CN103262661A - 用于输送气体进入等离子体处理腔室的方法和设备 - Google Patents

Abstract

本文提供用于输送气体进入等离子体处理腔室的方法和设备。在某些实施例中，用于处理基板的设备包括：具有处理空间的处理腔室；设置在处理空间中的基板支撑件；产生处理空间内的电场的感应耦合等离子体源，该处理空间包括电场的幅值的一个或多个局部最大值区域；和一个或多个气体注入器，所述一个或多个气体注入器选择性地导引流经所述一个或多个气体注入器的工艺气体的主要部分进入一个或多个局部最大值区域。

Description

用于输送气体进入等离子体处理腔室的方法和设备

背景

领域

本发明的实施例一般涉及在等离子体辅助处理腔室中处理基板的方法和设备。

相关技术的描述

为获得工艺均匀性，通常将工艺气体以相对于设置在处理腔室中待处理的基板的均匀模式输送至处理腔室。举例而言，可提供工艺气体进入处理空间，该工艺气体被导引朝向待处理的基板的表面（例如垂直于基板的表面）或被导引跨越基板的表面（例如平行于基板的表面）。然而，发明者已观察到基板上的处理仍经常不均匀。

因此，发明者提供用于输送工艺气体至等离子体处理腔室的改良的方法和设备，从而可提供改良的处理结果。

发明概述

本文提供用于输送气体进入等离子体处理腔室的方法和设备。在某些实施例中，用于处理基板的设备包括：具有处理空间的处理腔室；设置在处理空间中的基板支撑件；产生处理空间内电场的感应耦合等离子体源，该处理空间包括电场的幅值的一个或多个局部最大值(local maxima)区域；和一个或多个气体注入器，所述一个或多个气体注入器选择性地导引流经所述一个或多个气体注入器的工艺气体的主要部分进入一个或多个局部最大值区域。

在某些实施例中，一种在处理腔室中形成等离子体的方法包括以下步骤：使用感应耦合等离子体源产生处理腔室的处理空间内的电场，其中处理空间包括电场的幅值的一个或多个局部最大值区域；和将工艺气体的主要部分注入进入一个或多个区域，以在处理空间中形成等离子体。本发明的其它和进一步实施例如下文所描述。

附图简要说明

因此，可详细理解本发明的上述特征的方式，可参考各实施例获得上文简要概述的本发明的更特定描述，某些实施例图示于附图中。然而，应注意，附图仅图示本发明的典型实施例，因此不应视为本发明范围的限制，因为本发明可允许其它同等有效的实施例。

图1描绘根据本发明的某些实施例的等离子体反应器的截面示意图。

图2A至图2B描绘根据本发明的某些实施例的气体注入器的透视图。

图3A至图3C描绘根据本发明的某些实施例的等离子体反应器和气体注入器的局部截面示意图。

图4描绘根据本发明的某些实施例的用于处理基板的方法的流程图。

为便于理解，在可能的情况下使用相同标号来表示附图所共有的相同元件。然而，应注意，附图仅图示本发明的典型实施例，因此不应视为本发明范围的限制，因为本发明可允许其它同等有效的实施例。

具体描述

本文提供用于输送工艺气体至等离子体处理腔室的方法和设备。虽然本文所描述的设备和方法对微机电系统(micro-electro mechanical system;MEMS)应用的蚀刻硅可尤其有利，但是设想在于，本发明的实施例不限于与硅蚀刻（或MEMS应用）一起使用，但是可有利地用来蚀刻其它类型材料和/或用在其它等离子体增强蚀刻或非蚀刻反应器中。本文所公开的本发明方法和设备可有利地提供改良的等离子体转换效率，进而产生一个或多个改良的处理均匀性或工艺气源的更有效使用。

图1描绘根据本发明的某些实施例的等离子体反应器100（例如处理腔室）的截面示意图。等离子体反应器100包括围成(enclose)处理空间108的下腔室主体102、上腔室主体104和顶106。基板支撑件140可设置在处理空间108中。顶106可为平坦的或具有其它几何形状。在一个实施例中，顶106可为穹面顶(domed ceiling)，其中将一个或多个射频(RF)线圈112设置在穹面顶的上方。在顶106与上腔室主体104之间提供可互换间隔件110，以便可按期望选择性地改变顶106相对于上腔室主体104的倾斜度(inclination)和/或高度。

感应耦合等离子体源111可用来产生在处理空间108内的电场。举例而言，可利用电场来离子化工艺气体，以促进形成等离子体，所述等离子体诸如是如图1所示的等离子体170。感应耦合等离子体源可包括一个或多个RF线圈112，所述一个或多个RF线圈112设置在顶106的上方且经由匹配电路116耦接至RF源114。如图示，一个或多个RF线圈112可设置于处理空间108外部。顶106为RF功率可穿透的，以使得可将自RF源114施加于一个或多个RF线圈112上的源功率感应耦接至设置在反应器100的处理空间108中的气体，并对该气体供能以维持等离子体170。通常，将施加于一个或多个RF线圈112的功率称为源功率。源功率可在范围自约2MHz至约60MHz之内的射频上提供范围自约10瓦至约5000瓦之内的功率。可对源功率施以脉冲。

一个或多个RF线圈112可为对称（如图1所示）或不对称（未图示），以补偿例如由于相对于处理空间108不对称地设置的泵送通道118所产生的不对称泵送。可在2011年9月22日提出申请的美国专利申请案第13/240,451号且标题为“Plasma Processing Apparatus with Reduced Effects of ProcessChamber Asymmetry（具有减少的处理腔室不对称效果的等离子体处理设备）”中找到不对称RF线圈及具有这样不对称RF线圈的处理腔室的更详细描述。举例而言，且不考虑一个或多个RF线圈112的对称设计或不对称设计，感应耦合等离子体源111可用来产生处理空间108内的电场，该处理空间108包括电场的幅值的一个或多个局部最大值区域113。取决于一个或多个RF线圈112的配置，一个或多个区域113可对称地设置在顶周围或不对称地设置。另外，一个或多个区域中的每一区域的电场的幅值的最大值可取决于一个或多个RF线圈112的配置而改变。举例而言，一个或多个区域113可进一步包括第一区域115和第二区域117，该第一区域115具有电场的幅值的第一局部最大值，该第二区域117具有电场的幅值的第二局部最大值，该第二局部最大值不同于第一局部最大值（例如大于或小于第一局部最大值）。

在某些实施例中，可将一个或多个区域113设置在处理空间108中紧邻腔室顶106的一部分，该腔室顶106具有紧邻或邻接于一个或多个RF线圈112的外部侧面。举例而言，电场的幅值的局部最大值可发生在紧邻一个或多个RF线圈112处。因此，一个或多个区域113可位于紧邻一个或多个RF线圈112处。

上腔室主体104可包括泵送通道118，该泵送通道118经由节流阀门122将反应器100的处理空间108连接至泵120。可操作泵120和节流阀门122，以控制在反应器100的处理空间108内的压力。泵120也去除处理副产品。可将挡板180设置在泵送通道118中，以最小化泵120的污染且改良处理空间108内的传导性。泵送通道118可自处理空间108中去除一种或多种气体。在某些实施例中，泵送通道118可相对于处理空间108进行不对称地设置。举例而言，泵送通道118的不对称位置可导致处理空间108内的不对称工艺气流。举例而言，紧邻泵送通道118的处理空间108的一部分与经设置远离泵送通道118的处理空间的一部分相比可具有较低的压力。在某些实施例中，泵送通道118可设置在包括第一区域115的处理空间118的一部分中。第二区域117可设置在经设置远离泵送通道118的处理空间的一部分中。举例而言，可期望第二区域117位于具有较高压力的处理空间108的一部分中，例如以促进改良在腔室中流动的工艺气体的等离子体转换效率。举例而言，更多工艺气体可存在于位于远离泵通道118的处理空间108的一部分中。

反应器100可包括耦接至该反应器100的快速气体交换系统124，该快速气体交换系统124经由一个或多个注入器126给处理空间108提供工艺气体，所述一个或多个注入器126设置于上腔室主体104的内部空间附近和/或其它适合位置，诸如在顶106中。替代地或以组合方式，可将任何适合的气体输送系统耦接至一个或多个注入器126，以如本文所公开的方式给处理空间108提供工艺气体。与导引工艺气体垂直朝向基板或跨越基板的表面的传统观点相反，一个或多个注入器126可用来导引流经一个或多个注入器126的工艺气体的主要部分进入一个或多个局部最大值区域113中。等离子体源提供的电场的局部最大值区域113，可不位于紧邻注入器通常注入工艺气体进入处理腔室的位置处。因此，工艺气体的等离子体转换效率可为低的或不均匀的，且可能导致基板的非均匀性或工艺气源的浪费。发明者非预期地发现，通过给局部最大值区域而非直接给基板提供工艺气体（或工艺气体的主要部分），可增强诸如蚀刻率的处理率而不损失工艺均匀性。

一个或多个注入器126可具有适合于给一个或多个局部最大值区域113提供工艺气体的各种配置。举例而言，图2A至图2B描绘两种不同类型注入器126的透视图。如图2A所示，注入器126可为诸如圆柱或管道的中空部件202，该中空部件202具有穿过部件202的壁形成的一个或多个孔洞204。封闭部件202的末端208，以防止工艺气体流经部件202的末端。视需要，在末端208中可提供一个或多个孔洞206，以允许某些工艺气体经由一个或多个孔洞206流动。部件202可具有部分210，该部分210具有扩大的外径或某些其它特征结构，以促进将注入器126安装、耦接、设置和/或封闭在相对于等离子体反应器100的适当位置处。

在某些实施例中，如图2B所示，注入器126可包括中空部件220，该中空部件220具有带有开放内部空间的闭合外形（例如环或类似物）且具有穿过部件220的壁形成的多个孔洞222。多个孔洞222可排列为适合于给局部最大值区域113提供工艺气体的主要部分的任何几何形状，诸如方位上均匀、分组为区域、任意地或类似形状。可将部件220的开放内部空间的大小调整为比在等离子体反应器100中的待处理的基板大，以最小化对工艺的干扰。可提供一个或多个导管224，以将中空部件220耦接至气源且给等离子体反应器100提供工艺气体。导管224也可支撑等离子体反应器100内的中空部件220。替代地或以组合方式，可提供其它支撑件（未图示）来支撑部件220于适当位置。

在某些实施例中，如图1所图示，一个或多个注入器126可包括第一注入器127，该第一注入器127沿着基板支撑件140的中心轴线131设置在处理腔室的腔室顶106中或接近腔室顶106处。替代地或以组合方式，一个或多个注入器126可包括一个或多个第二注入器129，所述一个或多个第二注入器129设置在处理腔室的侧壁或接近侧壁处。可将一个或多个第二注入器129设置在基板支撑件140的上方且绕基板支撑件140的中心轴线131设置。

图3A至图3C进一步详细图示根据本发明的某些实施例的第一注入器127和第二注入器129。举例而言，图3A描绘根据本发明的某些实施例的等离子体反应器100的局部示意图。如图3A所图示，可将第一注入器127设置穿过腔室顶106且可位于腔室顶106中心。如上所述，可沿着基板支撑件140的中心轴线131（图3A中未图示）来设置第一注入器127。

第一注入器127可包括一个或多个孔洞300，所述一个或多个孔洞300配置为将工艺气体注入进入处理空间的所期望区域（例如进入局部最大值区域113）。在某些实施例中，可将孔洞300取向垂直于基板支撑件140的中心轴线131，以与基板支撑件140的处理表面实质平行的方向将工艺气体注入进入处理空间108。举例而言，如图3A所示，一个或多个区域113可位于第一注入器127周围。因此，可将一个或多个孔洞300取向垂直于中心轴线131，以促进将最大量的工艺气体注入进入一个或多个区域113。可将一个或多个孔洞300设置在第一注入器127周围。然而，可提供孔洞的其它配置和几何形状，以给局部最大值区域113输送主要工艺气体。视需要，在某些实施例中，第一注入器127可进一步包括一个或多个孔洞302，所述一个或多个孔洞302经取向以朝向基板支撑件140来提供部分工艺气体。举例而言，如图3A所图示，可将一个或多个孔洞302设置在第一注入器127的面向基板支撑件的表面中。另外，可将一个或多个孔洞302以任何期望图案和/或各种大小排列在第一注入器127的面向基板支撑件的表面上，例如在图3C中所图示的一个或多个孔洞302的示例性图案。

回到图3A，可将一个或多个第二注入器129设置于紧邻处理腔室的侧壁处。举例而言，可在侧壁中形成第二注入器129，可将该第二注入器129耦接至侧壁或者以其它方式固持在接近处理腔室的侧壁处的适当位置上。在某些实施例中，如图3A所示，第二注入器129可延伸穿过诸如上腔室主体104的腔室侧壁，且由腔室侧壁支撑在适合位置处。可绕基板支撑件140的中心轴线131，将一个或多个第二注入器129以任何适合的图案排列。在某些实施例中，可有多个第二注入器（例如四个第二注入器129）绕中心轴线131均匀地间隔开来。一个或多个第二注入器129可包括一个或多个孔洞304，所述一个或多个孔洞304经取向以导引工艺气体的主要部分进入一个或多个局部最大值区域113。在某些实施例中，可将一个或多个孔洞304导引朝向处理腔室的顶106或可面向处理腔室的顶106。在某些实施例中，可配置一个或多个孔洞106，以与基板支撑件140的处理表面实质相反的方向来将工艺气体注入进入一个或多个区域113。一个或多个第二注入器129可进一步包括以朝向基板支撑件140的方向来提供工艺气体的一个或多个孔洞（未图示）。如下文所述，可由例如一个或多个流量比率控制器（诸如流量比率控制器137）或类似物来单独地控制来自一个或多个第二注入器129的每一个的工艺气体的流速。

本发明预期一个或多个注入器126的变型。举例而言，替代地或与一个或多个第一注入器127或一个或多个第二注入器129组合，一个或多个注入器126可包括注入器环306。可将注入器环306设置在基板支撑件140的上方且与基板支撑件140同轴。注入器环306可具有超过基板支撑件140的直径或超过设置在基板支撑件上的基板的直径的直径。注入器环306可包括一个或多个导管308，所述一个或多个导管308例如穿过处理腔室的侧壁或处理腔室的顶耦接至气体供应器，以给注入器环306提供工艺气体。在某些实施例中，可诸如通过连接一个或多个导管308至流量比率控制器、独立流量控制器、独立气源或类似物的出口以改变每一分段的流速，来改变注入器环306的不同分段的工艺气体的流速。

回到图1，快速气体交换系统124选择性地允许给处理空间108提供任何单一工艺气体或工艺气体的组合。在某些实施例中，快速气体交换系统124具有四条输送线128，每一输送线128耦接至不同气源。可将输送线128耦接至相同或不同的一个或多个注入器126。

在图1所描述的实施例中，每一输送线128包括第一阀门130、质量流量计132和第二阀门134。将第二阀门134耦接至公共T形管（common tee）138，该公共T形管138耦接至一个或多个注入器126。气体自质量流量计132至处理空间108流动穿过的导管的长度小于约2.5m，由此允许气体之间更快切换时间。可由隔离阀门136将快速气体交换系统124与反应器100的处理空间108隔离，所述隔离阀门136设置在T形管138与一个或多个注入器126之间。在某些实施例中，可将流量比率控制器137耦接至一个或多个第二注入器129，以控制每一第二注入器129的工艺气体流速。

排气导管162耦接在隔离阀门136与T形管138之间，以允许将剩余气体自快速气体交换系统124净化而不进入反应器100。当输送气体至反应器100的处理空间108中时，提供切断阀门164来闭合排气导管162。

等离子体反应器100额外包括设置在处理空间108中的基板支撑件140。基板支撑件140可包括基板支撑件和/或保持机构，诸如安装在热隔离器144上的静电吸盘142。热隔离器144将静电吸盘142与杆173隔离，该杆173支撑在下腔室主体102的底部的上方的静电吸盘142。

在某些实施例中，可将举升销146设置穿过基板支撑件140。将举升平板148设置在基板支撑件140的下方，且举升平板148可由举升件154致动以选择性地移动举升销146来举升和/或置放基板150于静电吸盘142的上表面152上。

静电吸盘142可包括至少一个电极（未图示），可对所述至少一个电极供能以静电保持基板150于静电吸盘142的上表面152。在某些实施例中，可经由匹配电路158将静电吸盘142的电极或设置在基板支撑件中的某个其它电极耦接至偏压功率源156。偏压功率源156可选择性地对电极供能，以在处理期间控制离子的方向性（例如导引离子更垂直地朝向带有更多能量的基板）。

在某些实施例中，当可连续地施加源功率时，可对由偏压功率源156施加给基板支撑件的偏压功率施以脉冲，例如在时间周期上重复地存储或收集能量，然后在另一时间周期上快速地释放能量以输送增加的瞬时功率量。详言之，可使用控制系统所设置的产生器脉冲能力来对偏压功率施以脉冲，以提供功率接通时间的百分比，该百分比称为“工作周期”。在某个实施例中，可将脉冲式偏压功率的接通时间和断开时间均匀遍及处理周期。举例而言，若功率接通约3毫秒且功率断开约15毫秒，则工作周期将为约16.67%。以每秒周期数或赫兹(Hz)计的脉冲式频率等于1.0除以以秒计的接通时间周期和断开时间周期之和。举例而言，当偏压功率接通约3毫秒且偏压功率断开约15毫秒，总计约18毫秒，则以每秒的周期数计的脉冲式频率为约55.55Hz。

视需要，在某些实施例中，可将背侧气源160耦接穿过基板支撑件140，以给限定在基板150与静电吸盘142的上表面152之间的间隔（未图示）提供一种或多种气体。由背侧气源160提供的气体可包括氦(He)和/或背侧工艺气体。

在某些实施例中，等离子体反应器100可包括控制器171，该控制器171通常包括中央处理单元(CPU)172、存储器174和支持电路176，且该控制器171直接地（如图1所示）或经由与处理腔室和/或支撑系统相关联的计算机（或控制器）来耦接并控制该等离子体反应器100和各种系统部件，所述系统部件诸如是RF源114、快速气体交换系统124和类似物。控制器170可为可用于控制各种腔室和子处理器的工业设置的任何形式的通用计算机处理器中之一。CPU 172的存储器或计算机可读取介质174可为一个或多个可容易获得的存储器，所述存储器诸如是随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其它形式的数字存储器，本地或远程皆可。将支持电路176耦接至CPU 172，来以传统方式支持处理器。这些电路包括高速缓存(cache)、电源供应器、时钟电路、输入/输出电路系统和子系统和类似物。存储器174存储软件（源代码或目标代码），所述软件可经执行或调用以本文所描述例如执行下文所述的方法400的方式来控制反应器100的操作。

图4描绘根据本发明的某些实施例的用于在处理腔室中形成等离子体的方法400的流程图。可在等离子体反应器100或其它适合的等离子体反应器中实施方法400。下文按照等离子体反应器100来描述方法400。

方法400开始在步骤402，通过使用感应耦合等离子体源111产生处理腔室的处理空间108内的电场，其中处理空间108包括电场的幅值的一个或多个局部最大值区域113。如上所述，一个或多个区域113可位于紧邻感应耦合等离子体源111的一个或多个RF线圈112。另外，由于诸如一个或多个RF线圈112的形状或类似物的改变，一个或多个区域可包括第一区域115和第二区域，该第一区域115具有电场的幅值的第一局部最大值，该第二区域具有电场的幅值的第二局部最大值，该第二局部最大值大于第一局部最大值。

在步骤404，将工艺气体的主要部分注入进入一个或多个区域113，以在处理空间108中形成等离子体（例如等离子体170）。举例而言，如图3A至图3C所图示和如上所述，第一注入器127和第二注入器129可具有一个或多个孔洞，所述一个或多个孔洞经特定取向以将工艺气体的主要部分注入进入一个或多个区域113。举例而言，可将工艺气体的主要部分以与基板支撑件140的处理表面相反的方向例如使用一个或多个第二注入器129经由一个或多个孔洞304来注入。替代地，或以组合方式，可将工艺气体的主要部分以与基板支撑件140的处理表面实质平行的方向例如使用第一注入器127经由一个或多个孔洞300来注入。工艺气体的注入的方向可使得将工艺气体的主要部分注入进入一个或多个区域113。

在某些实施例中，可改变工艺气体的流速，以例如补偿处理空间108上的不对称泵送和/或在一个或多个区域113中的不对称。举例而言，由于如上所述的改变，可将工艺气体的主要部分以第一流速注入进入第一区域115，且可将工艺气体的主要部分以大于第一流速的第二流速注入进入第二区域117。举例而言，可由流量比率控制器137控制工艺气体的主要部分注入进入第一区域115和第二区域117，该流量比率控制器137可改变第二注入器129的每一个的流速。举例而言，由于一个或多个第二区域117具有较大的电场的幅值的缘故，可期望在第二区域117处具有较高流速，或者由于不对称泵送而包括在处理空间108的一部分中的第二区域117具有较高的压力的缘故，可期望在第二区域117处具有较高流速。举例而言，可按期望改变在第一区域115与第二区域117之间的流速比率，以使得由在等离子体反应器100中产生的等离子体170来均匀地处理基板150。

尽管前述内容针对本发明的实施例，但是可在不脱离本发明的基本范围的情况下设计本发明的其它实施例和进一步实施例。

Claims (15)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

处理腔室，所述处理腔室具有处理空间；

基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间中；

感应耦合等离子体源，所述感应耦合等离子体源产生所述处理空间内的电场，所述处理空间包括所述电场的幅值的一个或多个局部最大值区域；和

一个或多个注入器，所述一个或多个注入器选择性地导引流经所述一个或多个注入器的工艺气体的主要部分进入所述一个或多个局部最大值区域。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述感应耦合等离子体源进一步包括：

一个或多个RF线圈，所述一个或多个RF线圈设置在所述处理空间外部。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述一个或多个区域设置在所述处理空间中紧邻腔室顶的一部分，所述腔室顶具有紧邻所述一个或多个RF线圈的外部侧面。

4.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述一个或多个注入器进一步包括：

第一注入器，所述第一注入器设置在所述处理腔室的腔室顶中且沿着所述基板支撑件的中心轴线设置。

5.如权利要求4所述的设备，其中所述第一注入器进一步包括：

一个或多个孔洞，所述一个或多个孔洞取向垂直于所述基板支撑件的所述中心轴线，以与所述基板支撑件的处理表面实质平行的方向来将所述工艺气体注入进入所述处理空间。

6.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述一个或多个注入器进一步包括：

一个或多个第二注入器，所述一个或多个第二注入器自所述处理腔室的壁中凸出，其中所述一个或多个第二注入器设置在所述基板支撑件上方一高度处且绕所述基板支撑件的所述中心轴线设置，并且其中所述一个或多个第二注入器进一步包括：

一个或多个孔洞，所述一个或多个孔洞取向面向所述处理腔室的顶，以与所述基板支撑件的处理表面实质相反的方向来将所述工艺气体注入进入所述一个或多个区域。

7.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述一个或多个注入器进一步包括：

多个第二注入器，所述多个第二注入器自所述处理腔室的壁中凸出，其中所述多个第二注入器设置在所述基板支撑件上方一高度处且绕所述基板支撑件的所述中心轴线设置；并且其中所述设备进一步包括：

一个或多个流量比率控制器，所述一个或多个流量比率控制器耦接至所述多个第二注入器，以在所述多个第二注入器中控制每一第二注入器的所述工艺气体的相对流速。

8.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述一个或多个区域进一步包括：

第一区域和第二区域，所述第一区域具有所述电场的幅值的第一局部最大值，所述第二区域具有所述电场的幅值的第二局部最大值，所述第二局部最大值大于所述第一局部最大值；并且其中所述设备进一步包括：

泵通道，所述泵通道自所述处理空间中去除一种或多种气体，其中所述泵通道相对于所述处理空间不对称地设置，且其中所述泵通道设置在包括所述第一区域的所述处理空间的一部分中。

9.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述一个或多个注入器进一步包括：

中空部件，所述中空部件具有带有开放内部空间的闭合外形且具有穿过所述中空部件的壁形成的多个孔洞，以将所述中空部件流体耦接至所述处理空间，其中所述开放内部空间大于所述基板支撑件的基板支撑件表面。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述多个孔洞分组为多个区域，以将所述工艺气体的主要部分提供至所述局部最大值区域。

11.如权利要求9所述的设备，所述设备进一步包括：

一个或多个导管，所述一个或多个导管将所述中空部件耦接至气源且将所述工艺气体提供至所述处理空间。

12.一种在处理腔室中形成等离子体的方法，所述方法包括以下步骤：

使用感应耦合等离子体源产生所述处理腔室的处理空间内的电场，其中所述处理空间包括所述电场的幅值的一个或多个局部最大值区域；和

将工艺气体的主要部分注入进入所述一个或多个区域，以在所述处理空间中形成等离子体。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述一个或多个局部最大值区域进一步包括：

第一区域，所述第一区域具有所述电场的幅值的第一局部最大值；和

第二区域，所述第二区域具有所述电场的幅值的第二局部最大值，所述第二局部最大值大于所述第一局部最大值；并且

其中将所述工艺气体的所述主要部分注入的步骤进一步包括以下步骤：

以第一流速将所述工艺气体的所述主要部分注入进入所述第一区域；和

以大于所述第一流速的第二流速将所述工艺气体的所述主要部分注入进入所述第二区域。

14.如权利要求13所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

在所述处理空间上不对称地泵送，其中在包括所述第一区域的所述处理空间的第一部分中的第一压力大于在包括所述第二区域的所述处理空间的第二部分中的第二压力。

15.如权利要求12至14中任一项所述的方法，其中将所述工艺气体的所述主要部分注入的步骤进一步包括以下步骤：

以与设置在所述处理空间内的基板支撑件的处理表面相反的方向将所述工艺气体的所述主要部分注入；或者

以与设置在所述处理空间内的基板支撑件的处理表面实质平行的方向将所述工艺气体的所述主要部分注入。

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