CN103383868B - 透明导电积层体 - Google Patents

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Abstract

一种透明导电积层体,包含一复合导电层及一抗腐蚀薄膜层,其中该抗腐蚀薄膜层的本体主要由一水性聚胺基甲酸酯(PU)所构成,且包含多个分散于其中的碳纳米管,但不需额外添加抗腐蚀剂。本发明的抗腐蚀薄膜层除可保护复合导电层,且不会提高透明导电积层体的表面电阻外,尚能进一步改善复合导电层的色相问题。

Description

透明导电积层体
技术领域
本发明关于一种透明导电积层体,特别是关于一种包含抗腐蚀薄膜层的透明导电积层体。
背景技术
透明导电积层体(transparent conductive laminate)已广泛使用于多种电子器材,例如液晶显示器、触控面板或太阳能面板等。上述透明导电积层体为具备良好导电性,通常以银作为主要导电材料形成银导电层,并可视需求与氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)进一步形成一积层结构,例如于银导电层上、下各配置一层氧化铟锡层,形成「氧化铟锡/银/氧化铟锡」的复合导电层(conductivemultilayer)结构。
由于在一般环境条件下,空气中的氧气或水气等会穿透结构较不紧密的氧化铟锡层,并且与银作用产生氧化反应形成腐蚀的白点。此白点为绝缘性,因此当产生过多或密集的白点时,将增加复合导电层的电阻值,甚至造成断路。
所以在已知技术中,便有人提出利用镀金、加入阻障层或加入抗腐蚀剂(corrosion inhibitor)等方法,以期达到抑制白点产生及降低电阻值。虽然,上述方法能些许减少银导电层表面白点的产生,但是除了镀金法外(但有价格昂贵的问题),其余方法大多会造成复合导电层表面电阻上升的问题。再者,当复合导电层中包含有氧化铟锡层时,习知技艺者均知氧化铟锡层会造成整体复合导电层色相偏黄。然而,前述的已知抗腐蚀技术并无法同步改善此一色相问题。
举例来说,于1991年公告的美国发明专利第5061566号中,揭示一种利用双成份聚胺酯树脂加上金属导电材料(铜粉)及唑系(azole)有机抗腐蚀剂所组成的电磁波屏蔽涂布材料。该案所提出的涂布材料需添加有机抗腐蚀剂,易造成环境污染,且金属导电材料添加较多时,亦会影响该涂布材料的透光性。
此外,于2011年揭露的美国专利公开第20110236710号中,提出一种利用一涂布液达到导电及抗腐蚀特性的技术,其中该涂布液包含多种导电材料、抗腐蚀剂及黏着剂。该案所提出的涂布液虽具有导电及抗腐蚀特性,惟其需经由多种材料配制而成,工艺颇为繁杂,且需添加片状黏土(clay)才能达到抗腐蚀效果,亦会影响该涂布层的透光性。
由于已知技术存在着以上问题,故而提出一种能有效解决该些问题的技术方案,仍有其需要。
发明内容
为解决前述已知技术的问题,本案发明人经多方研究后,提出一种透明导电积层体,可有效解决前述已知技术的缺点。
根据本发明所指出的透明导电积层体,其结构包含一复合导电层及一抗腐蚀薄膜层。其中,该复合导电层至少包含一基材与一金属导电层。另外,该抗腐蚀薄膜层的薄膜层本体主要由一水性聚胺基甲酸酯(waterborne polyurethane,后称水性PU)所构成,且包含多个分散于其中的碳纳米管,但不包含额外的抗腐蚀剂。此外,该抗腐蚀薄膜层的厚度(记为x纳米)与其所含有的这些碳纳米管的含量(记为y v/v%)之间,具有下述数学关系式:
y=-2.9x+a (方程式I)
其中,y为3至32,且a为100至400。
本发明的另一目的,是提供一种前述的透明导电积层体的制造方法。根据本发明所指出的制造方法,提供一复合导电层,并配制一抗腐蚀溶液。该抗腐蚀溶液包含一溶剂、多个碳纳米管与一水性PU。然后,将该抗腐蚀溶液涂布于该复合导电层上。接着,将该抗腐蚀溶液烘干,以于该复合导电层上形成该抗腐蚀薄膜层。
借由本发明制造方法所制得的透明导电积层体,其抗腐蚀薄膜层的厚度(记为x纳米)与其所含有的这些碳纳米管的含量(记为y v/v%)间,具有下述数学关系式:
y=-2.9x+a (方程式I)
其中,y为3至32,且a为100至400。
本发明的抗腐蚀薄膜层除可保护复合导电层,且不会提高透明导电积层体的表面电阻外,尚能进一步改善复合导电层的色相问题。
附图说明
图1A绘示透明导电积层体100a的结构示意图。
图1B绘示透明导电积层体100b的结构示意图。
图1C绘示透明导电积层体100c的结构示意图。
图2为薄膜层厚度与薄膜层的碳纳米管含量的相关直线,其中由4直线分割的封闭区域为可使用的范围。
【主要组件符号说明】
100a:透明导电积层体
100b:透明导电积层体
100c:透明导电积层体
110:复合导电层
112:基材
114:金属导电层
116:第二导电层
118:第一导电层
120:抗腐蚀薄膜层
具体实施方式
为使熟习本技术领域的技艺者,借由阅读本发明说明书而更能了解本发明的技术特征,以下将配合图式说明本发明的技术内容。
参阅图1A,为本发明透明导电积层体100a的结构断面的一具体实施方式示意图。本发明透明导电积层体100a,包含一复合导电层110,以及一设置于复合导电层110上的抗腐蚀薄膜层120。
根据本发明的一实施例,前述的复合导电层110,至少包含一基材112与一金属导电层114。前述的抗腐蚀薄膜层120设置于金属导电层114上,且该抗腐蚀薄膜层的本体主要由一水性聚胺基甲酸酯(waterborne polyurethane,后称水性PU)所构成,且包含多个分散于其中的碳纳米管,但不需额外添加抗腐蚀剂。
根据本发明的一实施例,前述的基材112为高分子材料,其中选自由聚酯系树脂(polyester-based resin)、醋酸系树脂(acetate-based resin)、聚醚系树脂(polyethersulfone-based resin)、聚碳酸酯系树脂(polycarbonate-based resin)、聚酰胺系树脂(polyamide-based resin)、聚酰亚胺系树脂(polyimide-based resin)、聚烯烃系树脂(polyolefin-based resin)、丙烯酸酯系树脂(acrylic resin)、聚氯乙烯系树脂(polyvinyl chloride-based resin)、聚苯乙烯系树脂(polystyrene-based resin)、聚乙烯醇系树脂(polyvinyl alcohol-based resin)、聚芳酯系树脂(polyarylate-basedresin)、聚苯硫系树脂(polyphenylene sulfide-based resin)、聚二氯亚乙烯系树脂(polyvinylidene chloride-based resin)、(甲基)丙烯酸酯系树脂((meth)acrylic resin)及其组合所构成的族群。
根据本发明的一实施例,前述的金属导电层114的材料选自由银、铝、铜及其组合所构成的族群至少其中之一。金属导电层114的厚度为3纳米至15纳米,更佳为5纳米至10纳米。其是因为若金属导电层114的厚度小于3纳米时,容易形成断路,致使导电性不佳。若金属导电层114的厚度大于15纳米时,则易使得透光度不佳。
根据本发明的另一实施例,参阅图1B,前述的金属导电层114设置于基材112及抗腐蚀薄膜120之间,且于金属导电层114与基材112之间进一步包含一第一导电层116,以及于金属导电层114与抗腐蚀薄膜120之间进一步包含一第二导电层118。
前述的第一导电层116与第二导电层118的材料分别为金属或金属氧化物,其中金属可选自由银、铝、铜及其组合所构成的族群至少其中之一,而金属氧化物可选自由氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锑、氧化锌铝、氧化铟锌及其组合所构成的族群至少其中之一。第一导电层116及第二导电层118的厚度,可独立地依所需导电性及其它所欲性质选用适宜的厚度,较佳为3纳米至100纳米,更佳为20纳米至70纳米,最佳为30纳米至60纳米。
根据本发明的又一实施例,参阅图1C,前述的透明导电积层体110中仅包含第一导电层116。习知技艺者参阅本发明的说明,虽未再以附图表示亦可了解到,作为图1C的实施方式的变型亦可为,透明导电积层体110中仅包含第二导电层118。
根据本发明的一实施例,前述的抗腐蚀薄膜120的主要成分包含多个碳纳米管及由具有亲水性官能基的水性PU所构成的薄膜本体,且上述诸碳纳米管分散于其中。
前述的水性PU具有亲水性官能基,利用水做为溶剂并配制成水溶液。相较于一般的聚胺基甲酸酯(PU)仅溶于有机溶剂,无论在使用操作或环境保护上都具有绝佳的优势。根据本发明的一实施例,水性PU的亲水性官能基选自由羧酸基、磺酸基、铵基、乙氧基(ethylene oxide)及其组合所构成的族群。
根据本发明的一实施例,前述的碳纳米管为单壁、双壁或多壁的结构。前述碳纳米管的长度为1微米至20微米,较佳为5微米至20微米,最佳为10微米至20微米。前述碳纳米管的管径为1纳米至50纳米,较佳为1纳米至30纳米,最佳为3纳米至25纳米。在干燥后的抗腐蚀薄膜层中,其含有3v/v%至32v/v%的碳纳米管。在抗腐蚀薄膜层中,若碳纳米管的含量太低,碳纳米管彼此间的接触机率会太低,而导致导电性不佳。若碳纳米管的含量太高,则不易配制碳纳米管能均匀分散其中的抗腐蚀溶液。本发明的碳纳米管由双壁及多壁碳纳米管所组成。
前述抗腐蚀薄膜层120的厚度(记为x纳米)较佳为23纳米至137纳米,且抗腐蚀薄膜层120的碳纳米管的含量(记为y v/v%)较佳为3v/v%至32v/v%。上述的x和y存在一数学关系式为y=-2.9x+a,其中a为100至400。
根据本发明的一实施例的透明导电积层体的制造方法,包含形成复合导电层110及形成抗腐蚀薄膜层120。由于复合导电层110包含基板112及金属导电层114,而且复合导电层110进一步包含第一导电层116及第二导电层118。因此形成复合导电层110时,借由物理气相沉积法形成金属导电层114,以及借由真空溅镀法形成第一导电层116及第二导电层118。
为形成抗腐蚀薄膜层120,在此需先配制抗腐蚀溶液,以备后续工艺使用。配制方法是将碳纳米管及水性PU(碳纳米管:水性PU的重量比为1:1至1:10)加入异丙醇水溶液(水:异丙醇的重量比为1:0.6至1:1)中,其中水:异丙醇的重量比较佳为1:0.7,均匀混合后得到抗腐蚀溶液。依据上述的抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量,抗腐蚀溶液中碳纳米管及水性PU的含量为0.1wt%至1.0wt%,较佳为0.2wt%。
接着将前述的抗腐蚀溶液涂布于复合导电层110上,其方法例如可为线棒涂布法。随后烘干涂布于复合导电层110上的抗腐蚀溶液,以于复合导电层上形成抗腐蚀薄膜层120。
实施方式
于本发明后述实施例中所使用的水性PU种类及来源如下表1所示:
表1水性PU的组成
于本发明后述实施例中,对于所制得的透明导电积层体所进行的测试方式,说明如下:
以下提供透明导电积层体的测试方法以及评价标准,其中透明导电积层体的测定项目包含雾度、透光度、表面电阻、b*值以及外观评价。
透明导电积层体的雾度及透光度的测定方法是以JIS K 7105为基准,且使用日本电色工业(股)制造的测量仪器NDH-2000测定。本发明的透明导电积层体可应用的领域包含显示器、电子纸、太阳能电池及照明器具等。一般常用的透光度(%)需高于75%,方可维持最终产品的效率。在本发明中,除了碳纳米管的含量及抗腐蚀薄膜层的厚度外,其余各层的厚度亦需适当调控以达到良好的透光度要求。
透明导电积层体的表面电阻的测定方法是以JIS K 7194为基准,使用三菱油化(股)制造的测定机Lotest AMCP-T400以4端子法测定。
透明导电积层体的b*值的测定方法,是以JIS中定义的L*a*b*表色系的蓝黄色度感指数b*为基准,使用日立制作所制造的分光光谱仪U4100,并依据JISZ 8722号方法测定。其中,由于本发明的一实施例的第一导电层及/或第二导电层为氧化铟锡,且氧化铟锡本身对短波长的透光度较低,使其b*值大于2.0,呈现偏黄色。因此当形成抗腐蚀透明导电薄膜层时,其中包含偏蓝灰色的碳纳米管,可调整氧化铟锡所造成的偏黄色差问题,使透明导电积层体的b*值为-2.0至2.0,呈现中性色。
透明导电积层体的外观评价的测定方法,是将透明导电积层体置于高温且高湿度的环境中,持续一段时间。接着以目测观察及计算特定面积产生的白点数,并根据白点数予以评价。上述评价标准为面积300cm2的透明导电积层体的白点数≦3记为◎,3<白点数≦10记为△,以及白点数>10记为X。
制备不同导电材料占薄膜层体积比的透明导电积层体
实施例1:
实施例1提供一种透明导电积层体,其制造方法包含下列步骤:
(1)溅镀第一导电层。将基材置于溅镀腔体中,以ITO(Sn/(In+Sn)=10wt%)为靶材,对腔体抽真空后,通入溅镀气体,于室温下溅镀第一导电层。第一导电层的厚度为56纳米。上述溅镀气体可为氩气(Ar)及氧气(O2)的混合气体。
(2)沉积金属导电层。接续步骤(1),关闭氧气并持续通入氩气,以银为靶材沉积金属导电层。金属导电层的厚度为7纳米。
(3)溅镀第二导电层。接续步骤(2),以步骤(1)所述的方法,于金属导电层上溅镀第二导电层。第二导电层的厚度为56纳米。
在此借由上述测定方法,测定由上述3步骤所制成的中间产物组件的透光度为87.17%,表面电阻为15Ω/□,以及b*值为6.49。
(4)配制抗腐蚀溶液。将碳纳米管及水性PU-1加入异丙醇水溶液(水:异丙醇的重量比为1:0.7)中,均匀混合后得到碳纳米管及水性PU的含量为0.2wt%的抗腐蚀溶液。
(5)涂布抗腐蚀薄膜层。接续步骤(3),以线棒涂布法,将步骤(4)所配制的抗腐蚀溶液涂布于第二导电层上。待烘干后,以碳纳米管比重2.6g/cm3及水性PU比重1.1g/cm3进行计算,所得的抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为4.06v/v%,测量抗腐蚀薄膜层的厚度为40纳米。
(6)抗腐蚀测试。将上述透明导电积层体置于温度为60℃且湿度为90%的环境中,持续240小时。随后借由上述测定方法,测定实施例1的雾度、透光度、表面电阻、b*值及外观评价。
实施例2及3:
实施例2及3的透明导电积层体,其制造方法中,步骤(1)至(3)、(5)及(6)皆与实施例1相同,而步骤(4)改为将碳纳米管及水性PU-2加入异丙醇水溶液(水:异丙醇的重量比为1:0.7)中,均匀混合后得到碳纳米管及水性PU的含量为0.2wt%的抗腐蚀溶液。待烘干后,实施例2及3的抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为29.73v/v%。实施例2的抗腐蚀薄膜层的厚度为30纳米,而实施例3的抗腐蚀薄膜层的厚度为40纳米。
比较例1:
比较例1的中间组件,其制造方法中,步骤(1)至(3)及(6)皆与实施例1相同,但无抗腐蚀薄膜层。
比较例2至4:
比较例2至4的透明导电积层体,其制造方法中,步骤(1)至(6)皆与实施例1相同。比较例2的抗腐蚀薄膜层的厚度为10纳米,比较例3的抗腐蚀薄膜层的厚度为20纳米,而比较例4的抗腐蚀薄膜层的厚度为30纳米。
比较例5及6:
比较例5及6的透明导电积层体,其制造方法中,步骤(1)至(3)、(5)及(6)皆与实施例1相同,而步骤(4)改为将碳纳米管及水性PU-3加入异丙醇水溶液(水:异丙醇的重量比为1:0.7)中,均匀混合后得到碳纳米管及水性PU的含量为0.2wt%的抗腐蚀溶液。待烘干后,比较例5及6的抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为29.73v/v%。比较例5的抗腐蚀薄膜层的厚度为30纳米,而比较例6的抗腐蚀薄膜层的厚度为40纳米。
比较例7:
比较例7的透明导电积层体,其制造方法中,步骤(1)、(2)、(5)及(6)皆与实施例1相同,但省略步骤(3)及(4),直接将水性PU-1(不含碳纳米管)涂布于金属层之上。比较例7的抗腐蚀薄膜层的厚度为120纳米。
比较例8至11:
比较例8至11的透明导电积层体,其制造方法中,步骤(1)至(3)、(5)及(6)皆与实施例1相同,但省略步骤(4),直接将不同水性PU(不含碳纳米管)涂布于第二导电层之上。比较例8使用水性PU-2,比较例9使用水性PU-3,比较例10使用水性PU-4,而比较例11则使用环氧丙烯酸酯。比较例8至11的抗腐蚀薄膜层的厚度皆为120纳米。
比较例12:
比较例12的透明导电积层体,其制造方法中,步骤(1)、(2)、(5)及(6)皆与实施例1相同,但省略步骤(3),而步骤(4)改为将聚乙撑二氧噻吩(PEDOT):聚苯乙烯(PSS)及水性PU-4加入异丙醇水溶液(水:异丙醇的重量比为1:0.7)中,均匀混合后得到碳纳米管及水性PU的含量为0.2wt%的抗腐蚀溶液。待烘干后,比较例12的抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为29.73v/v%。比较例12的抗腐蚀薄膜层的厚度为120纳米。
上述实施例1至3及比较例1至12的组成与结构关系,摘要示于下表2中,测试所得的结果则摘要示于下表3中:
表2为实施例1至3及比较例1至12的组成与结构关系
表3为实施例1至3及比较例1至12的测试结果
对照表2的透明导电积层体的结构与表3的测试结果。显示本发明抗腐蚀薄膜层可有效抑制透明导电积层体的白点数生成(白点数≦3)并且不会导致表面电阻上升(≦15Ω/□),其抗腐蚀薄膜层的厚度较佳为不小于20纳米。
为让透明导电积层体具有较佳的色相,b*的范围须介于-2.0~2.0。比对上述实施例1至2及比较例1、4、6的测试结果可得知,在抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为4.06v/v%的条件下,当上述抗腐蚀薄膜层厚度低于30纳米时,其b*>2,表示改善色相的效果不佳,另外,在抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为29.73v/v%的条件下,上述抗腐蚀薄膜层厚度低于20纳米时,亦无法有助于改善色相。
实施例4:
实施例4的透明导电积层体,其制造方法中,步骤(1)至(6)皆与实施例1相同。实施例4的抗腐蚀薄膜层的厚度为130纳米。
实施例5:
实施例5的透明导电积层体,其制造方法中,步骤(1)至(3)、(5)及(6)皆与实施例1相同,而步骤(4)改为将碳纳米管及水性PU-2加入异丙醇水溶液(水:异丙醇=1:0.7)中,均匀混合后得到碳纳米管及水性PU的含量为0.2wt%的抗腐蚀溶液。待烘干后,实施例5的抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为29.73v/v%。实施例5的抗腐蚀薄膜层的厚度为120纳米。
比较例13及14:
比较例13及14的透明导电积层体,其制造方法中,步骤(1)至(3)、(5)及(6)皆与实施例1相同,而步骤(4)改为将碳纳米管及水性PU-2加入异丙醇水溶液(水:异丙醇重量比为1:0.7)中,均匀混合后得到碳纳米管及水性PU的含量为0.2wt%的抗腐蚀溶液。待烘干后,比较例13及14的抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为29.73v/v%。比较例13的抗腐蚀薄膜层的厚度为130纳米,而比较例14的抗腐蚀薄膜层的厚度为150纳米。
比较例15:
比较例15的透明导电积层体,其制造方法包含中,步骤(1)至(6)皆与实施例1相同。比较例15的抗腐蚀薄膜层的厚度为150纳米。
上述实施例4至5及比较例13至15的组成与结构关系,摘要示于下表4中,测试所得的结果则摘要示于下表5中:
表4为实施例4至5及比较例13至15的组成与结构关系
表5为实施例4至5及比较例13至15的测试结果
对照表5的透明导电积层体的结构与表6的测试结果。为让透明导电积层体符合后端应用的需求,应使透光度≧75%。从上述的实施例与比较例中可得知,在抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为4.06v/v%的条件下,当上述抗腐蚀薄膜层厚度>150纳米时,其透光度<75%,另外,在抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为29.73v/v%的条件下,当上述抗腐蚀薄膜层厚度>130纳米时,亦会使得透光度表现无法达到预期。
抗腐蚀薄膜层的可使用范围
图2是依据表3及表5所得的测试结果所绘示而成。依据表3及表5所述的结果,其抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量较佳为3v/v%至32v/v%。一方面若抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为小于3v/v%时,则碳纳米管无法形成通路,增加表面电阻。另一方面若抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为大于32v/v%,则碳纳米管无法分散,造成薄膜表面不均匀。
当抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为3v/v%时,薄膜层厚度应介于30纳米至150纳米。一方面若薄膜层厚度小于30纳米时,则无法改善色相。另一方面若薄膜层厚度大于150纳米时,则使透明导电积层体的透光度降低。
当抗腐蚀薄膜层的碳纳米管的含量为32v/v%时,薄膜层厚度应介于20纳米至130纳米。此时由于碳纳米管比例增加,使得薄膜层的呈色较深,但薄膜层厚度于上述范围时,仍为可用范围。
根据上述结果可归纳出4直线,其数学式分别为y=3、y=32、y=-2.9x+100以及y=-2.9x+400。再依据上述4直线绘示于X-Y坐标图中,其中由上述4直线分割的封闭区域为抗腐蚀薄膜层的可用范围。上述4直线的数学式存在一简单数学关系式为y=-2.9x+a,其中y为3至32,且a为100至400。
依据上述本发明的实施方式,其所提供的抗腐蚀薄膜层,可有效抑制复合导电层中金属因氧化或腐蚀而产生白点,以维持复合导电层的导电度及透光度。并且由于碳纳米管偏蓝灰色,可使透明导电积层体的呈色由偏黄色趋于中性色,具有改善色相的效果。本发明的最佳实施方式以揭露如上所述,然而所列举的制造方法并不局限于本发明的实施例。任何本发明所属技术领域中习知技艺者,在不偏离本发明的精神与范围时,可进行各种修饰或变换。故此本发明的保护范围当以下所附的权利要求范围所界定者为之。

Claims (13)

1.一种透明导电积层体,包含:
一复合导电层,其至少包含一基材与一金属导电层;以及
一抗腐蚀薄膜层,其设置于该复合导电层上,且其本体由一其内分散有多个碳纳米管的水性聚胺基甲酸酯(PU)所构成,
其中,所述抗腐蚀薄膜层的厚度为x纳米,所述抗腐蚀薄膜层含有的所述碳纳米管的体积百分比为y%,所述抗腐蚀薄膜的厚度与所述碳纳米管的体积百分比之间,具有下述数学关系式:
y=-2.9x+a
其中,y为3至32,且a为100至400。
2.如权利要求1所述透明导电积层体,其特征在于,所述碳纳米管为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管、多壁碳纳米管或它们的组合构成的族群。
3.如权利要求1所述的透明导电积层体,其特征在于,该水性聚胺基甲酸酯(PU)具有至少一亲水性官能基,其选自由羧酸基、磺酸基、铵基、乙氧基及其组合所构成的族群。
4.如权利要求1所述的透明导电积层体,其特征在于,该基材的材料选自由聚酯系树脂、醋酸系树脂、聚醚系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、丙烯酸酯系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚芳酯系树脂、聚苯硫系树脂、聚二氯亚乙烯系树脂、甲基丙烯酸酯系树脂及其组合所构成的族群。
5.如权利要求1所述的透明导电积层体,其特征在于,该金属导电层的材料选自由银、铝、铜及其组合所构成的族群。
6.如权利要求1所述的透明导电积层体,其特征在于,该复合导电层中进一步包含一导电层,且该导电层设置于该金属导电层与该抗腐蚀薄膜层之间。
7.如权利要求1所述的透明导电积层体,其特征在于,该复合导电层中进一步包含一导电层,且该导电层设置于该金属导电层与该基材之间。
8.如权利要求6或7所述的透明导电积层体,其特征在于,该导电层的材料为一金属或一金属氧化物。
9.如权利要求8所述的透明导电积层体,其特征在于,该金属选自由银、铝、铜及其组合所构成的族群。
10.如权利要求8所述的透明导电积层体,其特征在于,该金属氧化物选自由氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锑、氧化锌铝、氧化铟锌及其组合所构成的族群。
11.一种如权利要求1所述的透明导电积层体的制造方法,包含:
配制一抗腐蚀溶液,其包含一溶剂、多个碳纳米管与一水性聚胺基甲酸酯(PU);
涂布该抗腐蚀溶液于该复合导电层上;以及
烘干该抗腐蚀溶液,以形成该抗腐蚀薄膜层,
其中,所述抗腐蚀薄膜层的厚度为x纳米,所述抗腐蚀薄膜层含有的所述碳纳米管的体积百分比为y%,所述抗腐蚀薄膜的厚度与所述碳纳米管的体积百分比之间,具有下述数学关系式:
y=-2.9x+a
其中,y为3至32,且a为100至400。
12.如权利要求11所述的透明导电积层体的制造方法,其特征在于,该溶剂为水及异丙醇的混合液,且其重量比为1:0.6至1:1。
13.如权利要求11所述的透明导电积层体的制造方法,其特征在于,所述碳纳米管及该水性聚胺基甲酸酯(PU)在该抗腐蚀溶液中的含量为0.1-1.0wt%。
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