CN103328220B - 流体喷射组件和相关方法 - Google Patents

Abstract

在一个示例实施例中，一种流体喷射装置包括带有流体槽的基底和粘附到基底上的隔膜，所述隔膜跨越流体槽。电阻器设置在隔膜顶部上跨过流体槽，且紧挨电阻器的流体供应孔穿过隔膜延伸到槽。支架从电阻器的边缘延伸到供应孔的边缘，且钝化层覆盖电阻器和部分支架。抗腐蚀层部分地在支架上且在流体供应孔和电阻器之间形成。

Description

流体喷射组件和相关方法

背景技术

喷墨打印机中的流体喷射装置提供墨滴按需点滴喷射。通常，喷墨打印机借助于通过多个喷嘴将墨滴喷射到打印介质（诸如纸张）上而打印图像。喷嘴通常被布置为一个或多个阵列，以便当打印头和打印介质相对彼此移动时墨滴从喷嘴的适当的顺序喷射使得在打印介质上打印字符或其它图像。在具体示例中，热喷墨打印头借助于使电流通过喷发腔室中的加热元件而从喷嘴喷射液滴。来自于加热元件的热量汽化腔室中的流体的小部分，且膨胀的气泡促使墨滴从腔室通过喷嘴。当加热元件冷却时，气泡快速崩溃且通过流体供应孔将更多流体抽吸到腔室中，以再次填充由喷射的流体滴留下的空隙。

在打印期间，该喷射过程可以重复数千次每秒，因而重要的是，加热元件在喷射液滴时是机械稳定和能量有效的。然而，加热元件在打印期间有多种方式可能受损。例如，如果墨与加热元件的热高电压电阻器表面接触，电阻加热元件将快速腐蚀且可致使无效。墨与加热元件接触的一种方式是通过气泡的重复崩溃，这导致涂敷加热元件的表面材料的气蚀损伤（气蚀层）。数百万崩溃事件中的每一个风化气蚀层中的材料且墨最终从中穿过且与加热元件直接接触。墨还可以通过化学侵蚀或腐蚀掉位于气蚀层下方的钝化层而与加热元件接触。因而，钝化层一暴露于墨，钝化层的化学腐蚀可最终使得墨与加热元件直接接触。

附图说明

现通过示例的方式参照附图来描述本实施例，在附图中：

图1示出了根据实施例的适于结合流体喷射装置的喷墨打印系统；

图2示出了根据实施例的流体喷射装置的截面和俯视图；

图3a示出了根据实施例的流体喷射装置的各个液滴发生器的截面和俯视图；

图3b示出了根据实施例的流体喷射装置的各个液滴发生器的截面图；

图4示出了根据实施例的隔膜支架的放大截面图；

图5示出了根据实施例的隔膜支架的放大截面图；

图6－9示出了根据实施例的在不同制造阶段的部分流体喷射装置的不同设计的截面和俯视图；

图10示出了根据实施例的采用可选腐蚀设计的隔膜支架的放大截面图；和

图11－14示出了根据实施例的在不同制造阶段的部分流体喷射装置的截面和俯视图。

具体实施方式

技术问题和技术方案概述

如上文指出的，在墨与热高压电阻器材料接触时，热喷墨打印头中的电阻器加热元件可能损坏且致使无效。在从崩溃气泡到电阻器上的薄膜气蚀层的损坏可将电阻器从上方暴露于墨时，气蚀层下方的电阻器钝化层的横向腐蚀也可以将电阻器从侧面暴露于墨。在一些热喷墨（TIJ）架构中，钝化层沿从电阻器的每个侧面延伸到流体供应孔的边缘的支架远离电阻器横向地到达，流体供应孔将墨提供给喷发腔室。因而，钝化层中的化学易感材料（例如，SiN-氮化硅）暴露在流体供应孔的边缘处（即，在支架终止处）且可以往回朝向电阻器向内腐蚀，通过在制造期间使用的化学腐蚀剂和通过在正常打印操作期间的墨两者。如果足够的钝化层被腐蚀掉，那么电阻器将暴露于墨且将最终失效。

在一些TIJ架构中，薄膜钝化层的这种横向腐蚀由于缺乏主动腐蚀剂化学物（即，在墨和钝化层中的化学易感材料之间）而自动终止。这种架构具有从电阻器侧面延伸到流体供应孔的边缘的相对长的支架长度（例如，大约5微米或更大），这意味着在到达电阻器之前有更多的钝化层而墨不能腐蚀掉。在一些量的腐蚀到钝化层的化学易感材料中之后，新鲜墨不再能够到达回缩的钝化界面且钝化层的腐蚀自动停止。然而，在具有较短支架长度的TIJ架构中，如所述的，沿较短支架长度的钝化层较少横向延伸范围可允许墨完全腐蚀掉钝化层中的化学易感材料，从而将电阻器暴露于墨。

导致电阻器损坏的钝化层横向腐蚀的问题的一个明显方案是保持TIJ架构中的较长支架长度。然而，较短支架长度提供益处，例如更好的流体性能、墨更快地再次填充打印头喷发腔室（改进喷发性能）和实施每个腔室和对应喷嘴所需的空间减少。该问题的另一现有方案是简单地从钝化层去除化学易感薄膜材料。该方法的不利在于，其还消除具体薄膜提供的任何有益物理属性，例如热隔离或电绝缘。另一可能方案将是改变墨化学性质，以消除化学腐蚀。然而，墨非常小心地设计以提供耐用性、颜色牢固性、快速干燥时间、高打印质量、低成本等，且调节墨化学性质将是重大的和昂贵的命题。

本公开的实施例有助于防止TIJ打印头中的电阻器加热元件的薄膜钝化层中的化学易感材料的横向腐蚀，总体上通过在钝化层的端部上提供罩盖。在制造期间，钝化层远离流体供应孔的边缘往回腐蚀且用不易受墨在流体供应孔边缘处化学腐蚀的化学稳定薄膜层（例如，钽）罩盖。往回腐蚀钝化层且用化学稳定薄膜材料罩盖防止流体供应孔边缘处的墨与钝化层中的化学易感材料接触。这防止墨横向地腐蚀到钝化层中且从而保护电阻器不与墨接触。

在一个示例实施例中，一种流体喷射装置包括带有流体槽的基底和粘附到基底上的隔膜，所述隔膜跨越流体槽。电阻器设置在隔膜顶部上跨过流体槽，且紧挨电阻器的流体供应孔穿过隔膜延伸到槽。支架从电阻器的边缘延伸到供应孔的边缘，且钝化层覆盖电阻器和部分支架。抗腐蚀层部分地在支架上且在流体供应孔和电阻器之间形成。

在另一个实施例中，一种制造流体喷射装置的方法，包括将隔膜粘附到基底且将电阻器沉积在隔膜的表面的一部分上。钝化层沉积在电阻器和隔膜的其余表面上，且紧挨电阻器的钝化层的一部分被腐蚀掉。抗化学腐蚀层沉积在钝化层上和已腐蚀部分上。流体供应孔穿过抗化学腐蚀层和隔膜形成，从而已腐蚀部分中的抗化学腐蚀层位于流体供应孔和电阻器之间。

在另一个实施例中，一种喷墨打印系统具有流体喷射装置，所述流体喷射装置包括在隔膜上的基底，所述隔膜跨越下面的基底中的流体槽。流体供应孔穿过隔膜形成到槽，且形成在电阻器和流体供应孔之间延伸的隔膜支架。钝化层在电阻器上形成且部分地延伸跨过支架，罩盖层跨过钝化层形成且延伸跨过支架的其余部分到流体供应孔。

说明性实施例

图1图示了根据实施例的适合于结合本文公开的打印头或流体喷射装置的喷墨打印系统100。在该实施例中，流体喷射装置/打印头公开为流体滴喷射打印头114。喷墨打印系统100包括喷墨打印头组件102、墨供应组件104、安装组件106、介质传输组件108、电子控制器110和将功率提供给喷墨打印系统100的各个电子部件的至少一个功率源112。喷墨打印头组件102包括至少一个流体喷射装置114或打印头114，将墨滴通过多个孔口或喷嘴116朝向打印介质118喷射，从而打印到打印介质118上。打印介质118是任何类型的合适片材，例如纸、卡片材料、幻灯片、Mylar等。通常，喷嘴116以一个或多个列或阵列设置，从而来自于喷嘴116的墨的合适顺序喷射使得在喷墨打印头组件102和打印介质118相对于彼此移动时字母、符号和/或其它图形或图像打印到打印介质118上。

墨供应组件104将流体墨供应给打印头组件102，且包括用于存储墨的贮存器120。墨从贮存器120流向喷墨打印头组件102。墨供应组件104和喷墨打印头组件102可以形成单向墨输送系统或再循环墨输送系统。在单向墨输送系统中，供应给喷墨打印头组件102的基本上所有墨在打印期间消耗。在再循环墨输送系统中，供应给打印头组件102的仅仅一部分墨在打印期间消耗。打印期间未消耗的墨返回到墨供应组件104。

在一个实施例中，喷墨打印头组件102和墨供应组件104一起容纳在喷墨盒或笔中。在另一个实施例中，墨供应组件104与喷墨打印头组件102分开，且通过接口连接（例如，供应管）将墨供应给喷墨打印头组件102。在任一情况下，墨供应组件104的贮存器120可以移开、更换和/或再次填充。在喷墨打印头组件102和墨供应组件104一起容纳在喷墨盒中的一个实施例中，贮存器120包括位于盒内的本地贮存器以及从盒分开定位的更大贮存器。分开的更大贮存器用于再次填充本地贮存器。因此，分开的更大贮存器和/或本地贮存器可以移开、更换和/或再次填充。

安装组件106将喷墨打印头组件102相对于介质传输组件108定位，且介质传输组件108将打印介质118相对于喷墨打印头组件102定位。因而，打印区域122在喷嘴116附近在喷墨打印头组件102和打印介质118之间的区域中限定。在一个实施例中，喷墨打印头组件102是扫描式打印头组件。在扫描式打印头组件中，安装组件106包括用于将喷墨打印头组件102相对于介质传输组件108移动以扫描打印介质118的车架。在另一个实施例中，喷墨打印头组件102为非扫描式打印头组件。在非扫描式打印头组件中，安装组件106将喷墨打印头组件102相对于介质传输组件108固定在预定位置。因而，介质传输组件108将打印介质118相对于喷墨打印头组件102定位。

电子控制器或打印机控制器110通常包括用于与喷墨打印头组件102、安装组件106和介质传输组件108通信且控制喷墨打印头组件102、安装组件106和介质传输组件108的处理器、固件和其它打印机电子器件。电子控制器110从主机系统（例如，计算机）接收数据124，且包括用于临时存储数据124的存储器。通常，数据124沿电子、红外、光学或其它信息传输路径发送到喷墨打印系统100。例如，数据124表示要打印的文本和/或文件。因而，数据124形成用于喷墨打印系统100的打印工作且包括一个或多个打印工作指令和/或指令参数。

在一个实施例中，电子控制器110控制喷墨打印头组件102，以从喷嘴116喷射墨滴。因而，电子控制器110限定喷射墨滴的图案，其在打印介质118上形成字母、符号和/或其它图形或图像。喷射墨滴的图案由来自于数据124的打印工作指令和/或指令参数确定。

在一个实施例中，喷墨打印头组件102包括一个流体喷射装置/打印头114。在另一个实施例中，喷墨打印头组件102包括宽阵列或多头打印头组件。在一个宽阵列实施例中，喷墨打印头组件102包括托架，其支承多个流体喷射装置114，提供喷射装置114和电子控制器110之间的电连通，且提供喷射装置114和墨供应组件104之间的流体连通。

在一个实施例中，喷墨打印系统100是按需点滴热气泡喷墨打印系统，其中，流体喷射装置114是热喷墨（TIJ）流体喷射装置/打印头114。TIJ流体喷射装置114采用热电阻器加热元件作为墨腔室中的喷射元件，以汽化墨且形成气泡，气泡将墨或其它流体滴驱出喷嘴116。

图2示出了根据本公开实施例的流体喷射装置114（打印头114）的截面图“A”和俯视图“B”。流体喷射装置114包括第一基底200，带有在其中形成的流体槽202或沟槽202。细长流体槽202延伸到图2A的平面中，且与流体供应（例如，流体贮存器120（图1））流体连通。流体槽202是在第一基底200中形成的沟槽，使得槽202的侧壁204由基底200形成。硅隔膜206或第二基底206粘附到第一基底200且跨越流体槽202。第一基底200和隔膜206之间的粘合层208是隐埋氧化物。第一基底200和隔膜206在本领域技术人员熟知的标准微制造过程（例如，电铸、激光消融、各向异性刻蚀、阴极溅镀、干式蚀刻、光刻、铸造、模制、压制和机加工）中从SOI（硅绝缘体）晶片形成。基底200和隔膜206之间的氧化物粘合层208提供在制造期间实现准确蚀刻深度的机构，同时形成诸如流体槽202的特征。

腔室层210设置在隔膜206顶部上，且包括流体/墨腔室212，每个具有热电阻器加热元件214。每个电阻器214用作腔室212中的喷射元件，以汽化墨或其它流体，从而形成将流体滴驱出对应喷嘴116的气泡。电阻器214可以在涂敷到隔膜206顶部上的薄膜堆叠体内形成，总体上包括形成电阻器214的金属层（例如，钽-铝（TaAl）、钨氮化硅（WSiN））、钝化层（例如，碳化硅（SiC）和氮化硅（SiN））、以及气蚀层（例如，钽（Ta））。喷嘴层216设置在腔室层210顶部上且具有在其中形成的喷嘴116，每个与相应腔室212和电阻器214相对应。因而，对应腔室212、电阻器214和喷嘴116形成各个流体液滴生成器218。流体/墨供应孔220延伸通过隔膜206（形成流体槽202的顶部）且提供流体槽202和流体腔室212之间的流体连通。

图3a示出了根据本公开实施例的流体喷射装置114内的各个液滴生成器218的截面图“A”和俯视图“B”。图3a示出了跨过液滴生成器218的电阻器214形成的薄膜钝化层300。液滴生成器218的架构包括在电阻器214的边缘和流体供应孔220之间延伸的短隔膜支架302。钝化层300显示为延伸一直到支架302的边缘，其中，支架302终止于流体供应孔220。虽然本文公开的原理，例如短隔膜支架和在钝化层上的抗化学腐蚀罩盖层的形成，参考具体流体喷射装置架构（例如，图2和3a所示的架构）描述，但是这种原理还容易适用于其它架构。例如，图3b示出了根据本公开另一个实施例的流体喷射装置114内的各个液滴生成器218的截面图。在该实施例中，液滴生成器218可以沿流体槽202的长度的两侧形成。流体供应孔220可以在槽202和流体腔室212之间形成，导致短支架302，以与例如关于图3a所示架构所述类似的方式。

图4和5示出了根据本公开实施例的隔膜支架302的放大截面图。在图4和5中，气蚀薄膜层400（例如，Ta）显示为沉积在钝化层300顶部上。气蚀层400用作流体腔室212内的机械钝化或保护气蚀屏障结构，以吸收崩溃气泡的冲击且耗散冲击波的能量。图4和5中的钝化层300显示为包括在薄膜SiN（氮化硅）层404上的薄膜SiC（碳化硅）层402。SiC薄膜为电阻器214提供化学隔离保护，同时SiN薄膜用作介电层，其为电阻器214提供电绝缘保护。虽然薄膜钝化和气蚀层300，400总体上讨论为由某些材料形成，例如SiC、SiN和Ta，但是这些材料仅仅通过总体示例的方式提供，而不是通过限制的方式。因而，设想宽范围的其它材料可能适合用作钝化层300和/或气蚀层400。例如，诸如金（Au）、铂（Pt）、铂-钌（PtRu）合金、铂-铑（PtRh）合金、铂-铱（PtIr）合金、铱（Ir）、钽（Ta）、钽锆（TaZr）合金、铬、钽铬（TaCr）合金、镍-铬（NiCr）合金、钨铬钴合金6B、钴-铬（CoCr）合金、钛-铝（TiAl）合金、氮化钛（TiN）、氮化钽（TaN）、氧化铪（HfO）、碳化硅（SiC）、碳化钽（TaC）、氧化锆（ZrO），且其它材料还可以适合用作钝化和/或气蚀层。

如上所述，气蚀层400下方的钝化层300的横向腐蚀最终可以将电阻器214从侧面暴露于墨。在具有较长支架长度（例如，大约5-30微米）的TIJ架构中，薄膜钝化层的横向腐蚀通常由于缺乏主动腐蚀剂化学物（即，在墨和SiN层404之间）而自动终止。即，在一些量的腐蚀到钝化层300的化学易感SiN材料中之后，新鲜墨不再能够到达回缩的钝化界面且钝化层的腐蚀自动停止。

然而，在具有短支架长度（例如，短至大约2-4微米）的TIJ架构中，沿短支架长度的钝化层较少横向延伸范围可允许墨完全腐蚀掉钝化层300中的化学易感SiN材料，从而将电阻器暴露于墨。图4示出了钝化层300的化学易感SiN层400被来自于流体供应孔220的墨腐蚀的暴露边缘。取决于支架302的长度，所示横向腐蚀可能会或者可能不会终止。因此，为了防止钝化层300的横向腐蚀，图5示出了短支架302架构，其中，不同制造技术应用于薄膜层，从而得到用作往回腐蚀钝化层300的端部上的化学保护罩盖500的Ta（钽）气蚀层400。

如上所述，许多材料设想适合用作钝化和/或气蚀层。然而，与所使用的材料无关，如图5所示，本公开的至少一方面包括化学上稳定且抵抗墨和其它腐蚀剂腐蚀的薄膜层（例如，气蚀层400），用作罩盖以覆盖和保护至少部分由化学易感材料（例如，SiN）形成的薄膜钝化层300，其在与墨和其它腐蚀剂接触时不稳定。

图6－9示出了根据本公开实施例的在不同制造阶段的部分流体喷射装置114的不同设计的截面和俯视图。流体喷射装置114的制造可以使用本领域技术人员熟知的各种精确微制造技术来执行，例如电铸、激光消融、各向异性刻蚀、阴极溅镀、干式蚀刻、光刻、铸造、模制、压制和机加工。图6－9中的每个的俯视图主要图示制造步骤如何影响要形成流体供应孔的区域。

在图6a和6b中，已经完成的制造步骤包括将电阻器214沉积到隔膜206上。钝化层300，例如包括在薄膜SiN层上的薄膜SiC层，也已经沉积在电阻器214和隔膜206的其余表面上。在图6a中，钝化层300已经在将由保护膜填充的窗口“钝化腐蚀”区域中腐蚀掉，其中，将最终形成流体供应孔。该制造步骤中的钝化腐蚀将钝化层300从最终将是流体供应孔的边缘的地方往回拉，如下文将清楚的。在图6b（仅仅示出俯视图）中，“钝化腐蚀”的变型显示为已经围绕将最终形成流体供应孔的区域腐蚀的“壕沟”区域。在该设计中，围绕流体供应孔腐蚀的窄环而不是大窗口形成将由保护膜填充的隔离沟槽。

图7a和7b图示了将保护性Ta气蚀层400沉积在隔膜206表面上的下一制造步骤。该Ta沉积步骤包括覆盖钝化层300和覆盖图6a和6b中提及的“钝化腐蚀”区域。在图7a中，Ta沉积到“钝化腐蚀”窗口区域中提供跨过往回腐蚀钝化层的端部的罩盖500，其中，钝化层300已经腐蚀，如“B”俯视图所示。在图7b（仅仅示出俯视图）中，Ta沉积到“钝化腐蚀”壕沟区域中形成隔离沟槽，其中，钝化层300已经腐蚀，如“B”俯视图所示。在图7b中，虽然Ta已经沉积在整个隔膜表面区域上，为了说明目的，仅仅示出了在“钝化腐蚀”壕沟区域中。

在图8所示的下一制造步骤，流体供应孔穿过Ta气蚀层400和隔膜206两者形成，但是不穿过氧化物层208。氧化物层208用作流体供应孔腐蚀过程步骤的自然腐蚀止挡。在图8a中重要的是要注意到，流体供应孔腐蚀的周长小于关于图6a在上文提及的先前“钝化腐蚀”的周长。因而，流体供应孔具有较小周长，且腐蚀在“钝化腐蚀”的较大窗口区域内。流体供应孔的较小周长腐蚀的重要性在于该较小腐蚀保持或保留钝化层300的端部上的Ta罩盖500，且钝化层300（包括化学易感薄膜SiC层404）在流体供应孔的边缘处不暴露于墨或其它腐蚀剂。在图8b（仅仅示出俯视图）中，钝化层300的环保持在流体供应孔220附近且环绕流体供应孔220。Ta材料的保护性环或壕沟也环绕流体供应孔220，以防止来自于流体供应孔220的墨腐蚀通过到达电阻器214。

图9图示了多个附加制造步骤的结果，以帮助完成流体喷射装置制造。在图9中，腔室层210已经沉积且腔室212已经形成。这可以例如通过在隔膜206上旋转涂敷SU8层且使用光掩模来腐蚀腔室212而完成。具有喷嘴116的喷嘴层216也如图9所示形成。流体槽202从下侧腐蚀，且氧化物腐蚀去除氧化物层以将流体供应孔220与流体槽202结合。图9a图示了窗口“钝化腐蚀”设计，而图9b（仅仅示出俯视图）图示了壕沟“钝化腐蚀”设计，如上文参考图6a和6b所述。

图10示出了根据本公开实施例的采用可选腐蚀设计的隔膜支架302的放大截面图。在图10中，保护性气蚀薄膜层400（例如，Ta）显示为沉积在钝化层300的顶部上且进入钝化层300的已腐蚀带1000。已腐蚀钝化带1000在电阻器214和最终为流体供应孔220的地方之间，类似于防火墙，以防止来自于流体供应孔220的墨腐蚀通过到达电阻器214。

图11－14示出了根据本公开实施例的在不同制造阶段的部分流体喷射装置114的截面图“A”和俯视图“B”。图11－14中的制造步骤以类似的方式与上文关于图6－9已经描述的步骤相对应。图11－14中的每个的俯视图主要图示制造步骤如何影响要形成流体供应孔的区域。

在图11中，已经完成的制造步骤包括将电阻器214沉积到隔膜206上。钝化层300，例如包括在薄膜SiN层上的薄膜SiC层，也已经沉积在电阻器214和隔膜206的其余表面上。钝化层300已经在将由保护膜填充的“钝化腐蚀”带区域中腐蚀掉，类似于防火墙，以防止来自于流体供应孔220的墨腐蚀通过到达电阻器214。

图12图示了将保护性Ta气蚀层400沉积在隔膜206表面上的下一制造步骤。该Ta沉积步骤包括覆盖钝化层300和“钝化腐蚀”带区域1000。在图12中，Ta沉积到“钝化腐蚀”带中提供墨不能腐蚀超越的“防火墙”。因而，用保护性Ta膜填充的“钝化腐蚀”带的长度确定化学腐蚀剂（例如，墨）必须沿着行进以到达电阻器214的路径长度。即，墨在朝向电阻器214前进之前将必须腐蚀绕过带的端部。

在图13所示的下一制造步骤，流体供应孔220穿过Ta气蚀层400、钝化300和隔膜206形成，但是不穿过氧化物层208。氧化物层208用作流体供应孔腐蚀过程步骤的自然腐蚀止挡。图14图示了多个附加制造步骤的结果，以帮助完成流体喷射装置制造。这些步骤已经在上文参考图9讨论，且包括在腔室层210中形成腔室212以及在喷嘴层216中形成喷嘴116。此外，流体槽202从下侧腐蚀，且氧化物腐蚀用于去除氧化物层以将流体供应孔220与流体槽202结合。

Claims (15)

1.一种流体喷射装置，包括：

在其中形成有流体槽的基底；

隔膜，所述隔膜粘附到基底上且跨越流体槽；

电阻器，所述电阻器设置在隔膜顶部上跨过流体槽；

紧挨电阻器的流体供应孔，所述流体供应孔穿过隔膜向下延伸到流体槽；

支架，所述支架从电阻器的边缘延伸到流体供应孔；

钝化层，所述钝化层在电阻器和支架上形成；以及

抗腐蚀层，所述抗腐蚀层形成于所述支架的在所述流体供应孔与所述电阻器之间中的一部分上。

2.根据权利要求1所述的流体喷射装置，其中，所述钝化层覆盖支架的一部分，且在到达流体供应孔之前终止，且其中，所述抗腐蚀层罩盖钝化层的端部且沿支架延伸到流体供应孔。

3.根据权利要求1所述的流体喷射装置，其中，所述抗腐蚀层填充在支架上的钝化层的已腐蚀带中。

4.根据权利要求1所述的流体喷射装置，其中，所述抗腐蚀层填充在环绕流体供应孔的环中，在所述环中，钝化层已经被腐蚀掉。

5.根据权利要求1所述的流体喷射装置，还包括：

在隔膜顶部上形成且环绕电阻器的流体腔室；以及

喷嘴层，所述喷嘴层在流体腔室上方且具有与电阻器和流体腔室相对应的喷嘴。

6.根据权利要求1所述的流体喷射装置，其中，钝化层包括在氮化硅薄膜上的碳化硅薄膜。

7.一种制造流体喷射装置的方法，包括：

将隔膜粘附到基底；

将电阻器沉积在隔膜的表面的一部分上；

将钝化层沉积在电阻器和隔膜的其余表面上；

腐蚀掉紧挨电阻器的钝化层的一部分；

将抗化学腐蚀层沉积在钝化层上和已腐蚀部分上；

穿过抗化学腐蚀层和隔膜形成流体供应孔，从而已腐蚀部分中的抗化学腐蚀层位于流体供应孔和电阻器之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，腐蚀掉一部分包括腐蚀第一区域，且其中，形成流体供应孔包括在落入第一区域内的第二区域中腐蚀穿过抗化学腐蚀层和隔膜，其中，第二区域具有的周长小于第一区域的更大周长且落入第一区域的更大周长内。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，腐蚀掉一部分包括腐蚀钝化层的带。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，腐蚀掉一部分包括腐蚀钝化层的环绕流体供应孔的环。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，形成流体供应孔包括腐蚀穿过隔膜向下到设置在隔膜和基底之间的隐埋氧化物层。

12.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在基底中形成流体槽，使得流体供应孔和流体槽彼此相通且隔膜跨越流体槽。

13.一种流体喷射装置，包括：

在隔膜上的电阻器，所述隔膜跨越下面的基底中的流体槽；

流体供应孔，所述流体供应孔穿过隔膜形成到流体槽，且由此形成在电阻器和流体供应孔之间延伸的隔膜支架；

钝化层，所述钝化层在电阻器上形成且部分地延伸跨过隔膜支架；以及

罩盖层，所述罩盖层跨过钝化层形成，且延伸跨过隔膜支架的其余部分到流体供应孔，从而所述罩盖层在所述流体供应孔与所述电阻器之间，以防止墨横向腐蚀到所述钝化层中。

14.根据权利要求13所述的流体喷射装置，还包括：

在电阻器上形成且环绕电阻器并与流体供应孔流体连通的流体腔室；以及

喷嘴，所述喷嘴在流体腔室上方且与电阻器和流体腔室相对应。

15.一种打印系统，包括根据权利要求13所述的流体喷射装置。