CN103320856A - 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法 - Google Patents

一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103320856A
CN103320856A CN2013102444089A CN201310244408A CN103320856A CN 103320856 A CN103320856 A CN 103320856A CN 2013102444089 A CN2013102444089 A CN 2013102444089A CN 201310244408 A CN201310244408 A CN 201310244408A CN 103320856 A CN103320856 A CN 103320856A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tio
nano
film
thin film
monocrystalline
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013102444089A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103320856B (zh
Inventor
廖宇龙
张怀武
钟智勇
白飞明
李颉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201310244408.9A priority Critical patent/CN103320856B/zh
Publication of CN103320856A publication Critical patent/CN103320856A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103320856B publication Critical patent/CN103320856B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。采用无定形态的TiO2纳米管阵列薄膜为前驱物，首先将前驱物置于氟化铵水溶液中浸泡处理以初始化前驱物中所含氟离子浓度；然后将前驱物置于封闭容器中煅烧处理，使得前驱物在氟离子的催化作用和高温作用下坍塌并转变为表面含氟、且(001)暴露的TiO2纳米颗粒；最后经高温脱氟处理，得到无氟单晶TiO2纳米薄膜。本发明所制备的TiO2纳米薄膜具有更高的光催化性能和光电转换性能，在太阳能光伏器件、光分解水和光催化等方面有着广泛的应用前景。本发明采用两步或多步后期热处理组合工艺，具有可控性高、重复性好、生产效率高、合成成本低而且和可大规模制造等优点。

Description

一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法
技术领域
本发明属于功能材料技术领域，涉及TiO2纳米薄膜，尤其是经脱氟处理的单晶锐钛矿型(001)暴露的TiO2纳米颗粒薄膜的制备方法。
技术背景
TiO2是一种宽禁带半导体，具催化活性高、物理和化学性质稳定、成本低廉等特点。近年来，高表面能和高活性（001）面型TiO2纳米颗粒的制备和应用受到科学界和工程界广泛关注。而单晶TiO2纳米材料比多晶TiO2纳米材料在有序异质结的应用中具有更多的优势和特点，尤其具具有（001）面暴露的TiO2单晶纳米颗粒表现出更高的光催化活性和电化学活性。目前人们采用水热法制备出了各种粉末状的（001）面暴露的TiO2纳米颗粒，这些纳米粉末在光催化，染料敏化太阳能电池，传感器等方面表现出优异的性能，但分离、回收和固化这些纳米粉体会增加额外的成本。
在某些特定领域中，比起粉末状的TiO2纳米颗粒，更需要固载化的薄膜状（001）面暴露的TiO2纳米颗粒薄膜材料。例如，在电池中，TiO2薄膜作为电极材料；在光催化中，TiO2薄膜作为固载光催化平板。另外，实际应用过程中表面无氟化也是制约这种（001）面暴露的TiO2纳米颗粒薄膜的性能关键因素之一。目前传统水热法制备的（001）面型TiO2纳米粉末表面含有大量的氟离子，严重地钝化了表面活性，降低了其光催化性能和光电转换性能。因此去除TiO2（001）表面的氟离子，制备表面无氟化的单晶锐钛矿型TiO2(001)纳米颗粒薄膜，对于众多技术领域有着至关重要的意义和应用研究价值，在太阳能光伏电池、锂离子电池、光催化、多相催化、气体传感器和光子晶体等领域具有很广泛的应用前景。
发明内容
本发明的目的在于提供一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法，该方法所制备的TiO2纳米薄膜由金属钛基板上的TiO2纳米颗粒组成，其中TiO2纳米颗粒呈单晶锐钛矿型、且（001）暴露，同时本发明制备的TiO2纳米薄膜不含氟，因此具有更高的光催化性能和光电转换性能，在太阳能光伏器件、光分解水和光催化等方面有着广泛的应用前景。
本发明技术方案如下：
一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法，如图1所示，包括以下步骤：
步骤1：以金属钛片为衬底材料，首先采用阳极氧化工艺，在含氟的有机电解液中对金属钛片进行氧化，在金属钛片表面生成无定型态TiO2纳米管阵列薄膜；
步骤2：将表面生成了无定型态TiO2纳米管阵列薄膜的金属钛片置于质量百分比浓度不超过2%的氟化铵水溶液中浸泡2～5分钟后取出晾干；
步骤3：将步骤2处理后的TiO2纳米管阵列薄膜连同金属钛片一起，置于封闭容器中，在450～550℃的温度条件下煅烧1～2小时，得到附着在金属钛片表面且表面含氟的TiO2纳米薄膜；所述TiO2纳米薄膜由(001)面暴露的单晶锐钛矿型TiO2纳米颗粒组成；
步骤4：将步骤3得到的附着在金属钛片表面且表面含氟的TiO2纳米薄膜，置于450～600℃的温度条件下煅烧1～3小时以进行脱氟处理，最终得到无氟单晶TiO2纳米薄膜；所述无氟单晶TiO2纳米薄膜由(001)面暴露的单晶锐钛矿型TiO2纳米颗粒组成，且表面不含氟。
本发明的实质在于：本发明采用无定形态的TiO2纳米管阵列薄膜为前驱物，首先将前驱物置于一定浓度的氟化铵水溶液中浸泡一定时间，以初始化前驱物中所含氟离子浓度；然后将含特定浓度氟离子的前驱物置于封闭容器中煅烧一定时间，使得TiO2纳米管阵列薄膜前驱物在氟离子的催化作用和高温作用下坍塌并转变为表面含氟、且(001)暴露的TiO2纳米颗粒、最后在450～600℃的温度和空气气氛条件下进行热处理1～3小时进行脱氟处理，得到最终的无氟单晶TiO2纳米薄膜。
本发明采用两步或多步后期热处理组合工艺，具有可控性高、重复性好、生产效率高、合成成本低而且和可大规模制造等优点。本发明所制备的TiO2纳米薄膜由金属钛基板上的TiO2纳米颗粒组成，其中TiO2纳米颗粒呈单晶锐钛矿型、且（001）暴露，同时本发明制备的TiO2纳米薄膜不含氟，因此具有更高的光催化性能和光电转换性能，在太阳能光伏器件、光分解水和光催化等方面有着广泛的应用前景。
附图说明
图1是本发明流程示意图。
图2是阳极氧化法制备的TiO2纳米管阵列薄膜SEM图；
图3是经过封闭高温热处理后得到的单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜SEM图。
图4是单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜脱氟前后的XPS图。
图5是无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜的XRD图。
图6是无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜SEM和TEM图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
实施例1：
1）采用阳极氧化金属钛片的方法，在含氟有机电解液中(294毫升乙二醇,6毫升水和1克氟化铵)，得到无定型TiO2纳米管阵列薄膜作为前驱物。其形貌如图1所示，纳米管阵列的长度可通过调节电压和氧化时间等参数控制；
2）将得到的无定型态TiO2纳米管阵列薄膜前驱物在质量百分比浓度为0.1%的氟化铵水溶液中浸泡5分钟，并取出晾干备用；
3）将步骤2）处理后的TiO2纳米管阵列薄膜，置于封闭的容器中，在450℃高温煅烧2小时，得到表面含氟的单晶锐钛矿型(001)暴露的TiO2纳米薄膜。该薄膜的SEM形貌图如图2所示，所含的单晶锐钛矿型(001)暴露的TiO2纳米颗粒粒径分布可通过改变氟化铵水溶液浓度进行控制；
4）将步骤3）得到的表面含氟单晶锐钛矿型(001)暴露的TiO2纳米薄膜，在450℃于空气中进一步高煅烧3小时进行脱氟处理，即得无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜。
实施例2：
1）采用阳极氧化金属钛片的方法，在含氟有机电解液中，得到无定型态TiO2纳米管阵列薄膜作为前驱物；
2）将得到的无定型态TiO2纳米管阵列薄膜前驱物在质量百分比浓度为0.5%的氟化铵水溶液中浸泡5分钟，并取出晾干备用；
3）将步骤2）处理后的TiO2纳米管阵列薄膜，置于封闭的容器中，在500℃高温煅烧2小时，得到表面含氟的单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜；
4）将步骤3）得到的表面含氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜，在500℃于空气中进一步高煅烧3小时进行脱氟处理，即得无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜。
实施例3：
1）采用阳极氧化金属钛片的方法，在含氟有机电解液中，得到无定型态TiO2纳米管阵列薄膜作为前驱物；
2）将得到的无定型态TiO2纳米管阵列薄膜前驱物在质量百分比浓度为1.0%的氟化铵水溶液中浸泡4分钟，并取出晾干备用；
3）将步骤2）处理后的TiO2纳米管阵列薄膜，置于封闭的容器中，在550℃高温煅烧1小时，得到表面含氟的单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜；
4）将步骤3）得到的表面含氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜，在550℃于空气中进一步高煅烧2小时进行脱氟处理，即得无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜。
实施例4：
1）采用阳极氧化金属钛片的方法，在含氟有机电解液中，得到无定型态TiO2纳米管阵列薄膜作为前驱物；
2）将得到的无定型态TiO2纳米管阵列薄膜前驱物在质量百分比浓度为1.5%的氟化铵水溶液中浸泡3分钟，并取出晾干备用；
3）将步骤2）处理后的TiO2纳米管阵列薄膜，置于封闭的容器中，在550℃高温煅烧1小时，得到表面含氟的单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜；
4）最后,将步骤3）得到的表面含氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜，在600℃于空气中进一步高煅烧1小时进行脱氟处理，即得无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜。
实施例5：
1）采用阳极氧化金属钛片的方法，在含氟有机电解液中，得到无定型态TiO2纳米管阵列薄膜作为前驱物；
2）将得到的无定型态TiO2纳米管阵列薄膜前驱物在质量百分比浓度为2%的氟化铵水溶液中浸泡2分钟，并取出晾干备用；
3）将步骤2）处理后的TiO2纳米管阵列薄膜，置于封闭的容器中，在450℃温煅烧2小时，得到表面含氟的单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜；
4）最后,将步骤3）得到的表面含氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜，在600℃于空气中进一步高煅烧2小时进行脱氟处理，即得无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜。
实施例6：
1）采用阳极氧化金属钛片的方法，在含氟有机电解液中(294毫升乙二醇,6毫升水和1克氟化铵)，得到无定型TiO2纳米管阵列薄膜作为前驱物；
2）将得到的无定型态TiO2纳米管阵列薄膜前驱物在质量百分比浓度为0.1%的氟化铵水溶液中浸泡2分钟，并取出晾干备用；
3）将步骤2）处理后的TiO2纳米管阵列薄膜，置于封闭的容器中，在450℃高温煅烧2小时，得到表面含氟的单晶锐钛矿型TiO2(001)纳米颗粒薄膜。
4）最后,将步骤3）得到的表面含氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜，在600℃于空气中进一步高煅烧3小时进行脱氟处理，即得无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜。
图2是实施例1中得到无定型TiO2纳米管阵列薄膜的SEM形貌图，结果表明制得的TiO2纳米管阵列呈规则有序排列，其长度可以通过调节电压和氧化时间等参数控制。
图3是实施例1中得到的表面含氟的单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜的SEM形貌图，结果表明经过封闭烧结工艺，TiO2纳米管阵列被成功转换为单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜，所含的(001)面暴露的TiO2纳米颗粒粒径分布可通过改变氟化铵水溶液浓度进行控制。
图4是实施例6中得到单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜脱氟前后样品的XPS图谱，对比两条曲线，发现氟离子被成功去除,得到无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜。
图5是实施例6中得到无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜的XRD图，衍射峰清晰，强度较高而且只有锐钛矿的衍射峰出现，说明本发明制备的无氟单晶锐钛矿型TiO2(001)纳米颗粒薄膜不但具有纯相构成而且结晶性能良好。
图5是实施例6中得到无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜的SEM和TEM图，说明本发明制备的无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜由大量具有（001）面暴露单晶TiO2纳米颗粒构成，这些颗粒具有明显规则的几何结构。
综上所述，本发明通过封闭烧结法能将无定型TiO2纳米管阵列薄膜转化为具有高能活性(001)面暴露的TiO2纳米颗粒，并通过多步后期深度热处理工艺，将氟离子从产品中有效清除，成功得到无氟单晶锐钛矿型(001)面暴露的TiO2纳米薄膜。方法简单可行，高效实用，产品适用面广，具有很高的使用价值和经济价值。

Claims (1)

1.一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：以金属钛片为衬底材料，首先采用阳极氧化工艺，在含氟的有机电解液中对金属钛片进行氧化，在金属钛片表面生成无定型态TiO2纳米管阵列薄膜；
步骤2：将表面生成了无定型态TiO2纳米管阵列薄膜的金属钛片置于质量百分比浓度不超过2%的氟化铵水溶液中浸泡2～5分钟后取出晾干；
步骤3：将步骤2处理后的TiO2纳米管阵列薄膜连同金属钛片一起，置于封闭容器中，在450～550℃的温度条件下煅烧1～2小时，得到附着在金属钛片表面且表面含氟的TiO2纳米薄膜；所述TiO2纳米薄膜由(001)面暴露的单晶锐钛矿型TiO2纳米颗粒组成；
步骤4：将步骤3得到的附着在金属钛片表面且表面含氟的TiO2纳米薄膜，置于450～600℃的温度条件下煅烧1～3小时以进行脱氟处理，最终得到无氟单晶TiO2纳米薄膜；所述无氟单晶TiO2纳米薄膜由(001)面暴露的单晶锐钛矿型TiO2纳米颗粒组成，且表面不含氟。
CN201310244408.9A 2013-06-19 2013-06-19 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法 Expired - Fee Related CN103320856B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310244408.9A CN103320856B (zh) 2013-06-19 2013-06-19 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310244408.9A CN103320856B (zh) 2013-06-19 2013-06-19 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103320856A true CN103320856A (zh) 2013-09-25
CN103320856B CN103320856B (zh) 2015-08-19

Family

ID=49189886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310244408.9A Expired - Fee Related CN103320856B (zh) 2013-06-19 2013-06-19 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103320856B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103537269A (zh) * 2013-10-21 2014-01-29 中国科学院广州地球化学研究所 TiO2纳米管组装{001}面单晶光电极制备与应用
CN103603041A (zh) * 2013-12-06 2014-02-26 中国科学技术大学 一种利用废弃电解液制备高活性TiO2纳米单晶的方法
CN103861576A (zh) * 2014-03-06 2014-06-18 天津大学 一种暴露锐钛矿二氧化钛高能面的异质结纳米管阵列薄膜光催化材料及制备方法和应用
CN106906507A (zh) * 2017-01-20 2017-06-30 浙江大学 一维锐钛矿TiO2纳米管阵列薄膜择优取向结晶的方法
CN107068874A (zh) * 2017-03-08 2017-08-18 哈尔滨工业大学 利用氟化铵溶液对钙钛矿电池中电子传输层的处理方法
CN108411346A (zh) * 2018-02-07 2018-08-17 中国科学院深圳先进技术研究院 具有（001）晶面择优取向的锐钛矿二氧化钛纳米管阵列及其制备方法和应用
CN113151890A (zh) * 2021-02-26 2021-07-23 太原理工大学 一种具有(001)面暴露的单晶二氧化钛纳米颗粒及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101187043A (zh) * 2007-09-17 2008-05-28 西北有色金属研究院 具有光催化性能的超长二氧化钛纳米管阵列的制备方法
CN101514471A (zh) * 2009-02-27 2009-08-26 哈尔滨工业大学 一种TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法
CN102260897A (zh) * 2011-06-13 2011-11-30 武汉科技大学 一种二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101187043A (zh) * 2007-09-17 2008-05-28 西北有色金属研究院 具有光催化性能的超长二氧化钛纳米管阵列的制备方法
CN101514471A (zh) * 2009-02-27 2009-08-26 哈尔滨工业大学 一种TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法
CN102260897A (zh) * 2011-06-13 2011-11-30 武汉科技大学 一种二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HUA GUI YANG ET AL.: "Anatase TiO2 single crystals with a large percentage of reactive facets", 《NATURE LETTERS》 *
YAHYA ALIVOV ET AL.: "A Method for Fabrication of Pyramid-Shaped TiO2 Nanoparticles with a High {001} Facet Percentage", 《THE JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS C》 *
YAHYA ALIVOV1 ET AL.: "A TiO2 nanostructure transformation:from ordered nanotubes to nanoparticles", 《NANOTECHNOLOGY》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103537269A (zh) * 2013-10-21 2014-01-29 中国科学院广州地球化学研究所 TiO2纳米管组装{001}面单晶光电极制备与应用
CN103603041A (zh) * 2013-12-06 2014-02-26 中国科学技术大学 一种利用废弃电解液制备高活性TiO2纳米单晶的方法
CN103603041B (zh) * 2013-12-06 2016-03-09 中国科学技术大学 一种利用废弃电解液制备高活性TiO2纳米单晶的方法
CN103861576A (zh) * 2014-03-06 2014-06-18 天津大学 一种暴露锐钛矿二氧化钛高能面的异质结纳米管阵列薄膜光催化材料及制备方法和应用
CN106906507A (zh) * 2017-01-20 2017-06-30 浙江大学 一维锐钛矿TiO2纳米管阵列薄膜择优取向结晶的方法
CN106906507B (zh) * 2017-01-20 2019-04-12 浙江大学 一维锐钛矿TiO2纳米管阵列薄膜择优取向结晶的方法
CN107068874A (zh) * 2017-03-08 2017-08-18 哈尔滨工业大学 利用氟化铵溶液对钙钛矿电池中电子传输层的处理方法
CN107068874B (zh) * 2017-03-08 2019-02-26 哈尔滨工业大学 利用氟化铵溶液对钙钛矿电池中电子传输层的处理方法
CN108411346A (zh) * 2018-02-07 2018-08-17 中国科学院深圳先进技术研究院 具有（001）晶面择优取向的锐钛矿二氧化钛纳米管阵列及其制备方法和应用
CN108411346B (zh) * 2018-02-07 2019-08-09 中国科学院深圳先进技术研究院 具有(001)晶面择优取向的锐钛矿二氧化钛纳米管阵列及其制备方法和应用
CN113151890A (zh) * 2021-02-26 2021-07-23 太原理工大学 一种具有(001)面暴露的单晶二氧化钛纳米颗粒及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN103320856B (zh) 2015-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103320856B (zh) 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法
CN104496461B (zh) 立方状二氧化钛/二维纳米碳化钛复合材料的制备方法
CN104495918B (zh) 颗粒状二氧化钛/二维纳米碳化钛复合材料的制备方法
Tang et al. Sulfur-doped highly ordered TiO2 nanotubular arrays with visible light response
CN103708559B (zh) 一种具有光催化性能的三氧化钨纳米薄膜及其制备方法
CN107723777A (zh) 电沉积二硫化钼量子点修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法
CN104174415B (zh) 一种Bi2O3/BiOX纳米异质结构空心球及其制备方法
CN102051618A (zh) 一种基于液相化学反应的黑硅制备方法
CN105329946A (zh) 一种富活性位二硫化钼纳米片及其制备方法和应用
CN104511293A (zh) 一种氯氧化铋-钛酸铁铋复合光催化剂及其制备方法
CN101844077A (zh) 具有可见光活性的碳氮改性纳米二氧化钛薄膜的制备方法
Guo et al. Fabrication of ZnO/SrTiO3 nanoarrays and its photoelectrochemical performances
CN102719891A (zh) 一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法
CN109295487A (zh) 用于水体污染物去除的三维二氧化钛光电极的制备
CN104628030B (zh) 类石墨烯结构二氧化钛的无氟制备方法
Ou et al. WO3· n H2O Crystals with Controllable Morphology/Phase and Their Optical Absorption Properties
CN102828227B (zh) 一种制备富含{010}/{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法
CN104495932A (zh) 一种固相化学反应合成纳米三氧化钼的方法
CN101862668B (zh) 一种纳米二氧化钛薄膜光催化剂表面气相扩渗改性方法
CN103878010B (zh) VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法
CN105032399A (zh) 一种钒酸铋-氧化锡复合光催化剂及其制备方法和应用
CN105063719A (zh) 一种同质纳米晶修饰TiO2纳米管阵列及其制备方法
CN104941644B (zh) 一种基于氧化亚铜的三维薄膜异质结光催化剂的制备方法
CN102956879B (zh) 一种叶镶嵌状纳米复合材料的制备方法
CN105013459A (zh) 一种高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150819

Termination date: 20160619

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee