CN103376459B - 闪烁体探测器晶体阵列的制造方法 - Google Patents

闪烁体探测器晶体阵列的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，包括：提供反射膜；提供晶体片，所述晶体片具有与反射膜接触的粘贴面及与粘贴面垂直的侧表面，所述晶体片设有自粘贴面突伸的凸块，所述凸块突出晶体片的粘贴面的距离与所述反射膜的厚度相同；交替粘贴反射膜与晶体片并对反射膜与晶体片进行胶固化处理以形成晶体模块；其中，所述凸块与反射膜相互靠近的边缘之间具有间隔。本发明利用设置在晶体片的粘贴面上的凸块在胶固化处理并挤压晶体片形成晶体模块过程中保证相邻晶体片之间具有相同的间隔，防止在挤压晶体模块的时候晶体片发生倾斜，保证晶体片之间具有良好的平行度，进而保证探测器晶体阵列的定位精度，从而保证图像质量。

Description

闪烁体探测器晶体阵列的制造方法
技术领域
本发明涉及辐射探测成像技术领域，尤其涉及一种闪烁体探测器晶体阵列的制造方法。
背景技术
正电子发射型计算机断层显像(PET，PositronEmissionComputedTomography)/电子计算机X射线断层扫描(CT，electroniccomputerX-raytomography)中常用的闪烁体探测器晶体模块是由一些相同大小的单根晶体阵列构成的。每相邻两根晶体之间夹有实现分光效果的反射膜，用于识别每根晶体的位置。现有的快速制造闪烁体探测器晶体阵列的方法，如美国专利公告第6956214号专利所揭示。该方法包括如下步骤：提供若干晶体片11与若干反射膜12，并通过液体胶13将晶体片11与反射膜12交替粘结在一起形成三明治模块，请参图1所示；沿垂直于晶体片11与反射膜12接触的接触面的方向将三明治模块切割成薄片，参图2所示；将切割成的薄片再与反射膜12通过液体胶13交替粘结在一起形成如图3所示的晶体阵列。在制造过程中需要通过模具对晶体阵列进行挤压以使晶体阵列在外形尺寸上达到相应的尺寸要求。然而，由于晶体片与反射膜之间通过液体胶粘结的，在进行挤压的时候晶体片之间会发生倾斜而造成晶体片之间不平行，进而影响高灵敏度闪烁晶体探测器的定位精度，从而造成成像模糊。
鉴于上述原因，确有必要提供一种闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，以克服现有技术中存在的缺陷。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，避免在挤压闪烁探测器晶体模块的时候发生晶体片倾斜、不平行影响探测器的定位精度而造成图像模糊。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，包括：
提供反射膜；
提供晶体片，所述晶体片具有与反射膜接触的粘贴面及与粘贴面垂直的侧表面，所述晶体片设有自粘贴面突伸的凸块，所述凸块突出晶体片的粘贴面的距离与所述反射膜的厚度相同；
交替粘贴反射膜与晶体片以形成晶体模块；
其中，所述凸块与所述反射膜相互靠近的边缘之间具有间隔。
可选地，所述凸块是由涂设在晶体片的粘贴面上的液体胶经过胶固化处理形成的。
可选地，所述晶体片的粘贴面与反射膜在粘贴在一起之前均进行涂胶处理。
可选地，所述晶体片与反射膜在交替粘贴后进行胶固化处理以形成晶体模块。
可选地，所述制造方法还包括如下步骤：沿垂直于晶体片的粘贴面的方向将晶体模块切割成薄片。
可选地，所述薄片具有与反射膜接触的贴合面，所述贴合面上突伸设有定位块，所述定位块突出贴合面的距离与反射膜的厚度相同，所述定位块与反射膜相互靠近的边缘之间具有间隔。
可选地，所述定位块是由涂设在薄片的贴合面上的液体胶经过胶固化处理形成的。
可选地，所述制造方法还包括以下步骤：交替粘贴反射膜与薄片以形成晶体阵列。
可选地，所述反射膜与薄片在交替粘贴之前均进行涂胶处理，所述薄片与反射膜在交替粘贴后进行胶固化处理以形成晶体阵列。
可选地，所述晶体片的粘贴面在平行于晶体模块的切割方向上的尺寸大于所述反射膜在平行于所述晶体模块的切割方向上的尺寸所述薄片的贴合面在平行于晶体模块的切割方向上的尺寸大于所述反射膜在平行于晶体模块在平行于晶体模块的切割方向上的尺寸。
与现有技术相比，本发明的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法利用突伸设置在晶体片的粘贴面上并具有突伸出粘贴面的距离与反射膜厚度相等的凸块及突伸设置在薄片的贴合面上并具有突伸出贴合面的距离与反射膜的厚度相等的定位块来保证在挤压晶体阵列时晶体片之间具有良好的平行度，进而保证了闪烁体探测器晶体阵列的定位精度，从而确保图像质量。
附图说明
图1至图3是现有技术中一种闪烁体探测器晶体阵列的制造方法中各步骤的立体结构示意图；
图4是利用现有技术的方法制造的闪烁体探测器晶体阵列的剖面结构示意图；
图5是本发明闪烁体探测器晶体阵列的制造方法的流程示意图；
图6是本发明闪烁体探测器晶体阵列的制造方法中晶体片的俯视图；
图7是沿图6中A-A方向的剖面图；
图8是利用本发明闪烁体探测器晶体阵列的制造方法形成的晶体模块的立体结构示意图，其中晶体片与反射膜之间的液体胶还未进行胶固化处理；
图9是沿图8中B-B方向的剖面图；
图10是利用本发明闪烁体探测器晶体阵列的制造方法形成的晶体阵列的立体结构示意图，其中薄片与反射膜之间的液体胶还未进行胶固化处理。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。
图5示出了本发明的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法的流程示意图，包括：
步骤S51，提供反射膜；
步骤S52，提供晶体片，所述晶体片具有与反射膜接触的粘贴面及与粘贴面垂直的侧表面，所述晶体片设有自粘贴面突伸的凸块，所述凸块突出晶体片的粘贴面的距离与所述反射膜的厚度相同；
步骤S53，对晶体片的粘贴面及反射膜均进行涂胶处理并交替粘贴反射膜与晶体片，所述凸块与反射膜相互靠近的边缘之间具有间隔；
步骤S54，对粘贴在一起的晶体片与反射膜进行胶固化处理形成晶体模块；
步骤S55，沿垂直于晶体模块的粘贴面的方向切割晶体模块以形成多个薄片，所述薄片具有与反射膜接触的贴合面，所述薄片的贴合面上突伸有定位块，所述定位块突出贴合面的距离等于反射膜的厚度；
步骤S56，对薄片的贴合面及反射膜进行涂胶处理并交替粘贴反射膜与薄片，所述定位块与所述反射膜相互靠近的边缘之间具有间隔；
步骤S57，对粘贴在一起的反射膜与薄片进行胶固化处理以形成晶体阵列。
图6示出了步骤S52的俯视图，图7为沿图6中A-A方向的剖面图，在每一晶体片81的粘贴面81a上突伸设有凸块82，凸块82突出晶体片81的粘贴面81a的距离d等于闪烁体探测器晶体阵列所采用的反射膜84的厚度。本发明中“等于”、“相等”等术语应当理解为二者的数值在误差允许的范围内，例如凸块82突出晶体片81的粘贴面81a的距离d与反射膜84的厚度差值范围在±0.01mm以内。
凸块82可以是本实施例中由涂设在晶体片81的粘贴面81a上的液体胶85经过胶固化处理形成的，也可以是由其他方式形成在晶体片81的粘贴面81a上类似固定的结构。在形成凸块82的过程中，所采用的液体胶与后续粘贴工艺中所采用的液体胶相同，例如粘贴晶体片81的粘贴面81a与反射膜84的粘贴工艺中采用的液体胶85、粘贴薄片87与反射膜84的粘贴工艺采用的液体胶85。
参考图8和图9，所述晶体模块83是由进行涂胶处理过的晶体片81与反射膜84交替粘贴至晶体片81的层数达到预设的层数后挤压晶体片81并对粘贴在一起的晶体片81与反射膜84进行胶固化处理后形成的。晶体模块83呈晶体片81与反射膜84相互间隔形成三明治状设置。本实施例中，晶体片81的粘贴面81a与反射膜84在粘贴在一起之前均进行涂胶处理。
晶体片81的粘贴面81a在平行于晶体模块83的切割方向上的尺寸大于所述反射膜84在平行于所述晶体模块83的切割方向上的尺寸，所述晶体片81的粘贴面81a在垂直于晶体模块83的切割方向上的尺寸等于所述反射膜84在垂直于晶体模块83的切割方向上的尺寸。如图8中所示，所述反射膜84粘贴在晶体片81的粘贴面81a的下部，凸块82位于晶体片81的粘贴面81a的上部，即凸块82位于反射膜84上方，相邻晶体片81之间的空间内除反射膜84和凸块82外还填充有液体胶85。
需要说明的是，本发明中晶体片81的粘贴面81a上部是相对于晶体片81上将要粘贴反射膜84的区域而言的，即晶体片81的粘贴面81a上粘贴反射膜84的区域定义为下部，与下部相对的区域定义为上部，实际上凸块82可以形成在上部的任意位置。类似地，凸块82位于反射膜84的上方也是相对的，凸块82与反射膜84相互靠近的边缘之间可以具有间隔。
在对粘贴在一起的反射膜84与晶体片81进行胶固化处理形成晶体模块83的过程中需要挤压晶体片81，由于晶体片81的粘贴面81a上设有凸块82，且凸块82突出晶体片81的粘贴面81a的距离与反射膜84的厚度相同，在挤压过程中可保证晶体模块83的晶体片81之间不会发生歪斜，保证相邻晶体片81之间具有良好的平行度。
参图10所示，沿垂直晶体片81的粘贴面81a的方向切割晶体模块83形成的每一薄片87具有与反射膜84接触的贴合面87a，贴合面87a上突伸设有定位块86。所述定位块86突出贴合面87a的距离与反射膜84的厚度相同。在本实施例中，所述定位块86是由涂设在薄片87的贴合面87a上的液体胶85经过胶固化处理形成的。所述定位块86也可以是由其他方式形成于薄片87的贴合面87a上的呈固态的结构。
晶体阵列88是由经过涂胶处理的薄片87与反射膜84交替粘贴后进行胶固化处理形成的，大致呈三明治状设置。薄片87内相邻的晶体片81之间夹设有反射膜84及由液体胶85固化后形成的固体胶85a。所述薄片87的贴合面87a在平行于晶体模块83的切割方向上的尺寸大于反射膜84在平行于晶体模块83方向上的尺寸。所述反射膜84粘贴在薄片87的贴合面87a的下部，定位块86位于薄片87的贴合面87a的上部，即定位块86位于反射膜84上方，定位块86与反射膜84相互靠近的边缘之间具有间隔。相邻薄片87之间的空间内除反射膜84和定位块86外还填充有液体胶85。形成定位块86的液体胶与对薄片87与反射膜84进行涂胶处理用的液体胶材质相同。
由于薄片87的贴合面87a上突伸设有由胶固化形成的定位块86，并且定位块86突伸出贴合面87a的距离与反射膜84的厚度相同，可在对粘贴在一起的薄片87与反射膜84进行胶固化处理并挤压薄片87形成晶体阵列88的过程中防止薄片87在受到挤压时因液体胶85固化后厚度与反射膜84厚度不一致而造成薄片87发生倾斜，保证薄片87之间具有良好的平行度，进而保证晶体阵列88的定位精度，从而确保图像质量。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，包括：
提供反射膜；
提供晶体片，所述晶体片具有与反射膜接触的粘贴面及与粘贴面垂直的侧表面，所述晶体片设有自粘贴面突伸的凸块，所述凸块突出晶体片的粘贴面的距离与所述反射膜的厚度相同；
交替粘贴反射膜与晶体片以形成晶体模块；
其中，所述凸块与所述反射膜相互靠近的边缘之间具有间隔，所述粘贴面在平行于所述晶体模块的切割方向上的尺寸大于所述反射膜在平行于所述晶体模块的切割方向上的尺寸，所述反射膜粘贴在所述粘贴面的下部，所述凸块位于所述粘贴面的上部；
所述凸块材质和晶体片粘贴面的液体胶相同。
2.根据权利要求1所述的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，所述凸块是由涂设在晶体片的粘贴面上的液体胶经过胶固化处理形成的。
3.根据权利要求1或2所述的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，所述晶体片的粘贴面与反射膜在粘贴在一起之前均进行涂胶处理。
4.根据权利要求3所述的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，所述晶体片与反射膜在交替粘贴后进行胶固化处理以形成晶体模块。
5.根据权利要求1或2所述的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：沿垂直于晶体片的粘贴面的方向将晶体模块切割成薄片。
6.根据权利要求5所述的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，所述薄片具有与反射膜接触的贴合面，所述贴合面上突伸设有定位块，所述定位块突出贴合面的距离与反射膜的厚度相同，所述定位块与反射膜相互靠近的边缘之间具有间隔。
7.根据权利要求6所述的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，所述定位块是由涂设在薄片的贴合面上的液体胶经过胶固化处理形成的。
8.根据权利要求6或7所述的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：交替粘贴反射膜与薄片以形成晶体阵列。
9.根据权利要求8所述的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，所述反射膜与薄片在交替粘贴之前均进行涂胶处理，所述薄片与反射膜在交替粘贴后进行胶固化处理以形成晶体阵列。
10.根据权利要求9所述的闪烁体探测器晶体阵列的制造方法，其特征在于，所述薄片的贴合面在平行于所述晶体模块切割方向上的尺寸大于所述反射膜在平行于晶体模块切割方向上的尺寸。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9990718B2 (en) 2016-02-29 2018-06-05 Shanghai United Imaging Healthcare Co., Ltd. System and method for reconstructing ECT image

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9696439B2 (en) 2015-08-10 2017-07-04 Shanghai United Imaging Healthcare Co., Ltd. Apparatus and method for PET detector
WO2017113271A1 (en) 2015-12-31 2017-07-06 Shanghai United Imaging Healthcare Co., Ltd. Apparatus, method and system for sparse detector
CN109991648A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 北京一轻研究院 一种制作闪烁体阵列的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1223848A (zh) * 1997-11-25 1999-07-28 通用电气公司 制造计算机x射线层析照相系统的闪烁体的方法
US6749761B1 (en) * 2000-10-10 2004-06-15 Cti Pet Systems, Inc. Method for producing a high resolution detector array
CN1673773A (zh) * 2004-03-26 2005-09-28 株式会社岛津制作所 辐射检测器及其制造方法
CN101371163A (zh) * 2006-01-16 2009-02-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 闪烁元件、闪烁阵列及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005087366A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Hitachi Medical Corp マルチスライスｘ線ｃｔ装置用ｘ線検出器およびマルチスライスｘ線ｃｔ装置
JP2008145335A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc シンチレータアレイ製造方法、シンチレータアレイ、ｘ線検出器およびｘ線ｃｔ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1223848A (zh) * 1997-11-25 1999-07-28 通用电气公司 制造计算机x射线层析照相系统的闪烁体的方法
US6749761B1 (en) * 2000-10-10 2004-06-15 Cti Pet Systems, Inc. Method for producing a high resolution detector array
CN1673773A (zh) * 2004-03-26 2005-09-28 株式会社岛津制作所 辐射检测器及其制造方法
CN101371163A (zh) * 2006-01-16 2009-02-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 闪烁元件、闪烁阵列及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9990718B2 (en) 2016-02-29 2018-06-05 Shanghai United Imaging Healthcare Co., Ltd. System and method for reconstructing ECT image

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