CN207938649U - 深紫外led光源 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及LED光源的技术领域，公开了深紫外LED光源，包括陶瓷基板，陶瓷基板上设置有金属基板，金属基板中部凹陷形成凹陷区，凹陷区包括第一凹坑以及第二凹坑，第二凹坑置于第一凹坑上方，第二凹坑与第一凹坑连通，第二凹坑的面积比第一凹坑的面积大；第一凹坑内倒装有深紫外LED芯片，第二凹坑内设置有一层透明胶，金属基板上设置有电路结构，深紫外LED芯片与电路结构电性连接，电路结构与深紫外LED芯片采用无机封装的方式进行封装固定，金属基板上方覆盖有光学玻璃。这样提高了深紫外LED芯片所处环境的稳定性，提高了深紫外LED芯片的防腐蚀性能，低衰减，无黄化，高使用寿命，发出的深紫外线应用在医疗器械消毒以及冰箱消毒，消毒杀菌效果好。

Description

深紫外LED光源

技术领域

本实用新型涉及LED光源的技术领域，尤其是深紫外LED光源。

背景技术

在医疗和食品领域，经常使用低压水银灯杀菌，但是由于水银容易对环境造成危害，所以研究人员一直希望找到性能优良的环保替代品。

深紫外线是一种波长比较短的紫外线，杀灭细菌和病毒的效率比较高。深紫外线的应用很广泛，其中包括：饮用水、空气、饮料、药品包装的消毒；手术器械消毒及无菌状态保持；在冰箱内，杀灭存活的霉菌孢子，更加延长食物保存期。除消毒作用外，深紫外线还能够进行光化学催化、油墨固化等等。

现有技术中，通常采用传统紫外灯来替代水银灯进行杀菌消毒，但传统紫外灯体积非常庞大，需要高压启辉，传统水银灯虽然总输出功率大，单位面积输出光强却非常弱，因此找到一种体积小巧、单位面积输出光强高的紫外灯势在必行。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供深紫外LED光源，旨在解决现有技术中缺乏一种体积小巧、杀菌效果好的LED灯的问题。

本实用新型是这样实现的，深紫外LED光源，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设置有金属基板，所述金属基板中部凹陷形成凹陷区，所述凹陷区包括第一凹坑以及第二凹坑，所述第二凹坑置于所述第一凹坑上方，所述第二凹坑与所述第一凹坑连通，所述第二凹坑的面积比第一凹坑的面积大；所述第一凹坑内倒装有深紫外LED芯片，所述第二凹坑内设置有一层透明胶，所述金属基板上设置有电路结构，所述深紫外LED芯片与所述电路结构电性连接，所述电路结构与所述深紫外LED芯片采用无机封装的方式进行封装固定，所述金属基板上方覆盖有光学玻璃。

进一步地，所述深紫外LED芯片的背面为发光面，所述深紫外LED芯片的正面抵接所述第一凹坑。

进一步地，所述金属基板上设有用于电性连接外接电源的正极和负极。

进一步地，所述深紫外LED芯片是以AlGaN材料为有源区的深紫外LED芯片。

进一步地，所述深紫外LED芯片可以替换为由多个深紫外LED芯片构成的深紫外LED芯片组。

进一步地，所述深紫外LED芯片组包括多个串联连接的深紫外LED芯片。

进一步地，所述深紫外LED芯片组包括多个并联连接的深紫外LED芯片。

进一步地，所述深紫外LED芯片组包括第一深紫外LED芯片组以及第二深紫外LED芯片组，第一深紫外LED芯片组与第二深紫外LED芯片组之间并联连接，第一深紫外LED芯片组包括多个串联的第一深紫外LED芯片，第二深紫外LED芯片组包括多个串联的第二深紫外LED芯片。

与现有技术相比，本实用新型提供的深紫外LED光源，通过在陶瓷基板上设置金属基板，陶瓷基板导热性好而且成本低廉，金属基板上具有第一凹坑和第二凹坑，第一凹坑内设置有深紫外LED芯片，第二凹坑内设置有透明胶，这样LED芯片处在一个密闭的空间，且第二凹坑上方封盖有光学玻璃，这样提高了深紫外LED芯片所处环境的稳定性，提高了深紫外LED芯片的防腐蚀性能、低衰减、无黄化、高使用寿命，深紫外LED芯片更好地进行工作，深紫外LED芯片发出的深紫外线应用在医疗器械消毒以及冰箱消毒，消毒杀菌效果好。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的深紫外LED光源的立体示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

以下结合具体实施例对本实用新型的实现进行详细的描述。

参照图1所示，为本实用新型提供较佳实施例。

深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，半导体深紫外光源在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。

深紫外LED的应用很广泛，其中包括：饮用水、空气、饮料、药品包装的消毒；手术器械消毒及无菌状态保持；在冰箱内，杀灭存活的霉菌孢子，更加延长食物保存期。除消毒作用外，深紫外LED还能够进行光化学催化、油墨固化等等。

本实施例提供的深紫外LED光源，包括陶瓷基板1，陶瓷基板1上设置有金属基板，金属基板中部凹陷形成凹陷区，凹陷区包括第一凹坑3以及第二凹坑4，第二凹坑4置于第一凹坑3上方，第二凹坑4与第一凹坑3连通，第二凹坑4的面积比第一凹坑3的面积大；第一凹坑3内倒装有深紫外LED芯片5，第二凹坑4内设置有一层透明胶，金属基板上设置有电路结构，深紫外LED芯片5与电路结构电性连接，电路结构与深紫外LED芯片5采用无机封装的方式进行封装固定，金属基板上方覆盖有光学玻璃6。

上述提供的深紫外LED光源，通过在陶瓷基板1上设置金属基板，陶瓷基板1导热性好而且成本低廉，金属基板上具有第一凹坑3和第二凹坑4，第一凹坑3内设置有深紫外LED芯片5，第二凹坑4内设置有透明胶，这样LED芯片5处在一个密闭的空间，且第二凹坑4上方封盖有光学玻璃6，这样提高了深紫外LED芯片5所处环境的稳定性，提高了深紫外LED芯片5的防腐蚀性能、低衰减、无黄化、高使用寿命，深紫外LED芯片5更好地进行工作，深紫外LED芯片5发出的深紫外线应用在医疗器械消毒以及冰箱消毒，消毒杀菌效果好。

具体地，深紫外LED芯片5的背面为发光面，深紫外LED芯片5的正面抵接第一凹坑3；深紫外LED芯片5采用倒装的方式固定，省掉了焊线的工艺，而且提升了光效。

具体地，金属基板上设有用于电性连接外接电源的正极和负极；外接电源电性连接金属基板上的正极和负极，形成闭合回路，对深紫外LED芯片5进行供电，深紫外LED芯片5发出深紫外线。

具体地，深紫外LED芯片5是以AlGaN材料为有源区的深紫外LED芯片5；以AlGaN材料为有源区的深紫外LED的发光波长能够覆盖210-365nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的理想材料，具有其它传统紫外光源无法比拟的优势。

具体地，深紫外LED芯片5可以替换为由多个深紫外LED芯片5构成的深紫外LED芯片5组；多个深紫外LED芯片5共同工作，可以极大地提高深紫外LED光源的杀菌消毒效果。

本实施例中，深紫外LED芯片5组包括多个串联连接的深紫外LED芯片5；多个深紫外LED芯片5串联连接，多个深紫外LED芯片5将同时工作，提高深紫外LED灯的发光效果，单位面积的输出光强将更高，杀菌效率更高。

或者，作为其他实施例，深紫外LED芯片5组包括多个并联连接的深紫外LED芯片5；这样，当有一个深紫外LED芯片5损坏时，其他深紫外LED芯片5可以正常工作，提高了深紫外LED光源的使用寿命。

或者，作为其他实施例，深紫外LED芯片5组包括第一深紫外LED芯片5组以及第二深紫外LED芯片5组，第一深紫外LED芯片5组与第二深紫外LED芯片5组之间并联连接，第一深紫外LED芯片5组包括多个串联的第一深紫外LED芯片5，第二深紫外LED芯片5组包括多个串联的第二深紫外LED芯片5；这样不仅可以使单位面积输出的光强更高，提升了杀菌效率，同时当某一芯片发生损坏时，深紫外LED光源依然可以工作，提高了使用寿命。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.深紫外LED光源，其特征在于，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设置有金属基板，所述金属基板中部凹陷形成凹陷区，所述凹陷区包括第一凹坑以及第二凹坑，所述第二凹坑置于所述第一凹坑上方，所述第二凹坑与所述第一凹坑连通，所述第二凹坑的面积比第一凹坑的面积大；所述第一凹坑内倒装有深紫外LED芯片，所述第二凹坑内设置有一层透明胶，所述金属基板上设置有电路结构，所述深紫外LED芯片与所述电路结构电性连接，所述电路结构与所述深紫外LED芯片采用无机封装的方式进行封装固定，所述金属基板上方覆盖有光学玻璃。

2.如权利要求1所述的深紫外LED光源，其特征在于，所述深紫外LED芯片的背面为发光面，所述深紫外LED芯片的正面抵接所述第一凹坑。

3.如权利要求2所述的深紫外LED光源，其特征在于，所述金属基板上设有用于电性连接外接电源的正极和负极。

4.如权利要求3所述的深紫外LED光源，其特征在于，所述深紫外LED芯片是以AlGaN材料为有源区的深紫外LED芯片。

5.如权利要求1-4任一项所述的深紫外LED光源，其特征在于，所述深紫外LED芯片可以替换为由多个深紫外LED芯片构成的深紫外LED芯片组。

6.如权利要求5所述的深紫外LED光源，其特征在于，所述深紫外LED芯片组包括多个串联连接的深紫外LED芯片。

7.如权利要求5所述的深紫外LED光源，其特征在于，所述深紫外LED芯片组包括多个并联连接的深紫外LED芯片。

8.如权利要求5所述的深紫外LED光源，其特征在于，所述深紫外LED芯片组包括第一深紫外LED芯片组以及第二深紫外LED芯片组，第一深紫外LED芯片组与第二深紫外LED芯片组之间并联连接，第一深紫外LED芯片组包括多个串联的第一深紫外LED芯片，第二深紫外LED芯片组包括多个串联的第二深紫外LED芯片。