CN103258723A - 改善金属粘附性的活化工艺 - Google Patents

改善金属粘附性的活化工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN103258723A
CN103258723A CN2013101231155A CN201310123115A CN103258723A CN 103258723 A CN103258723 A CN 103258723A CN 2013101231155 A CN2013101231155 A CN 2013101231155A CN 201310123115 A CN201310123115 A CN 201310123115A CN 103258723 A CN103258723 A CN 103258723A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
wafer
plating
silicide
nickel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013101231155A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103258723B (zh
Inventor
魏凌云
G·哈姆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of CN103258723A publication Critical patent/CN103258723A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103258723B publication Critical patent/CN103258723B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02697—Forming conducting materials on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
    • H01L21/76873—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明是改善金属粘附性的活化工艺。在半导体晶片上形成金属层中使用包含氟离子和有机酸的原生氧化物去除及活化的溶液。该方法还可用于硅化物的形成以及为附加金属电镀和建立制备金属硅化物。该溶液和方法可用于光电器件和其它电子器件和部件的制造中。

Description

改善金属粘附性的活化工艺
技术领域
本发明涉及一种改善金属与含硅衬底的粘附性的活化工艺。更特别地，本发明涉及一种使用包含氟离子和有机酸的含水组合物来改善金属与含硅衬底的粘附性的活化工艺。
背景技术
含硅的金属半导体在现代封装技术中具有广泛的应用，例如形成栅电极，欧姆接触，互连线，肖特基二极管接触，光电，太阳能电池以及光电子元件。硅半导体可通过各种工艺金属化，例如电镀，化学镀，浸镀，光诱导镀或者通过物理和化学气相沉积工艺。然而，获得适合商业产品的金属与硅的良好粘附是最有挑战的问题之一，这是因为如果沉积的金属要退火以形成金属硅化物并在金属硅化物上建立附加金属，硅上会有原生(native)氧化物或金属氧化物形成。
退火后金属层通常沉积在金属硅化物上以建立和形成导电轨迹或电极。通常在沉积这类金属层前必须活化该硅化物。可通过在该硅化物上催化材料的沉积来实现活化；然而，这需要整个工艺中增加多重步骤或者使用催化胶体化合物。催化胶体化合物可吸附到选择性涂覆在硅上的电介质材料并引起在电介质上不希望的、过度的、以及非选择性地金属沉积。金属的非选择性沉积会导致表面污染，不想要的导电材料扩散向电介质材料的扩散，且甚至源自短路的器件失效以及其它的器件的不规则性。这不仅增加了工艺步骤的数量并且在金属化前无论何时引入活化步骤都存在不能恰当地活化金属层的风险，从而引起金属层间粘附失效。
US6787450公开了一种在半导体器件上形成硅化物并且使用无电镀金属沉积以形成导体的方法。半导体可以是硅基，硅锗，锗或者砷化镓。半导体材料被选择性地涂覆在绝缘层上留下的半导体的暴露区域。钛层通过化学气相沉积沉积到暴露的半导体上并且半导体热退火至足够形成钛硅化物的高温。除了钛，其它金属例如钨，钴和镍也可用于形成硅化物。
退火后在沉积金属层到硅化物上之前活化该硅化物。活化从钛硅化物中中移除氧化物或者含氧化合物。这类氧化物损害金属与该硅化物的粘附并最终损害其中使用该半导体的任何电子器件的可靠性。活化可使用包含过氧化胺，单独使用的氢氟酸(HF)或者HF和氯化钯的组合物的蚀刻溶液来完成。该活化溶液中可包含多种表面活性剂。如果代替钛硅化物形成钴或者镍硅化物，也需要在无电镀建立以形成导体前活化该硅化物。活化后，清洗半导体并且随后无电镀镍，镍合金，钴或者钴合金以形成导体。
尽管HF是一种或者最常用的活化模式来去除原生氧化物以及准备硅和硅化物用于金属化，它冲击或腐蚀金属浆电极，例如铝浆电极，以及许多光电器件中发现的抗反射层。当抗反射层是氮化硅或者氧化硅/氮化硅组合物时这种腐蚀很典型。相应地，需要一种去除原生氧化物，活化硅和金属硅化物并且能够有良好的金属粘附而不损害抗反射层及基本腐蚀铝电极的方法。
发明内容
该方法包括提供包含硅的衬底；使用包含一种或多种氟离子源和一种或多种有机酸的含水活化组合物从硅衬底的一个表面去除原生氧化物；以及在去除原生氧化物的衬底上沉积金属层。该金属层可随后通过沉积一个或多个附加金属层来建立。或者，起始金属层和衬底可烧结形成金属硅化物。该硅化物随后使用包含一种或多种氟离子源和一种或多种有机酸的含水活化组合物处理。附加金属层可随后沉积在该活化的金属硅化物上。
该组合物基本上可不含HF，从而它们基本上不腐蚀例如在光电器件中发现的氮化硅和氧化硅/氮化硅复合物的抗反射涂层。该含水组合物也基本上不腐蚀作为许多光电器件的部件的铝电极。相比于许多传统方法，该活化组合物能够改善金属与含硅衬底及金属硅化物间的粘附。
具体实施方式
贯穿本说明书使用的，术语“沉积”和“镀”可交换地使用。术语“电流迹线”和“电流线路”可交换地使用。术语“组合物”和“镀液”可交换地使用。不定冠词“一”和“一”意指包括单数和复数。术语“硅化物”指硅和另一种元素，通常是金属，的二元化合物。术语“选择性沉积”指沉积发生在衬底特定的所需的区域上。下列缩写词具有下述含义除非文中另有明确的指示：℃＝摄氏度；g＝克；ml＝毫升；L＝升；A＝安培；m＝米；dm＝分米；cm＝厘米；μm＝微米；nm＝纳米；s＝秒；UV＝紫外线；N＝牛顿＝1Kgm/s2；IR＝红外线；LED＝发光二极管；LIP＝光诱导镀。除非另有指定，所有百分数和比率是按照质量算的。所有范围是包括的并且以任意组合的，除了逻辑上这些数值范围限于其加和为100％。
光电和太阳能电池可包括包含半导体晶片的单晶或多晶或非晶硅。这类晶片具有p型掺杂。半导体晶片形状上可以是圆、正方形或矩形或者是其它任何合适的形状。这类晶片可具有广泛变化的尺度和表面电阻率。
晶片的背面可以金属化，以提供低阻晶片。可使用传统方法。可在整个背面涂覆金属或者背面的部分涂覆金属，例如为了形成栅格。这种背面金属化可通过各种技术提供，并且可以在晶片的前面金属化之前完成。金属涂层可以导电浆的形式施加到背面，例如含银浆、含铝浆或者含银铝浆；然而，也可使用熟知的其它合适的浆。这类导电浆典型地包括嵌入玻璃基质的导电粒子和有机粘结剂。可采用各种技术将导电浆施加到晶片上，例如丝网印刷。施加浆之后，通过火烧去除有机粘结剂。当使用含铝的导电浆时，铝部分地扩散进入晶片的背面，或者如果使用也包含银的浆，可与银熔成合金。这类含铝浆的使用可改善电阻接触并提供一“P+”掺杂区域。重掺杂的“P+”型区域通过先前施加的铝或硼的随后相互扩散也可制成。
晶片的前面可选择地进行晶体取向纹理刻蚀以给予表面一减少反射的改善的光入射图形。这可通过半导体晶片与酸、例如氢氟酸，或碱接触以纹理化或粗糙化表面。
为制备半导体结，磷扩散或者离子注入发生在晶片的前面以制备n掺杂(n+或n++)区域并为晶体提供PN结。该n掺杂区域可用作发射极层。
抗反射层添加到晶片的前面或者发射极层。另外该抗反射层可作为钝化层。典型地抗反射层包括但不限于氮化硅层例如Si3N4或者氧化硅和氮化硅层的组合。这类抗反射层可通过多种技术沉积，例如各种气相沉积方法，例如化学气相沉积和物理气相沉积。
晶体的前面包括用于金属化的图案。例如，晶片的前面可包含电流收集线和电流母线。电流收集线通常横向于母线并且通常相比电流母线具有相对精细的结构(例如尺寸)。
该图案达到穿过抗反射层以暴露晶片的半导体主体的表面。或者，在开口中可形成沟槽以产生选择性发射极。这些沟槽可以是高度掺杂区域。多种工艺可用于形成该图案，例如，但不限于，激光烧蚀，机械手段，和光刻工艺，这些都是本领域熟知的。这种机械手段包括锯和刮。
当表面氧化物或原生氧化物存在于晶片上时，在金属化之前使用包含一种或多种氟离子源和一种或多种有机酸的含水组合物将他们从导电图案去除。该组合物的pH值范围是3到小于7，优选3到6且更优选4到5。该含水组合物不含HF，因此他们消除或者减少了通常在光电器件和太阳能电池中发现的抗反射层和铝电极的腐蚀，得到了保护或至少抑制。优选的，在施加抗反射层并且在暴露晶片表面的抗反射层上形成电流迹线之后施加该含水组合物到晶片。该组合物可通过喷射晶片或者将晶片浸入组合物来施加。该含水组合物可施加30秒至3分钟，优选1-2分钟。除了去除原生氧化物，该含水组合物活化用于金属镀的硅，否则该硅不能接受金属沉积。
氟离子源包括但不限于碱金属氟化物，例如氟化钾和氟化钠，氟化铵，金属盐例如氟化锑(III/VI)，氟化钡，氟化锡(II)，氟化铝(III)，氟硼酸盐化合物，氟化四甲基铵以及其它可在水媒介中分解氟离子的化合物。这种另外的氟化物化合物包括但不限于脂肪族的伯胺、仲胺和叔胺的氟化物盐，例如具有通式R1N(R3)R2的化合物，其中R1、R2和R3各自独立代表H或者1-12个碳原子的烷基。然而，双氟化物不适合作为氟化物离子源，这是由于它们能产生腐蚀抗反射层和含铝电极的HF酸。通常，氟离子源包含于该含水组合物中的量为10g/L到60g/L，优选20g/L到40g/L。
一种或多种有机酸包括但不局限于多羧基酸和羟基羧酸。多羧基酸包括但不限于二羧酸例如草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、马来酸和富马酸。羟基羧酸包括但不限于苹果酸、酒石酸和柠檬酸。只有这些酸而不是这些酸的盐可以使用。在去除原生氧化物的组合物中排除有机酸的盐。有机酸包含在去除原生氧化物的组合物中的量为1g/L到30g/L，优选5g/L到20g/L。
在温度从室温到60℃下施加该含水组合物。优选地，从室温到30摄氏度时施加该含水组合物。
金属种子层迅速沉积到前面导电图案上。该金属种子层可通过任何本领域熟知的常规金属沉积方法沉积，例如电镀、化学镀、浸镀、LIP或光辅助镀。常规工艺参数可用于沉积金属种子层。需要一些次要实验来设计用于特定半导体晶片和金属的金属沉积工艺的参数。典型地，该金属种子层通过电镀、化学镀和LIP沉积。更典型地，该金属种子层通过电解电镀和LIP沉积。当使用LIP或光辅助镀时，如果金属源是化学镀液，完成镀而无需外部电流的施加。如果金属源是电解金属镀液，施加背面电压(整流器)至半导体晶片衬底。光可以是连续的或者脉冲的。可使用的光包括但不限于可见光、IR、UV和X射线。光源包括但不局限于白炽灯、例如75瓦和250瓦灯、LED、IR灯、例如150瓦IR灯、荧光灯、卤素灯和激光。
可沉积作为种子层的金属包括但不限于镍、钴、钯、铂、铑以及这些金属的合金。优选沉积镍、钴、钯和铂到电流迹线上作为种子层。更优选地，沉积镍和钴。最优选地沉积镍到电流迹线上作为种子层。当通过电镀、化学镀、浸镀、LIP和光辅助镀沉积金属或金属合金时，金属源以一种或多种水溶金属化合物提供。这类水溶金属化合物包括但不限于金属硫酸盐、金属卤化物、例如金属氯化物和溴化物、金属氨基磺酸盐、金属磷酸盐、金属氧化物、金属氢氧化物、金属氰化物和金属氮化物。这类金属盐通常是从多种商业源上可获得的，例如威斯康星州密尔沃基的奥德里奇化学公司(Aldrich ChemicalCompany)。
可使用本领域熟知的和文献中公开的常规金属镀镀液，例如US3041255中公开的瓦特型电解镍镀液。商业上可获得的镍镀液的实例是NICKELGLEAMTM电解镍产品，ENLIGHTTM1300电解镍镀溶液，ENLIGHTTM710、720、和730化学镍镀溶液(NICKEL GLEAMTM和ENLIGHTTM镀产品可从罗门哈斯电子材料有限公司获得(ROHM AND HAAS ELECTRONICMATERIALS LLC))。
在该金属镀镀液中可以使用多种多样电解液的任何一种，包括酸和碱。实例的电解液包括，但不受限，烷烃磺酸例如甲磺酸、乙磺酸和丙磺酸；羟烷基磺酸；芳基磺酸例如甲苯磺酸、苯基磺酸和苯酚磺酸；含氨基的磺酸例如氨基磺酸；氨基磺酸；无机酸；羧酸例如蚁酸和卤代乙酸；氢卤酸；以及焦磷酸盐。酸和碱的盐也可用作电解液。另外，电解液可包含酸的混合物、碱的混合物或者一种或多种酸与一种或多种碱的混合物。这类电解液通常可由多个来源购得，例如威斯康星州密尔沃基的奥德里奇化学公司(AldrichChemical Company)。
多种常规添加剂可包含在该金属镀镀液中。这类添加剂包括，但不限于，表面活性剂，例如阴离子型、阳离子型、两性的和非离子表面活性剂，光亮剂，晶粒细化剂，柔顺增强剂，配位剂，螯合剂，缓冲剂，例如硼酸盐缓冲剂、磷酸盐缓冲剂、柠檬酸盐缓冲剂、碳酸盐缓冲剂、以及氢氧化物缓冲剂。使用的缓冲剂的量是足够保持镀液的pH值在一所需水平上的量，这种量对本领域技术人员来说是公知的。如果该金属镀镀液是化学镀液，其通常包括一种或多种还原剂。这类还原剂包括但不限于次磷酸钠、次磷酸钾、硫脲和硫脲衍生物、乙内酰脲和乙内酰脲衍生物、对苯二酚和对苯二酚衍生物、间苯二酚、以及甲醛和甲醛衍生物、DEA(n-二乙基胺硼烷)、硼氢化钠和肼。这类添加剂在商业上通常有多个获得源，例如威斯康星州密尔沃基的奥德里奇化学公司(Aldrich Chemical Company)。
当通过电镀沉积金属种子层时，背面电压(整流器)施加到晶片。使用的电镀工艺是常规的。通常，电流密度从0.1A/dm2到2A/dm2，并且典型地从0.5A/dm2到1.5A/dm2。特殊的电流需求依赖于所用晶片的特定尺寸以及将要电镀的金属。
当通过LIP或光辅助镀镀该金属种子层时，半导体晶片的前面由光能照射且电镀发生在前面。该碰撞光能在半导体内产生电流。前面电镀的速率可通过调整光强度、镀液温度、还原剂活性、起始晶片条件、掺杂水平以及其它本领域工作者熟知的参数来控制。如果镀液是电镀镀液，电镀的速率也可通过整流器调整。20nm到300nm厚的金属层，或者例如50nm到150nm的金属层是通常需要的，准确厚度取决于各种因素例如应用、尺寸、图案和几何形状。
种子层金属临近半导体晶片的硅沉积之后，一种或多种附加金属层可沉积在该种子层上。这类金属层可以是与种子层相同的金属或不同的金属。这类金属包括但不限于镍、钴、银、铜、铂、钯、铑、金、锡以及其合金。优选临近种子层的金属是与种子层相同类型的金属。这类金属可使用上面描述的常规镀工艺以及常规金属镀镀液沉积在种子层上。可选地，种子层临近硅沉积之后，烧结晶片以形成金属硅化物。可使用常规烧结方法以形成硅化物。通过加热晶片至一固定温度一特定时间或者从室温到一特定峰值温度抬升晶片温度来实施烧结。通常使用提供300℃或更高或从400℃到550℃的晶片峰值温度的熔炉。通常，峰值温度时间范围从2秒到20秒，或例如从5秒到15秒。合适熔炉的一个实例是灯基熔炉(IR)。
通常，固定温度烧结实施至少3分钟，或例如从4分钟到10分钟。半导体穿过熔炉的线速可根据使用的熔炉变化。可做小实验以确定合适的线速。通常，线速为330cm/分钟到430cm/分钟，或例如从370cm/分钟到420cm/分钟。
当金属硅化物形成之后，可剥去任何未反应的金属。可使用酸剥离溶液实施剥离，例如20-40％的硝酸通常用于剥离镍。随后使用上述的包含一种或多种氟离子源和一种或多种有机酸的含水组合物对金属硅化物进行活化。活化去除硅化物上的原生和金属氧化物。该含水活化组合物可施加30秒至3分钟，优选1-2分钟并在与上述相同的温度下。
紧随活化，不存在介入步骤，附加金属层邻近该金属硅化物沉积。这类金属包括但不限于银、镍、钴、钯、铂、铜铑、金、锡及其合金。邻近金属硅化物沉积的金属可以是与硅化物的金属相同的金属或者是与其不同的金属。例如如果硅化物是硅化钴，与钴相反，临近硅化钴可以镀镍。优选地，临近金属硅化物沉积的金属是与用于形成金属硅化物的相同类型的金属。例如，如果金属硅化物是硅化镍，临近硅化镍沉积的金属优选镍以及如果金属硅化物是硅化钴，临近硅化物沉积钴。使用与用于沉积形成金属硅化物的金属相同类型的方法沉积金属。通常，使用电镀、化学镀、浸镀、LIP或光辅助镀临近金属硅化物沉积金属。优选地使用电镀和LIP临近金属硅化物沉积金属。
通常，临近金属种子层或金属硅化物沉积的金属层是0.5μm到50μm厚。优选，金属层是1μm到2μm厚。一个或多个不同金属的附加金属层可随后沉积到临近金属硅化物或种子层的金属层上。这类金属具有0.5μm到50μm的厚度范围，优选5μm到20μm。优选的金属包括铜、银、锡和锡/铅合金。更优选的金属是铜和银和锡。最优选的是铜和银。通常铜具有银或者锡盖层。可选择地，金属的最后层可由常规有机可焊性防腐剂涂覆。可以使用常规金属镀镀液以及常规金属沉积参数。商业上可获得的铜电镀镀液的实例是ENLIGHTTM460铜电镀溶液。当用电镀沉积金属时，电流密度范围从0.1A/dm2到10A/dm2。
当用于形成电流迹线和母线的最后金属层是银时，银金属层范围可以在0.5μm到10μm厚。优选，银层是1μm到5μm厚。可使用常规方法沉积银，例如电镀、化学镀、浸镀、LIP或光辅助镀。优选地，使用电镀、化学镀、LIP或光辅助镀沉积银到电流迹线和母线上。更优选地，通过电镀和LIP沉积银到电流迹线和母线上。
可使用常规银镀液。该银镀液可以是含氰化物或不存在氰化物的银镀液。银离子源包括但不受限：氰化钾银、硝酸银、硫代硫酸钠银、葡萄糖酸银；银-氨基酸络合物例如银-半胱氨酸络合物；烷基硫磺酸银，例如甲烷硫磺酸银。可使用银化合物的混合物，例如硝酸银和银-半胱氨酸络合物的混合物。在混合物中银离子的浓度通常是常规的量，例如2g/L到40g/L。这类银化合物在商业上通常可由多个源获得，例如威斯康星州密尔沃基的奥德里奇化学公司(Aldrich Chemical Company)。商业上使用的镀银混合物的实例是可从ENLIGHTTM镀银600和620电镀溶液获得。
可在银电镀液中使用多种常规的表面活性剂，例如阴离子型、阳离子型、两性的和非离子表面活性剂。以常规的量包含表面活性剂。该银电镀镀液可包含一种或多种附加常规成分。这类附加成分包括但不受限，电解液、缓冲剂、光亮剂、晶粒细化剂、螯合剂、配位剂、还原剂、均匀剂和柔顺增强剂。这类附加成分是本领域熟知的且以常规的量使用。这类添加剂有多个商业获得源，例如威斯康星州密尔沃基的奥德里奇化学公司(Aldrich ChemicalCompany)。
银电镀混合物可具有1到14范围内的pH值，通常1到12，以及更通常8到10。金属镀期间电镀混合物的工作温度为10到100℃，或者例如从20到60℃。通常工作温度在30到40℃的范围内，且更通常为35到40℃。当电镀银时，通常电流密度为从0.1A/dm2到5A/dm2，且更通常从1A/dm2到3A/dm2。
可选地，金属化前，半导体晶片可被边缘隔离。边缘隔离减少了金属化期间分流半导体晶片的可能性，这是因为半导体晶片从n型发射极层到p型层沉积金属的桥接。边缘隔离可通过在金属化前沿半导体晶片的边缘施加带或者常规电镀抗蚀剂例如边缘掩膜来完成。这类电镀抗蚀剂可以是包括一种或多种蜡的蜡基混合物，例如褐煤蜡、固体石蜡、大豆、植物蜡和动物蜡。此外，这类抗蚀剂可包括一种或多种交联剂，例如常规的丙烯酸酯、二丙烯酸酯和三丙烯酸酯，以及一种或多种固化剂用以固化暴露于辐射诸如UV和可见光的抗蚀剂。固化剂包括但不限于光刻胶和其它光敏组合物中使用的常规的光引发剂。这类光引发剂是本领域公知的和文献中公开的。这类电镀抗蚀剂可通过常规丝网印刷工序或者选择性喷墨工艺实施。可选地，半导体晶片可由抗反射层边缘隔离。这可通过抗反射层的形成期间在半导体层的边缘上沉积用于形成抗反射层的材料来完成。
考虑到光电器件的制造中金属沉积的多种常规方法，在金属沉积前去除原生氧化物以及活化硅和金属硅化物的方法能够使金属层到半导体晶片良好的改善的粘附性。含水氟离子和有机酸活性组合物不存在HF，因而他们不腐蚀抗反射层且基本上不腐蚀铝电极。特别参考用于光电器件和太阳能电池的硅半导体晶片描述了原生氧化物去除方法和活化方法；然而，该方法可用在其它制件的元件的制造中，例如栅电极、欧姆接触、互连线、肖特基势垒二极管接触以及光电子元件。
下面包含的实施例用于解释本发明但不意味着限制本发明的范围。
实施例1(比较的)
提供在一面上涂覆有暗蓝氮化硅抗反射层的四个单晶硅片。两个晶片浸入1重量％含水氢氟酸中。另外两个晶片室温下浸入由30g/L氟化铵和10g/L草酸组成的含水氟化物盐基活化组合物中。浸入氢氟酸中1分钟后，氮化硅从暗蓝色转为褐色表明显著的氢氟酸侵蚀。浸入含水氟化铵和草酸组合物中的晶片上的氮化硅涂层未表现出任何明显的变化。
实施例2(比较的)
提供具有沉积的硅化镍的两个掺杂的单晶硅晶片。每个掺杂硅晶片在晶片的前面具有n+掺杂区域来形成发射极层和发射极层之下的pn结。每个晶片的前面涂覆有由氮化硅组成的抗反射层。每个晶片的前面具有穿过抗反射层用于电流迹线的图案。沉积的硅化镍涂覆电流迹线的表面。每个电流迹线横贯晶片的整个长度。电流迹线在每个晶片的端部和每个晶片的中央连接母线。每个晶片的背面是p+掺杂的。
单晶晶片随后使用3M的Circuit Plating TapeTM1280沿它们的边缘捆起来成一电镀支架。带子还保护晶片免于任何潜在的不期望的边缘电镀。每个晶片浸入1重量％氢氟酸的含水溶液1分钟以活化硅化镍。单晶晶片随后浸入存放于化学惰性的电镀盒的ENLIGHTTM1300电解镍电镀溶液的含水镀液中。涂覆电流迹线的硅化镍阴性连接到整流器并且镍电极作为阳极。电镀温度为35℃。电流密度为2A/dm2。直到250nm厚的镍层沉积到硅化镍上后完成镍电镀。
晶片随后从镍电镀镀液中移出并浸入铜电镀镀液中以利用铜电镀镍层。使用ENLIGHTTM460电解铜电镀溶液电镀30μm厚的铜层到镍上。铜镀液为30℃且电流密度为5A/dm2。晶片从铜镀液中移出并观察电镀质量。观察到电镀不单单在电流迹线上，而且在晶片中1重量％氢氟酸腐蚀氮化硅抗反射层的部分也发现有镍和铜的沉积物。
实施例3
重复实施例2中描述的方法，除了硅化镍在室温下使用由30g/L氟化铵和10g/L草酸组成的含水溶液代替氢氟酸活化1分钟。活化的硅化镍随后电镀250nm镍层紧接着使用30μm的铜层电镀该镍层，如实施例2所述。两个晶片从铜电镀镀液中移出并观察电镀表现。电镀仅在电流迹线上观察到。没有可观察到的氮化硅抗反射层的腐蚀或者电流迹线区域以外的金属电镀。
实施例4
提供两个掺杂的单晶硅晶片。每个掺杂硅晶片在晶片的前面具有n+掺杂区域来形成发射极层和发射极层之下的pn结。每个晶片的前面涂覆有由氧化硅/氮化硅组成的抗反射组合层。每个晶片的前面具有穿过抗反射层的暴露硅晶片表面的用于电流迹线的图案。暴露的硅具有原生二氧化硅层。每个电流迹线横贯晶片的整个长度。电流迹线在每个晶片的端部和每个晶片的中央连接母线。每个晶片的背面是p+掺杂的并包含铝电极。
单晶晶片随后使用3M的Circuit Plating TapeTM1280沿它们的边缘捆起来成一电镀支架。带子还覆盖背面的铝电极并且保护晶片免于任何潜在的不期望的边缘电镀。每个晶片随后在室温下浸入由30g/L氟化铵和10g/L草酸组成的含水组合物1分钟以去除暴露的硅表面上的原生二氧化硅。晶片随后浸入到光透明的存放于化学惰性的电镀盒的ENLIGHTTM1300电解镍电镀溶液的含水镀液中。位于晶片背面的铝电极连接到整流器且镍电极用作阳极。电镀温度为35℃。电流密度为0.5A/dm2。使用250瓦白炽灯穿过电镀对晶片施加人造光。直到250nm厚的镍层沉积到电流迹线的硅上后完成镍电镀。
每个电镀的晶片随后置于Sierra热炉7500系列w/T-3Qz。IR灯烧结晶片并形成硅化镍。炉内的温度在超过10秒的时间内从室温升到425℃且在425℃的峰值设定烧结温度持续10秒的期间。晶片穿过炉的速度为150cm/分钟。
冷却后，晶片随后使用3M的Circuit Plating TapeTM1280沿它们的边缘捆起来成一电镀支架。带子还覆盖背面的铝电极并且保护晶片免于任何潜在的不期望的边缘电镀。随后将晶片在室温下置于由30g/L氟化铵和10g/L草酸组成的含水组合物中1分钟以活化用于金属电镀的硅化镍。每个晶片通过上述相同的方法使用ENLIGHTTM1300电解镍电镀溶液电镀250nm的镍层。
使用ENLIGHTTM460电解铜电镀溶液电镀10μm厚的铜层到每个晶片上的镍层上。使用250瓦白炽灯穿过电镀向晶片施加人造光。铝电极连接到整流器并且铜电极作为阳极。铜镀液为30℃且电流密度为2A/dm2。
随后将晶片浸入到ENLIGHTTM银镀620无氰化物银电镀溶液。铝背电极连接到整流器且可溶银电极作为阳极。电镀溶液的温度是35℃。250瓦白炽灯是人造光源。电流密度为2A/dm2并且直到沉积到铜上的银层为2μm厚后完成电镀。
晶片从电镀溶液中移出并观察电镀表现。电镀仅在电流迹线上观察到。没有抗反射层的腐蚀或者电流迹线区域外金属电镀的迹象。随后使用焊料/拉力测试测试金属层的粘附性。将包含62％Sn、36％Pb和2％Ag(从美国铟泰公司(Indium Corportion)获得)的焊料流施加到1.5mm宽的带。晶片在isotemp基陶瓷电炉上加热到70℃并且使用威乐(Weller)WDI烙铁在360℃下将带焊接到晶片的母线上。使用GP STAB-TEST(从GP太阳能获得)实施拉力测试。确定的从每个晶片拉金属层的力大于4N表明该金属层对于许多商业应用是可以接受的。
实施例5(比较的)
提供两个掺杂的单晶硅晶片。每个掺杂硅晶片在晶片的前面具有n+掺杂区域来形成发射极层和发射极层之下的pn结。每个晶片的前面涂覆有由氧化硅/氮化硅组成的抗反射组合层。每个晶片的前面具有穿过抗反射层暴露硅晶片表面的用于电流迹线的图案。暴露的硅具有原生二氧化硅层。每个电流迹线横贯晶片的整个长度。电流迹线在每个晶片的端部和每个晶片的中央连接母线。每个晶片的背面是p+掺杂的并包含铝电极。
晶片随后使用3M的Circuit Plating TapeTM1280沿它们的边缘捆起来成一电镀支架。随后将晶片浸入到光透明的存放于化学惰性的电镀盒的ENLIGHTTM1300电解镍电镀溶液的含水镀液中。位于晶片背面的铝电极连接到整流器且镍电极用作阳极。电镀温度为35℃。电流密度为0.5A/dm2。使用250瓦白炽灯穿过电镀对晶片施加人造光。然而，即使经历远超通常的30秒到2分钟的镍电镀周期的10分钟的电镀后，在暴露的硅电流迹线上也未观察到镍。硅晶片表面上的原生氧化物的存在被认为是晶片电镀失败的原因。
实施例6(比较的)
提供四个掺杂的单晶硅晶片。每个掺杂的硅晶片具有在晶片的前面上形成发射极层和发射极层之下的pn结的n+掺杂区域。晶片的前面涂覆有由氧化硅/氮化硅组成的抗反射组合层。每个晶片的前面具有穿过抗反射层暴露硅晶片的表面的用于电流迹线的图案。暴露的的硅具有原生二氧化硅层。每个电流迹线横贯晶片的整个长度。电流迹线在每个晶片的端部和每个晶片的中央连接母线。每个晶片的背面是p+掺杂的并包含铝电极。
随后将晶片用3M的Circuit Plating TapeTM1280沿它们的边缘捆起来成一电镀支架。每个晶片随后在室温下浸入由30g/L氟化铵和10g/L草酸组成的含水组合物1分钟以去除暴露的硅表面上的原生二氧化硅。晶片随后浸入到光透明的存放于化学惰性的电镀盒的ENLIGHTTM1300电解镍电镀溶液的含水镀液中。位于晶片背面的铝电极连接到整流器且镍电极用作阳极。电镀温度为35℃。电流密度为0.5A/dm2。使用250瓦白炽灯穿过电镀对晶片施加人造光。直到250nm厚的镍层沉积到电流迹线的硅上后完成镍电镀。
每个电镀的晶片从电镀支架移出并随后置于Sierra热炉7500系列w/T-3Qz。IR灯烧结晶片并形成硅化镍。炉内的温度在超过10秒内从室温升到425℃且在425℃的峰值设定烧结温度持续10秒的期间。晶片穿过炉的速度为150cm/分钟。
冷却后，晶片随后使用3M的Circuit Plating TapeTM1280沿它们的边缘捆起来成一电镀支架。每个晶片通过上述相同的方法使用ENLIGHTTM1300电解镍电镀溶液电镀250nm的镍层。使用ENLIGHTTM460电解铜电镀溶液电镀10μm厚的铜层到每个晶片上的镍层上。使用250瓦白炽灯穿过电镀对晶片施加人造光。铝电极连接到整流器并且铜电极作为阳极。铜镀液为30℃且电流密度为2A/dm2。
晶片随后浸入到ENLIGHTTM银镀620无氰化物银电镀溶液。铝背电极连接到整流器且可溶银电极作为阳极。电镀溶液的温度是35℃。250瓦白炽灯是人造光源。电流密度为2A/dm2并且直到沉积到铜上的银层为2μm厚后完成电镀。
晶片从电镀溶液中移出并观察电镀表现。电镀仅在电流迹线上观察到。没有抗反射层腐蚀的迹象。
随后使用Scotch透明带Cat.#600测试金属层的粘附性。带施加到每个晶片的金属电镀侧并随后从晶片受拉。带基本上移除晶片上的所有金属这表明粘附小于1N。由于晶片带测试失败，不能如上述实例4中使用更严格的焊料/拉力测试来测试金属性。如上述实施例4表明，含水氟化物和酸成分的应用以从硅去除原生氧化物紧接着使用相同的组合物活化硅化镍改善了金属到晶片的粘附性。
实施例7(比较的)
在常规的费舍尔科学秤上对在背面具有铝电极的两个单晶硅晶片进行称重。每个晶片随后室温下浸入1重量％氢氟酸的含水溶液中1分钟。晶片从溶液中移出用水冲洗并允许风干。随后对它们称重。重量损失确定为0.5重量％。该重量损失是由于氢氟酸对铝电极的腐蚀作用。
实施例8
重复实施例7所述的方法，除了晶片浸入代替氢氟酸溶液的由30g/L氟化铵和10g/L草酸组成的含水组合物中。重量损失确定为只有0.1重量％。当暴露于由氟化铵和草酸组成的含水组合物中时铝电极的腐蚀小于暴露于实施例7中的氢氟酸溶液的情况。

Claims (9)

1.一种方法包括：
a)提供包含硅的衬底；
b)使用包含一种或多种氟离子源和一种或多种有机酸的含水活化组合物从衬底的表面去除原生氧化物。
c)在去除原生氧化物的衬底上沉积金属层。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括烧结该金属层和衬底以形成金属硅化物。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包括将金属硅化物接触该包含一种或多种氟离子源和一种或多种有机酸的含水活化组合物；以及在该活化的金属硅化物上沉积一个或多个金属层。
4.如权利要求3所述的方法，进一步包括在硅化物形成之后且将金属硅化物接触该含水活性组合物之前剥去未反应的金属。
5.如权利要求1所述的方法，其中金属选自镍、钴、钯、铂、铑以及它们的合金。
6.如权利要求1所述的方法，其中该含水活化组合物的pH为3到小于7。
7.如权利要求3所述的方法，其中该一个或多个金属层选自银、镍、钴、钯、铂、金、铜、铑、锡以及它们的合金。
8.如权利要求1所述的方法，其中衬底是太阳能电池、栅电极、欧姆接触、互连线、肖特基势垒二极管接触的部件，光电器件或者光电子元件的部件。
9.一种包含一种或多种氟离子源、一种或多种有机酸和水的组合物。
CN201310123115.5A 2012-02-07 2013-02-07 改善金属粘附性的活化工艺 Expired - Fee Related CN103258723B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261596008P 2012-02-07 2012-02-07
US61/596,008 2012-02-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103258723A true CN103258723A (zh) 2013-08-21
CN103258723B CN103258723B (zh) 2016-08-03

Family

ID=47665996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310123115.5A Expired - Fee Related CN103258723B (zh) 2012-02-07 2013-02-07 改善金属粘附性的活化工艺

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130203252A1 (zh)
EP (1) EP2626891A3 (zh)
JP (1) JP2014001447A (zh)
KR (1) KR20130091290A (zh)
CN (1) CN103258723B (zh)
TW (1) TWI538042B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103540972A (zh) * 2013-10-29 2014-01-29 常熟市伟达电镀有限责任公司 高硬度的电镀液
CN107043929A (zh) * 2017-03-23 2017-08-15 中国科学院化学研究所 一种在原子力显微镜探针表面可控区域生成金属镀层的方法
CN107429399A (zh) * 2015-03-20 2017-12-01 埃托特克德国有限公司 用于硅基材的活化方法
CN109920577A (zh) * 2014-07-24 2019-06-21 佳能株式会社 结构体、其制造方法和塔尔博干涉仪
CN113583679A (zh) * 2021-07-27 2021-11-02 光华科学技术研究院(广东)有限公司 铁氧体表面粗化液及其在铁氧体表面粗化处理和金属化处理的应用

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015081077A1 (en) * 2013-11-26 2015-06-04 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Solar cells formed via aluminum electroplating
TW201622167A (zh) * 2014-07-02 2016-06-16 文生 艾倫 一種形成光伏打電池的方法及根據該方法所形成的光伏打電池
WO2016193409A1 (en) * 2015-06-04 2016-12-08 Imec Vzw Methods for forming metal electrodes on silicon surfaces of opposite polarity

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1360733A (zh) * 1999-05-26 2002-07-24 阿什兰公司 去除表面污染物的方法以及为此所使用的组合物
US20050258499A1 (en) * 2004-03-23 2005-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Resistance-reduced semiconductor device and methods for fabricating the same
TW201003943A (en) * 2008-05-13 2010-01-16 Georgia Tech Res Inst Solar cell having a high quality rear surface spin-on dielectric layer
US20100107927A1 (en) * 2005-03-18 2010-05-06 Stewart Michael P Electroless deposition process on a silicon contact
US7947637B2 (en) * 2006-06-30 2011-05-24 Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. Cleaning formulation for removing residues on surfaces

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3041255A (en) 1960-03-22 1962-06-26 Metal & Thermit Corp Electrodeposition of bright nickel
KR100248113B1 (ko) * 1997-01-21 2000-03-15 이기원 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물
JP3903215B2 (ja) * 1998-11-24 2007-04-11 ダイキン工業株式会社 エッチング液
US6391794B1 (en) * 2000-12-07 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Composition and method for cleaning residual debris from semiconductor surfaces
US6787450B2 (en) * 2002-05-29 2004-09-07 Micron Technology, Inc. High aspect ratio fill method and resulting structure
JP4362714B2 (ja) * 2003-03-26 2009-11-11 三菱瓦斯化学株式会社 高誘電率薄膜エッチング剤組成物及びエッチング方法
KR100672933B1 (ko) * 2003-06-04 2007-01-23 삼성전자주식회사 세정 용액 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법
JP4396267B2 (ja) * 2003-12-25 2010-01-13 東ソー株式会社 エッチング剤
JP2008547202A (ja) * 2005-06-13 2008-12-25 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法
JP5050850B2 (ja) * 2005-06-24 2012-10-17 三菱瓦斯化学株式会社 メタル材料用エッチング剤組成物およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2007005656A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Mitsubishi Gas Chem Co Inc メタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
US20070099806A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Stewart Michael P Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces
KR100860367B1 (ko) * 2006-08-21 2008-09-25 제일모직주식회사 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 식각용액
US20100105595A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Wai Mun Lee Composition comprising chelating agents containing amidoxime compounds
CN104952975A (zh) * 2009-10-26 2015-09-30 新南创新私人有限公司 用于硅太阳能电池的改善的金属化方法
JP5913869B2 (ja) * 2011-08-31 2016-04-27 林純薬工業株式会社 エッチング液組成物およびエッチング方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1360733A (zh) * 1999-05-26 2002-07-24 阿什兰公司 去除表面污染物的方法以及为此所使用的组合物
US20050258499A1 (en) * 2004-03-23 2005-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Resistance-reduced semiconductor device and methods for fabricating the same
US20100107927A1 (en) * 2005-03-18 2010-05-06 Stewart Michael P Electroless deposition process on a silicon contact
US7947637B2 (en) * 2006-06-30 2011-05-24 Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. Cleaning formulation for removing residues on surfaces
TW201003943A (en) * 2008-05-13 2010-01-16 Georgia Tech Res Inst Solar cell having a high quality rear surface spin-on dielectric layer

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103540972A (zh) * 2013-10-29 2014-01-29 常熟市伟达电镀有限责任公司 高硬度的电镀液
CN109920577A (zh) * 2014-07-24 2019-06-21 佳能株式会社 结构体、其制造方法和塔尔博干涉仪
CN109920577B (zh) * 2014-07-24 2024-01-19 佳能株式会社 结构体、其制造方法和塔尔博干涉仪
CN107429399A (zh) * 2015-03-20 2017-12-01 埃托特克德国有限公司 用于硅基材的活化方法
CN107429399B (zh) * 2015-03-20 2020-02-07 埃托特克德国有限公司 用于硅基材的活化方法
CN107043929A (zh) * 2017-03-23 2017-08-15 中国科学院化学研究所 一种在原子力显微镜探针表面可控区域生成金属镀层的方法
CN107043929B (zh) * 2017-03-23 2019-08-16 中国科学院化学研究所 一种在原子力显微镜探针表面可控区域生成金属镀层的方法
CN113583679A (zh) * 2021-07-27 2021-11-02 光华科学技术研究院(广东)有限公司 铁氧体表面粗化液及其在铁氧体表面粗化处理和金属化处理的应用

Also Published As

Publication number Publication date
EP2626891A3 (en) 2018-01-24
US20130203252A1 (en) 2013-08-08
TW201344778A (zh) 2013-11-01
CN103258723B (zh) 2016-08-03
JP2014001447A (ja) 2014-01-09
KR20130091290A (ko) 2013-08-16
TWI538042B (zh) 2016-06-11
EP2626891A2 (en) 2013-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102034695B (zh) 形成硅化镍的增强方法
CN103258723B (zh) 改善金属粘附性的活化工艺
CN101630703B (zh) 在半导体上进行光引发的镀覆的方法
CN101667606B (zh) 抑制背景镀覆方法
TWI481743B (zh) 於矽光伏打電池上之金屬的光誘鍍敷
CN105593404B (zh) 处理金属表面的方法
JP5996244B2 (ja) 半導体上の銅のめっき
JP5868155B2 (ja) 半導体の電気化学エッチング
CN103484902A (zh) 用于pH敏感应用的金属镀覆

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160803

Termination date: 20210207

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee