CN103325951B - 一种电致发光二极管器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电致发光二极管器件,其包括:透明柔性基板,在所述柔性基板上顺次设置的第一保护层、阳极、空穴传输层、紫外光发射层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极;其中,所述紫外发光层包括的紫外发光材料选自含芴类,含三苯胺类和五联苯类中的至少一种材料。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光二极管器件领域,具体涉及一种电致发光二极管器件,更具体的,涉及一种基于柔性基底的有机紫外电致发光二极管器件及其应用。
背景技术
紫外光是电磁波谱中波长从10nm到400nm辐射的总称,不能引起人们的视觉。紫外光源是以产生紫外辐射为主要目的的非照明用电光源,其具有荧光效应、生物效应、光化学效应和光电效应,适用于工业、农业、国防和医疗等领域。紫外光源具有紫外光的荧光效应、生物效应、光化学效应等,在工业、农业、国防和医疗等领域都有着广泛的应用。
紫外光在荧光效应上的应用主要是荧光分析,物质吸收紫外光后会发射出反应该物质特性的荧光,根据此荧光特性可以对该物质进行定性和定量分析。具体的应用有:(1)无机元素和有机物质的分析。(2)油层,矿石,药物,食品及致癌物质的分析。(3)公安部门侦查案件的辅助手段,可分析血迹、毒品等,同时也可以辨别纸币、文件等的真伪。(4)零件探伤。(5)生物标记。(6)军用生物传感器。
紫外光在生物效应上的应用,主要有:(1)紫外光灭菌,波长在200~275nm之间的紫外光都有灭菌作用,但是不同波长的紫外光灭菌效果也不一样。其中,254~257nm波长的紫外光的灭菌效果最好。紫外光照射的杀菌机理是使微生物细菌内核酸、原浆蛋白和酶吸收了紫外光的能量后发生化学变化而死亡,其有广泛杀菌作用,能杀灭各种微生物。(2)人体保健,人类生活在阳光中的紫外线照射下,可提高免疫力。波长280~400nm波段的紫外光照射人体后,会对人全身各器官产生一定的积极作用,起到强身健体的作用。(3)治疗疾病,紫外光可以治疗皮肤病寻常性斑块状银屑病(如牛皮癣和白瘫风等)、内科病(如软骨病和小儿黄疽病等)、外科病(如各种急性炎症)和神经科疾病等,紫外光自血回输疗法治晚期恶性肿瘤的研究,灭活病毒等。(4)微生物诱变育种等。
紫外光在光化学效应上的应用,波长在200~400nm之间的紫外光所对应的能隙在6.2~3.1eV之间,许多化合物的化合键能都在此范围内,吸收此能量可以引发很多化学反应。具体的应用有:(1)可用于涂料、颜料固化,照相制版、晒版和复印,半导体器件的光刻和封装,高分子材料的老化试验等。(2)有机光化学反应,在波长为254~400nm的紫外光照下,有机物中的电子由基态跃迁到激发态,发生光化学反应,导致有机物分解。(3)紫外光助氧化法处理TNT(三硝基甲苯)废水以及紫外光与自然光联合光催化处理UDMH(偏二甲肼)废水。
紫外光在农业畜牧业领域里也有着很重要的应用:(1)波长300~400nm之间的紫外光对植物的生长也是必不可少的。(2)昆虫对波长300~400nm之间的紫外光非常敏感,可用于诱杀农田里的害虫。(3)用紫外光对鸡舍畜圈灭菌,对牲畜保健照射可以增加牲畜的生长率、产蛋率和减少生畜的死亡率。
此外,紫外/近紫外光还在泵浦染料发光,白光照明以及高容量数据存储器等领域均具有广泛的应用。
因此,紫外光源在工农业生产及日常生活中具有广阔的应用前景。自从1935年世界上第一支高压汞灯问世以来,紫外光源开始引起人们的广泛关注。五十年代以前,汞灯是唯一的人工紫外光源,但并未能在实际中应用。随着石英玻璃的问世、封装技术的成熟、电真空工业的发展和紫外光光谱技术的完善,紫外光源走向了真正有价值的应用阶段。除了最早期的汞灯外,在五十年代末期陆续出现了一些新型的紫外光源。按灯的品种可划分为:汞弧灯、金属卤素灯、无极灯、氙灯、准分子紫外灯以及UV发光二极管。在这些紫外光源中,目前使用最多的是气态紫外光源,它存在着主体材料毒性大、存在二次污染、器件使用不便且易破碎等问题。
相比之下,新兴的有机UV发光二极管(Ultraviolet-OrganicLightEmittingDiode,UV-OLED)具有环保、低成本、易大面积制作、易与柔性基底集成等优点,可弥补目前紫外光源的不足。尤其是柔性OLED显示器件,其不但柔软可以变形而且不易损坏,可以安装在弯曲的表面,甚至可以设置于服装上,因而日益成为国际显示行业的研究热点。目前,还没有发现基于柔性基底的有机紫外电致发光二极管器件的有关报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种环保、低成本、全固态的基于柔性基底的有机紫外电致发光二极管器件,且可在柔性基地上实现紫外光源,以弥补目前紫外光源以及使用不便等的不足。
本发明的另一个目的在于提供了一种所述柔性基底的有机紫外电致发光二极管器件的应用。
为实现上述目的,本发明提供了一种电致发光二极管器件,其包括:
透明柔性基板,在所述柔性基板上顺次设置的第一保护层、阳极、空穴传输层、紫外光发射层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极;
其中,所述紫外发光层包括的紫外发光材料选自含芴类,含三苯胺类和五联苯类中的至少一种材料。
在本发明的发光二极管中,所述阳极用于将空穴注入所述器件中;所述阴极用于将电子注入所述器件中;所述空穴传输层包括空穴传输材料;所述电子传输层包括电子传输材料;所述电子和空穴在所述发光层复合后已达到发光的效果。
在本发明的一个优选实施方式中,所述紫外发光材料为包括结构如式I所示含咔唑的紫外发光材料或结构如式II所示的五联苯的紫外发光材料,
在本发明的一个优选实施方式中,所述透明柔性基板包括对紫外光弱吸收的透光材料,所述透光材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚己二酸乙二醇酯或聚碳酸酯中的至少一种。
在本发明的一个优选实施方式中,所述第一保护层为由有机高分子材料构成或由有机高分子材料层与无机材料层的交替层叠而构成。
由于第一保护层的材料都需要能透过紫外光,因此其中所述有机高分子材料层可以由选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚己二酸乙二醇酯或聚碳酸酯等的至少一种而构成,其中的无机材料层可以由带隙不小于光学带隙为3.96eV氮化硅的材料,如氮化铝、氮化硅、氧化硅等而构成。氮化硅是常用的紫外器件透光介质。
在本发明的一个优选实施方式中,所述器件还包括第二保护层,其设置于阴极外侧,且同时覆盖于所述器件的除所述透明柔性基板侧以外的其他外表面,用于与第一保护层配合将所述器件与外界空气和水汽隔绝。
所述第二保护层为无机保护层。
所述无机保护层的材料选自以下物质中的至少一种:为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、LiF、MgF2、ZnS、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、类金刚石薄膜DLC。
在本发明的一个优选实施方式中,所述电致发光二极管器件还包括:
封装盖板,包括顺次设置的柔性盖板、第三保护层和干燥剂层;
所述第三保护层的结构由有机高分子材料构成或由有机高分子材料与无机材料的交替层叠而构成;
其中,所述封装盖板与所述电致发光二极管按照所述封装盖板的干燥剂层与所述电致发光二极管顺次设置的方向上的第二保护层的外侧相对间隔设置进行封装。
具体的,所述与第二柔性盖板可由相同柔性高分子材料构成。所述第三保护层的结构与第一保护层的结构相同,旦其中的有机高分子材料和无机材料与第一保护层有所不同。在第三保护层中,所述有机高分子材料选自以下物质中的至少一种:聚对二甲苯、聚氯对二甲苯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙烯、聚四氟乙烯、可溶性聚四氟乙烯、聚苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、聚醚砜树脂和聚酰亚胺;所述无机材料包括为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、LiF、MgF2、ZnS、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、类金刚石薄膜DLC。
所述封装通过封装胶进行封装,所述胶通常使用紫外光固化胶,也可以是在紫外光固化胶中掺杂玻璃粉而形成的封装胶。掺杂玻璃粉的目的是更好的阻止水汽、氧气进入封装体内部;同时,玻璃粉透光,不会妨碍封装胶的紫外光照射固化。在垂直于水汽的渗透方向上,不掺杂玻璃粉之前,整个截面都能渗透水汽、氧气,掺杂玻璃粉之后,由于玻璃粉占据了一定的面积,使得水汽、氧气的渗透面积减少,从而使得水汽、氧气单位时间的渗透量降低,达到了更好的封装效果。玻璃粉的直径应该介于0.01微米~100微米,在紫外光固化胶中的掺杂比例不超过40%,以能够顺利完成胶材的涂布为宜。
在本发明的一个优选实施方式中,所述第一保护层的尺寸大于设置于第一保护层上的其他层的尺寸,而设置于封装盖板上的第三保护层的尺寸大于设置于第三保护层上的其他层的尺寸,如此,封装盖板与所述电致发光二极管之间的封装是通过封装胶将第一保护层与第三保护层进行封装,从而将个实现器件发光所需的功能层,如阳极、空穴传输层、紫外发光层空穴阻挡层、电子传输层、阴极等封装在器件中而与外界的空气和水汽隔绝。
本发明还提供了一种所上述人一种电致发光二极管器件在杀菌、荧光分析或光化学反应中的应用。
本发明的有益效果为:
(1)由于是全固态光源,克服了目前常用的气态紫外光源存在的主体材料(汞)毒性大、存在二次污染、器件使用不便且易破碎等问题。
(2)气态紫外光源由于是真空器件,所以器件尺寸很难做大,常常是点光源或线光源;而紫外OLED是平面光源,可以制作成大面积器件。
(3)气态光源的起动电压为220V,而紫外OLED的起动电压只有10V左右。起动电压大大降低的同时,器件的功耗也显著降低,电光转换效率大大提高。
(4)柔性紫外OLED平面光源,具有可变形、可折叠能力,便于携带和使用。
附图说明
图1为本发明的一个优选实施方式中的电致发光二极管器件的结构示意图
图2为本发明的一个优选实施方式中的第一保护层的结构示意图。
图3为本发明的另一个优选实施方式中的电致发光二极管器件的结构示意图。
图4为本发明的一个优选实施方式中的封装胶的示意图。
附图标记:1-柔性基板、2-第一保护层、3-阳极、4-空穴传输层、5-紫外发光层、6-空穴阻挡层、7-电子传输层、8-阴极、9-第二保护层、10-无机层、11-聚合物层、12-封装胶、13-柔性盖板、14-第三保护层、15-干燥层、16-玻璃粉。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明进行详细所说明,但需要理解的是本发明的范围并不限于以下实施例,在不脱离本发明的范围和精神的情况下,可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是,只要不存在结构冲突,各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。
实施例1
本发明的电致发光器件结构如图1所示,从下至上依次包括:其包括:
透明柔性基板,选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚己二酸乙二醇酯或聚碳酸酯中的至少一种;
第一保护层,其为barix层,由有机高分子材料与无机材料的交替层叠而构成;由于第一保护层的材料都需要能透过紫外光,因此其中所述有机高分子材料可以选择聚甲基丙烯酸甲酯、聚己二酸乙二醇酯或聚碳酸酯等,其中的无机材料可以选用带隙不小于光学带隙为3.96eV氮化硅的材料,如氮化铝、氮化硅、氧化硅等。氮化硅是常用的紫外器件透光介质;
阳极,其为ITO层;
空穴传输层,由N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPD)等空穴传输材料构成;
紫外光发射层;
空穴阻挡层,由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)等空穴阻挡材料构成;
电子传输层,由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等电子传输材料构成;
阴极,由Al或Ag等阴极材料构成;
第二保护层,其为无机保护层,选自以下物质中的至少一种:为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、LiF、MgF2、ZnS、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、类金刚石薄膜DLC;
其中,第二保护层其设置于阴极外侧,且同时覆盖于所述器件的除所述透明柔性基板侧以外的其他外表面,用于与第一保护层配合将所述器件与外界空气和水汽隔绝。
其中,所述紫外发光层包括的紫外发光材料选自含芴类,含三苯胺类和五联苯类中的至少一种材料;优选的,所述紫外发光材料为包括结构如式I所示含咔唑的紫外发光材料或结构如式II所示的五联苯的紫外发光材料,
式I所示的含咔唑紫外发光材料的带隙为3.25eV,发射光谱峰值在394nm。
式II所示的五联苯紫外发光材料的带隙为3.48eV,发射光谱峰值在310nm。
其中,Barix保护层是聚合物层与无机致密截止层的交替结构如图2所示。
实施例2
如图3所示,本发明的另一种电致发光二极管的结构在实施例1中公开的结构的基础上还包括:
封装盖板,包括顺次设置的柔性盖板、第三保护层和干燥剂层;
所述第三保护层的结构由有机高分子材料构成或由有机高分子材料与无机材料的交替层叠而构成;
其中,所述封装盖板与所述电致发光二极管按照所述干燥剂层与所述电致发光二极管顺次设置的方向上的第二保护层的外侧相对间隔设置进行封装。
所述第三保护层为Barix层,其包括的聚合物层材料可以是所述有机高分子材料选自以下物质中的至少一种:聚对二甲苯、聚氯对二甲苯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙烯、聚四氟乙烯、可溶性聚四氟乙烯、聚苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、聚醚砜树脂和聚酰亚胺;所述无机材料可以包括为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、LiF、MgF2、ZnS、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、类金刚石薄膜DLC。
所述封装通过封装胶进行封装,所述胶通常使用紫外光固化胶,也可以是在紫外光固化胶中掺杂玻璃粉而形成的封装胶。掺杂玻璃粉的目的是更好的阻止水汽、氧气进入封装体内部;同时,玻璃粉透光,不会妨碍封装胶的紫外光照射固化。在本实施例中,所述封装胶如图4所示,在垂直于水汽的渗透方向上,不掺杂玻璃粉之前,整个截面都能渗透水汽、氧气,掺杂玻璃粉之后,由于玻璃粉占据了一定的面积,使得水汽、氧气的渗透面积减少,从而使得水汽、氧气单位时间的渗透量降低,达到了更好的封装效果。玻璃粉的直径应该介于0.01~100微米,在紫外光固化胶中的掺杂比例不超过40%。掺杂玻璃粉的目的是更好的阻止水汽、氧气进入封装体内部;同时,玻璃粉透光,不会妨碍封装胶的紫外光照射固化。
Claims (9)
1.一种电致发光二极管器件,其包括:
透明柔性基板,以及在所述柔性基板上顺次设置的第一保护层、阳极、空穴传输层、紫外光发射层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极;
其中,所述紫外发光层包括的紫外发光材料选自含芴类、含三苯胺类和五联苯类中的至少一种材料,
还包括:封装盖板,包括顺次设置的柔性盖板、第三保护层和干燥剂层;
其中,所述封装盖板与所述电致发光二极管按照所述封装盖板的干燥剂层与所述电致发光二极管顺次设置的方向上的第二保护层的外侧相对设置进行封装,
所述器件还包括第二保护层,其设置于阴极外侧,且同时覆盖于所述器件的除所述透明柔性基板以外的其他外表面,用于与第一保护层配合将所述器件与外界空气和水汽隔绝,
所述封装通过封装胶进行封装,所述封装胶为在紫外光固化胶中掺杂玻璃粉而形成的封装胶。
2.根据要求1所述的电致发光二极管器件,其特征在于,所述紫外发光材料为包括结构如式I所示含咔唑的紫外发光材料或结构如式II所示的五联苯的紫外发光材料,
3.根据权利要求1或2所述的电致发光二极管器件,其特征在于,所述透明柔性基板包括对紫外光弱吸收的透光材料,所述透光材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚己二酸乙二醇酯或聚碳酸酯中的至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的电致发光二极管器件,其特征在于,所述第一保护层为由有机高分子材料构成或由有机高分子材料层与无机材料层的交替层叠而构成。
5.根据权利要求4所述的电致发光二极管器件,其特征在于,所述有机高分子材料层由选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚己二酸乙二醇酯或聚碳酸酯中的至少一种而构成,其中的无机材料层选用带隙不小于光学带隙为3.96eV的材料。
6.根据权利要求1所述的电致发光二极管器件,其特征在于,所述第二保护层为无机保护层。
7.根据权利要求6所述的电致发光二极管器件,其特征在于,所述无机保护层材料选自以下物质中的至少一种:TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、LiF、MgF2、ZnS、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、类金刚石薄膜DLC。
8.根据权利要求1或2所述的电致发光二极管器件,其特征在于,
所述第三保护层的结构由有机高分子材料构成或由有机高分子材料与无机材料的交替层叠而构成。
9.根据权利要求5所述的电致发光二极管器件,其特征在于,所述无机材料层由氮化铝、氮化硅或氧化硅中的至少一种而构成。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310250662.XA CN103325951B (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 一种电致发光二极管器件 |
PCT/CN2014/070996 WO2014201869A1 (zh) | 2013-06-21 | 2014-01-21 | 一种电致发光二极管器件 |
US14/241,395 US9276225B2 (en) | 2013-06-21 | 2014-01-21 | Electroluminescent diode device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310250662.XA CN103325951B (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 一种电致发光二极管器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103325951A CN103325951A (zh) | 2013-09-25 |
CN103325951B true CN103325951B (zh) | 2016-02-03 |
Family
ID=49194590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310250662.XA Active CN103325951B (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 一种电致发光二极管器件 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9276225B2 (zh) |
CN (1) | CN103325951B (zh) |
WO (1) | WO2014201869A1 (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103325951B (zh) | 2013-06-21 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种电致发光二极管器件 |
KR102322966B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2021-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
CN105586029B (zh) * | 2014-10-24 | 2017-09-29 | 周卓煇 | 紫外光有机发光二极体的发光材料 |
KR102378893B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2022-03-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
US11056541B2 (en) | 2016-04-06 | 2021-07-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US10573692B2 (en) * | 2016-04-06 | 2020-02-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device having a sealing thin film encapsulation portion |
CN106531904A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-03-22 | 武汉船舶通信研究所 | Oled显示器件封装及封装方法 |
JP7037145B2 (ja) * | 2017-03-02 | 2022-03-16 | 大阪ガスケミカル株式会社 | フルオレン化合物を含有する発光体 |
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CN113745429B (zh) * | 2021-08-26 | 2024-04-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101080121A (zh) * | 2007-07-06 | 2007-11-28 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN102723444A (zh) * | 2012-06-04 | 2012-10-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 紫外有机发光装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7279704B2 (en) * | 2004-05-18 | 2007-10-09 | The University Of Southern California | Complexes with tridentate ligands |
JP2009076232A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 環境感受性デバイス、環境感受性素子の封止方法 |
KR101563025B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2015-10-23 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 가요성 캡슐화 필름 및 그의 제조 방법 |
JP2010278354A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
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GB0917083D0 (en) | 2009-09-30 | 2009-11-11 | Lomox Ltd | Electroluminescent materials |
US8927308B2 (en) * | 2011-05-12 | 2015-01-06 | Universal Display Corporation | Method of forming bus line designs for large-area OLED lighting |
KR20130029247A (ko) * | 2011-09-14 | 2013-03-22 | 삼성전자주식회사 | 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
CN102760837B (zh) | 2012-07-10 | 2015-02-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管器件结构及显示装置 |
CN102832351A (zh) | 2012-09-11 | 2012-12-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 红外有机电致发光二极管 |
CN103325951B (zh) | 2013-06-21 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种电致发光二极管器件 |
-
2013
- 2013-06-21 CN CN201310250662.XA patent/CN103325951B/zh active Active
-
2014
- 2014-01-21 US US14/241,395 patent/US9276225B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-01-21 WO PCT/CN2014/070996 patent/WO2014201869A1/zh active Application Filing
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014201869A1 (zh) | 2014-12-24 |
US20150263299A1 (en) | 2015-09-17 |
US9276225B2 (en) | 2016-03-01 |
CN103325951A (zh) | 2013-09-25 |
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |