CN103262165B - 形成硬盘用被膜的组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是提供形成硬盘用平坦化膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其包含疏水性被覆材，所述疏水性被覆材由选自(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的聚合物或聚合物与化合物的组合构成，并且具有光聚合性基和芳香族基，所述(A1)为包含芳香族基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A2)为包含至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(a1)为包含芳香族基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a2)为包含至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物。

Description

形成硬盘用被膜的组合物
技术领域
本发明涉及形成硬盘驱动器用被膜的组合物和使用该组合物的硬盘装置的制造方法。本申请被膜在平坦化和抑制磁性物质向被膜层扩散方面具有效果。
背景技术
关于硬盘驱动器，磁头的高性能化和驱动器介质(磁性体)的高性能化同时进行，大容量化和小型化进行。
在介质驱动器的高性能化这点上，通过提高面记录密度来推进大容量化。由于提高记录密度，从而在磁头部分磁场宽成为问题，向使磁头小的方向进展受其限制。由于不会小至一定值以下，因此发生被称为侧光(sidelight)的现象。如果发生侧光，则记录时发生向相邻磁道的写入，盖写已经记录的数据而发生数据的消失。此外，磁场宽在更新时会读入来自相邻磁道的多余信号，发生串扰。
为了解决这样的问题，提出了将磁道间用非磁性材料填充，要通过物理分离、磁分离得到解决的离散磁道介质、比特图案化介质这样的技术(专利文献1)。
由填充于磁道间的非磁性材料形成的填充是，在形成于基板上的具有凹凸的磁性层上被覆包含非磁性材料的形成被膜的组合物，通过干蚀刻回蚀直至磁性层的表面，形成磁性层与非磁性层变平坦的平面。该非磁性层的底部、侧部与磁性层接触，有时发生磁性材料从磁性层向非磁性层扩散，为了防止这样的扩散，使用了聚硅氧烷系的材料(专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005－100496号公报
专利文献2：日本特开2009－259370号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的是提供非磁性体的填充剂，即形成平坦化膜的组合物，所述组合物在用于离散磁道介质、比特图案化介质这种技术的形成微细的槽(几十nm)，在该槽中填充非磁性材料，进行光固化，平坦化，形成交替地具有磁性体部分和非磁性体部分的磁道的方法中使用。
这样的组合物要求充分地填充于微细的槽中，且光固化时(曝光时)和曝光后烘烤时填充部分不发生收缩，而且防止在填充部中钴成分等磁性材料(钴、铝、锆、铬、镍、锌、铁、钌等)扩散至填充部(非磁性层)。本发明提供满足这样的要求性能的形成硬盘用平坦化膜的组合物。而且，本发明提供使用该组合物的硬盘的制造方法。此外，本发明提供用于形成磁性物质的扩散防止膜的组合物。
用于解决课题的方法
本发明中，作为第1观点，是一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其包含疏水性被覆材，所述疏水性被覆材由选自(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的至少1种聚合物或至少1种聚合物与至少1种化合物的组合构成，并且具有光聚合性基和芳香族基，所述(A1)为包含芳香族基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A2)为包含至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(a1)为包含芳香族基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a2)为包含至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，
作为第2观点，是第1观点所述的形成平坦化膜的组合物，光聚合性基为丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基，
作为第3观点，是第1观点或第2观点所述的形成平坦化膜的组合物，芳香族基为包含苯环的基团，
作为第4观点，是第1观点～第3观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，疏水性被覆材为单独的上述(A3)、(A1)与(A2)的混合物、(A1)与(A3)的混合物、(A2)与(A3)的混合物、(A3)与(a3)的混合物、(A1)与(a3)的混合物、或(A1)与(a2)的混合物，
作为第5观点，是第1观点～第3观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，疏水性被覆材为单独的上述(A3)、或(A1)与(a2)的混合物，
作为第6观点，是第1观点～第5观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，上述(A3)为均聚物或共聚物，
作为第7观点，是第1观点～第6观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，由形成平坦化膜的组合物获得的平坦化膜为在水接触角测定中该平坦化膜与水的接触角为70°～150°的具有疏水性的膜，
作为第8观点，是第1观点～第7观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，其还包含光聚合引发剂和溶剂，
作为第9观点，是第1观点～第8观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，由上述形成平坦化膜的组合物获得的膜为能够通过采用非卤素系的干蚀刻气体进行回蚀而平坦化的膜，
作为第10观点，是一种硬盘的制造方法，其包括下述工序：在磁性体上形成凹凸的第1工序；用第1观点～第9观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物被覆该凹凸的第2工序；通过蚀刻，将被覆了的膜表面进行平坦化，并且使磁性体表面露出的第3工序，
作为第11观点，是第10观点所述的硬盘的制造方法，其还包括作为第4工序的将硬质物质被覆的工序，
作为第12观点，是第10观点或第11观点所述的硬盘的制造方法，在第1工序中形成凹凸的工序采用纳米压印法进行，
作为第13观点，是第10观点～第12观点的任一项所述的硬盘的制造方法，第3工序中平坦化采用干蚀刻进行，
作为第14观点，是第10观点～第13观点的任一项所述的硬盘的制造方法，第4工序中使用的硬质物质为类金刚石碳，以及
作为第15观点，是一种形成磁性物质的扩散防止膜的组合物，其包含疏水性被覆材，所述疏水性被覆材由选自上述(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的至少1种聚合物或至少1种聚合物与至少1种化合物的组合构成，并且具有光聚合性基和芳香族基。
发明的效果
本发明的形成平坦化膜的组合物由于包含具有芳香族基且为光聚合性的疏水性被覆材，因此由该形成平坦化膜的组合物形成的膜的疏水性优异，在作为与磁性层交替地排列的非磁性层使用的情况下，可以防止由大气中的水分的侵入带来的磁性体部分的腐蚀，防止腐蚀成分向非磁性层扩散。
此外，根据本发明的硬盘的制造方法，由于形成平坦化膜的组合物包含有机系化合物，因此所得的平坦化膜的回蚀可以应用不蚀刻磁性层的非卤素系气体，由此能够防止磁性材料向非磁性层部分扩散，防止磁道的混合存在化。
此外，根据本发明的硬盘的制造方法，通过使所用的形成平坦化膜的组合物中的疏水性被覆材为特定的分子量的常温下为液体的成分，从而在涂布于形成有微细的槽的磁性层上的情况下，可以发挥优异的填充性能，涂布后无回流，形成平坦性高的膜，此外，可以在将这样形成的膜回蚀后，在其上适当地进行金刚石碳等硬质物质的被覆。
此外，由本发明的形成磁性物质的扩散防止膜的组合物形成的膜可以适当地抑制磁性物质的扩散。
附图说明
图1为表示在钴被覆基板上被覆平坦化膜进行恒温恒湿试验后的平坦化膜表面的钴的定量值、与另行被覆于钴被覆基板上的平坦化膜的水接触角试验值的相互关系的图。
具体实施方式
作为用于使形成平坦化膜的组合物填充于微细的槽的组合物，将使用无机系化合物的组合物、与本发明那样的使用有机系化合物的组合物进行比较，从而明确了本发明的特征。
在使用包含无机系化合物的形成平坦化膜的组合物的情况下，涂布在凹凸基板上，在200℃以上的温度通过加热来进行回流，采用CMP、湿式蚀刻等削去无机被覆物，加热固化，进行干蚀刻，使其平坦化，进一步进行类金刚石碳的被覆。
在使用本发明的采用有机系化合物的形成平坦化膜的组合物的情况下，涂布在凹凸基板上，曝光，然后根据需要进行曝光后加热，进行干蚀刻，使其平坦化，进一步进行类金刚石碳的被覆。
在使用包含有机系化合物的形成平坦化膜的组合物的情况下，即使不通过加热进行回流，也可以仅通过被覆而填充至微细的槽。即在被覆工序(本发明的第2工序)中不需要进行回流。
而且，关于无机系材料(例如聚硅氧烷)，在以CMP、湿式蚀刻除去无机被覆部分后，通过干蚀刻进行平坦化，但在无机系材料的回蚀时，以氟系的气体高效率地进行蚀刻。然而，已知氟气体蚀刻时，生成氢氟酸(HF)，HF成为使磁性材料腐蚀的原因。此外，有时在氟系气体蚀刻后的膜表面发生粗糙。
本发明中在形成有凹凸的磁性层的表面，通过涂布法被覆包含由有机系化合物得到的非磁性体的形成平坦化膜的组合物，然后通过非卤素系气体(例如氧系气体)进行回蚀，将非磁性层进行回蚀，磁性层与非磁性层在表面形成交替地排列的平坦的面。由于通过氧系气体进行蚀刻，因此非磁性层被蚀刻，但磁性层不受影响。
而且，在非磁性层的填充部，可以防止钴成分等磁性材料向非磁性层部分扩散(所谓的钴腐蚀)，可以防止磁性层与非磁性层这两者磁性体化而磁道混合存在化。
接下来，对营造这样的特征性作用效果的本发明的组合物的构成进行说明。本发明是一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其包含疏水性被覆材，所述疏水性被覆材由选自(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的至少1种聚合物或至少1种聚合物与至少1种化合物的组合构成，并且具有光聚合性基和芳香族基，所述(A1)为包含芳香族基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A2)为包含至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(a1)为包含芳香族基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a2)为包含至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物。而且，可以包含光聚合引发剂和溶剂(有机溶剂)，根据需要包含表面活性剂、光敏剂和紫外线吸收剂。
形成平坦化膜的组合物的固体成分可以使用为0.01～20质量%、或0.1～10质量%、或0.1～5质量%。这里所谓固体成分，为形成平坦化膜的组合物中除去溶剂而残留的成分的比例，它们通过光固化(根据需要曝光后加热)来进行固化。
上述聚合物和化合物优选在大气压下常温下为液体。大气压通常为1大气压，常温表示约20℃。
聚合物包含低聚物状的低分子聚合物，只要是属于上述分子量范围的聚合物，就可以使用。
固体成分中的疏水性被覆材的比例可以以50～99质量%、或60～95质量%、或70～90质量%的范围使用。
此外，固体成分中的光聚合引发剂可以以0.5～30质量%、或5～30质量%、或10～30质量%的范围使用。
此外，固体成分中的表面活性剂的添加剂可以以0.0001～1质量%、或0.001～0.5质量%的范围使用。
此外，固体成分中的光敏剂的添加剂可以以0.01～5质量%、或0.1～1质量%的范围使用。
此外，固体成分中的紫外线吸收剂的添加剂可以以0.01～5质量%、或0.1～1质量%的范围使用。
疏水性被覆材具有至少2个光聚合性基，光聚合性基可举出丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基和乙烯基。
疏水性被覆材具有芳香族基，可举出苯环那样的芳香族单环、萘等芳香族稠环。这些芳香族基还可以结合上述光聚合性基，可以将具有芳香族基和光聚合性基的分子量300～5000左右的低聚物或聚合物作为上述疏水性被覆材使用。
上述包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物(A3)，为作为均聚物的具有芳香族基和光聚合性基的单一化合物的聚合物的情况、具有芳香族基的化合物与具有光聚合性基的化合物的共聚物的情况都可以使用。
包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物(a3)，为1分子中具有芳香族基和至少2个光聚合性基的化合物。
上述芳香族基可以具有烷基、烯基等不阻害疏水性的取代基。此外，可以包含丙烯酸酯基那样的存在于乙烯基与芳香族的连接部分的酯基、羰基、醚基等。
由本发明的形成平坦化膜的组合物获得的平坦化膜可表现由疏水性被覆材带来的疏水性。通过将非磁性层进行疏水化，从而能够防止大气中的水分的侵入，由此，可以防止磁性层成分，例如钴等的腐蚀，能够防止钴等磁性体的腐蚀成分向非磁性层扩散(所谓的钴腐蚀)。
疏水性的评价采用水接触角的试验来求出。例如可以使来自22G的喷嘴的2μL的水滴接触于形成有平坦化膜的样品基板表面，使用测定机械(全自动接触角计DM700型，协和界面科学株式会社制)，测定接触了的水滴与平坦化膜的接触角。根据该测定，本发明中使用的疏水性被覆材可以适合用作该接触角为70°以上，例如70°～150°、或70°～85°的范围的平坦化膜。
上述疏水性被覆材为上述聚合物或聚合物与化合物的组合，其优选为单独的上述(A3)的聚合物、(A1)与(A2)的聚合物混合物、(A1)与(A3)的聚合物混合物、(A2)与(A3)的聚合物混合物、(A3)与(a3)的聚合物与化合物的混合物、(A1)与(a3)的聚合物与化合物的混合物、或(A1)与(a2)的聚合物与化合物的混合物。特别优选为单独的上述(A3)的聚合物、或(A1)与(a2)的聚合物与化合物的混合物。
上述(A3)有时为均聚物或有时为共聚物。
上述疏水性被覆材为苯乙烯系化合物，具体而言，可举出光聚合性苯乙烯系化合物的均聚物、苯乙烯与光聚合性化合物的共聚物、苯乙烯系聚合物或低聚物与光聚合性化合物的混合物、或苯乙烯系聚合物或低聚物与光聚合性化合物的聚合物或低聚物的混合物。
光聚合性苯乙烯系化合物可举出例如二乙烯基苯、(甲基)丙烯酸苯乙烯基酯等。
光聚合性化合物可举出(甲基)丙烯酸烯基酯。这里烯基可以以碳原子数2～10的范围例示。可举出例如(甲基)丙烯酸乙烯基酯、(甲基)丙烯酸烯丙基酯、(甲基)丙烯酸3－丁烯基酯、(甲基)丙烯酸4－戊酯、(甲基)丙烯酸5－己酯等。
此外光聚合性化合物可举出聚(甲基)丙烯酸酯，可以例示例如具有2～10个(甲基)丙烯酸酯基的化合物。此外它们还可以具有羟基等取代基。
光聚合性化合物的低聚物可举出(甲基)丙烯酸烯基酯的低聚物，可举出上述(甲基)丙烯酸烯基酯的低聚物。
上述疏水性化合物中，例如均聚物、共聚物可以例示如下。
苯乙烯系聚合物或低聚物与光聚合性化合物的混合物可以例示如下。
苯乙烯系聚合物或低聚物彼此的混合物、苯乙烯系聚合物或低聚物与光聚合性聚合物或低聚物的混合物可以例示如下。
本发明的形成平坦化膜的组合物中的光聚合引发剂只要是具有可以通过光照射而引发上述光聚合性基的聚合的作用的化合物，就没有特别限定。可以使用通过光照射而产生酸(布朗斯台德酸或路易斯酸)、碱、自由基或阳离子的化合物。特别优选使用光自由基聚合引发剂。
上述光自由基聚合引发剂可举出例如商品名イルガキュア369(式4－1，BASFジャパン(株)制，2－苄基－2－二甲基氨基－1－(4－吗啉代苯基)－丁酮－1)，
商品名イルガキュア500(式4－2，BASFジャパン(株)制，1－羟基环己基苯基酮＋二苯甲酮)，
商品名イルガキュア819(式4－3，BASFジャパン(株)制，双(2,4,6－三甲基苯甲酰)－苯基氧化膦)，
商品名イルガキュア651(式4－4，BASFジャパン(株)制，2,2－二甲氧基－1,2－二苯基乙烷－1－酮)，
商品名イルガキュア184(式4－5，BASFジャパン(株)制，1－羟基环己基苯基酮)，
商品名ダンロキュア1173(式4－6，BASFジャパン(株)制，2－羟基－2－甲基－1－苯基丙烷－1－酮)，
商品名イルガキュア2959(式4－7，BASFジャパン(株)制，1－(4－(2－羟基乙氧基)苯基)－2－羟基－2－甲基)－1－丙烷－1－酮)，
商品名イルガキュア127(式4－8，BASFジャパン(株)制，2－羟基－1－(4－(4－(2－羟基－2－甲基丙酰)苄基)苯基)－2－甲基－丙烷－1－酮)，
商品名イルガキュア907(式4－9，BASFジャパン(株)制，2－甲基－1－(4－甲硫基苯基)－2－吗啉代丙烷－1－酮)，
商品名イルガキュア379(式4－10，BASFジャパン(株)制，2－(二甲基氨基)－2－(4－(甲基苯基)甲基)－1－(4－(4－吗啉基)苯基)－1－丁酮)，
商品名イルガキュアOXE01(式4－11，BASFジャパン(株)制，1,2－辛烷二酮1,4－(4－苯硫基)－2－(O－苯甲酰肟))等。
本发明的形成平坦化膜的组合物可以含有表面活性剂。
这些表面活性剂可举出例如，聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯鲸蜡基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚类、聚氧乙烯辛基苯酚醚、聚氧乙烯壬基苯酚醚等聚氧乙烯烷基芳基醚类、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物类、失水山梨糖醇单月桂酸酯、失水山梨糖醇单棕榈酸酯、失水山梨糖醇单硬脂酸酯、失水山梨糖醇单油酸酯、失水山梨糖醇三油酸酯、失水山梨糖醇三硬脂酸酯等失水山梨糖醇脂肪酸酯类、聚氧乙烯失水山梨糖醇单月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇单棕榈酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇单硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三硬脂酸酯等聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯类等非离子系表面活性剂、商品名エフトップEF301、EF303、EF352((株)トーケムプロダクツ制)、商品名メガファックF171、F173、R－08、R－30(大日本インキ化学工业(株)制)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)制)、商品名アサヒガードAG710、サーフロンS－382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)制)等氟系表面活性剂、和オルガノシロキサンポリマ－KP341(信越化学工业(株)制)等。这些表面活性剂可以单独使用，此外也可以二种以上组合使用。
本发明的形成平坦化膜的组合物可以含有光敏剂。
作为光敏剂，可举出例如，噻吨系、吨系、酮系、噻喃盐系、碱性苯乙烯基系、部花青系、3－取代香豆素系、3,4－取代香豆素系、菁系、吖啶系、噻嗪系、吩噻嗪系、蒽系、晕苯系、苯并蒽系、苝系、部花青系、香豆素酮系、香豆素系（フマリン系）、硼酸酯系等。
上述光敏剂可以单独使用或2种以上组合使用。通过使用该光敏剂，还可以调整UV区域的波长。
作为上述紫外线吸收剂，可举出例如，TINUVIN(注册商标)PS、TINUVIN99－2、TINUVIN109、TINUVIN328、TINUVIN384－2、TINUVIN400、TINUVIN405、TINUVIN460、TINUVIN477、TINUVIN479、TINUVIN900、TINUVIN928、TINUVIN1130、TINUVIN111FDL、TINUVIN123、TINUVIN144、TINUVIN152、TINUVIN292、TINUVIN5100、TINUVIN400－DW、TINUVIN477－DW、TINUVIN99－DW、TINUVIN123－DW、TINUVIN5050、TINUVIN5060、TINUVIN5151(BASFジャパン(株)制)等。
上述紫外线吸收剂可以单独使用或2种以上组合使用。通过使用该紫外线吸收剂，有时可以控制光固化时膜的最表面的固化速度，可以提高薄膜的光固化性。
本发明的形成平坦化膜的组合物可以包含疏水性被覆材、光聚合引发剂和有机溶剂，作为该有机溶剂，可举出甲苯、对二甲苯、邻二甲苯、苯乙烯、乙二醇二甲基醚、丙二醇单甲基醚、乙二醇单甲基醚、丙二醇、丙二醇单乙基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单异丙基醚、乙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯、乙二醇乙基醚乙酸酯、二甘醇二甲基醚、丙二醇单丁基醚、乙二醇单丁基醚、二甘醇二乙基醚、双丙甘醇单甲基醚、二甘醇单甲基醚、双丙甘醇单乙基醚、二甘醇单乙基醚、三甘醇二甲基醚、二甘醇单乙基醚乙酸酯、二甘醇、1－辛醇、乙二醇、己二醇、1,3-丙二醇、1－甲氧基－2－丁醇、环己醇、双丙酮醇、糠醇、四氢糠醇、丙二醇、苄醇、1,3－丁二醇、1,4－丁二醇、2,3－丁二醇、γ－丁内酯、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丙基酮、二乙基酮、甲基异丁基酮、甲基正丁基酮、环己酮、乙酸乙酯、乙酸异丙基酮、乙酸正丙酯、乙酸异丁酯、乙酸正丁酯、甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇、烯丙醇、正丙醇、2－甲基－2－丁醇、异丁醇、正丁醇、2－甲基－1－丁醇、1－戊醇、2－甲基－1－戊醇、2－乙基己醇、1－辛醇、乙二醇、己二醇、1,3-丙二醇、1－甲氧基－2－丁醇、双丙酮醇、糠醇、四氢糠醇、丙二醇、苄醇、异丙基醚、1,4－二烷、N,N－二甲基甲酰胺、N,N－二甲基乙酰胺、N－甲基吡咯烷酮、1,3－二甲基－2－咪唑烷酮、二甲亚砜、N－环己基－2－吡咯烷酮。
本发明是一种硬盘的制造方法，其包括下述工序：在磁性体上形成凹凸的第1工序；用形成平坦化膜的组合物被覆该凹凸的第2工序；通过蚀刻进行平坦化，使磁性体表面露出的第3工序。
第1工序中，在磁性体上形成凹凸的方法为例如在磁性体上使用光或热纳米压印法来形成磁道图案。使用该图案，通过干蚀刻法来加工磁性体面，形成凹凸。作为此时所使用的蚀刻气体，可以通过利用氧气、氩气、氟系气体的干蚀刻来进行。更优选为氧气、氩气。作为氟系气体，可举出例如，四氟甲烷(CF4)、全氟环丁烷(C4F8)、全氟丙烷(C3F8)、三氟甲烷、和二氟甲烷(CH2F2)等。在使用氟系气体来进行干蚀刻的情况下，有时蚀刻时生成HF，有时该HF腐蚀磁性体。
作为第2工序，在形成有凹凸的磁性体面上涂布本发明的形成平坦化膜的组合物。
涂布可以采用例如，旋转涂布法、浸渍法、流涂法、喷墨法、喷射法、棒涂法、凹版涂布法、辊涂法、转印印刷法、刷涂、刮板涂布法、气刀涂布法等方法。
可以优选使用旋转涂布法。例如可以以10～10000rpm的转速应用3～60秒。
作为膜厚，能够为5nm～10μm的范围，但由于凹凸为几十nm，因此特别是能够以5nm～100nm的范围使用。
将形成平坦化膜的组合物涂布在具有凹凸面的磁性体上，用形成平坦化膜的组合物填充凹凸面，进一步在其上再涂布形成平坦化膜的组合物。该形成膜的组合物通过光固化来进行固化。
光照射可以使用例如，波长为150nm～1000nm、或200～700nm、或300～600nm的光来进行。光照射可以使用例如，超高压水银灯、闪烁UV灯、高压水银灯、低压水银灯、DEEP－UV(深紫外)灯、短弧氙灯、短弧金属卤化物灯、YAG激光激发用灯和氙闪烁灯等来进行。例如，可以使用超高压水银灯，通过照射包含以紫外区域的289nm、297nm、303nm、313nm(j射线)、334nm、365nm(i射线)、可见光区域的405nm(h射线)、436nm(g射线)、546nm、579nm的波长作为峰的明线光谱在内的从波长250nm左右至650nm左右的全波长来进行。作为照射量，以10～1000mW/cm2、或10～100mW/cm2进行2～100秒或5～20秒。
曝光后，还可以根据需要进行曝光后加热(post exposure bake)。曝光后加热从加热温度50℃～170℃，加热时间1～10分钟中适宜选择。
涂布的磁性体的材质为组合了钴、铝、锆、铬、镍、锌、铁、钌等的合金。此外，有时这些磁性体具有即使在大气中也易于腐蚀的性质，可以在磁性体上叠层几nm的类金刚石碳。
作为第3工序，将被平坦化膜被覆了的面进行干蚀刻直至磁性体面露出，将磁性体面与该平坦化膜面进行平坦化。此时所使用的蚀刻气体使用氧气、或包含氧气的气体。
这样地在磁性体面(层)上形成非磁性体(填充有本发明的平坦化膜的槽)的槽作为磁道图案，磁性体面(层)与非磁性体面(层)形成平坦的面。
本发明中进一步作为第4工序，可以在平坦化了的上述面上，通过蒸镀来被覆厚度几十nm的硬质物质。作为硬质物质，可举出类金刚石碳。
实施例
以下，举出实施例和比较例，更具体地说明本发明，但本发明不限定于下述实施例。另外，实施例中使用的各测定装置如下。
膜厚使用ジェー·エー·ウーラム·ジャパン制的多入射角光谱椭偏仪VASE。
原子力显微镜使用エスアイアイ·ナノテクノロジー(株)制，Nano Navi L－trace，悬臂使用SI－DF40(背面ALコート)来进行测定。
UV照射装置使用オーク制作所制，无电极灯系统QRE4016，使照度为20mW/cm2来使用。
电子显微镜使用株式会社日立ハイテクノロジーズ社制S－4800。
聚合物的平均分子量测定使用东ソー株式会社制，商品名：Eco SEC HLC－8320GPC。
钴的定量使用XPS，使用アルバック－ファイ株式会社制，Quantera SXM。
接触角测定使用协和界面科学株式会社制的全自动接触角计DM700型。
实施例1
在具备温度计、回流管的2L的4口烧瓶中添加5.00g(0.0480mol；在共聚物中为70mol%的比例)的苯乙烯、2.97g(0.0206mol；在共聚物中为30mol%的比例)的丙烯酸4－羟基丁酯、0.56g(0.0034mol；相对于全部单体为5mol%，自由基聚合引发剂)的偶氮二异丁腈、844.41g的四氢呋喃(固体成分：1.0质量%)，使用隔膜泵进行减压，将体系内进行氮气置换。接着，以电磁搅拌器一边搅拌，一边使用油浴在66℃进行回流，反应1小时。反应结束后，自然冷却至23℃。
反应液不进行后处理，在保持氮气气氛的状态下，使用冰浴冷却至0℃，使用注射器添加3.12g(0.0309mol；丙烯酸4－羟基丁酯的1.5当量)的三乙胺、2.79g(0.0309mol；丙烯酸4－羟基丁酯的1.5当量)的丙烯酰氯。在反应温度保持在0℃～5℃之间的状态下，反应3小时，接着，除去冰浴，在23℃反应40小时。
反应结束后，在5℃的冷藏库中放置48小时。过滤反应液中的三乙胺的盐酸盐，在滤液中添加844.41g的丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)，使用蒸发器进行溶剂置换。将四氢呋喃完全地蒸馏除去。
测定反应液的GPC，结果获得Mw为1007，Mn为548，Mw/Mn为1.84的聚合物(PSA)的溶液。
确认了PSA在使用蒸发器将溶剂完全地蒸馏除去时为液态。
将获得上述疏水性被覆材(PSA)的反应式如下所示。
在500mL的1口烧瓶中称量上述PSA的1质量%PGMEA溶液200.00g，添加0.40g的IRGACURE369(BASFジャパン(株)制，光聚合引发剂)，添加丙烯酸3－(三甲氧基甲硅烷基)丙酯的20质量%PGMEA溶液0.50g作为密合促进剂，添加メガファックF－554(DIC(株)制)的0.01质量%PGMEA溶液2.00g作为表面活性剂，添加47.12g的PGMEA后，在室温使用搅拌器搅拌24小时，调制均匀的透明溶液(PSAV)，制成形成硬盘用平坦化膜的组合物。
实施例2
在具备温度计、回流管的2L的4口烧瓶中添加4.00g(0.0384mol；在共聚物中为50mol%的比例)的苯乙烯、5.00g(0.0384mol；在共聚物中为50mol%的比例)的二乙烯基苯、0.17g的Nafion117(Aldrich社制，阳离子聚合引发剂：具有由碳和氟构成的骨架与带有磺酸基的全氟侧链的全氟化碳材料)、908.33g的PGMEA(固体成分：1.0质量%)，使用隔膜泵来进行减压，将体系内进行氮气置换。接着，用电磁搅拌器一边搅拌，一边在23℃反应24小时。
反应结束后，过滤体系内悬浮的Nafion117，获得滤液。
测定反应液的GPC，结果获得Mw为808，Mn为448，Mw/Mn为1.80的聚合物(PSD)的溶液。
确认了PSD在使用蒸发器将溶剂完全地蒸馏除去时为液态。
将获得上述疏水性被覆材(PSD)的反应式如下所示。
在500mL的1口烧瓶中称量上述PSD的1质量%PGMEA溶液200.00g，添加0.40g的IRGACURE369(BASFジャパン(株)，光聚合引发剂)，添加丙烯酸3－(三甲氧基甲硅烷基)丙酯的20质量%PGMEA溶液0.50g作为密合促进剂，添加メガファックF－554(DIC(株))的0.01质量%PGMEA溶液2.00g作为表面活性剂，添加47.12g的PGMEA后，在室温使用搅拌器搅拌24小时，调制均匀的透明溶液(PSDV)，制成形成硬盘用平坦化膜的组合物。
实施例3
在500mL的1口烧瓶中称量2.00g的Piccolastic(TM)A5(イーストマンケミカルジャパン(株)，液态聚苯乙烯，重均分子量为400)，添加0.50g的二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物(商品名カヤラッドDPHA，日本化药(株)，液态聚丙烯酸酯化合物：二季戊四醇的五丙烯酸酯和六丙烯酸酯的混合物，重均分子量为约550)。
上述疏水性被覆材如下所示。该疏水性被覆材为液态聚苯乙烯和液态聚丙烯酸酯化合物的混合物。
在该疏水性被覆材中进一步添加0.50g的IRGACURE369(BASFジャパン(株)，光聚合引发剂)，添加丙烯酸3－(三甲氧基甲硅烷基)丙酯的20质量%PGMEA溶液0.63g作为密合促进剂，添加メガファックF－554(DIC(株))的0.01质量%PGMEA溶液2.50g作为表面活性剂，添加306.40g的PGMEA后，在室温使用搅拌器搅拌24小时，调制均匀的透明溶液(SDV)，制成形成硬盘用平坦化膜的组合物。
比较例1
准备上述疏水性被覆材。该疏水性被覆材为二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物(商品名カヤラッドDPHA，日本化药(株)，液态聚丙烯酸酯化合物：二季戊四醇的五丙烯酸酯和六丙烯酸酯的混合物，重均分子量为约550)。
在500mL的茄型烧瓶中称量二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物，商品名カヤラッドDPHA(日本化药(株))2.00g，添加0.40g的IRGACURE369(BASFジャパン(株)，光聚合引发剂)，添加丙烯酸3－(三甲氧基甲硅烷基)丙酯的20质量%PGMEA溶液0.50g作为密合促进剂，添加メガファックR－30(DIC(株))的0.01质量%PGMEA溶液2.00g作为表面活性剂，添加245.12g的PGMEA后，在室温使用搅拌器搅拌24小时，调制均匀的透明溶液(RV1)，制成形成硬盘用平坦化膜的组合物。
比较例2
在500mL的茄型烧瓶中称量以85:15(共聚物中的mol%比)共聚有苯乙烯与丙烯酸的聚合物(Mw＝14300，Mn＝5600；大阪有机化学工业(株)，固体状聚合物)的35%PGMEA溶液5.00g。
该疏水性被覆材为下述所示的苯乙烯与丙烯酸的共聚物。
在该疏水性被覆材中进一步添加0.35g的GT－401(ダイセル化学工业(株)，多官能脂肪族环状环氧树脂：成分为环氧化丁烷四羧酸四-(3-环己烯基甲基)修饰ε-己内酯)，添加丙烯酸3－(三甲氧基甲硅烷基)丙酯的20质量%PGMEA溶液0.44g作为密合促进剂，添加メガファックF－554(DIC(株))的0.01质量%PGMEA溶液1.75g作为表面活性剂，添加211.23g的PGMEA后，在室温使用搅拌器搅拌24小时，调制均匀的透明溶液(RV2)，制成形成硬盘用平坦化膜的组合物。
比较例3
在500mL的茄型烧瓶中称量聚苯乙烯(Mw＝2000；和光纯药工业(株)，固体状聚合物)2.00g。
该疏水性被覆材为下述所示的聚苯乙烯。
在该疏水性被覆材中进一步添加丙烯酸3－(三甲氧基甲硅烷基)丙酯的20质量%PGMEA溶液0.50g作为密合促进剂，添加メガファックF－554(DIC(株))的0.01质量%PGMEA溶液2.00g作为表面活性剂，添加205.52g的PGMEA后，在室温使用搅拌器搅拌24小时，调制均匀的透明溶液(RV3)，制成形成硬盘用平坦化膜的组合物。
＜由AFM(原子力显微镜)测得的平坦化性＞
对于由实施例1～3调制的PASV、PSDV、SDV，由比较例1～3调制的RV1、RV2、RV3，使用蒸发器进行减压浓缩，使固体成分调制为4.0%质量。
使用固体成分调制成4.0质量%的清漆(形成硬盘用平坦化膜的组合物)，在带有结构物的基板上进行旋转涂布。带有结构物的基板的材质为硅，使用深度为100nm，线与间隙以30nm的等间隔形成的物质。旋转涂布采用与在不附着结构物的硅基板上可以进行85nm制膜的条件同样的条件。
AFM测定埋入结构体后的制膜面，测定平均表面粗糙度(Ra)和最大表面粗糙度(Rmax)。AFM的测定部位为线与间隙存在的方向的垂直方向，测定范围为5μm×5μm。
(AFM(原子力显微镜)的测定)
在带有结构物的基板上采用旋转涂布法将固体成分为4.0质量%的PSAV清漆(将由实施例1获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物调整为固体成分4.0质量%)进行制膜。旋转涂布后的膜使用UV照射装置(主波长380nm)，以照度为20mW/cm2在大气下光照射10秒(200mJ/cm2)。
光照射后的膜使用AFM评价结构体上的平坦性。AFM的测定结果示于表1中。
使用固体成分为4.0质量%的PSDV清漆(将由实施例2获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物调整为固体成分4.0质量%)，采用与使用PSAV清漆的情况同样的方法形成膜，测定AFM。AFM的测定结果示于表1中。
使用固体成分为4.0质量%的SDV清漆(将由实施例3获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物调整为固体成分4.0质量%)，采用与使用PSAV清漆的情况同样的方法形成膜，测定AFM。AFM的测定结果示于表1中。
使用固体成分为4.0质量%的RV1清漆(将由比较例1获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物调整为固体成分4.0质量%)，采用与使用PSAV清漆的情况同样的方法形成膜，测定AFM。AFM的测定结果示于表1中。
在带有结构物的基板上采用旋转涂布法将固体成分为4.0质量%的RV2清漆(将由比较例2获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物调整为固体成分4.0质量%)进行制膜。旋转涂布后的膜在大气下使用200℃的电热板进行5分钟烘烤。烘烤后的膜测定AFM。AFM的测定结果示于表1中。
使用固体成分为4.0质量%的RV3清漆(将由比较例3获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物调整为固体成分4.0质量%)，采用与使用RV2清漆的情况同样的方法形成膜，测定AFM。AFM的测定结果示于表1中。
[表1]
表1 带有结构物的基板上的涂布膜的平坦性
由表1的结果可知，PSAV、PSDV、SDV、RV1的各膜的Ra良好，Rmax为1nm以下，因此良好地埋入结构物，平坦性良好。该结果可知，清漆中的溶质在大气压下为具有液体性状的分子，因此带有结构物的基板上的平坦性优异。
另一方面，可知RV2和RV3的各膜的Rmax为1nm以上，表面粗糙大。如果Rmax为1nm以上，则采用后工序在平坦化材料上叠层类金刚石碳(DLC)时，有可能沿袭平坦化膜的粗糙，在DLC上反映粗糙，与浮出在硬盘上的磁头碰撞。要求磁头与硬盘的距离为5nm以下，具有1nm以下的Rmax是重要的。
＜Co腐蚀试验＞
进行由实施例1～3调制的PSAV、PSDV、SDV的各膜，由比较例1～3调制的RV1、RV2、RV3的各膜的钴腐蚀试验。
所使用的基板使用在Si基板上溅射200nm的钴而成的基板(グローバルネット(株)制，钴被覆基板)。
钴的检测使用XPS。测定条件为：X射线为AlKa，1486.6eV(25W，15kV)，测定范围为1000μm×1000μm，通能(Pass Energy)为55.0eV，112.0eV，光电子飞离角(PhotoelectronTaku Off Angle)是与基板成45°。通过XPS进行的钴的定量为获得从膜的最表面在膜厚方向上到10nm为止的信息。此外，由XPS得到的钴的峰在778.2eV附近出现。
在Si基板上溅射有200nm的钴的基板上采用旋转涂布法将PSAV清漆(由实施例1获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物)以膜厚为20nm的方式进行制膜。旋转涂布后的膜使用UV照射装置(主波长380nm)，以照度为20mW/cm2在大气下光照射10秒(200mJ/cm2)。
光照射后的膜使用XPS来测定膜的最表面，定量钴。接着，将同一膜使用温度设定为90℃、相对湿度设定为90%RH的恒温恒湿器，放置120小时。恒温恒湿试验后的膜使用XPS来测定膜的最表面，定量钴。XPS的测定结果示于表2中。
使用PSDV清漆(由实施例2获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物)，与使用PSAV清漆的情况同样地进行试验，测定XPS。XPS的测定结果示于表2中。
使用SDV清漆(由实施例3获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物)，与使用PSAV清漆的情况同样地进行试验，测定XPS。XPS的测定结果示于表2中。
使用RV1清漆(由比较例1获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物)，与使用PSAV清漆的情况同样地进行试验，测定XPS。XPS的测定结果示于表2中。
在Si基板上溅射有200nm的钴的基板上采用旋转涂布法将RV2清漆(由比较例2获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物)以膜厚为20nm的方式进行制膜。旋转涂布后的膜在大气下使用200℃的电热板进行5分钟烘烤。烘烤后的膜使用XPS测定膜的最表面，定量钴。接着，将同一膜使用温度设定为90℃、相对湿度设定为90%RH的恒温恒湿器，放置120小时。恒温恒湿试验后的膜使用XPS测定膜的最表面，定量钴。XPS的测定结果示于表2中。
使用RV3清漆(由比较例3获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物)，与使用RV2清漆的情况同样地进行试验，测定XPS。XPS的测定结果示于表2中。
此外，关于没有涂布上述平坦化膜的钴基板，使用XPS测定其最表面，定量钴。接着使用温度设定为90℃、相对湿度设定为90%RH的恒温恒湿器，放置120小时。关于恒温恒湿试验后的钴基板，使用XPS测定基板的最表面，定量钴。XPS的测定结果示于表2中。
[表2]
表2 钴的定量值
由表2的结果可知，恒温恒湿试验前的钴的定量值为0.00atm%，刚制膜后的膜的最表面不存在钴。作为参照用而进行了试验的钴基板中，恒温恒湿试验前为4.87atm%，恒温恒湿试验后为9.54atm%，是非常高的值。
可知恒温恒湿试验后的钴的定量值在PSAV、PSDV、SDV、RV3的各膜中为0.1atm%以下，钴扩散到平坦化膜的表面的比例非常小。另一方面，可知RV1和RV2的各膜为0.86atm%和0.69atm%，钴扩散到平坦化膜的表面。可知虽然RV2为具有聚苯乙烯骨架的聚合物，但检测到钴是因为，具有羧酸作为极性基。已知羧酸作为路易斯酸起作用，而使钴基板腐蚀。
在硬盘中作为离散图案介质的非磁性体膜使用的情况下，由于非磁性体与磁性体在磁性上被区分，因此进行组装器件后的可靠性试验时，作为磁性体的钴从磁性体向非磁性体扩散成为侧光、串扰的原因，成为问题。
可以认为在非磁性体中检测到磁性体的现象是磁性体的钴基板被酸、碱、水蒸气等离子化而腐蚀(corrosion)，该离子化了的成分扩散(转移)到非磁性体。因此，从恒温恒湿试验后的非磁性体的表面检测不到钴是表示，非磁性体材料不使作为磁性体的钴基板腐蚀，不使其扩散，可以提供高可靠性的硬盘。
＜水接触角的测定＞
测定由实施例1～实施例3、比较例1～比较例3获得的膜的水接触角。
在钴基板上采用旋转涂布法将PSAV清漆(由实施例1获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物)以膜厚为20nm的方式进行制膜。旋转涂布后的膜使用UV照射装置(主波长380nm)，以照度为20mW/cm2在大气下光照射10秒(200mJ/cm2)。测定涂布于钴基板上的PSAV膜的水接触角。测定结果示于表3中。
PSDV膜的水接触角与使用PSAV膜的情况同样地测定。测定结果示于表3中。
SDV膜的水接触角与使用PSAV膜的情况同样地测定。测定结果示于表3中。
RV1膜的水接触角与使用PSAV膜的情况同样地测定。测定结果示于表3中。
在钴基板上采用旋转涂布法将RV2清漆(由比较例2获得的形成硬盘用平坦化膜的组合物)以膜厚为20nm的方式进行制膜。旋转涂布后的膜在大气下使用200℃的电热板进行5分钟烘烤。
测定涂布于钴基板上的RV2膜的水接触角。测定结果示于表3中。
RV3膜的水接触角与使用RV2膜的情况同样地测定。测定结果示于表3中。
水接触角的测定使用22G的针，固定地滴加2.0μL的水，使用按照Young的式子的θ/2法进行测定。
[表3]
表3 平坦化膜的水接触角
由表3的结果可知，PSAV、PSDV、SDV、RV3中具有70°以上的水接触角。另一方面，RV1和RV2为70°以下的水接触角。
这些水接触角的结果可知，与表2中所示的钴的腐蚀试验结果有相互关系，示于图1中。图1为表示在钴被覆基板上被覆平坦化膜而进行恒温恒湿试验后的平坦化膜表面的钴的定量值、与另行被覆于钴被覆基板上的平坦化膜的水接触角试验值的相互关系的图。纵轴为钴的定量值(atom%)，横轴为水接触角的测定值(°)。即明确了，通过使用水接触角为70°以上的疏水的有机膜，从而可以显著地抑制钴的腐蚀。
可知，要求作为HDD(硬盘驱动器)的非磁性体的平坦化膜埋入结构体后的有机膜表面的平坦性为1nm以下，经过恒温恒湿试验后，可以抑制钴的腐蚀和转移，因此PSAV、PSDV、SDV的各膜良好。另一方面，RV1的膜虽然平坦性良好，但钴腐蚀不良，RV2的膜的平坦性、钴腐蚀不良，此外RV3的膜虽然钴腐蚀良好，但平坦性不良。需要平坦性和钴腐蚀兼顾地良好，可以兼有这些性能的本发明的形成平坦化膜的组合物可以良好地用作HDD的平坦化膜。
产业可利用性
可以用于在HDD(硬盘驱动器)制造过程中将微细的槽(几十nm)平坦化，可以防止在填充部中钴成分等磁性材料扩散至填充部(非磁性层)的形成硬盘用平坦化膜的组合物。

Claims (15)

1.一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其包含苯乙烯系化合物的疏水性被覆材，所述苯乙烯系化合物的疏水性被覆材由选自(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的至少1种聚合物或至少1种聚合物与至少1种化合物的组合构成，并且具有光聚合性基和芳香族基，所述(A1)为包含芳香族基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A2)为包含至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(a1)为包含芳香族基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a2)为包含至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物。
2.根据权利要求1所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，所述光聚合性基为丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基。
3.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，所述芳香族基为包含苯环的基团。
4.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，所述疏水性被覆材为单独的所述(A3)、(A1)与(A2)的混合物、(A1)与(A3)的混合物、(A2)与(A3)的混合物、(A3)与(a3)的混合物、(A1)与(a3)的混合物、或(A1)与(a2)的混合物。
5.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，所述疏水性被覆材为单独的所述(A3)、或(A1)与(a2)的混合物。
6.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，所述(A3)为均聚物或共聚物。
7.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，由所述形成硬盘用平坦化膜的组合物获得的平坦化膜为在水接触角测定中该平坦化膜与水的接触角为70°～150°的具有疏水性的膜。
8.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，其还包含光聚合引发剂和溶剂。
9.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，由所述形成硬盘用平坦化膜的组合物获得的膜为能够通过采用非卤素系的干蚀刻气体进行回蚀而平坦化的膜。
10.一种硬盘的制造方法，其包括下述工序：在磁性体上形成凹凸的第1工序；用权利要求1～9的任一项所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物被覆该凹凸的第2工序；通过蚀刻，将被覆了的膜表面进行平坦化，并且使磁性体表面露出的第3工序。
11.根据权利要求10所述的硬盘的制造方法，其还包括作为第4工序的将硬质物质被覆的工序。
12.根据权利要求10或11所述的硬盘的制造方法，在所述第1工序中形成凹凸的工序采用纳米压印法进行。
13.根据权利要求10或11所述的硬盘的制造方法，在所述第3工序中平坦化采用干蚀刻进行。
14.根据权利要求11所述的硬盘的制造方法，在所述第4工序中使用的硬质物质为类金刚石碳。
15.一种形成磁性物质的扩散防止膜的组合物，其包含苯乙烯系化合物的疏水性被覆材，所述苯乙烯系化合物的疏水性被覆材由选自(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的至少1种聚合物或至少1种聚合物与至少1种化合物的组合构成，并且具有光聚合性基和芳香族基，所述(A1)为包含芳香族基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A2)为包含至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(a1)为包含芳香族基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a2)为包含至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物。
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