CN103322512B - 一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置 - Google Patents

一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103322512B
CN103322512B CN201310193563.2A CN201310193563A CN103322512B CN 103322512 B CN103322512 B CN 103322512B CN 201310193563 A CN201310193563 A CN 201310193563A CN 103322512 B CN103322512 B CN 103322512B
Authority
CN
China
Prior art keywords
phosphor sheet
glass dust
substrate
temperature
phosphor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310193563.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103322512A (zh
Inventor
徐虎
李乾
田梓峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Appotronics Corp Ltd
Shenzhen Appotronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Yili Ruiguang Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Yili Ruiguang Technology Development Co Ltd filed Critical Shenzhen Yili Ruiguang Technology Development Co Ltd
Priority to CN201310193563.2A priority Critical patent/CN103322512B/zh
Publication of CN103322512A publication Critical patent/CN103322512A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103322512B publication Critical patent/CN103322512B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置,其特征在于,包括:获取有机载体、第一玻璃粉、第二玻璃粉、荧光粉;将有机载体、荧光粉、第一玻璃粉、第二玻璃粉混合以得到荧光粉浆;将荧光粉浆覆盖在第一基板上;将荧光粉浆在第一温度进行烧结,以获得第一荧光粉片,第一温度低于第二玻璃粉的软化温度且高于或等于第一玻璃粉的软化温度;将第一荧光粉片进行整片脱模;将第一荧光粉片放置在第二基板上;将第一荧光粉片在第二温度进行加热,以获得第二荧光粉片,第二温度大于等于第二玻璃的软化温度;将第二基板上的第二荧光粉片进行整片脱模。本发明实施例提供了更容易完整脱模的荧光粉片及其制备方法、相关发光装置。

Description

一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置
技术领域
本发明涉及照明及显示技术领域,特别是涉及一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置。
背景技术
现有技术中,荧光粉片的制作方式一般是通过将荧光粉直接加入粘接剂中,然后固化制作成粉片使用。对于透射用荧光粉片,常用的方法是以硅胶作为粘接剂,加入荧光粉混匀后在铝或其他金属基板上以刮涂的方式成膜,经过160至260℃烘烤后膜层脱落,得到荧光粉片。但是以硅胶为主要粘接剂制备出的荧光粉片导热性、耐热性较差,而且在高温下易软化,荧光粉片容易粘接在保护元件上,造成光效急剧下降,在使用大功率激光进行照射时,荧光粉片还会因高温而发黑失效。
为解决有机粘接剂导致的粉片耐热性低下的问题,现有技术提出了以无机物作为粘接剂的方法,例如玻璃粉。玻璃粉作为粘接剂的好处在于其耐受温度高,不会产生因高温而发黑失效的问题,而且粉片硬度较好,利于组装。目前玻璃粉封装的荧光粉片的制备工艺为:将有机助剂、荧光粉、玻璃粉按一定比例混合后,在铝基板上刮涂成膜,经过一定温度烧结后,有机助剂挥发,玻璃粉与荧光粉结合为整体粉片,并在冷却后,荧光粉片可以脱落下来。
但是,为了保证透射用荧光粉片的透过率,荧光粉片的厚度较薄,因而强度也不高。因此在铝、钢等金属基板上烧结玻璃荧光粉片时,荧光粉片容易出现碎裂、裂纹的现象,而不能够完整脱模。使用脱模剂后,虽然荧光粉片与基板之间的结合力变小,从而解决了粉片碎裂不成型的问题,但是粉片上裂纹、空隙依然较多,还容易出现脱模剂污染粉片而造成光效低下的问题。在陶瓷基板上烧结玻璃荧光粉片时,虽然不会出现玻璃荧光粉片出现裂纹等问题,但是也会出现难以完整脱模的现象。
发明内容
本发明实施例主要解决的技术问题是提供一种可以更容易完整脱模的荧光粉片及其制备方法、相关发光装置。
本发明实施例提供了一种光学膜片调节装置,其特征在于,包括:
获取有机载体、第一玻璃粉、第二玻璃粉以及荧光粉,第一玻璃粉的软化温度低于第二玻璃粉的软化温度;
将有机载体、荧光粉、第一玻璃粉、第二玻璃粉混合以得到荧光粉浆;
将荧光粉浆覆盖在第一基板上;
将覆盖在第一基板上的荧光粉浆在第一温度进行烧结,以获得第一荧光粉片,第一温度低于第二玻璃粉的软化温度且高于或等于第一玻璃粉的软化温度,第一荧光粉片的热膨胀系数与第一基板的热膨胀系数不相同;
将第一基板上的第一荧光粉片冷却以将该第一荧光粉片进行整片脱模;
将第一荧光粉片放置在第二基板上;
将第一荧光粉片与第二基板在第二温度进行加热,以获得第二荧光粉片,第二温度大于等于第二玻璃粉的软化温度;
将第二基板上的第二荧光粉片进行整片脱模。
优选地,根据权利要求1的荧光粉片的制备方法,其特征在于:第一玻璃粉在第一荧光粉片中的体积分数大于等于3%小于等于20%。
优选地,根据权利要求2的荧光粉片的制备方法,其特征在于:第一玻璃粉在第一荧光粉片中的体积分数大于等于7%小于等于11%。
优选地,根据权利要求2的荧光粉片的制备方法,其特征在于:第一玻璃粉与第二玻璃粉在第二荧光粉片中的体积分数之和大于20%小于等于40%。
优选地,根据权利要求4的荧光粉片的制备方法,其特征在于:第一玻璃粉与第二玻璃粉在第二荧光粉片中的体积分数之和大于等于30%小于等于35%。
优选地,根据权利要求4的荧光粉片的制备方法,其特征在于:第二玻璃粉的软化温度Tf2与第一玻璃粉的软化温度Tf1满足Tf2—Tf1≥100℃。
优选地,根据权利要求4的荧光粉片的制备方法,其特征在于:第一玻璃粉与第二玻璃粉的体积比为1/5至1/1。
优选地,根据权利要求1至7中任一项的荧光粉片的制备方法,其特征在于:第一基板为金属基板。
优选地,根据权利要求8的荧光粉的制备方法,其特征在于:第一基板为表面具有氧化层的铝基板。
优选地,根据权利要求1至7中任一项的荧光粉片的制备方法,其特征在于:第二基板为陶瓷基板。
本发明实施例还提供了一种荧光粉片,其特征在于:该荧光粉片上述荧光粉片的制备方法制备而成。
本发明实施例还提供了一种发光装置,其特征在于:该发光装置包括上述荧光粉片,且该发光装置还包括一用于出射激发光的激发光源,该荧光粉片用于接收激发光并出射受激光。
与现有技术相比,本发明实施例具有如下有益效果:
本发明实施例中,荧光粉浆包括第一玻璃粉和第二玻璃粉。当在第一温度烧结时,由于第一温度低于第二玻璃粉的软化温度,使得第二玻璃粉没有起到粘接作用,相对于完全用第一玻璃粉粘接的荧光粉片,第一玻璃粉在第一荧光粉片的体积分数相对较小,与第一基板的接触面积变小了,因此相对于完全使用第一玻璃粉的荧光粉片,第一温度成型后的荧光粉片与第一基板的结合力变小了,从而使得第一荧光粉片从第一基板上脱落所需的脱模力减小了,更容易进行完整脱模。当将荧光粉片放置在第二基板上,并在第二温度加热时,荧光粉片与第二基板之间的具有间隙。而第一玻璃粉和第二玻璃粉软化后由于表面张力附着在荧光粉周围,不容易流到第二基板上去,因此相对于完全由第二玻璃粉粘接的荧光粉片,在第二温度加热成型后的荧光粉片和第二基板之间的结合力也相对较小,所以第二荧光粉片在第二温度加热后也更容易完整脱模。
附图说明
图1为本发明的荧光粉片的制备方法的一个实施例的流程示意图;
图2为本发明的荧光粉片的制备方法的又一个实施例的流程示意
图。
具体实施方式
现有技术中,利用玻璃粉封装荧光粉来代替硅胶封装荧光粉,以实现荧光粉片的耐高温性能。同时,为了解决玻璃粉与荧光粉的混合不均的问题,往往使用乙二醇等与玻璃粉、荧光粉混合,再在基板上进行烧结,可以得到分布均匀、强度较高的荧光粉片。但是同时,荧光粉片与基板的结合力也比较强。
但是为了制备用透射用荧光粉片,需要将荧光粉片从基板上进行脱模。由于荧光粉片与基板的结合力比较强,需要较大的脱模力才能将荧光粉片与基板进行分离。而透射用荧光粉片的强度一般较低,使得脱模力还不足以使得荧光粉片与基板分离,就已经破坏了荧光粉片。这就是在金属基板上成型荧光粉片出现破裂的原因;而陶瓷基板与荧光粉片之间较低的脱模力一般要小于荧光粉片与基板之间的结合力。因此本发明提出了一种可以降低荧光粉片与基板之间结合力的荧光粉片的制备方法,使得荧光粉片更容易整片脱模。
下面结合附图和实施方式对本发明实施例进行详细说明。
图1为本发明的荧光粉片的制备方法的一个实施例的流程示意图,如图1所示,该荧光粉片的制备方法包括:
S11、获取硅油、第一玻璃粉、第二玻璃粉以及荧光粉,第一玻璃粉的软化温度低于第二玻璃粉的软化温度。
硅油是一种不同聚合度的聚有机硅氧烷的混合物,其中,甲基硅油、乙基硅油、苯基硅油、甲基苯基硅油等都是常用的硅油种类。硅油具有一定的粘度,且硅油的表面张力较小,容易浸润第一玻璃粉、第二玻璃粉和荧光粉而混合成一个整体。其中,甲基硅油的闪点比较高(300℃),粘度高,热稳定性也比较高,其粘度不随着温度的变化而变化,有利于后续浆体的粘度调节,不容易出现分相,是一种优选的有机载体。当然,除了硅油以外,对于其它有一定粘性,且可以将第一玻璃粉、第二玻璃粉和荧光粉粘接成有一定流动性的整体的有机载体都是可以的,例如乙二醇、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)等,它们都会在烧结后挥发或者仅留下少量对荧光粉发光基本没有影响的残留物。
玻璃粉是一种无定形颗粒状的玻璃均质体,其透明度高且化学性质稳定。在荧光粉片中,玻璃粉的作用是对荧光粉进行粘接,并将荧光粉与空气隔绝,以避免荧光粉在空气中氧化或者受潮。为了实现分阶段烧结荧光粉片,第一玻璃粉的软化温度低于第二玻璃粉的软化温度,实际操作中,第一玻璃粉一般选择低熔点玻璃粉(软化温度在500℃以下),第二玻璃粉一般选择高熔点玻璃粉(软化温度高于500℃),可以使得两次加热互不影响,这将在后续实施例中进一步进行阐述。
荧光粉可以吸收激发光并受激产生不同于激发光波长的光,例如YAG(钇铝石榴石)荧光粉,YAG荧光粉可以吸收蓝光、紫外光等而产生黄色受激光。此外,荧光粉还可以是红光荧光粉、绿光荧光粉等。
S12、将硅油、荧光粉、第一玻璃粉、第二玻璃粉混合以得到荧光粉浆。
为了解决荧光粉与玻璃粉混合难以形成一个整体的问题,在本步骤中,将荧光粉、第一玻璃粉、第二玻璃粉与硅油混合成一整体,使得硅油作为混合荧光粉和玻璃粉的载体,并得到荧光粉浆。
为了实现混合均匀,可以利用机械搅拌等方式进行混合。这里的步骤S12可以是在步骤S11完成后,将硅油、荧光粉、第一玻璃粉、第二玻璃粉一起混合均匀;也可以是步骤S11和步骤S12同时进行,例如获取一定量的第一玻璃粉、第二玻璃粉和荧光粉,然后利用搅拌等方式对第一玻璃粉、第二玻璃粉和荧光粉进行混合,同时再获取一定量的硅油,并在搅拌的同时逐渐加入到第一玻璃粉、第二玻璃粉和荧光粉中。
S13、将荧光粉浆覆盖在第一基板上。
这里的第一基板用于承载硅油、第一玻璃粉、第二玻璃粉、荧光粉的混合物,它可以是金属板、陶瓷板等,当然,该第一基板的熔点应高于第一玻璃粉的软化点,以耐受烧结第一玻璃粉时的温度。优选地,第一基板为金属板,金属板的热膨胀系数较大,与荧光粉片的热膨胀系数的差异较大,有利于荧光粉片的脱模。
荧光粉浆可以采用刮涂、浸渍、喷涂等方式覆盖在基板上,而优选地,荧光粉浆可以通过丝网印刷方式涂覆,丝网印刷可以使涂覆在基板表面的荧光粉浆厚度更加均匀,烧结成型后的热应力更小。
S14、将覆盖在第一基板上的荧光粉浆在第一温度进行烧结,以获得第一荧光粉片。
为了将荧光粉浆烧结成型,第一温度应该在荧光粉浆中的第一玻璃粉的软化温度以上,这是因为如果烧结温度过低,玻璃粉不能熔化;但是如果烧结温度过高,有可能造成荧光粉和第一玻璃粉的化学反应或者造成荧光粉激活离子氧化,还可能造成玻璃粉熔融形成的流体的粘度太低,使得荧光粉与玻璃流体分相,同样使得荧光粉浆不能被烧结成第一荧光粉片。经实验发现,优选地,第一温度T1在Tf1≤T1≤Tf1+300℃范围内是可以相对更容易地进行成型,其中Tf1为第一玻璃粉的软化温度。另外,为了防止荧光粉浆中的第二玻璃粉软化,第一温度应低于荧光粉浆中的第二玻璃粉的软化温度。
另一方面,第一玻璃粉作为粘接剂必须足以将第二玻璃粉、荧光粉粘接成一个整体。经实验验证,优选地,第一荧光粉片中的第一玻璃粉的体积分数应大于等于3%,此时第一荧光粉片能够相对比较容易的成型。更优选地,第一荧光粉片中的第一玻璃粉的体积分数大于等于7%小于等于11%,此时第一荧光粉片具有一定的强度,在后续的脱模步骤中不容易损坏。
在烧结的过程,硅油会分解,并产生少量的二氧化硅。这些少量的二氧化硅并不会对荧光粉片的光效造成明显的影响。
S15、将第一基板上的第一荧光粉片冷却以将该第一荧光粉片进行整片脱模。
这里,第一荧光粉片的热膨胀系数与第一基板的热膨胀系数不相同,因此,冷却后第一荧光粉片和第一基板的收缩程度不同,且热膨胀系数差异越大,收缩程度差异越大,第一基板对第一荧光粉的拉力越大。因此,第一荧光粉片的热膨胀系数与第一基板的热膨胀系数需要具有一定差值,以保证有足够的脱模力。这也是金属基板是一种优选的第一基板的原因。
而另一方面,第一荧光粉片中的第一玻璃粉的量越多,则第一荧光粉片与第一基板的结合力越强,所需脱模力也越大。但是由于第一温度低于第二玻璃粉的软化温度,使得第二玻璃粉没有起到粘接作用,相对于完全由第一玻璃粉粘接的荧光粉片,第一玻璃粉在第一荧光粉片中比例减少了,与第一基板的接触面积减小了,因此第一荧光粉片与第一基板之间的结合力减小了,可以更容易的整片脱模。
为了能够比较容易的脱模,优选地,第一荧光粉片中的第一玻璃粉的体积分数应控制在20%以下,经实验验证,此时,第一荧光粉片的与第一基板的粘接力较小,冷却后基本上可以从第一基板上较容易地整片脱落。
S16、将第一荧光粉片放置在第二基板上。
第二基板的作用在于作为第一荧光粉片的载体。具体地,第二基板可以是金属基板或者陶瓷基板。考虑到后续的加热步骤的温度较高,而陶瓷基板的熔点相对较高,因此优选地,第二基板为陶瓷基板,可以耐受较高温度。
S17、将第一荧光粉片与第二基板在第二温度进行加热,以获得第二荧光粉片,第二温度大于等于第二玻璃粉的软化温度。
为了软化第一荧光粉片中的第二玻璃粉,以使得第二玻璃粉起到粘接荧光粉片的作用,第二温度应高于或者等于第二玻璃粉的软化温度。第二玻璃粉起到粘接作用以后,第二荧光粉片的强度也相对于第一荧光粉片提高了。第二温度越高,第二玻璃粉的流动性越好,越容易在荧光粉片中分布均匀。但是为了能够获得第二荧光粉片,第二温度不能太高,否则第二玻璃粉的流动性过强,使得第二荧光粉片难以成型。因此,优选地,第二温度T2的范围为Tf2≤T2≤Tf2+300℃,其中Tf2为第二玻璃粉的软化温度,此时第二荧光粉片比较容易成型。
S18、将第二基板上的第二荧光粉片进行整片脱模。
本步骤中,第二荧光粉片的脱模原理与第一荧光粉片的脱模原理不同。由于第一荧光粉片是脱模后放置在第二基板上的,第一荧光粉片与第二基板之间存在着间隙。当在第二温度加热时,第一玻璃粉和第二玻璃粉即使到熔融状态,也会由于表面张力而附着在荧光粉周围,并不容易流到第二基板上去。在保证第二荧光粉片成型的条件下,即使第一玻璃粉和第二玻璃粉的流动性较强,有可能粘接到第二基板上,但相对于完全由第二玻璃粉粘接的荧光粉片,第二荧光粉片与第二基板的粘接力要小的多,所以第二荧光粉片在第二温度加热后也更容易整片脱模。
当第一玻璃粉和第二玻璃粉较少时,第一玻璃粉和第二玻璃粉软化后依然被吸附在荧光粉颗粒之间,几乎不会与第二基板产生粘接。而当第一玻璃粉和第二玻璃粉较多时,第一玻璃粉和第二玻璃粉有可能溢出荧光粉颗粒之间的缝隙而第二基板粘接,因此,优选地,第一玻璃粉和第二玻璃粉在第二荧光粉片中的体积分数之和大于20%小于等于40%,此时第二荧光粉片与第二基板之间结合力较小,可以较容易脱落。更优选,第一玻璃粉和第二玻璃粉在第二荧光粉片中的体积分数之和大于等于30%小于等于35%,此时第二荧光粉片的强度比较高,并且第二荧光粉片与第二基板的结合力较小,基本上可以从第二基板上自行脱落。
值得说明的是,本实施例中,第一玻璃粉的软化温度低于第二玻璃粉的软化温度,其目的在于:在第一温度加热时,第一玻璃粉会软化并起到粘接作用,而第二玻璃粉并不会软化。但实际操作中,第一温度往往要略高于第一玻璃粉的软化温度,并且第二玻璃粉的软化温度越高,第二荧光粉片所能耐受的温度越高,因此第二玻璃粉与第一玻璃粉之间的软化温度具有一定的差值,优选地,第二玻璃粉的软化温度Tf2与第一玻璃粉的软化温度Tf1满足:Tf2—Tf1≥100℃。
通过上述方法,可以得到第二荧光粉片,该第二荧光粉片包括第一玻璃粉、第二玻璃粉、荧光粉,可以用于透射式色轮。当以硅油为有机载体与第一玻璃粉、第二玻璃粉、荧光粉的混合时,第二荧光粉片还可能包括少量的二氧化硅。实际操作中,优选地,第一玻璃粉与第二玻璃粉的体积比为1/5至1/1,此时,第二玻璃粉所占的体积比例较高,与完全由熔点较高的第二玻璃粉封装的荧光粉片类似,第二荧光粉片也可以耐受较高温度,并且第二荧光粉片的强度也较高。
实施例二
图2为本发明的荧光粉片的制备方法的又一个实施例的流程示意图,如图2所示,该荧光粉片的制备方法包括:
S21、获取甲基硅油、低熔点玻璃粉、高熔点玻璃粉以及荧光粉,低熔点玻璃粉的软化温度低于高熔点玻璃粉的软化温度。
步骤S21的说明请参见对步骤S11的说明。这里的低熔点玻璃粉为第一玻璃粉,高熔点玻璃粉为第二玻璃粉。具体地,该低熔点玻璃粉的软化温度为450℃;高熔点玻璃粉为硼硅酸盐玻璃粉,其软化温度为720℃,硼硅酸盐玻璃粉可以耐受较高温度,并且具有导热性好、透明度高的优点,是一种优选的高熔点玻璃粉。
S22、将甲基硅油、荧光粉、低熔点玻璃粉、高熔点玻璃粉混合以得到荧光粉浆。
步骤S22的说明请参见对步骤S12的说明。
S23、将荧光粉浆覆盖在铝基板上。
步骤S23的说明请参见对步骤S13的说明。这里的铝基板为第一基板。
由于铝基板的热膨胀系数较高,从而与荧光粉浆成型后的第一荧光粉片的热膨胀系数差异较大,有利于脱模。当然,这里的铝基板还可以用铁基板、铜基板等其它金属基板而代替,这些金属基板的热膨胀系数也较高,有利于后续步骤中第一荧光粉片的脱模。
另外,优选地,铝基板的表面具有氧化层。铝基板表面的氧化层的成份主要是氧化铝,氧化铝层结构比较致密,性质比较稳定,也不会像氧化铁或者氧化铜等可能污染基板。更重要的是,铝基板的氧化层会使得铝基板的表面在微观上比较粗糙,具有很多空隙,但是由于荧光粉浆具有一定粘度,流动性不是很高,因此荧光粉浆覆盖在铝基板的表面时,荧光粉浆并不能流进铝基板表面的空隙中,从而使得荧光粉浆与铝基板的表面的接触面积变小,使得荧光粉浆烧结成型后的荧光粉片与氧化铝基板的结合力较小。
S24、将被荧光粉浆覆盖的铝基板在T3温度加热0.2小时以上,其中Tb-100℃≤T3≤Tb+200℃,Tb为甲基硅油的闪点。
经实验发现,若直接对被荧光粉浆涂覆的基板进行烧结成型,由荧光粉浆烧结成的第一荧光粉片会产生很多气孔。这是由于硅油的闪点一般来说要远低于第一玻璃粉的软化温度,直接在第一玻璃粉的软化温度附近加热,硅油挥发的速度太快,会在第一荧光粉片上形成气孔,因此本发明实施例提出在烧结成型前要对荧光粉浆进行低温加热,以使得至少部分硅油低速率挥发掉。
具体地,本实施例中,在200℃(比甲基硅油的闪点温度300℃低100℃)下加热0.2小时,荧光粉浆中就会有相当比例的硅油挥发或者分解,残留的硅油会在荧光粉浆烧结成型的过程中挥发或分解掉。当然容易理解的是,加热的温度越低,需要加热的时间更长才能去除全部的硅油,并且加热时间越长,残留的甲基硅油越少。为了缩短加热时间,可以提高荧光粉浆和基板的加热温度,但是为了保证甲基硅油以较缓慢的速度挥发,加热温度要在500℃(比甲基硅油的闪点温度300℃高200℃)以下。例如加热温度为500℃,此时加热0.2小时后,荧光粉浆可以挥发更多的甲基硅油,甲基硅油全部挥发掉的时间也比在200℃加热时的时间短。
当使用其它类型的硅油来替代甲基硅油,为了控制硅油挥发的速度和挥发量,同样需要控制被荧光粉浆涂覆的第一基板的加热温度在T3温度,Tb-100℃≤T3≤Tb+200℃,Tb为硅油等有机助剂的闪点。当然,如果T3温度与第一荧光粉片成型的第一温度T1相接近,这个步骤的预挥发硅油的作用较小,因此T3温度要与第一温度保持一定差值,优选地,T1-T3≥100℃。
实际上,如果利用乙二醇等代替硅油与第一玻璃粉、、第二玻璃粉、荧光粉混合,经过步骤S24,也可以减少成型后的第一荧光粉片的气孔,但是效果会差于硅油。这是因为乙二醇是纯净物,当加热到乙二醇闪点附近时,所有的乙二醇基本上也是很快都挥发了,只剩下固态的荧光粉和玻璃粉,挥发的乙二醇的原来所在的位置变成了气孔。而硅油是不同聚合度的聚有机硅氧烷的混合物,不同聚合度的聚有机硅氧烷具有不同的闪点,因此在硅油升温的过程中,不同聚合度的有机硅氧烷会依次挥发。这时,虽然有部分的硅油挥发,荧光粉、玻璃粉和剩余的硅油依然有流动性,荧光粉和玻璃粉会相互靠近以填充挥发硅油的位置,从而减少了气孔的产生。
S25、将覆盖在铝基板上的荧光粉浆在450℃加热,以获得第一荧光粉片。
由于低熔点玻璃的软化温度为450℃,需要将荧光粉浆的烧结温度设置在该温度之上。而考虑到高熔点玻璃粉的软化温度,烧结温度应在720℃之下。为了成型第一荧光粉片,荧光粉浆的加热需要保持一定时间,该时间需要根据加热温度进行选择,加热温度越高,成型所需的时间越短。
S26、将铝基板上的第一荧光粉片冷却以将该第一荧光粉片进行整片脱模。
步骤S26的说明请参见对步骤S15的说明。
S27、将第一荧光粉片放置在陶瓷基板上。
步骤S27的说明请参见对步骤S16的说明。这里的陶瓷基板为第二基板。
相对于金属基板,陶瓷基板的表面比较粗糙,与铝基板表面粗糙的氧化层类似,陶瓷基板粗糙的表面可以降低第二荧光粉片和陶瓷基板之间的结合力。
S28、将第一荧光粉片与陶瓷基板在720℃进行加热,以获得第二荧光粉片。
步骤S28的说明请参见对步骤S17的说明。这里720℃为第二温度。为了使得第二玻璃粉软化而起到粘接作用,同时能够较高的成型,优选地,第二温度要在720℃至1020℃之间。
另外,优选地,在步骤S27之后、在步骤S28之前,可以对第一荧光粉片进行预软化,预软化温度为500至600℃,时间为0.1至2小时。通过预软化,第一荧光粉片中的第二玻璃粉的状态比较一致,在温度上升至软化点以上时,第二玻璃粉可以流动的更加均匀,使得第二荧光粉片中的第二玻璃粉的分布比较均匀。
S29、将陶瓷基板上的第二荧光粉片进行整片脱模。
步骤S29的说明请参见对步骤S18的说明。
通过上述方法,同样可以得到能够第二荧光粉片,该第二荧光粉片包括低熔点玻璃粉、高熔点玻璃、荧光粉。
本发明实施例还提供了一种发光装置,该发光装置包括上述实施例中的第二荧光粉片,且还包括一用于出射激发光的激发光源。该第二荧光粉片用于接收激发光并出射受激光。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (12)

1.一种荧光粉片的制备方法,其特征在于,包括:
获取有机载体、第一玻璃粉、第二玻璃粉以及荧光粉,所述第一玻璃粉的软化温度低于所述第二玻璃粉的软化温度;
将所述有机载体、荧光粉、第一玻璃粉、第二玻璃粉混合以得到荧光粉浆;
将所述荧光粉浆覆盖在第一基板上;
将覆盖在所述第一基板上的荧光粉浆在第一温度进行烧结,以获得第一荧光粉片,所述第一温度低于所述第二玻璃粉的软化温度且高于或等于所述第一玻璃粉的软化温度,所述第一荧光粉片的热膨胀系数与所述第一基板的热膨胀系数不相同;
将所述第一基板上的第一荧光粉片冷却以将该第一荧光粉片进行整片脱模;
将所述第一荧光粉片放置在第二基板上;
将所述第一荧光粉片与第二基板在第二温度进行加热,以获得第二荧光粉片,所述第二温度大于等于所述第二玻璃粉的软化温度;
将所述第二基板上的第二荧光粉片进行整片脱模。
2.根据权利要求1所述的荧光粉片的制备方法,其特征在于:所述第一玻璃粉在第一荧光粉片中的体积分数大于等于3%小于等于20%。
3.根据权利要求2所述的荧光粉片的制备方法,其特征在于:所述第一玻璃粉在第一荧光粉片中的体积分数大于等于7%小于等于11%。
4.根据权利要求2所述的荧光粉片的制备方法,其特征在于:所述第一玻璃粉与第二玻璃粉在所述第二荧光粉片中的体积分数之和大于20%小于等于40%。
5.根据权利要求4所述的荧光粉片的制备方法,其特征在于:所述第一玻璃粉与第二玻璃粉在所述第二荧光粉片中的体积分数之和大于等于30%小于等于35%。
6.根据权利要求4所述的荧光粉片的制备方法,其特征在于:所述第二玻璃粉的软化温度Tf2与第一玻璃粉的软化温度Tf1满足Tf2—Tf1≥100℃。
7.根据权利要求4所述的荧光粉片的制备方法,其特征在于:所述第一玻璃粉与第二玻璃粉的体积比为1/5至1/1。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的荧光粉片的制备方法,其特征在于:所述第一基板为金属基板。
9.根据权利要求8所述的荧光粉片的制备方法,其特征在于:所述第一基板为表面具有氧化层的铝基板。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的荧光粉片的制备方法,其特征在于:所述第二基板为陶瓷基板。
11.一种荧光粉片,其特征在于:该荧光粉片由权利要求1至10中任一项所述的荧光粉片的制备方法制备而成。
12.一种发光装置,其特征在于:该发光装置包括如权利要求11所述的荧光粉片,且该发光装置还包括一用于出射激发光的激发光源,该荧光粉片用于接收激发光并出射受激光。
CN201310193563.2A 2013-05-22 2013-05-22 一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置 Active CN103322512B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310193563.2A CN103322512B (zh) 2013-05-22 2013-05-22 一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310193563.2A CN103322512B (zh) 2013-05-22 2013-05-22 一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103322512A CN103322512A (zh) 2013-09-25
CN103322512B true CN103322512B (zh) 2014-08-06

Family

ID=49191431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310193563.2A Active CN103322512B (zh) 2013-05-22 2013-05-22 一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103322512B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1320897A (zh) * 2000-03-31 2001-11-07 松下电器产业株式会社 显示板及其制造方法
CN1507644A (zh) * 2001-05-10 2004-06-23 株式会社东芝 荧光面的形成方法及图像显示装置
CN101171205A (zh) * 2005-05-11 2008-04-30 日本电气硝子株式会社 荧光体复合玻璃、荧光体复合玻璃生片和荧光体复合玻璃的制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008269939A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1320897A (zh) * 2000-03-31 2001-11-07 松下电器产业株式会社 显示板及其制造方法
CN1507644A (zh) * 2001-05-10 2004-06-23 株式会社东芝 荧光面的形成方法及图像显示装置
CN101171205A (zh) * 2005-05-11 2008-04-30 日本电气硝子株式会社 荧光体复合玻璃、荧光体复合玻璃生片和荧光体复合玻璃的制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2008-269939A 2008.11.06

Also Published As

Publication number Publication date
CN103322512A (zh) 2013-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104100933B (zh) 一种波长转换装置及其制作方法、相关发光装置
JP6826559B2 (ja) 多層構造のガラス蛍光体シート
KR102139777B1 (ko) Led 응용들을 위한 무기 바인더 내의 형광체
CN102434853B (zh) 光波长转换片、其制备方法及使用该光波长转换片的光源
CN104061531B (zh) 一种波长转换装置的制作方法
JP5371359B2 (ja) 蛍光体含有ガラス板及び発光装置の製造方法
JP2010027974A (ja) 発光装置の製造方法
TW201424053A (zh) 密封材料
WO2010140417A1 (ja) 波長変換用ガラス部材の製造方法
TW201347102A (zh) 接合體及半導體模組
JPWO2014014008A1 (ja) 封止層被覆半導体素子および半導体装置の製造方法
CN102786909B (zh) 一种led封装用的有机硅光固化封装胶及其应用
TW201728736A (zh) 波長轉換構件之製造方法
JP2015109434A (ja) ダイボンド層付き半導体素子搭載用支持部材、ダイボンド層付き半導体素子及びダイボンド層付き接合板
CN103322512B (zh) 一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置
WO2011065321A1 (ja) 発光ダイオードユニットの製造方法
TW201705556A (zh) 散熱基板、裝置及散熱基板的製造方法
CN102438965B (zh) 用于耐火材料和陶瓷的胶和涂料
CN105084760A (zh) 一种超薄发光玻璃的制备方法及相关发光装置
JP2008173355A (ja) 電磁誘導加熱調理器の製造方法及び電磁誘導加熱調理器
CN105374924B (zh) 胶膜的制备装置、制备方法及倒装led芯片的制备方法
JP2012164709A (ja) パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板
KR101471099B1 (ko) 알루미나를 이용한 led 형광체의 제조방법
CN101609809A (zh) 形成孔洞性材料的方法
JPS62276703A (ja) 金被膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171102

Address after: 518055 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Xili town tea light road Shenzhen city integrated circuit design and application of Industrial Park 401

Patentee after: APPOTRONICS Corp.,Ltd.

Address before: 518057 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Xili town tea light road on the south side of Shenzhen integrated circuit design and application of Industrial Park 402, 403, 410-1, 411 Yi Li Rui Light Technology Development Co. Ltd.

Patentee before: YLX Inc.

TR01 Transfer of patent right
CP03 Change of name, title or address

Address after: 518000 20-22, 20-22 headquarters building, 63 high tech Zone, Xuefu Road, Nanshan District, Guangdong Province, Guangdong.

Patentee after: APPOTRONICS Corp.,Ltd.

Address before: 518000 Nanshan District, Shenzhen, Guangdong, Guangdong Province, Guangdong Road, 63 Xuefu Road, high-tech zone, 21 headquarters building, 22 floor.

Patentee before: SHENZHEN GUANGFENG TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address after: 518000 Nanshan District, Shenzhen, Guangdong, Guangdong Province, Guangdong Road, 63 Xuefu Road, high-tech zone, 21 headquarters building, 22 floor.

Patentee after: SHENZHEN GUANGFENG TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 518055 Guangdong province Shenzhen Nanshan District Xili town Cha Guang road Shenzhen integrated circuit design application Industrial Park 401

Patentee before: APPOTRONICS Corp.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address