显示器,例如有机发光装置(OLED)的光学特性的用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法。
本发明的一个方面中,提供了多孔玻璃基板,包括:玻璃基板;和在所述玻璃基板的一个表面的至少一部分中形成并延伸到所述玻璃基板内的多孔层,所述多孔层的折射率小于所述玻璃基板的折射率。所述多孔层具有多个形成在所述玻璃基板内的孔,以从所述玻璃基板洗脱所述玻璃基板中除了二氧化硅(SiO2)以外的至少一种组分。
在本发明的示例性实施方式中,所述多孔层可在它面向所述玻璃基板内部的表面中具有凹凸图案。所述凹凸图案可包括多个半椭圆形状。
所述凹凸图案的间距可等于或大于1μm,或等于或小于200nm。或者,所述凹凸的间距可具有随机不同的大小。
所述多孔玻璃基板可进一步包括堆叠在所述玻璃基板的一个表面上的缓冲层,所述缓冲层由多孔玻璃制造。
所述缓冲层可由选自SiO2、SiNx、MgO和ZrO2中的一种制造。
本发明的另一个方面中,提供了制造多孔玻璃基板的方法,包括以下步骤:制备玻璃基板;和通过从所述玻璃基板洗脱所述玻璃基板中除了二氧化硅(SiO2)之外的至少一种组分而在所述玻璃基板的一个表面的至少一个部分中形成多孔层,所述多孔层的折射率小于所述玻璃基板的折射率。
在本发明的示例性实施方式中,所述多孔层可在它面向所述玻璃基板内部的表面中具有凹凸图案。
可通过平版印刷形成所述凹凸图案。
所述平版印刷可实现为光刻工艺,所述光刻工艺包括以下步骤:在所述玻璃基板的一个表面上涂布光致抗蚀剂;通过用掩膜使所述光致抗蚀剂图案化而暴露所述玻璃基板的所述一个表面上的多个区域;通过在所述多个区域中进行洗脱而沿所述多个区域在向内的方向形成所述多孔层;和去除图案化的所述光致抗蚀剂。
所述平版印刷可包括步骤:用涂布材料涂布所述玻璃基板的一个表面;通过在所述涂布材料的熔点附近的温度下退火而形成半球形纳米颗粒;用所述纳米颗粒作为掩膜使所述玻璃基板的一个表面图案化以形成所述多孔层;和去除所述纳米颗粒。
所述涂布材料可包含选自由Ag、Au、Pt、Pd、Co、Ni、Ti、Al、Sn、Cr和它们的合金组成的组中的一种。
所述涂布材料可为聚合物或氧化物。
所述方法可进一步包括,在形成所述多孔层的步骤后,在所述玻璃基板的一个表面上形成缓冲层的步骤,所述缓冲层由多孔玻璃制造。
根据本发明的另一个方面,提供了顶发光型OLED,包括:第一玻璃基板;包含在所述第一玻璃基板上按次序堆叠的阳极、有机发光层和阴极的装置层;设置在所述装置层上的第二玻璃基板,以使所述第二玻璃基板面向所述第一玻璃基板,所述第二玻璃基板形成通道,所述装置层产生的光通过所述通道被发射到外部;在所述第二玻璃基板的一个表面的至少一部分中形成并延伸到所述第二玻璃基板内的多孔部分,所述多孔部分的折射率小于所述玻璃基板的折射率;和设置在所述装置层和所述第二玻璃基板之间以使所述装置层和所述第二玻璃基板彼此粘合的粘合层。
根据本发明的实施方式,所述第二玻璃基板的一个表面为面向所述装置层的表面。
所述多孔部分可设置为在所述第二玻璃基板的一个表面的整个区域中形成的多孔层,或设置为形成在所述第二玻璃基板的一个表面的预定部分形成的凹凸图案。
所述顶发光型OLED还可包括设置在所述第二玻璃基板和所述粘合层之间的缓冲层。
根据本发明的实施方式,多孔玻璃基板具有形成在所述玻璃基板上的多孔层,所述多孔层的折射率小于玻璃的折射率。因此可能增加应用所述多孔玻璃基板的OLED的光提取效率。因此这可减小能量消耗,使热量产生最小化,从而增加OLED的寿命。
此外,制造多孔玻璃基板的工艺比现有技术中形成作为单独的部件而形成的二氧化硅气凝胶的工艺简单。
此外,可排除引起光在邻近OLED的表面散射的现有技术中的凹凸结构,及使凹凸结构引起的台阶式部分变平的形成平膜的工艺,从而减小制造成本。还可简化工艺和结构,从而去除了漏电流的危险。由于防止了厚度的增加,应用所述多孔玻璃基板的OLED可具有超薄和紧凑的轮廓。
此外,由于所述多孔层具有由多个半椭圆形状组成的凹凸图案表面,所述具有多孔层的多孔玻璃基板可促进颜色混合,从而减小OLED中的色移。
从在这里合并的附图和本发明的以下详细说明中,本发明的方法和装置具有的其他特征和优点将清晰或更详细地说明,它们共同用于解释本发明的特定原理。
附图说明
图1为显示了根据本发明的实施方式的多孔玻璃基板的横截面视图;
图2显示了应用根据本发明的实施方式的多孔玻璃基板的OLED的某些特性,即OLED根据电流密度的变化的电压和亮度特性的图;
图3显示了应用根据本发明的实施方式的多孔玻璃基板的OLED的某些特性,即OLED根据电流密度的变化的功率效率和电流效率的图;
图4为显示根据本发明的另一个实施方式的多孔玻璃基板的横截面和概念图,其中光被折射和散射;
图5为显示根据本发明的实施方式制造多孔玻璃基板的方法的流程图;
图6为描述现有技术的OLED的光提取效率的横截面和概念图;
图7为显示现有技术的OLED的另一个实例的分解透视图;和
图8为显示现有技术的OLED的再一个实例的分解透视图;
图9为显示根据本发明的再一个实施方式的顶发光型OLED的横截面视图;
图10为显示根据本发明的又一个实施方式的顶发光型OLED的横截面视图。
具体实施方式
现将详细地参照本发明的用于OLED的基板和它的制造方法,它的实施方式在附图中描述,并且在下面说明,以使本发明相关的本领域普通技术人员可容易地将本发明付诸实施。
整个文件中,将参照附图,在全部不同的图中使用相同的附图标记和符号以表示相同或相似的部件。在本发明的以下说明中,当会使本发明的主题不清楚时,将省略对合并于此的已知功能和部件的详细说明。
如图1中所示,根据本发明的实施方式的用于显示器的多孔玻璃基板100为用于有机发光装置(OLED)1的相对的基板中的一个。多孔玻璃基板100可为粘合到OLED1的一个表面上的光提取基板。多孔玻璃基板100保护OLED1免受外部环境的侵扰,并作用为使由OLED1产生的光发射到外部的通道。
这里,OLED1具有设置在根据本发明的该实施方式的多孔玻璃基板100和面对多孔玻璃基板100的封装基板(未示出)之间的堆叠结构,堆叠结构包括彼此堆叠的阳极11、有机发光层12和阴极13。阳极11可由金属或氧化物制成,例如Au、In、Sn或氧化铟锡(ITO),这是因为它们具有显著的功函以促进空穴注入。阴极13可作为具有小功函以促进电子注入的Al、Al:Li或Mg:Ag的金属薄膜而实现。在顶发光结构的情况下,阴极13可作为包括半透明电极和透明电极的多层结构而实现,以促进有机发光层12产生的光的透射,其中所述半透明电极为由Al、Al:Li或Mg:Ag制造的金属薄膜,所述透明电极为氧化铟锡(ITO)的氧化物薄膜。有机发光层12包括在阳极11上按次序堆叠的空穴注入层、空穴载体层、发光层、电子载体层和电子注入层。在这个结构中,当在阳极11和阴极13之间施加正向电压时,电子从阴极13通过电子注入层和电子载体层迁移到发光层,并且空穴通过空穴注入层和空穴载体层迁移到发光层。已经迁移到发光层中的电子和空穴彼此再结合,从而产生激子。当这样的激子由激发态跃迁至基态时,发出光。发出的光的亮度与在阳极11和阴极13之间流动的电流的量成正比。
如上所述作用为OLED1的光提取层的多孔玻璃基板100包括玻璃基板101和多孔层110。
玻璃基板101作用以保护应用玻璃基板101的OLED1免受外部环境的侵扰。玻璃基板101可由钠钙玻璃或铝-硅酸盐玻璃制造。优选地,当应用玻璃基板101的OLED1被用于照明时,玻璃基板101由钠钙玻璃制造,当应用玻璃基板101的OLED1被用于显示时,玻璃基板101由铝-硅酸盐玻璃制造。在玻璃基板101的一个表面中形成多孔层110,具体地在粘合到OLED1的阳极11上的玻璃基板101的一个表面的至少一个部分中形成多孔层110。
多孔层110形成在玻璃基板101的一个表面中,并延伸到玻璃基板101内。当被应用于OLED1时,多孔层110用于扰乱OLED1内部的波导,借此更多的光线可被提取到外部。此外,形成多孔层110以使它的折射率小于玻璃基板101的折射率。由于这个性质,多孔层110改变理应以全内反射的临界角撞到多孔玻璃基板100和空气之间的界面上的任何光线的方向,以使光线的角度变得比临界角更小。这样,多孔层110作用为增加被提取到外部的光的量。为此,设置多孔层110以使它的折射率小于玻璃基板101的材料,即玻璃的折射率。通过多孔层110中存在的孔实现更小的折射率。
多孔层110可通过将玻璃基板浸渍到洗脱介质(溶解介质)中的方法而实现。用于洗脱工艺中的洗脱介质以通过加入SiO2而饱和的六氟硅酸(H2SiF6)而实现,并且可向所述六氟硅酸中加入硼酸溶液。当SiO2在H2SiF6溶液中过饱和时,产生H2SiF6·SiF4。因此这引起玻璃基板中除了具有强结合力的≡Si-O-Si≡以外的至少一种组分被洗脱。因此,具有多孔二氧化硅结构的多孔层110形成在玻璃基板101中,以使它从玻璃基板101的表面向内延伸。
基于上述原理,通过从玻璃基板洗脱除了SiO2以外的至少一种组分而获得了多孔层110的形状。这将在后面制造用于OLED的基板的方法中更详细地说明。
如上所述在玻璃基板101的表面中形成的多孔层110中,多孔层110的一个表面与OLED1的一个表面,即阳极11的一个源,形成平的界面。多孔层110的孔具有非常小的直径,约20nm或更小,并且多孔层110的表面粗糙度与最初的玻璃表面的粗糙度基本相同。因此,可基本克服由在阳极上的凹凸结构引起的现有技术中的问题,例如由于台阶式的部分引起的漏电流或光均匀性的减小。还可能省略附加的复杂工艺,例如旨在使台阶式的部分平坦的形成平膜的工艺。
还可克服由在阳极下面的凹凸结构和平膜的存在而引起的现有技术中的问题。在现有技术中,例如,由于低的平整度而产生漏电流,由于旨在改善平整度而增加厚度所引起了不必要地增加光吸收和成本,并减小了散射效果。当将本发明的多孔玻璃基板应用于光伏电池时,也可预料同样的结果。
根据本发明的实施方式的用于显示器的多孔玻璃基板100可包括缓冲层(未示出)。缓冲层(未示出)为用于阻碍例如碱金属的元素的层,其中所述元素可经过多孔玻璃基板100扩散,并对例如OLED或薄膜晶体管(TFT)的装置具有不良影响。缓冲层(未示出)可堆叠在包括多孔层110的玻璃基板101的一个表面上。缓冲层(未示出)可由多孔玻璃制造,例如SiO2、SiNx、MgO和ZrO2的氧化物。但是,本发明不具体地将限定用于缓冲层(未示出)的材料为氧化物。
图2为显示了应用根据本发明的实施方式的多孔玻璃基板的OLED的某些特性的图,即OLED根据电流密度的变化的电压和亮度特性。如图2中所示,当应用多孔玻璃基板时,即使根据电流密度变化的电压特性相似,由于与普通玻璃基板相比,亮度的增加达到43%,观察到光提取效率增大。
图3显示了应用根据本发明的实施方式的多孔玻璃基板的OLED的某些特性的图,即OLED根据电流密度的变化的功率效率和电流效率。如图3所示,当应用多孔玻璃基板,观察到与普通的玻璃基板相比,功率效率和电流效率分别增加43%和45%。这解释了由于OLED上的多孔玻璃基板的光提取效率,改善了装置的特性。
下文,将参照图4说明根据本发明的另一个实施方式的多孔玻璃基板。
图4为显示根据本发明的该实施方式的多孔玻璃基板的横截面和概念图,在所述多孔玻璃基板中,光被折射和散射;
如图4所示,根据本发明该实施方式的多孔玻璃基板200包括玻璃基板201和多孔层210。
除了多孔层的图案外,本发明该实施方式与本发明的前面的实施方式基本相同。因此,将省略对相同部件的详细说明,并且使用相同的附图标记表示相同的部件。
根据本发明该实施方式的多孔层210在它面向玻璃基板内部的一个表面中具有凹凸图案。凹凸图案具有多个半椭圆形状。
与根据前面实施方式的多孔层110相似,可通过洗脱而在玻璃基板201内部形成孔以形成根据本发明的该实施方式的具有凹凸图案的多孔层210,从而以使多孔层210的折射率小于玻璃基板201的折射率。因此,在由多个半椭圆形状组成的凹凸图案和玻璃基板201之间的界面处扰乱了由OLED1的阳极和有机发光层引起的波导模式。此外,多孔层210还可改变理应以全内反射的临界角撞到玻璃基板201和空气之间的界面上的光线的方向,以使光线的角度变得比临界角更小,从而增加被提取到外部的光的量。
这里,由多个多孔层210的半椭圆形状组成的凹凸图案的间距需要i)等于或大于约1μm,即大于OLED发出的光的波长,或ii)等于或小于约200nm,即小于发出的光的波长。当凹凸图案的每个半椭圆形状的大小与发出的光的波长类似时,优选地,图案的间距为在光的波长范围内随机大小。
这是因为,当形成与从OLED1发出的光的波长相似的周期性图案时,由于布拉格光栅和光子晶体效应,光谱改变,所以根据视角内观察者的位置的改变而发生颜色的改变。
此外,如图4中所示,根据本发明的该实施方式的多孔层210可折射和散射从OLED1入射的光。具体地,由半椭圆形状组成的凹凸图案改变了以垂直于OLED1和玻璃基板201之间的界面的方向发出的光线的方向,以使光线的方向偏移法线方向,同时改变以偏离法线的方向发出的光线的方向,以使光线的方向垂直于界面。因此,由半椭圆形状组成的凹凸图案可根据视角内观察者的位置而改变光的方向,从而减小在具有微腔结构以通过促进颜色混合提高光提取效率的OLED中出现的色移。
参照图5,下面将给出制造根据本发明的实施方式的多孔玻璃基板的方法。
制造根据本发明的实施方式的多孔玻璃基板的方法包括,首先,制备玻璃基板201的步骤。然后,从玻璃基板201的一个表面洗脱玻璃基板201中除了二氧化硅(SiO2)之外的至少一种组分,从而在玻璃基板201的一个表面的至少一个部分中形成多孔层210,多孔层210的折射率小于玻璃基板201的折射率。
这里,如图5中所示,可通过平版印刷形成多孔层210,以在多孔层210的内表面形成由半椭圆形状组成的凹凸散射图案。因为可通过各种工艺形成凹凸图案,根据本发明的形成凹凸图案的工艺不限于平版印刷。
当通过各种工艺的已知工艺形成多孔层210的图案时,首先,在玻璃基板201的表面涂布抗蚀剂(PR)2。然后,用掩膜(未示出)使抗蚀剂2图案化,以暴露其中将形成多孔层210的玻璃基板201的表面中的多个区域。之后,进行洗脱时,在通过图案化的抗蚀剂而暴露的玻璃基板201的公开区域(open area)中形成多孔图案210’,以使多孔图案210’从玻璃基板201的一个表面向内延伸。如图4所示,当进一步进行洗脱时,从在抗蚀剂2下面的玻璃基板201部分洗脱玻璃基板201中除了二氧化硅(SiO2)以外的至少一种组分,从而形成在它的内部表面具有半椭圆凹凸图案的多孔层210。接着,通过剥离去除图案化的抗蚀剂,从而产生在它的内部表面具有半椭圆凹凸图案的多孔层210,它的折射率小于玻璃基板201的折射率。
虽然未在图中示出,另一种平版印刷方法包括在玻璃基板上涂布由选自Ag、Au、Pt、Pd、Co、Ni、Ti、Al、Sn、Cr和它们的合金中的一种制造的金属薄膜至数十个纳米的厚度的步骤,以形成具有随机间距大小的图案,然后在金属薄膜的熔点附近的温度下使所产生的结构退火,以使金属薄膜通过去湿形成半球形纳米颗粒。当使多孔层图案化时金属纳米颗粒可被用作掩膜,然后被去除,从而产生具有多孔层的基板。可使用聚合物薄膜或氧化物代替金属薄膜。
最后,虽然未在图中示出,根据本发明的该实施方式,可在包括多孔层210的玻璃基板210的一个表面上堆叠由多孔玻璃制成的缓冲层(未示出)。
图9为显示根据本发明的再一个实施方式的顶发光型OLED300的横截面视图。
如图9所示,根据本发明的该实施方式的OLED300具有向阴极323发射光的顶发光结构。这里,OLED300被连接到薄膜晶体管(未示出),由此被驱动。OLED300包括第一玻璃基板310、装置层320、第二玻璃基板330、多孔部分340和粘合层350。
与底发光类型OLED不同,设置顶发光型OLED以使它向阴极发射光,其中所述阴极由具有小功函的透明材料制造。由于驱动顶发光型OLED的薄膜晶体管被设置在OLED的下面,顶发光型OLED可具有比底发光类型OLED更高的孔径比。
第一玻璃基板310为基底基板,其上沉积了装置层320。第一玻璃基板310还用作保护装置层免受外部环境侵扰的保护基板。
使用第一玻璃基板310作为基底基板,在第一玻璃基板310上形成装置层320。装置层320包括阳极321、有机发光层322和阴极323。阳极321、有机发光层322和阴极323在第一玻璃基板310上按次序堆叠。
由于根据本发明的该实施方式的OLED300具有顶发光结构,沉积在第一玻璃基板310上的阳极321必须由将有机发光层322产生的光反射到朝向前表面,即阴极323的方向的材料制造。此外,阳极321必须由具有高功函的材料制造,以促进空穴注入有机发光层322中。例如,阳极321可由金属,例如Au、In或Sn制造,或被设置为包括金属层或透明电极薄膜的多层结构,其中所述透明电极薄膜由例如氧化铟锡(ITO)的氧化物制造的。
此外,阴极323由具有小功函的材料制造,以促进电子注入有机发光层322中。特别地,由于根据本发明的该实施方式的OLED300具有顶发光结构,阴极323可具有包括半透明电极薄膜和透明电极薄膜的多层结构,其中所述半透明电极薄膜由例如Al、Al:Li或Mg:Ag的金属制造,所述透明电极薄膜由例如ITO的氧化物制造。
第二玻璃基板330被设置在装置层320上,以使它面对第一玻璃基板310,并用作保护和隔离内部装置层320免受外部环境侵扰的封装玻璃。根据本发明的实施方式,第二玻璃基板330可形成通道,装置层320产生的光通过所述通道被发射到外部。第二玻璃基板330可由玻璃制造,它的组成与第一玻璃基板310相同。
这里,第二玻璃基板330可通过粘合层350粘合到装置层320上。根据本发明的实施方式,由于装置层320产生的光必须被有效地投射到第二玻璃基板330,粘合层350可由例如光学透明粘合剂(OCA)膜制造。
多孔部分340形成在第二玻璃基板330的一个表面上(即图9中的下表面),并延伸到第二玻璃基板330内。如图9所示,多孔部分340形成在面向装置层320的第二玻璃基板330的一个表面中,并延伸到第二玻璃基板330内。
多孔部分340具有多个形成在第二玻璃基板330内部的孔。根据本发明的该实施方式,多个孔341分布在第二玻璃基板330的一个表面的整个区域中。因此,由多个孔341组成的多孔部分340形成了在粘合层350与第二玻璃基板330中未形成孔341的部分之间的多孔层。
由于提供了多孔部分340,可改善根据本发明的该实施方式的顶发光型OLED300的光提取效率和亮度。因此,这可以减小能量消耗,使热量产生最小化,从而提高OLED的寿命。此外,与单独形成多孔部分以用作光提取层的现有技术不同,在用作封装玻璃的第二玻璃基板330中形成根据本发明的该实施方式的多孔部分340。因此,根据本发明的该实施方式的OLED300可具有比现有技术的OLED更简单的结构,从而实现结构稳定性。此外,使用该OLED300的显示装置可具有超薄和紧凑的轮廓。
根据本发明的实施方式,可在第二玻璃基板330和粘合层350之间形成缓冲层360,更具体地,在形成第二玻璃基板330的下层(相对于图纸表面)的多孔部分340和缓冲层350之间缓冲层360。缓冲层360为用于阻碍例如碱金属的元素的层,其中所述元素可经过在其中形成多孔部分340的第二玻璃基板330扩散,并对装置层320和在OLED300的较低部分(未示出)中提供以驱动装置层320的例如薄膜晶体管的装置具有不良影响。缓冲层360还用于防止粘合层350的材料渗入多孔部分340。
图10为显示根据本发明的又一个实施方式的顶发光型OLED的横截面视图。
如图10中所示,根据本发明该实施方式的顶发光型OLED400包括第一玻璃基板310、装置层320、第二玻璃基板330、多孔部分440和粘合层350。
根据本发明的该实施方式的多孔部分440具有在第二玻璃基板330内部形成的多个孔341。与根据图9中显示的前面实施方式中在第二玻璃基板的一个表面上所有部分中分布以形成层的多个孔341不同,多孔部分440的多个孔441在第二玻璃基板330的一个表面(即图10中的下表面)的预定部分中分布。如图10中所示,多孔部分440具有由多个半椭圆形状组成的凹凸图案。
这里,优选半椭圆形凹凸图案的间距等于或大于约1μm,即大于装置层320发出的光的波长,或等于或小于约200nm,即小于发出的光的波长。当凹凸图案的每个半椭圆形状的大小与发出的光的波长相似时,优选半椭圆形凹凸图案的间距为在光的波长范围内的随机大小。
例如,通过光刻、干涉光刻或电子束(E-beam)光刻或使用去湿掩膜,可形成由多个半椭圆形状组成的凹凸图案。
已经结合特定的实施方式和附图呈现了本发明的具体的示例性实施方式的上述说明。它们不旨在穷尽,或限制本发明于公开的具体形式,并且显而易见的是根据上述技术,对本领域技术人员来说,许多修改和变化是可能的。
因此,本发明的范围不旨在限于上述实施方式,而是通过它们所附的权利要求和它们的等价方式限定。
Claims (23)
1.一种多孔玻璃基板,包含:
玻璃基板;和
在所述玻璃基板的一个表面的至少一部分内形成并延伸到所述玻璃基板内的多孔层,所述多孔层的折射率小于所述玻璃基板的折射率。
2.如权利要求1所述的多孔玻璃基板,其中,所述多孔层包含多个形成在所述玻璃基板内的孔,以从所述玻璃基板洗脱所述玻璃基板中的至少一种组分。
3.如权利要求2所述的多孔玻璃基板,其中所述至少一种组分不包括二氧化硅。
4.如权利要求1所述的多孔玻璃基板,其中,所述多孔层在它面向所述玻璃基板内部的表面中具有凹凸图案。
5.如权利要求4所述的多孔玻璃基板,其中,所述凹凸图案具有多个半椭圆形状。
6.如权利要求4所述的多孔玻璃基板,其中,所述凹凸图案的间距等于或大于1μm,或等于或小于200nm。
7.如权利要求1所述的多孔玻璃基板,其中,所述凹凸图案的间距具有随机不同的大小。
8.如权利要求1所述的多孔玻璃基板,进一步包含堆叠在所述玻璃基板的一个表面上的缓冲层,所述缓冲层由多孔玻璃制造。
9.如权利要求8所述的多孔玻璃基板,其中,所述缓冲层包含选自SiO2、SiNx、MgO和ZrO2中的一种。
10.一种制造多孔玻璃基板的方法,包含:
制备玻璃基板;和
通过从所述玻璃基板洗脱所述玻璃基板中的至少一种组分而在所述玻璃基板的一个表面的至少一个部分中形成多孔层,所述多孔层的折射率小于所述玻璃基板的折射率。
11.如权利要求10所述的方法,其中,所述多孔层在它面向所述玻璃基板内部的表面中包含凹凸图案。
12.如权利要求11所述的方法,其中,通过平版印刷形成所述凹凸图案。
13.如权利要求12所述的方法,其中,所述平版印刷包含光刻工艺,所述光刻工艺包括:
在所述玻璃基板的一个表面上涂布光致抗蚀剂;
通过用掩膜使所述光致抗蚀剂图案化而暴露所述玻璃基板的一个表面的多个区域;
通过在所述多个区域中进行洗脱而从所述多个区域沿向内的方向形成所述多孔层;和
去除图案化的所述光致抗蚀剂。
14.如权利要求12所述的方法,其中,所述平版印刷包含:
用涂布材料涂布所述玻璃基板的一个表面;
通过在所述涂布材料的熔点附近的温度下退火而形成半球形纳米颗粒;
用所述纳米颗粒作为掩膜使所述玻璃基板的一个表面图案化以形成所述多孔层;和
去除所述纳米颗粒。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述涂布材料包含选自由Ag、Au、Pt、Pd、Co、Ni、Ti、Al、Sn、Cr和它们的合金组成的组中的一种。
16.如权利要求14所述的方法,其中,所述涂布材料包含聚合物或氧化物。
17.一种顶发光型有机发光装置,包含:
第一玻璃基板;
包含在所述第一玻璃基板上按次序堆叠的阳极、有机发光层和阴极的装置层;
设置在所述装置层上的第二玻璃基板,以使所述第二玻璃基板面向所述第一玻璃基板,所述第二玻璃基板形成通道,使所述装置层产生的光通过所述通道发射到外部;
在所述第二玻璃基板的一个表面的至少一部分中形成并延伸到所述第二玻璃基板内的多孔部分,所述多孔部分的折射率小于所述玻璃基板的折射率;和
设置在所述装置层和所述第二玻璃基板之间以使所述装置层和所述第二玻璃基板彼此粘合的粘合层。
18.如权利要求17所述的顶发光型有机发光装置,其中,所述第二玻璃基板的一个表面为面向所述装置层的表面。
19.如权利要求17所述的顶发光型有机发光装置,其中,所述多孔部分包含多个在所述第二玻璃基板内形成的孔,以从所述第二玻璃基板洗脱所述第二玻璃基板中的至少一种组分。
20.如权利要求17所述的顶发光型有机发光装置,其中,所述多孔部分包括在所述第二玻璃基板的一个表面的整个区域中形成的多孔层。
21.如权利要求17所述的顶发光型有机发光装置,其中,所述多孔部分包含在所述第二玻璃基板的一个表面的预定部分中形成的凹凸图案。
22.如权利要求17所述的顶发光型有机发光装置,进一步包含设置在所述第二玻璃基板和所述粘合层之间的缓冲层。
23.如权利要求22所述的顶发光型有机发光装置,其中所述缓冲层由选自由SiO2、SixNy、Nb2O5、MgO和ZrO2组成的组中的一种制造。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2012-0048903 | 2012-05-09 | ||
KR1020120048903A KR101602470B1 (ko) | 2012-05-09 | 2012-05-09 | 디스플레이용 다공성 유리 기판 및 그 제조방법 |
KR1020120142443A KR101608300B1 (ko) | 2012-12-10 | 2012-12-10 | 전면 발광형 유기발광소자 |
KR10-2012-0142443 | 2012-12-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103390726A true CN103390726A (zh) | 2013-11-13 |
CN103390726B CN103390726B (zh) | 2016-05-11 |
Family
ID=49534937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310168369.9A Expired - Fee Related CN103390726B (zh) | 2012-05-09 | 2013-05-09 | 用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8921841B2 (zh) |
JP (1) | JP6182354B2 (zh) |
CN (1) | CN103390726B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017084177A1 (zh) * | 2015-11-19 | 2017-05-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示器及其有机发光二极管器件 |
CN108155213A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN109585685A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-04-05 | 纳晶科技股份有限公司 | 光取出结构、其制作方法及发光器件 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201015417D0 (en) * | 2010-09-15 | 2010-10-27 | Lomox Ltd | Organic light emitting diode devices |
KR101466833B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
KR102133213B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2020-07-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 기판, 이의 제조 방법, 및 이를 구비하는 표시 장치 |
US9349995B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-05-24 | Solar-Tectic Llc | Hybrid organic/inorganic eutectic solar cell |
CN104752458B (zh) * | 2013-12-25 | 2017-12-22 | 清华大学 | 有机发光二极管阵列的制备方法 |
CN107960136A (zh) * | 2015-02-27 | 2018-04-24 | 康宁股份有限公司 | 包含无规空隙的玻璃基材及包括该玻璃基材的显示装置 |
CN108431992B (zh) * | 2015-12-18 | 2021-07-16 | 株式会社Lg化学 | 隔膜和包含其的电池 |
US20170271622A1 (en) * | 2016-06-03 | 2017-09-21 | Solar-Tectic, Llc | High efficiency thin film tandem solar cells and other semiconductor devices |
KR102568761B1 (ko) * | 2017-05-05 | 2023-08-18 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 중합체 필름을 포함하는 디스플레이 디바이스 |
JP6852609B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2021-03-31 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ガラス基板、有機el照明装置 |
KR102518416B1 (ko) | 2018-07-31 | 2023-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 저굴절층 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR102663262B1 (ko) | 2019-08-19 | 2024-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5396350A (en) * | 1993-11-05 | 1995-03-07 | Alliedsignal Inc. | Backlighting apparatus employing an array of microprisms |
CN1578565A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | 三星Sdi株式会社 | 光学元件用基板、有机电致发光元件和显示器件 |
US20050029538A1 (en) * | 2003-08-09 | 2005-02-10 | Hyeon Choi | Highly efficient organic light emitting device using substrate having nanosized hemispherical recesses and method for preparing the same |
CN1781339A (zh) * | 2003-03-25 | 2006-05-31 | 国立大学法人京都大学 | 发光元件以及有机电致发光元件 |
CN102097597A (zh) * | 2009-11-18 | 2011-06-15 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管装置及其制造方法 |
CN102361833A (zh) * | 2009-01-23 | 2012-02-22 | 法国圣戈班玻璃厂 | 透明玻璃基板和制造这种基板的方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3760216A (en) * | 1972-01-25 | 1973-09-18 | Us Army | Anodic film for electron multiplication |
JP4279971B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2009-06-17 | パナソニック電工株式会社 | 発光素子 |
JP4717200B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2011-07-06 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
JP4406572B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2010-01-27 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光素子及びその表示装置 |
JP2006114432A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 面発光素子 |
US7410883B2 (en) * | 2005-04-13 | 2008-08-12 | Corning Incorporated | Glass-based semiconductor on insulator structures and methods of making same |
JP2007069272A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Toshiba Corp | 微粒子配列体、薄膜配列体および磁気記録媒体の製造方法 |
JP2007327081A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 接着方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
FR2908406B1 (fr) * | 2006-11-14 | 2012-08-24 | Saint Gobain | Couche poreuse, son procede de fabrication et ses applications. |
US8415555B2 (en) * | 2010-08-24 | 2013-04-09 | Corning Incorporated | Dimensional silica-based porous silicon structures and methods of fabrication |
US20120281338A1 (en) * | 2011-05-05 | 2012-11-08 | Inpaq Technology Co., Ltd. | Aluminum electrolytic capacitor and method of manfacturing the same |
-
2013
- 2013-05-07 US US13/888,682 patent/US8921841B2/en active Active
- 2013-05-08 JP JP2013098570A patent/JP6182354B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-05-09 CN CN201310168369.9A patent/CN103390726B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5396350A (en) * | 1993-11-05 | 1995-03-07 | Alliedsignal Inc. | Backlighting apparatus employing an array of microprisms |
CN1781339A (zh) * | 2003-03-25 | 2006-05-31 | 国立大学法人京都大学 | 发光元件以及有机电致发光元件 |
CN1578565A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | 三星Sdi株式会社 | 光学元件用基板、有机电致发光元件和显示器件 |
US20050029538A1 (en) * | 2003-08-09 | 2005-02-10 | Hyeon Choi | Highly efficient organic light emitting device using substrate having nanosized hemispherical recesses and method for preparing the same |
CN102361833A (zh) * | 2009-01-23 | 2012-02-22 | 法国圣戈班玻璃厂 | 透明玻璃基板和制造这种基板的方法 |
CN102097597A (zh) * | 2009-11-18 | 2011-06-15 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管装置及其制造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017084177A1 (zh) * | 2015-11-19 | 2017-05-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示器及其有机发光二极管器件 |
CN108155213A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN108155213B (zh) * | 2016-12-02 | 2024-03-08 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN109585685A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-04-05 | 纳晶科技股份有限公司 | 光取出结构、其制作方法及发光器件 |
CN109585685B (zh) * | 2018-12-07 | 2021-06-01 | 纳晶科技股份有限公司 | 光取出结构、其制作方法及发光器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6182354B2 (ja) | 2017-08-16 |
US20130299792A1 (en) | 2013-11-14 |
CN103390726B (zh) | 2016-05-11 |
JP2013235836A (ja) | 2013-11-21 |
US8921841B2 (en) | 2014-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103390726B (zh) | 用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法 | |
CN103367651B (zh) | 用于有机发光装置的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的有机发光装置 | |
US8247962B2 (en) | Organic light emitting device and manufacturing method thereof | |
CN106684256A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
CN106057857B (zh) | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 | |
KR101466831B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
KR101579457B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
US9882170B2 (en) | Organic light emitting device with improved light extraction | |
CN108539036B (zh) | 一种电极结构、qled及制备方法 | |
EP2720284B1 (en) | Method of fabricating a metal oxide thin film substrate for OLED | |
KR101470295B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
US9515295B2 (en) | Light extraction substrate for organic light emitting device, fabrication method therefor and organic light emitting device including same | |
JP6301353B2 (ja) | 改善された内部アウトカップリングを備える発光装置、及び前記発光装置を供給する方法 | |
KR101602470B1 (ko) | 디스플레이용 다공성 유리 기판 및 그 제조방법 | |
WO2015023112A1 (ko) | 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
KR101470293B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법 | |
KR101577997B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
WO2015009057A1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
WO2021017312A1 (zh) | 一种显示面板及其显示装置 | |
KR20150134725A (ko) | 돌기형 금속입자를 포함하는 투광성 전극 및 이를 이용한 유기발광소자, 유기발광장치 | |
WO2013161001A1 (ja) | 有機el発光素子 | |
KR102661158B1 (ko) | 내부 광 추출용 양자점 함유한 내부 산란층을 포함하는 유기발광소자 | |
KR100866600B1 (ko) | 유기발광소자의 제조방법 | |
KR20150009277A (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: Chungnam, South Korea Applicant after: CORNING PRECISION MATERIALS Co.,Ltd. Address before: Gyeongbuk, South Korea Applicant before: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS Co.,Ltd. |
|
COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD. TO: KANGNING PRECISION MATERIAL CO., LTD. |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160511 |