CN103378273A - 发光二极管封装方法 - Google Patents
发光二极管封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103378273A CN103378273A CN201210125770XA CN201210125770A CN103378273A CN 103378273 A CN103378273 A CN 103378273A CN 201210125770X A CN201210125770X A CN 201210125770XA CN 201210125770 A CN201210125770 A CN 201210125770A CN 103378273 A CN103378273 A CN 103378273A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hole
- electrode
- fluorescent glue
- substrate
- mould
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 35
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 33
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 18
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- -1 pottery Substances 0.000 claims 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 abstract 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种发光二极管封装方法，包括以下步骤：提供基板，该基板包括间隔设置的第一电极及第二电极；提供发光二极管晶粒，使该发光二极管晶粒位于该基板的上方并与第一电极及第二电极电连接；提供开设有孔穴的模具，将该模具设于基板上，并使该发光二极管晶粒收容在该孔穴的底部中央；提供荧光胶，并将该荧光胶填充于该模具的孔穴内，在模具上方设置刮具，使该刮具相对该模具运动，以刮去该孔穴内溢出的荧光胶；固化该荧光胶，并移除该模具，使填充在孔穴内的荧光胶形成包覆发光二极管晶粒的荧光膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体的制造方法，尤其涉及一种发光二极管的封装方法。
背景技术
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而由于LED结构的封装制程会直接影响到其使用性能与寿命，例如在光学控制方面，可以藉由封装制程提高出光效率以及优化光束分布。目前在LED芯片上以点胶方式设置掺混有荧光粉的封胶，虽然所述胶体与所述荧光粉是具有提高LED发光效率作用，但是由于所述的点胶方式较难控制所述封胶的形状及厚度，从而影响了LED的侧向光的出光效率，且会导致LED出光的颜色不均匀。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种能使荧光粉厚度均匀的发光二极管封装方法。
一种发光二极管封装方法，包括以下步骤：
提供一基板，该基板包括间隔设置的一第一电极及一第二电极；
提供一发光二极管晶粒，使该发光二极管晶粒位于该基板的上方并与第一电极及第二电极电连接；
提供一开设有孔穴的模具，将该模具设于基板上，并使该发光二极管晶粒收容在该孔穴的底部中央；
提供荧光胶，并将该荧光胶填充于该模具的孔穴内，在模具上方设置刮具，使该刮具相对该模具运动，以刮去该孔穴内溢出的荧光胶；
固化该荧光胶，并移除该模具，使填充在孔穴内的荧光胶形成包覆发光二极管晶粒的荧光膜。
本发明提供的发光二极管的封装方法中，利用特定模具配合刮具将荧光胶在发光二极管的外围形成一共形覆膜的荧光层，可以控制荧光层形成的厚度和其内部混合的荧光粉的浓度并使其分布均匀，藉由该共形覆膜的荧光层结构使得该发光二极管的出光颜色更加的均匀，且提高了该发光二极管的侧向发光效率。
下面参照附图，结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明发光二极管封装方法步骤的流程图。
图2至图7为本发明发光二极管封装方法的示意图。
图8为图7的局部放大图。
主要元件符号说明
| 基板 | 10 |
| 第一电极 | 11 |
| 第二电极 | 13 |
| 容置槽 | 20 |
| 发光二极管晶粒 | 30 |
| 模具 | 40 |
| 孔穴 | 41 |
| 容置空间 | 43 |
| 荧光胶 | 60 |
| 荧光膜 | 61 |
| 刮具 | 70 |
| 顶面 | 101a、301 |
| 底面 | 101b、303 |
| 侧面 | 302 |
| 导电凸起 | 305、307 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
图1示出了本发明一实施例的发光二极管封装制作流程示意图。
如图1所示，本发明发光二极管封装方法步骤包括：
S11提供基板，该基板包括间隔设置的第一电极及第二电极；
S12提供发光二极管晶粒，使该发光二极管晶粒位于该基板的上方并与第一电极及第二电极电连接；
S13提供开设有孔穴的模具，将该模具设于基板上，并使该发光二极管晶粒收容在该孔穴的底部中央；
S14提供荧光胶，并将该荧光胶填充于该模具的孔穴内，在模具上方设置刮具，使该刮具相对该模具运动，以刮去该孔穴内溢出的荧光胶；
S15固化该荧光胶，并移除该模具，使填充在孔穴内的荧光胶形成包覆发光二极管晶粒的荧光膜。
下面结合其他图示对该流程作详细说明。
请参见图2，提供一基板10，该基板10上设置间隔的一第一电极11及一第二电极13。该基板10包括一个顶面101a以及一个底面101b，所述第一电极11以及第二电极13在基板10的顶面101a上相对间隔设置，并且自所述顶面101a延伸至所述底面101b。所述基板10为绝缘基板，其材质可以为是陶瓷(Ceramic)、硅(Si)、蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)等绝缘材料。
请参见图3，提供一发光二极管晶粒30，使该发光二极管晶粒30位于基板10的上方并固定在第一电极11及第二电极13上。该发光二极管晶粒30与第一、第二电极11、13进行电性连接。该发光二极管晶粒30包括一远离基板10的顶面301、一靠近基板10的底面303及连接顶面301与底面303的一侧面302。该发光二极管晶粒30的纵截面大致为一等腰梯形，其沿基板10纵向延伸的宽度自远离基板10的顶面301向靠近基板10的底面303逐渐增大。该底面303相对两侧分别凸设有一导电凸起305、307，这些导电凸起305、307分别与第一电极11及第二电极13电性连接。该发光二极管晶粒30的底面303与该基板10的顶面101a以及第一、二电极11、13的相互靠近的两端面共同围设形成一容置槽20。该容置槽20的纵截面呈“T”形，其用于容置胶体，从而使该发光二极管晶粒30与第一电极11、第二电极13的连接更加稳固。
请参见图4，提供一开设有孔穴41的模具40，将该模具40抵合该第一电极11、第二电极13的上表面，并使该发光二极管晶粒30收容在该孔穴41的底部中央；该孔穴41的纵截面为一等腰梯形，其沿基板10的纵向延伸的宽度自远离基板10的顶部向靠近基板10的底部逐渐增大。该孔穴41相对的两端面与该发光二极管晶粒30的顶面301以及侧面302之间形成一厚度均匀的容置空间43，该容置空间43用于收容荧光胶体于其内，由于该孔穴41的顶部及侧部与该发光二极管晶粒30的顶面301及侧面302之间的距离相等，因此在该容置空间43内会形成一厚度均匀的荧光层。
请同时参见图5及图6，提供荧光胶60，并将该荧光胶60填充于该模具40的孔穴41内，在模具40上方设置刮具70，使该模具40与该刮具70相对运动，使该刮具70刮去该孔穴41内溢出的荧光胶。具体的，将该荧光胶60逐滴点入该孔穴41内，由于重力作用，使得该荧光胶60逐滴浸入该孔穴41直至该荧光胶60充分填充该孔穴41。该荧光胶60为一荧光材料和透明胶体等的混合胶状体。当该荧光胶60充分填充该孔穴41后，使刮具70与该模具40之间产生水平方向的相对运动，由于此时刮具70紧贴该模具40的上表面，从而使得在刮具70与模具40运动的过程中，该刮具70会将该孔穴41中溢出的荧光胶60刮去。由于该容置空间43的厚度是均匀的，从而在该容置空间43内形成一厚度均匀的荧光层。本实施例中，该刮具70可以为刮刀，也可以为刮片等其他装置，只要能将该孔穴41中溢出的荧光胶60刮去即可。当然，该荧光胶60也可以采用渐射的方式逐渐填充该孔穴41，然后利用刮具70将溢出孔穴41的部分刮去即可。
请参见图7及图8，固化该荧光胶60，并移除该模具40，使填充在孔穴41内的荧光胶60形成一完全包覆发光二极管晶粒30的荧光膜61。具体的，待该荧光胶60完全填满该孔穴41后，通过加热使该荧光胶60熔融，从而使其均匀填充孔穴41与发光二极管晶粒30之间的间隙，然后使其凝固。竖直向上移除该模具40，从而使得该模具40与该第一电极11、第二电极13相互分离，如此便形成了覆盖该发光二极管晶粒30的共形覆膜的荧光膜61。由于该模具40与该发光二极管晶粒30的顶面301及侧面302之间的容置空间43的厚度是均匀的，从而使得该荧光膜61的厚度也是均匀的，如此则使得该发光二极管晶粒30的出光颜色更加均匀，同时也提高了该发光二极管晶粒30的侧向光的发光效率。
另一实施例中，可以将荧光胶60点设于该模具40上表面，同时，在模具40上方设置一刮具70，使该模具40与该刮具70相对运动，使该荧光胶60填充于孔穴41内。具体的，将该荧光胶60点设于该模具40靠近孔穴41的一端的上表面，该荧光胶60具有一定的厚度，该刮具70设置在该模具40的远离孔穴41的一端上方并紧贴模具40的上表面，该刮具70和模具40可沿各自所在的平面向相反方向相对运动，从而可以将该荧光胶60刮入该容置空间43内。当该刮具70自模具40远离孔穴41的一端向靠近孔穴41的一端水平移动时，由于刮具70与该荧光胶60接触，一方面，由于该刮具70的水平移动，使得该刮具70对该荧光胶60具有一定的搅合作用，从而使得该荧光胶60的浓度更加均匀，另一方面该刮具70在移动的过程中，由于该刮具70的作用和该荧光胶60的自身重力的作用，使得该荧光胶60逐渐填充该孔穴41，当该刮具70移动至该孔穴41的另一端时，该荧光胶60被该刮具70刮入该容置空间43内，并充分填充该容置空间43及该容置槽20，从而形成一荧光膜61。同时，由于该刮具70以及该荧光胶60自身重力的作用，使得该荧光膜61的分布更加均匀。
综上，本发明提供的发光二极管的封装方法，采用特定模具、刮具以及荧光胶配合，在发光二极管晶粒的周围形成一厚度均匀的荧光层，从而使得固化后的荧光层分布均匀，该方法具有制程简单、成本低、可以有效提升发光二极管出光颜色均匀和侧向发光效率的效能。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管封装方法，包括以下步骤：提供基板，该基板包括间隔设置的第一电极及第二电极；提供发光二极管晶粒，使该发光二极管晶粒位于该基板的上方并与第一电极及第二电极电连接；提供开设有孔穴的模具，将该模具设于基板上，并使该发光二极管晶粒收容在该孔穴的底部中央；提供荧光胶，并将该荧光胶填充于该模具的孔穴内，在模具上方设置刮具，使该刮具相对该模具运动，以刮去该孔穴内溢出的荧光胶；固化该荧光胶，并移除该模具，使填充在孔穴内的荧光胶形成包覆发光二极管晶粒的荧光膜。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：将荧光胶填充于该模具的孔穴内时，所述荧光胶采用直接向所述孔穴内点设或溅射的方式填充。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：将所述荧光胶填充于模具的孔穴内包括先将荧光胶点设于模具表面，再利用刮具将荧光胶刮入孔穴。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述孔穴的顶部及侧部与所述发光二极管晶粒的顶面及侧面之间的距离相等，从而使所述荧光胶固化后，形成以均匀厚度包裹发光二极管晶粒四周的荧光膜。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述发光二极管晶粒的纵截面为等腰梯形，且其宽度自与第一电极及第二电极相连的一端向远离第一电极及第二电极的一端逐渐减小。
6.如权利要求4所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述孔穴的纵截面为等腰梯形，其沿所述基板的纵向延伸的宽度自远离基板的顶部向靠近基板的底部逐渐增大。
7.如权利要求5所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述发光二极管晶粒的底面相对两侧分别凸设有一导电凸起，这些导电凸起用以与第一电极及第二电极形成电性连接。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述基板的材质可以为是陶瓷、硅、蓝宝石、碳化硅等绝缘材料。
9.如权利要求4所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述荧光胶为荧光材料和透明胶体的混合胶状体。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述发光二极管晶粒的底面与所述基板的顶面以及第一、二电极的相互靠近的两端面共同围设形成一“T”形的容置槽，其用以容置胶体于其内。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210125770.XA CN103378273B (zh) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | 发光二极管封装方法 |
| TW101115487A TW201344982A (zh) | 2012-04-26 | 2012-05-02 | 發光二極體封裝方法 |
| US13/726,193 US20130288409A1 (en) | 2012-04-26 | 2012-12-23 | Method for manufacturing light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210125770.XA CN103378273B (zh) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | 发光二极管封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103378273A true CN103378273A (zh) | 2013-10-30 |
| CN103378273B CN103378273B (zh) | 2016-01-20 |
Family
ID=49463101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210125770.XA Active CN103378273B (zh) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | 发光二极管封装方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130288409A1 (zh) |
| CN (1) | CN103378273B (zh) |
| TW (1) | TW201344982A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108847439A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-11-20 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管的封装方法及发光二极管 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10439107B2 (en) * | 2013-02-05 | 2019-10-08 | Cree, Inc. | Chip with integrated phosphor |
| US9954144B2 (en) * | 2014-01-10 | 2018-04-24 | Cree, Inc. | Wafer level contact pad solder bumping for surface mount devices with non-planar recessed contacting surfaces |
| CN103943756A (zh) * | 2014-04-15 | 2014-07-23 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种led模块cob封装工艺及结构 |
| CN104916760A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-09-16 | 李峰 | 一种胶膜模腔式制作方法及其制成的胶膜 |
| KR20200105568A (ko) * | 2019-02-28 | 2020-09-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치, 전자 장치 제조 방법, 및 발광 소자 전이 방법 |
| CN110061114B (zh) * | 2019-04-12 | 2020-07-17 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种led器件成型模具及设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101401221A (zh) * | 2006-03-08 | 2009-04-01 | 罗姆股份有限公司 | 芯片型半导体发光元件 |
| US20100181582A1 (en) * | 2009-01-22 | 2010-07-22 | Intematix Corporation | Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof |
| CN102339936A (zh) * | 2010-07-27 | 2012-02-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光装置封装结构及其制造方法 |
-
2012
- 2012-04-26 CN CN201210125770.XA patent/CN103378273B/zh active Active
- 2012-05-02 TW TW101115487A patent/TW201344982A/zh unknown
- 2012-12-23 US US13/726,193 patent/US20130288409A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101401221A (zh) * | 2006-03-08 | 2009-04-01 | 罗姆股份有限公司 | 芯片型半导体发光元件 |
| US20100181582A1 (en) * | 2009-01-22 | 2010-07-22 | Intematix Corporation | Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof |
| CN102339936A (zh) * | 2010-07-27 | 2012-02-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光装置封装结构及其制造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108847439A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-11-20 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管的封装方法及发光二极管 |
| CN108847439B (zh) * | 2018-04-28 | 2020-07-07 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管的封装方法及发光二极管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103378273B (zh) | 2016-01-20 |
| TW201344982A (zh) | 2013-11-01 |
| US20130288409A1 (en) | 2013-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103378273B (zh) | 发光二极管封装方法 | |
| CN104733597A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| US8394654B2 (en) | Method for coating phosphor, apparatus to perform the method, and light emitting diode comprising phosphor coating layer | |
| CN202084524U (zh) | 封装板 | |
| CN102795005B (zh) | 一种led模组的荧光粉丝网印刷工艺 | |
| JPWO2010123059A1 (ja) | Ｌｅｄ発光デバイスの製造方法 | |
| JP2011035198A (ja) | Ｌｅｄ発光デバイスの製造方法 | |
| US8883533B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode package | |
| CN101388426B (zh) | 一种发光半导体晶片和发光半导体组件的制造方法 | |
| TW201338213A (zh) | 發光二極體封裝結構之製造方法 | |
| CN103367599A (zh) | 发光二极管封装结构的制造方法 | |
| CN102044624B (zh) | 一种可发复合光的led器件、发光元件及制造方法 | |
| US8906715B2 (en) | Light emitting diode package having fluorescent film directly coated on light emitting diode die and method for manufacturing the same | |
| CN102738370A (zh) | Led封装方法 | |
| CN101393950A (zh) | 发光二极管的倒装封装制作方法 | |
| CN103022326A (zh) | Led发光二极管的集约封装方法 | |
| JP2017076673A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| CN103178165B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN207068918U (zh) | 一种芯片级cob模组 | |
| CN102891141A (zh) | 防水防腐散热高绝缘led陶瓷集成光源及其制作方法 | |
| CN104752580A (zh) | 发光二极管封装体的制造方法 | |
| US20130248906A1 (en) | Light emitting diode package structure and method for fabricating the same | |
| KR101474265B1 (ko) | 경화성 수지를 이용한 형광층 제조방법 및 발광 다이오드 패키지 제조방법 | |
| TWI484664B (zh) | 螢光粉粒子之塗佈方法 | |
| TWI537133B (zh) | 光轉換層之形成方法、光轉換構件之製造方法及發光裝置之製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160808 Address after: 510000 K building, No. 12, 3rd Street, Yushu Industrial Park, Luogang District, Guangdong, Guangzhou, 2-3 Patentee after: Guangzhou man Lighting Co., Ltd. Address before: 518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Street tabulaeformis Industrial Zone tenth east two Ring Road No. two Patentee before: Zhanjing Technology (Shenzhen) Co., Ltd. Patentee before: Advanced Optoelectronic Technology Inc. |