闪烁晶体探测器模块的制作方法
技术领域
本发明涉及一种闪烁晶体探测器模块的制作方法。
背景技术
正电子发射型计算机断层显像(PET,Positron Emission ComputedTomography)/电子计算机X射线断层扫描(CT,electronic computer X-raytomography)中常用的闪烁晶体探测器模块是由一些相同大小的单根晶体阵列构成的,每根晶体之间夹有反射膜以实现分光效果,用于识别每根晶体的位置。专利号为6956214的美国专利中公开了一种快捷的闪烁晶体探测器的制作方法(即MFSSS法),其操作流程如图1至图3所示。首先参考图1,将多个晶体片11与反射膜12用液体胶粘在一起形成三明治模块;然后参考图2,沿着垂直于晶体片11表面的方向将三明治模块切成薄片;之后参考图3,将切成的薄片再次与反射膜12粘在一起形成一个晶体阵列。
上述方法在粘贴晶体片和反射膜时通常采用液态的光敏固化胶(UV固化胶),在胶水固化之前,即使固定整个闪烁晶体探测器模块的外形尺寸使其符合要求,但是模块内部的晶体与晶体之间会相互挤压摩擦使得反射膜容易发生滑动和偏移,造成反光比率变化,最终使得闪烁晶体探测器模块局部无法识别晶体的位置,导致残次品的出现。图4为闪烁晶体探测器模块在挤压前的剖面结构图,图5为挤压后的剖面结构图,图6为反射膜的平面结构图,结合图4至图6,反射膜12整体被粘贴在晶体片11之间,在胶水固化过程中的挤压将导致反射膜12随液态的胶水向上滑动。
由于晶体材料较为昂贵(一个制作完成的闪烁晶体探测器模块的价格通常为数百甚至上千美元),而闪烁晶体探测器模块中间的反射膜滑动问题无法直接从外部使用肉眼来识别,一旦发生滑动问题后,除了液体胶水固化后用实验手段测量没有其他检测手段,但是待胶水固化后才发现反射膜滑动已经无可挽救,因此需要一种防止内部反射膜滑动的方法来降低废品率,降低生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种PET/CT闪烁晶体探测器模块的制作方法,以防止反射膜的滑动,降低废品率。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种PET/CT闪烁晶体探测器模块的制作方法,包括:
提供晶体片,所述晶体片具有粘贴面及与粘贴面垂直的侧表面;
提供反射膜,所述反射膜包括主体部和与主体部连接的压折部;
将反射膜的主体部粘贴至晶体片的粘贴面;
交替粘贴反射膜和晶体片以形成晶体模块;
其中所述反射膜的压折部用于与晶体片的侧表面接触。
可选地,所述反射膜的主体部和压折部是一体成型的。
可选地,所述反射膜的主体部和压折部之间具有折痕标记,在将反射膜的主体部粘贴至晶体片的粘贴面时,所述折痕标记与晶体片的粘贴面的边缘对准。
可选地,在将反射膜的主体部粘贴至晶体片的粘贴面之后,所述压折部自所述晶体模块的伸出长度为1.5mm至2.5mm。
可选地,所述制作方法还包括:在反射膜的主体部粘贴至晶体片的粘贴面之前,在所述反射膜的主体部与晶体片的粘贴面之间进行涂胶处理。
可选地,所述反射膜的主体部与晶体片的粘贴面上均涂有光敏固化胶。
可选地,所述晶体片与反射膜交替粘贴后进行胶固化处理以形成晶体模块。
可选地,所述制作方法还包括:所述晶体模块在进行胶固化处理前,用压条对晶体片与反射膜进行压紧处理,使晶体片的相应侧表面平齐。
可选地,所述交替粘贴反射膜和晶体片以形成晶体模块的步骤包括:在所述反射膜的主体部的另一表面与另一晶体片的粘贴面之间进行涂胶处理,以粘贴另一晶体片。
可选地,所述反射膜的压折部压于晶体片的侧表面上。
可选地,所述晶体模块在进行胶固化处理后去除反射膜的压折部。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
本发明实施例的闪烁晶体探测器模块的制作方法中,所采用的反射膜包括主体部和连接于主体部的压折部,其中主体部的尺寸为闪烁晶体探测器模块所需要的预定规格尺寸,而压折部为额外添加的部分,在制作过程中反射膜的主体部与晶体片交替粘贴形成三明治结构的晶体模块,而压折部则与晶体片的侧表面接触,由于压折部与晶体片的侧表面接触,因而在挤压时反射膜并不会随胶水滑动,有利于降低产品的废品率以及生产成本。
附图说明
图1至图3是现有技术中一种闪烁晶体探测器模块制作方法中各步骤的结构示意图;
图4是现有技术中的闪烁晶体探测器模块在挤压前的剖面结构示意图;
图5是现有技术中的闪烁晶体探测器模块在挤压后的剖面结构示意图;
图6是现有技术中的闪烁晶体探测器模块所采用的反射膜的平面结构示意图;
图7是本发明实施例的闪烁晶体探测器模块的制作方法的流程示意图;
图8是本发明实施例的闪烁晶体探测器模块的制作方法中所采用的反射膜的平面结构示意图;
图9是本发明实施例的闪烁晶体探测器模块的制作方法中模块在挤压前的剖面结构示意图;
图10是本发明实施例的闪烁晶体探测器模块的制作方法中模块在挤压后的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明,但不应以此限制本发明的保护范围。
图7示出了本实施例的闪烁晶体探测器模块的制作方法的流程示意图,包括:
步骤S71,提供晶体片,所述晶体片具有粘贴面及与粘贴面垂直的侧表面;
步骤S72,提供反射膜,所述反射膜包括主体部和与所述主体部连接的压折部;
步骤S73,将反射膜的主体部粘贴至晶体片的粘贴面;
步骤S74,交替粘贴反射膜和晶体片以形成晶体模块;其中所述反射膜的压折部用于与晶体片的侧表面接触。
需要说明的是,晶体片的粘贴面指的是晶体片中与反射膜粘贴的表面,具体而言,晶体片中面积较大的相对两个表面都可以作为粘贴面,而晶体片的侧表面则是垂直于粘贴面的4个表面中的任何一个。更进一步地说,晶体片的侧表面是在本方法的一个实施例中与反射膜的压折部接触并且在其过程中压着反射膜的压折部的表面。
图8示出了步骤S72中的反射膜81的平面结构示意图,反射膜81包括主体部811和压折部812,其中压折部812连接于主体部811的一侧边。主体部811的尺寸为闪烁晶体探测器模块所需要的预定规格尺寸,例如对于与背景技术中相同尺寸规格的闪烁晶体探测器模块,主体部811的形状大小与图6中的反射膜12的形状大小相同,压折部812连接在主体部811的一侧边上。压折部812可以和主体部811一体成型,也可以外部附连在主体部811的侧边上。本实施例中,整个反射膜81是一体成型的,压折部812和主体部811之间具有折痕标记,例如打印的虚线标记等,以便于操作者在后续进行粘贴时进行识别和定位。
在本实施例中,在执行步骤S73时,可以首先对晶体片的粘贴面和反射膜81的主体部811之间进行涂胶处理,例如在反射膜81的主体部811和晶体片的粘贴面上均涂有光敏固化胶。涂胶后将反射膜81的主体部811粘贴在晶体片的粘贴面上,粘贴过程中可以利用压折部812和主体部811之间的折痕标记进行对准,将该折痕标记与晶体片的粘贴面的边缘对齐。之后可以将压折部812沿折痕标记与晶体片的侧表面接触,例如可以将压折部812压于晶体片的侧表面上,同时保持主体部811粘贴在晶体片的粘贴面上。
之后执行步骤S74,在反射膜的主体部的另一表面与另一晶体片的粘贴面(位于晶体模块中间的晶体片的两个表面都是粘贴面)之间进行涂胶处理,粘贴另一晶体片。交替粘贴反射膜和晶体片,直至晶体片的数量达到预设的层数(例如,3层晶体片2层反射膜、5层晶体片4层反射膜等),最终形成晶体模块。进一步地说,晶体模块为三明治结构。
上述各步骤中,对于晶体片、反射膜的涂胶处理中所采用的胶水的材料都可以采用现有技术中PET/CT闪烁晶体探测器模块中常规的材料。本实施例中,涂胶过程中所使用的胶水为液态的光敏固化胶。
形成晶体模块后,可以将晶体模块竖起,使得各反射膜的压折部被压在整个晶体模块下方。图9为本实施例的晶体模块80的剖面结构示意图,为了简化,图9中的晶体模块仅包含2层晶体片82以及1层反射膜,当然,晶体片82以及反射膜的数量并不应理解为对保护范围的限制,本申请的保护范围应当以权利要求所界定的范围为准。
继续参考图9,反射膜的主体部811粘贴在两片晶体片82的粘贴面821之间,压折部812压于晶体片82的侧表面822上。结合图8和图9,压折部812自晶体模块80突出晶体片82的粘贴面821的边缘的长度d为1.5mm至2.5mm。由于压折部812与晶体片82的侧表面822接触,将晶体模块80竖起之后,压折部812位于整个晶体模块80的底部,即被整个晶体模块80压在下方。
在将晶体模块80竖起之后,还可以使用压条对晶体模块80中的晶体片82和反射膜进行压紧处理,使得晶体模块80的相应侧表面平齐,即使得各压折部812所在的一面平齐。在对晶体模块80进行压紧处理过程中,由于压折部812被压住,因而反射膜并不会随胶水发生滑动。
之后参考图10,将竖起的晶体模块80的四周压紧,也就是将晶体模块80的前、后、左、右四个表面压紧,然后进行胶固化处理。同样地,在压紧固化的过程中,由于压折部812被整个晶体模块80压住,因而反射膜并不会随胶水发生滑动。
在进行胶固化处理之后,可以对晶体模块80的六个表面进行清理,将表面的胶水去除,并将与晶体片82侧表面822接触的压折部812一并去除,完成整个制作过程。压折部812的去除方法包括但不限于刀具割除。
上述实施例中,在步骤S73中,将反射膜的主体部粘贴至晶体片的粘贴面之后,将压折部与侧表面接触。在其他实施例中,在将反射膜的主体部粘贴至晶体片的粘贴面之后,可以并不对压折部进行处理,而是在交替粘贴反射膜和晶体片形成晶体模块后,将各个反射膜的压折部与相应晶体片的侧表面接触,例如压在侧表面上。
综上,本实施例中所采用的反射膜具有额外的压折部,在将主体部粘贴在晶体片的粘贴面后,将压折部与晶体片的侧表面接触,在挤压晶体模块时可以将压折部压在整个晶体模块的底部,防止了反射膜的自由滑动,从而降低了废品率和生产成本。
本发明虽然以较佳实施例公开如上,但其并不是用来限定本发明,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以做出可能的变动和修改,因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。