CN103250121B

CN103250121B - 覆盖玻璃一体型传感器

Info

Publication number: CN103250121B
Application number: CN201180058171.4A
Authority: CN
Inventors: 面了明; 桥本孝夫
Original assignee: Nissha Printing Co Ltd
Current assignee: Nissha Printing Co Ltd
Priority date: 2010-12-21
Filing date: 2011-12-19
Publication date: 2014-09-17
Anticipated expiration: 2031-12-19
Also published as: TWI431517B; CN103250121A; WO2012086596A1; TW201237708A; KR20130028801A; KR101313028B1; US8730415B2; US20130153393A1

Abstract

本发明提供一种覆盖玻璃一体型传感器，通过覆盖玻璃看的显示画面的轮廓清晰，识别性优良，并且在围住显示画面部分上具有外观的一体感，该覆盖玻璃一体型传感器包括：覆盖玻璃（2），在玻璃基板（4）的背面周边部上形成有由丝网印刷膜构成的第一框状遮光层（5）；静电容量式薄膜传感器，在表面周边部上形成有由彩色抗蚀剂材料的曝光显像物构成的第二框状遮光层（15），并贴合于覆盖玻璃（2）背面上，其中，第二框状遮光层（15）的内边缘与第一框状遮光层（5）的内边缘相比位于更靠近中央一侧的位置。

Description

覆盖玻璃一体型传感器

技术领域

本发明涉及静电容量式薄膜传感器贴合在安装于电子设备液晶显示部的覆盖玻璃背面上的覆盖玻璃一体型传感器。

背景技术

通常，掌上电脑（PDA）、手持终端等便携式信息终端、复印机、传真机等办公设备、智能手机、手机、便携式游戏机、电子辞典、汽车导航仪、小型PC、数码相机、摄像机、便携式迷你磁光盘（PMD）等电子设备的液晶显示窗上安装保护用覆盖玻璃。现有的覆盖玻璃在透明的玻璃基板的背面周边部上形成有黑色框状遮光层。

另外，在上述的电子设备中使用触摸屏的情况比较多，最近的动向是与现有主流的电阻膜方式相比，对于静电容量式，因通过用手指敲、拉、掐画面的操作来放大和缩小图像的多点触控功能或者识别性、耐久性优良而对其的需求非常高。其中尤其，静电容量式的触摸屏的传感器部要求薄型化，因此可以预测使用如在专利文献1中公开的静电容量式薄膜传感器103，并将该薄膜传感器103贴合在覆盖玻璃102背面而形成的覆盖玻璃一体型传感器101（参照图6）的市场需求会扩大。

专利文献1特开2009-70191号公报

发明内容

但是，覆盖玻璃102的框状遮光层105是在透明的玻璃基板104的背面周边部上使用黑色等遮光性油墨通过丝网印刷形成，因此，通过该方法形成的框状遮光层105内边缘的直线性很差。因此，存在通过覆盖玻璃102看的显示画面的轮廓看上去模糊的问题（参照图7）。

另外，通过丝网印刷形成的覆盖玻璃的框状遮光层为了得到遮光性必须重复印刷三层程度的印刷膜3，因此玻璃基板的背面周边部和背面中央部之间产生大的段差。由于存在该段差，在该覆盖玻璃的背面用透明粘结剂贴合薄膜传感器时容易产生气泡（气泡印迹），并且难以将所产生的气泡按照滑动的方式挤压来使其移动至外部而去除，结果导致显示画面的识别性变差。

为了解决该问题，也考虑了下述方案：在显示装置中使围住显示画面的黑色掩模的内边缘位于比覆盖玻璃的框状遮光层的内边缘更靠近中央一侧的位置上，但是，显示装置的结构中黑色掩模位于偏光板或者上侧玻璃基板的背后，并且黑色掩模的暴露部分和覆盖玻璃的框状遮光层之间存在大的深度差，因此存在围住显示画面的部分外观上不具有一体感的另外的问题。

因此，本发明的目的在于解决上述课题，提供一种通过覆盖玻璃看的显示画面的轮廓清晰、识别性优良、且围住显示画面的部分外观上具有一体感的覆盖玻璃一体型传感器。

根据本发明的第一个实施方式提供如下的覆盖玻璃一体型传感器，该覆盖玻璃一体型传感器包括：电子设备显示窗的覆盖玻璃，在透明玻璃基板的背面周边部上形成有由丝网印刷膜构成的第一框状遮光层；静电容量式的薄膜传感器，贴合于所述覆盖玻璃背面上；其中，所述薄膜传感器包括：透明基底薄片；透明导电膜，在所述基底薄片的两面上分别以具有中央窗部的电极图案和外框部的细微布线电路图案的方式形成；遮光性导电膜，在所述透明导电膜的所述细微布线电路图案上分别以与该细微布线电路图案相同的宽度层压；防锈功能层，在形成有所述透明导电膜和所述遮光性导电膜的所述基底薄片的两面上分别以覆盖除端子部以外的所述外框部的方式层压；且，所述薄膜传感器进一步具有形成在所述基底薄片的表面周边部的、由彩色抗蚀剂材料的曝光显像物构成的第二框状遮光层，并且，所述第二框状遮光层的内边缘与所述第一框状遮光层的内边缘相比位于更靠近中央一侧的位置。

另外，在本发明的第一方式中，所述第二框状遮光层可以是在所述透明导电膜、所述遮光性导电膜和所述防锈功能层上作为别层形成，还可以是兼作所述防锈功能层。换言之，前者是形成在形成有所述透明导电膜、所述遮光性导电膜和所述防锈功能层的所述基底薄片的表面周边部上的、由彩色抗蚀剂材料的曝光显像物构成的第二框状遮光层，后者是所述防锈功能层由彩色抗蚀剂材料的曝光显像物构成而作为第二框状遮光层起作用的层。

根据本发明的第二方式，提供一种所述玻璃基板的背面和所述第二框状遮光层之间的距离为10μm～100μm的第一方式的覆盖玻璃一体型传感器。

根据本发明的第三方式提供所述第一框状遮光层的内边缘附近的颜色和所述第二框状遮光层的颜色为相同色或者近似颜色的第一方式或者第二方式的覆盖玻璃一体型传感器。

根据本发明的第四方式，提供所述第一框状遮光层的内边缘附近的颜色和所述第二框状遮光层的颜色的CIE（国际照明委员会）1976（JIS Z8729）的L^*a^*b^*表色系的色差ΔE为10以下的第三方式的覆盖玻璃一体型传感器。

根据本发明的第五方式，提供所述第二框状遮光层的颜色为黑色或者白色的第一至第四方式的覆盖玻璃一体型传感器。

根据本发明的第六方式，提供所述第一框状遮光层的厚度为7μm～30μm，所述第二框状遮光层的厚度为2μm～25μm的第一至第五方式的覆盖玻璃一体型传感器。

根据本发明的第七方式，提供所述第二框状遮光层的内边缘之间尺寸和所述第一框状遮光层的内边缘之间尺寸之差为0.1mm～0.3mm的第一至第六任意方式的覆盖玻璃一体型传感器。

本发明的覆盖玻璃一体型传感器中，薄膜传感器包括：透明基底薄片；透明导电膜，在所述基底薄片的两面上分别以具有中央窗部的电极图案和外框部的细微布线电路图案的方式形成；遮光性导电膜，所述透明导电膜的所述细微布线电路图案上分别以与该细微布线电路图案宽度相同的宽度层压；防锈功能层，在形成有所述透明导电膜和所述遮光性导电膜的所述基底薄片的两面上分别以覆盖除端子部以外的所述外框部的方式层压；其中，所述薄膜传感器进一步包括第二框状遮光层，该第二框状遮光层形成在所述基底薄片的表面周边部，由彩色抗蚀剂材料的曝光显像物构成，并且，该第二框状遮光层的内边缘位于比覆盖玻璃的框状遮光层（第一框状遮光层）的内边缘更靠近中央一侧的位置。因此，第二框状遮光层是由彩色抗蚀剂材料的曝光显像物构成的内边缘的直线性非常好的遮光层，因此，通过覆盖玻璃看的显示画面的轮廓看上去清晰。

另外，由于薄膜传感器包括第二框状遮光层，因此，通过该第二框状遮光层和通过丝网印刷形成的覆盖玻璃的第一框状遮光层的层压结构能够得到遮光性。即，第一框状遮光层可以比现有的更薄，玻璃基板的背面周边部和背面中央部之间的段差能够控制得很小。因此，在覆盖玻璃的背面上用透明粘结剂贴合薄膜传感器时难以产生气泡（气泡痕迹），并且即使发生气泡也能够很容易地通过按照使气泡滑动的方式挤压而将气泡移动至外部而去除，结果显示画面的识别性优良。

另外，薄膜传感器包括第二框状遮光层，因此，第二框状遮光层的暴露部分和覆盖玻璃的第一框状遮光层之间几乎不存在深度差，由此能够在围住显示画面的部分上获得外观的一体感。

附图说明

图1为表示本发明的覆盖玻璃一体型传感器的一个实施例的分解截面图；

图2为表示本发明的覆盖玻璃一体型传感器的一个实施例的俯视图；

图3（a）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（b）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（c）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（d）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（e）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（f）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（g）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（h）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（i）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（j）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（k）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（l）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图3（m）为表示图1中所示的薄膜传感器制造工序的截面图；

图4为说明静电容量式薄膜传感器的电极图案和细微布线电路图案的图；

图5为说明形成于薄膜传感器中央窗部的电极图案的形状和配置方式的一个例子的俯视图；

图6为表示现有技术的覆盖玻璃一体型传感器的一个例子的分解截面图；

图7为表示现有技术的覆盖玻璃一体型传感器的一个例子的俯视图；

图8为表示本发明的覆盖玻璃一体型传感器的其它实施例的分解截面图；

图9（a）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图；

图9（b）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图；

图9（c）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图；

图9（d）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图；

图9（e）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图；

图9（f）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图；

图9（g）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图；

图9（h）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图；

图9（i）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图；

图9（j）为表示图8中所示薄膜传感器的制造工序的截面图。

附图标号说明

1 覆盖玻璃一体型传感器

2 覆盖玻璃

3 薄膜传感器

4 玻璃基板

5 第一框状遮光层

6 透明基底薄片

7 中央窗部

8 外框部

9 透明导电膜

10 电极图案

11 细微布线电路图案

12 遮光性导电膜

13 端子部

14 防锈功能层

15 第二框状遮光层

16 第一光致抗蚀剂层

17 掩模

18 第二光致抗蚀剂层

19 掩模

28 第三光致抗蚀剂层

29 掩模

30 第四光致抗蚀剂层

31 掩模

46、47 菱形电极

469、479 连接配线

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的最佳实施方式。

[第一实施方式]

下面，参照附图详细说明本发明的第一实施方式。图1为表示本发明的覆盖玻璃一体型传感器的一个实施例的分解截面图，图2为表示本发明的覆盖玻璃一体型传感器的一个实施例的俯视图。图中，1表示覆盖玻璃一体型传感器，2表示覆盖玻璃，3表示薄膜传感器，4表示玻璃基板，5表示第一框状遮光层，6表示基底薄片，7表示中央窗部，8表示外框部，9表示透明导电膜，10表示电极图案，11表示细微布线电路图案，12表示遮光性导电膜，13表示端子部，14表示防锈功能层，15表示第二框状遮光层。

如图1所示，本发明的覆盖玻璃一体型传感器1，包括：电子设备显示窗的覆盖玻璃2，在透明的玻璃基板4的背面周边部上形成有由丝网印刷膜构成的第一框状遮光层5；静电容量式薄膜传感器3，贴合在覆盖玻璃2的背面。

电子设备显示窗的覆盖玻璃2配置在未图示的电子设备的显示装置上，用来保护该显示装置。

覆盖玻璃2的玻璃基板4可以使用例如，无色透明钠钙硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、锂铝硅酸盐玻璃、石英玻璃、无碱玻璃、其它各种玻璃构成的透明玻璃板等。这样的玻璃基板4的板厚度优选为0.3～0.7mm，更加优选为0.4～0.55mm。如果玻璃基板4的板厚度介于该范围内，则所得到的本发明的覆盖玻璃2的强度、板厚度以及重量达到均衡而优选。另外，玻璃基板4没必要一定是平面状，使用曲面状的玻璃基板也可以。另外，作为由反射导致的向玻璃表面的映射对策，可以设置防反射膜。另外，为了提高耐磨损性能可以设置硬质涂布膜。

覆盖玻璃2的第一框状遮光层5可以使用着色油墨，在该着色油墨中，作为粘合剂含有聚乙烯树脂、聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚丙烯树脂、聚氨酯树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、聚酯氨酯树脂、或者，醇酸树脂等树脂，并作为着色剂含有合适颜色的颜料或者染料。

本发明的薄膜传感器3包括：透明基底薄片6；透明导电膜9，在基底薄片6的两面上分别按照具有中央窗部7的电极图案10和外框部8的细微布线电路图案11的方式形成；遮光性导电膜12，在透明导电膜9的细微布线电路图案11上分别以与细微布线电路图案11的宽度相同的宽度被层压；防锈功能层14，在形成有透明导电膜9和遮光性导电膜12的基底薄片6的两面上分别按照覆盖端子部13以外的外框部8的方式被层压；第二框状遮光层15，形成于形成有透明导电膜9、遮光性导电膜12和防锈功能层14的基底薄片6的表面周边部上，由彩色抗蚀剂材料的曝光显像物构成；其中，该第二框状遮光层15的内边缘位于比第一框状遮光层5的内边缘更靠近中央一侧的位置上。

在此，关于在薄膜传感器3的中央窗部7上形成的电极图案10进行补充说明。该电极图案10在表背面上其图案不同。例如，如图5所示，基底薄片6的背面上包括：菱形电极46，俯视时具有菱形形状；连接配线469，将多个该菱形电极46向图中纵向（Y方向）贯穿。多个菱形电极46和连接配线469相互电连接。另外，将这样的连接配线469和被连接配线469贯穿的多个菱形电极46作为一组，该一组在图中横向（X方向）重复地排列。另外，与此相同地，在基底薄片6的表面上包括多个菱形电极47和将这些菱形电极47贯穿的连接配线479。但是，此时连接配线479的延伸方向与连接配线469的延伸方向不同，是图中横向（X方向）。另外，随其，由连接配线479和被该连接配线479贯穿的多个菱形电极47组成的一组重复排列的方向为图中纵向（Y方向）。另外，从图5中可知，菱形电极46按照掩埋多个连接配线479之间的间隙的方式配置，另一方面，菱形电极47按照掩埋多个连接配线469之间的间隙的方式配置。在图5中进一步可知，菱形电极46和菱形电极47的配置关系为互补的关系。即，多个菱形电极47按照掩埋在将菱形电极46以矩阵形状排列时产生的菱形形状的间隙的方式排列。

如此地，将X方向电极和Y方向电极按照俯视时形成方格形状的方式配置，因此，如果使用者用手指等通过覆盖玻璃2接触到该方格上的任意位置（例如，虚线圆形记号FR的位置），则其手指等和该手指接触的X方向电极之间形成电容器，并且，其手指等和该手指接触的Y方向电极之间形成电容器。通过该电容器的形成，该X方向电极和Y方向电极的静电容量会增大。外部电路的位置检测部检测这时产生的静电容量的变化量或者进一步检测具有最大静电容量的X方向电极和Y方向电极，对于接触到中央窗部7内的哪个位置，能够作为特定的X坐标值和Y坐标值的一组来获得。

下面，详细说明得到具有所述结构的薄膜传感器3的方法。

<透明导电膜9的图案化>

首先，透明基底薄片6的表背两面上分别依次形成透明导电膜9、9、遮光性导电膜12、12、第一光致抗蚀剂层16、16而得到导电性薄片（参照图3（a））后，在表背面上分别放置所需图案的掩模17，然后进行曝光（参照图3（b））和显像，由此将第一光致抗蚀剂层进行图案化。另外，图3（b）所示的掩模17的位置表示第一光致抗蚀剂层16为负型（被曝光时相对于显像液溶解性降低，显像后曝光部残留）的情况。在正型（被被曝光时相对于显像液溶解性增大，曝光部被去除）的情况，被掩模遮光的部分相反。

基底薄片6可以举出：聚酯树脂、聚苯乙烯树脂、烯烃树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯树脂等塑料薄膜等。

透明导电膜9可以举出由铟锡氧化物、锌氧化物等金属氧化物构成的层，并可以通过真空沉积法、溅射法、离子电镀法、镀金法等方法来形成。另外，对透明导电膜9的要求是，厚度为几十至几百nm程度，且在氯化铁等溶液中与遮光性导电膜12一起容易被蚀刻，但在酸性环境下的过氧化氢水等遮光性导电膜12的蚀刻液中不容易被蚀刻。另外，优选的是具备80%以上的光线透射率、几mΩ至几百Ω的表面电阻。

遮光性导电膜12，可以举出导电率高且遮光性优良的单一金属膜或者由这些金属的合金或者化合物构成的层，并可以通过真空沉积法、溅射法、离子电镀法、镀金法等方法形成。另外，遮光性导电膜12需要有下述蚀刻剂：透明导电膜9不被蚀刻，但遮光性导电膜12本身被蚀刻的蚀刻剂。其优选的金属例子可以举出，铝、镍、铜、银、锡等。特别是由铜箔构成的厚度为20～1000nm的金属膜由于具有优良的导电性、遮光性，并且在透明导电膜不被蚀刻的酸性环境下也能够用过氧化氢水容易进行蚀刻，因此非常优选。更加优选的是，厚度为30nm以上。进一步更加优选的是厚度为100～500nm。通过将厚度设定为100nm以上而得到导电性高的遮光性导电膜12，通过将厚度设定为500nm以下而得到操作容易且加工性优良的遮光性导电膜12。

第一光致抗蚀剂层16由用高压水银灯、超高压水银灯、激光光线或者金属卤化物水银灯等进行曝光且能够用碱性溶液显像的厚度为10～20μｍ的丙烯光致抗蚀剂材料等构成。第一光致抗蚀剂层16的形成方法除了凹版印刷、丝网印刷、平板印刷等通用的印刷方法之外，还可以通过各种基于涂布的方法、涂饰、浸渍等方法、通过干膜抗蚀剂法等各种方法整面形成后进行曝光和显像而进行图案化处理，其中更优选的是干膜抗蚀剂法。

在干膜抗蚀剂法中使用的干膜抗蚀剂（DFR）是作为前面所述的各光致抗蚀剂层的感光层被夹在基膜和覆盖膜之间的薄膜。上述的印刷法、涂布法、涂饰法等只能涂布单面而存在效率低等的问题，与之相比，干膜抗蚀剂法是剥离覆盖膜之后用加热辊粘结感光层的方法，因此，生产效率高，也可以满足多种要求，因此该方法成为主流。另外，曝光是通常在基膜上面配置掩模而进行（未图示），剥离基膜之后进行显像。作为干膜抗蚀剂的基膜，可以使用由聚对苯二甲酸乙二醇酯等构成的膜。另外，作为干膜抗蚀剂的覆盖膜，可以使用由聚乙烯等构成的膜。

但是，由塑料薄膜构成的基底薄片6上存在伸展的问题。因此，导电性薄片两面的第一光致抗蚀剂层16的图案化处理如本发明那样适用通过两面同时曝光的方式。这是因为，如果第一光致抗蚀剂层16的图案化处理按单面曝光的情况下，如果单面图案化处理结束后将导电性薄片的表背面更换后重新安装在曝光装置时基底薄片6上产生伸展，则表面的图案和背面的图案会产生位置偏差。图5中所示的例子的情况，菱形电极46和菱形电极47的配置关系是互补的关系，因此，如果表面的图案和背面的图案产生位置偏差，则无法正确地发挥薄膜传感器3的功能。

在本发明中，进行曝光时，遮光性导电膜12由于阻断相反一侧面的曝光光线32，因此即使是同时用不同的掩模图案进行曝光也不会给相反一侧的第一光致抗蚀剂层16的图案产生影响。因此，由于能够同时曝光两面，因此，能够容易使第一光致抗蚀剂层16的表背面位置对准，并且能够通过一次工序将两面进行图案化处理，从而提高生产效率。

另外，表面掩模和背面掩模的对准可以使用两面曝光装置的公知的掩模对准方法。例如，在表面掩模和背面掩模上分别形成掩模用对准标记，通过照相机等光学读取传感器读取一对掩模用对准标记的重叠状态，由此得到表面掩模及背面掩模的相对位置信息。然后，基于已得到的信息，通过掩模位置调整机构以一对掩模用对准标记中心重合的方式将表面掩模及背面掩模相对移动，使表面掩模及背面掩模对准。

接着，用氯化铁等蚀刻液同时蚀刻透明导电膜9,9及遮光性导电膜12,12，并通过去除被图案化处理的第一光致抗蚀剂层16,16没有层压的部分的透明导电膜9,9和遮光性导电膜12,12，由此在基底薄片两面的中央窗部7上分别形成透明导电膜9，9和遮光性导电膜12,12没有位置偏差地层压的电极图案10的同时，在基底薄片两面的外框部8上分别形成透明导电膜9,9和遮光性导电膜12,12没有位置偏差地层压的细微布线电路图案11（参照图3（c））。

<去除不必要的遮光性导电膜12>

接着，用抗蚀剂剥离液剥离第一光致抗蚀剂层16,16而使遮光性导电膜12,12暴露，然后在两面上整面地形成第二光致抗蚀剂层18,18（参照图3（d））。然后，放置掩模19,19后进行曝光（参照图3（e））和显像而将第二光致抗蚀剂层18进行图案化处理（参照图3（f））。另外，图3（e）中所示的掩模19的位置是表示第二光致抗蚀剂层18为负型（被曝光时相对于显像液溶解性低，显像后曝光部分残留）的情况。另外，第二光致抗蚀剂层18的材料和形成方法可以与第一光致抗蚀剂层16的材料和形成方法相同。

接着，用酸性化的过氧化氢等特殊蚀刻液进行蚀刻，并通过仅去除被图案化的第二光致抗蚀剂层18,18没有层压的部分的遮光性导电膜12,12来在基底薄片两面的中央窗部7和外框部8内的端子部13中使透明导电膜9,9暴露（参照图3（g）和图4）。另外，在图4中，对于基底薄片6的表面上形成的细微布线电路图案11，将遮光性导电膜12的层压部分描绘成黑色、将透明导电膜9的暴露部分描绘成白色，黑色部分的两端与中央窗部7的境界和端子部13的境界2一致。从图4中可知，遮光性导电膜12由于在细微布线电路图案11上以与该细微布线电路图案11相同的宽度层压着，因此，虽然具有遮光性但不能代替本发明的第二框状遮光层15。

另外，透明导电膜9如果是非晶质材料，则优选的是在所述蚀刻前通过热处理等方法进行晶质化处理。晶质化后蚀刻耐性提高，能够更有选择性地容易地只对遮光性导电膜12进行蚀刻。

<防锈功能层14的形成>

接着，用抗蚀剂剥离液剥离第二光致抗蚀剂层18,18，使在细微布线电路图案11上以与该细微布线电路图案11相同宽度层压的遮光性导电膜12,12暴露后，整面地形成具有防锈性的第三光致抗蚀剂层28,28（参照图3（h））。然后，放置掩模29,29，并进行曝光（参照图3（i））和显像而将第三光致抗蚀剂层28,28进行图案化处理，并将其作为防锈功能层14,14（参照图3（j））。另外，图3（i）中所示的掩模29位置表示第三光致抗蚀剂层28为负型（如果被曝光，则相对于显像液溶解性低，在显像后曝光部分残留）的情况。

具有防锈性的第三光致抗蚀剂层28可以使用与第一光致抗蚀剂层16相同的光致抗蚀剂材料中添加防锈剂的材料或者在前面所述的光致抗蚀剂材料中防锈性优良的材料。另外，第三光致抗蚀剂层28的形成方法可以与第一光致抗蚀剂层16的形成方法相同。作为该防锈剂可以使用公知的已作为防锈剂使用的材料，具体而言，可以使用例如咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑等。另外，可以举出它们的卤化物、烷基、苯基取代体等单环或者多环式唑类、苯胺等芳香族胺类、烷基胺等脂肪族胺、它们的盐等，并且不必局限于本记载的材料。

由于这样形成防锈功能层14，因此即使从外部侵入腐蚀性液体，或者在高温高湿的环境试验下，布线电路不会产生腐蚀，能够保持电学特性。

<第二框状遮光层15的形成>

最后，将由彩色抗蚀剂材料构成的第四光致抗蚀剂层30仅在表面上整面地形成（参照图3（k））。然后，放置掩模31,31，并进行曝光（参照图3（1））和显像而将第四光致抗蚀剂层30进行图案化处理，并将其作为第二框状遮光层15（参照图3（m））。另外，如3（l）中所示的掩模31的位置是表示第四光致抗蚀剂层30为负型（被曝光时相对于显像液溶解性低，显像后曝光部分残留）的情况。

第二框状遮光层15由于通过图3（k）～图3（m）所示的光学加工处理而形成，因此内边缘的直线性非常好。在本发明中，其构成为，所述第二框状遮光层15的内边缘位于比与通过丝网印刷形成的覆盖玻璃2的第一框状遮光层5的内边缘更靠近中央一侧的位置，因此，能够得到通过覆盖玻璃2看的显示画面的轮廓看上去清晰的效果。另外，第二框状遮光层15的内边缘之间的尺寸和第一框状遮光层5的内边缘之间的尺寸的差优选的是0.1mm～0.3mm。如果小于0.1mm，则因第一框状遮光层5的印刷误差或贴合误差可能产生第二框状遮光层15不暴露的边，如果超过0.3mm，则难以窄边框化。

第四光致抗蚀剂层30中使用的彩色抗蚀剂材料可适用与构成向液晶显示的彩色滤波器的RGB和黑色矩阵等的抗蚀剂相同的材料。另外，第四光致抗蚀剂层30的形成方法可以与第一光致抗蚀剂层16的形成方法相同。

在此，对于替代通过使用彩色抗蚀剂材料的光学加工处理形成的第二框状遮光层15而将覆盖玻璃2的第一框状遮光层5并不通过使用彩色抗蚀剂材料的光学加工处理来形成的理由进行说明。

确实，如果通过使用彩色抗蚀剂材料的光学加工处理来形成覆盖玻璃2的第一框状遮光层5，则在第一框状遮光层5的内边缘上也能得到直线性吧。但是，覆盖玻璃2中进行光学加工处理时，彩色抗蚀剂材料的涂布、曝光、显像必须以玻璃基板4的单片为单位进行。即使是使用大张的玻璃基板4，但其大小也存在极限，且尺寸越大重量就越大，因此操作起来困难。另外，还存在需要适合于大张玻璃基板4的涂布机、曝光机、显像机的问题。因此，不适合批量生产并且成本会增加。与之相比，如本发明在薄膜传感器3中进行光学加工处理时能够通过卷对卷（Roll-to-Roll）比较快速地得到第二框状遮光层15。

如果第二框状遮光层15的颜色与覆盖玻璃2的第一框状遮光层5的内边缘附近的颜色相同或者近似，则第二框状遮光层15暴露部分和第一框状遮光层5与第二框状遮光层15的层压部分的境界不明显，能够得到看上去同化的效果。优选的是，使第一框状遮光层5的内边缘附近的颜色和第二框状遮光层15的颜色的CIE（国际照明委员会）1976（JIS Z8729）的L^*a^*b^*表色系的色差ΔＥ为10以下。

另外，如果第二框状遮光层15的颜色为黑色或者白色，则能够得到显示画面的对比度提高的效果。

另外，玻璃基板4的背面和第二框状遮光层15之间的距离优选的是10μm～100μm。如果达不到10μm，则透明粘合剂层的厚度变薄，导致薄膜传感器和覆盖玻璃的贴紧力下降，如果超过100μm，则围住显示画面的部分的外观的一体感下降。

另外，第一框状遮光层5的厚度优选的是7μｍ～30μｍ，第二框状遮光层15的厚度优选的是2μｍ～25μｍ。如果任意一个超过上限值，则与非形成部分之间的段差变大而在贴合时容易产生气泡（气泡痕迹）。另外，任意一个达不到下限值，则通过层压结构也难以得到遮光性，并且膜制造变得困难。

以上，关于覆盖玻璃一体型传感器的一个实施例进行了说明，但本发明并不局限于此。例如，在第一实施方式中，虽然第二框状遮光层15在透明导电膜9、遮光性导电膜12和防锈功能层14上作为别层形成，但还可以将第二遮光层15与防锈功能层兼用（参照下述的第二实施方式）。

[第二实施方式]

以下，参照附图详细说明本发明的第二实施方式。图8为表示本发明的覆盖玻璃一体型传感器的一个实施例的分解截面图。图中，1表示覆盖玻璃一体型传感器、2表示覆盖玻璃、3表示薄膜传感器、4表示玻璃基板、5表示第一框状遮光层、6表示基底薄片、7表示中央窗部、8表示外框部、9表示透明导电膜、10表示电极图案、11表示细微布线电路图案、12表示遮光性导电膜、13表示端子部、14表示防锈功能层、15表示第二框状遮光层（兼防锈功能层）。

如图8所示，第二实施方式的薄膜传感器3包括：透明基底薄片6；透明导电膜9,9，按照在基底薄片6的两面上分别具有中央窗部7的电极图案10和外框部8的细微布线电路图案11的方式形成；遮光性导电膜12,12，在透明导电膜9的细微布线电路图案11上以与该细微布线电路图案11相同的宽度层压着；防锈功能层14,15，在形成有透明导电膜9和遮光性导电膜12的基底薄片6的两面上分别按照覆盖端子部13以外的外框部8的方式层压着；且，表面一侧的所述防锈功能层15由彩色抗蚀剂材料的曝光显像物构成，起到第二框状遮光层的功能，该第二框状遮光层15的内边缘位于比第一框状遮光层5的内边缘更靠近中央一侧的位置。即，除了防锈功能层兼作第二框状遮光层的这一点外，其它与第一实施方式的薄膜传感器3相同。

下面，详细说明得到具有所述结构的薄膜传感器3的方法。另外，所述结构中与第一实施方式相同的部分省略其说明。

<透明导电膜9,9的图案化>

首先，透明基底薄片6的表背面上分别整面地依次形成透明导电膜9,9、遮光性导电膜12,12、第一光致抗蚀剂层16,16而得到导电性薄片（参照图9（a）），然后在表背面上分别放置所需的图案掩模17,17，并进行曝光（参照图9（b））和显像，由此将第一光致抗蚀剂层16,16进行图案化。

接着，用氯化铁等蚀刻液同时蚀刻透明导电膜9和遮光性导电膜12，并通过去除被图案化的第一光致抗蚀剂层16,16没有层压的部分的透明导电膜9,9和遮光性导电膜12,12，在基底薄片两面的中央窗部7上分别形成透明导电膜9,9和遮光性导电膜12,12无位置偏差地层压的电极图案10的同时，在基底薄片两面的外框部8上分别形成透明导电膜9,9和遮光性导电膜12,12无位置偏差地层压的细微布线电路图案11（参照图9（c））。

<去除不必要的遮光性导电膜12,12>

接着，用抗蚀剂剥离液剥离第一光致抗蚀剂层16,16，使遮光性导电膜12,12暴露之后，在两面上整面地形成第二光致抗蚀剂层18,18（参照图9（d））。然后，放置掩模19,19，并进行曝光（参照图9（e））和显像，由此将第二光致抗蚀剂层18,18进行图案化（参照图9（f））。

接着，用酸性化的过氧化氢等特殊蚀刻液进行蚀刻，并通过仅去除被图案化的第二光致抗蚀剂层18,18没有层压的部分的遮光性导电膜12,12，在基底薄片两面的中央窗部7和外框部8内的端子部25中使透明导电膜9,9暴露（参照图9（g）和图4）。

<防锈功能层14和第二框状遮光层（兼防锈功能层）15的形成>

接着，用抗蚀剂剥离液剥离第二光致抗蚀剂层18,18，使细微布线电路图案11上以与该细微布线电路图案11相同宽度层压的遮光性导电膜12,12暴露后，在背面上整面地形成具有防锈性的第三光致抗蚀剂层28，在表面上整面地形成具有防锈性由彩色抗蚀剂材料构成的第四光致抗蚀剂层30（参照图9（h））。然后，放置掩模29,29，并进行曝光（参照图9（i））和显像，由此将第三光致抗蚀剂层28和第四光致抗蚀剂层30进行图案化，并分别作为防锈功能层14、兼作防锈功能层的第二框状遮光层15（参照图9（j））。另外，图9（i）中所示的掩模29位置表示第三光致抗蚀剂层28和第四光致抗蚀剂层30为负型（被曝光时相对于显像液溶解性下降，显像后曝光部分残留）的情况。

具有防锈性的第三光致抗蚀剂层28可以使用与第一光致抗蚀剂层16相同的光致抗蚀剂材料中添加防锈剂的材料，或者在前面所述的光致抗蚀剂材料中防锈性优良的材料。另外，第三光致抗蚀剂层28的形成方法可以与第一光致抗蚀剂层16的形成方法相同。作为该防锈剂可以使用公知的已作为防锈剂使用的材料，具体而言，可以使用例如咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑等。另外，可以举出它们的卤化物、烷基、苯基取代体等单环或者多环式唑类、苯胺等芳香族胺类、烷基胺等脂肪族胺、它们的盐等，并不必特别局限于本记载的材料。

具有防锈性由彩色抗蚀剂材料构成的第四光致抗蚀剂层30可以使用与构成向液晶显示的彩色滤波器的RGB和黑色矩阵等的抗蚀剂相同的彩色抗蚀剂材料中添加所述防锈剂的材料或者在彩色抗蚀剂材料中防锈性优良的材料。另外，第四光致抗蚀剂层30的形成方法可以与第一光致抗蚀剂层16的形成方法相同。

由于这样形成防锈功能层14和兼作防锈功能层的第二框状遮光层15，因此即使从外部侵入腐蚀性液体，或者在高温高湿等的环境试验下，布线电路也不会产生腐蚀，能够保持电学特性。

[其它变形]

另外，基底薄片6并不局限于由如图所示的塑料薄膜单层构成的结构，还可以是将多张塑料薄膜重叠而成的层压体作为基底薄片6。此时，作为塑料薄膜的层压方法可以举出热层压或者通过粘结剂层的干式层压等。在通过粘结剂层来层压塑料薄膜时，作为粘结剂层使用具有芯材的材料来能够调整全体层压体的厚度。另外，塑料薄膜的层压是可以在塑料薄膜上形成透明导电膜9后、遮光性导电膜12的层压后或者第一光致抗蚀剂层16的层压后的任意时间进行。

另外，去除不必要的遮光性导电膜12时，还可以是，不仅仅是只去除第二光致抗蚀剂层18没有层压的部分的遮光性导电膜12，而是进一步进行蚀刻，即，通过侧向蚀刻使遮光性导电膜12的层压部分（图4中的黑色部分）的两端从与中央窗部7的境界和与端子部13的境界后退。此时，用后面工序中可以用以覆盖外框部8的方式层压的防锈功能层14还保护遮光性导电膜12的两端。

《实施例1》

将从辊压机卷出来的厚度为200μm的无色聚酯薄膜作为基底薄片，并在其一个面上作为透明导电膜通过溅射法形成厚度为200nm的铟锡氧化物，在该透明导电膜上作为遮光性导电膜通过溅射法形成厚度为500nm铜膜，由此准备了导电性薄膜。接着，用透明粘结剂层压一组导电性薄膜，得到在两面上分别层压透明导电膜和遮光性导电膜的层压体后，使用包括用1%碳酸钠液能够进行显像的负型丙烯类感光层的干膜抗蚀剂，在所述层压体的两面上分别整面地形成厚度为10nm的第一光致抗蚀剂层，在表面一侧上放置具有X方向的电极图案的掩模，在背面一侧上放置具有Y方向的电极图案的掩模，并通过金属卤化物灯将表背两面同时曝光，并将其浸泡在1%碳酸钠液中进行了显像。

接着，用氯化铁蚀刻液同时对该被图案化的第一光致抗蚀剂层没有层压的部分的铟锡氧化物膜及铜膜进行蚀刻而去除，此时在基底薄片的中央窗部表面上暴露形成有X方向的电极图案，在基底薄片的中央窗部背面上暴露形成有Y方向的电极图案，在围绕该中央窗部的外框部表背两面上暴露形成有平均线宽为20μm的细微布线图案。

接着，剥离第一光致抗蚀剂层后，使用包括用1%碳酸钠液能够进行显像的负型丙烯类感光层的干膜抗蚀剂，在两面上分别整面地形成厚度为10nm的第二光致抗蚀剂层，在其上面除表面一侧和背面一侧端子部的外框部上放置掩模，并通过金属卤化物灯将表背两面同时曝光，并将其浸泡在1%碳酸钠液中进行了显像。

接着，将其浸泡在酸性环境下的过氧化氢水时，暴露的中央窗部的所暴露的铜膜被蚀刻去除，仅剩下形成在该铜膜下面的铟锡氧化物膜。

接着，剥离第二光致抗蚀剂层后，使用包括用1%碳酸钠液能够进行显像且作为防锈剂添加苯并咪唑的负型丙烯类感光层的干膜抗蚀剂，在两面上分别整面地形成厚度为10nm的第三光致抗蚀剂层，在其上面除端子部之外的外框部上放置掩模，并通过金属卤化物灯将表背两面同时曝光，并将其浸泡在1%碳酸钠液中进行了显像，并将残留的第三光致抗蚀剂层作为防锈功能层。

接着，使用包括用1%碳酸钠液能够进行显像且由黑色的彩色抗蚀剂材料构成的负型的丙烯类感光层的干膜抗蚀剂，仅在表面上整面地形成厚度为5μｍ的第四光致抗蚀剂层，在其上面放置掩模，并通过金属卤化物灯仅将表面曝光，并将其浸泡在1%碳酸钠液中进行了显像，并将残留的黑色的第四光致抗蚀剂层作为第二框状遮光层，接着切掉一个份量的薄膜传感器。

另外，在厚度为0.7mm的由硼硅酸玻璃构成的玻璃基板的背面周边部上，使用黑色油墨通过丝网印刷形成厚度为7μm的第一框状遮光层，由此得到覆盖玻璃。最后，用透明粘结剂将前述的薄膜传感器贴合在覆盖玻璃背面上而构成覆盖玻璃一体型传感器。该覆盖玻璃一体型传感器是第二框状遮光层的内边缘比第一框状遮光层的内边缘更靠近中央一侧0.1mm，另外，玻璃基板的背面和第二框状遮光层之间的距离为25μm。该覆盖玻璃一体型传感器通过覆盖玻璃看的显示画面的轮廓清晰，识别性优良，并且在围住显示画面部分上具有外观一体感。

《实施例2》

将从辊压机卷出来的厚度为200μm的无色聚酯薄膜作为基底薄片，并在其一个面上作为透明导电膜通过溅射法形成厚度为200nm的铟锡氧化物，在该透明导电膜上作为遮光性导电膜通过溅射法形成厚度为500nm铜膜，由此准备了导电性薄膜。接着，用透明粘结剂层压一组导电性薄膜，得到在两面上分别层压透明导电膜和遮光性导电膜的层压体后，使用包括用1%氢氧化钠液能够进行显像的负型丙烯类感光层的干膜抗蚀剂，在所述层压体的两面上分别整面地形成厚度为10nm的第一光致抗蚀剂层，在表面一侧上放置具有X方向的电极图案的掩模，在背面一侧上放置具有Y方向的电极图案的掩模，并通过金属卤化物灯将表背两面同时曝光，并将其浸泡在1%氢氧化钠液中进行了显像。

接着，剥离第一光致抗蚀剂层后，使用包括用1%氢氧化钠液能够进行显像的负型丙烯类感光层的干膜抗蚀剂，在两面上分别整面地形成厚度为10nm的第二光致抗蚀剂层，在其上面除表面一侧和背面一侧端子部外的外框部上放置掩模，并通过金属卤化物灯将表背两面同时曝光，并将其浸泡在1%氢氧化钠液中进行了显像。

接着，将其浸泡在酸性环境下的过氧化氢水中时，暴露的中央窗部的所暴露的铜膜被蚀刻去除，仅剩下形成在该铜膜下面的铟锡氧化物膜。

接着，剥离第二光致抗蚀剂层后，使用包括用1%氢氧化钠液能够进行显像且作为防锈剂添加苯并咪唑的负型丙烯类感光层的干膜抗蚀剂，在背面整面地形成厚度为10nm的第三光致抗蚀剂层，使用包括用1%氢氧化钠液能够进行显像且黑色抗蚀剂材料中作为防锈剂添加苯并咪唑的负型丙烯类感光层的干膜抗蚀剂，仅在表面上整面地形成厚度为5μｍ的第四光致抗蚀剂层，并在表面和背面上除端子部之外的外框部上分别放置掩模，并通过金属卤化物灯将表背两面同时曝光，并将其浸泡在1%氢氧化钠液中进行了显像，并将残留的第三光致抗蚀剂层作为防锈功能层，将残留的黑色第四光致抗蚀剂层作为第二框状遮光层，接着切掉一个份量的薄膜传感器。

本发明是安装于掌上电脑（PDA）、手持终端等便携式信息终端、复印机、传真机等办公设备、智能手机、手机、便携式游戏机、电子词典、汽车导航仪、小型PC、数码相机、摄像机、便携式迷你磁光盘（PMD）等电子设备液晶显示部上的覆盖玻璃一体型传感器的发明。

Claims

1.一种覆盖玻璃一体型传感器，其特征在于，包括：

电子设备显示窗的覆盖玻璃，在透明玻璃基板的背面周边部上形成有由丝网印刷膜构成的第一框状遮光层；

静电容量式的薄膜传感器，贴合于所述覆盖玻璃的背面上；

其中，所述薄膜传感器包括：

透明基底薄片；

透明导电膜，在所述基底薄片的两面上分别以具有中央窗部的电极图案和外框部的细微布线电路图案的方式形成；

遮光性导电膜，在所述透明导电膜的所述细微布线电路图案上分别以与该细微布线电路图案相同的宽度层压；

防锈功能层，在形成有所述透明导电膜和所述遮光性导电膜的所述基底薄片的两面上分别以覆盖除端子部以外的所述外框部的方式层压，

且，所述薄膜传感器进一步具有形成在所述基底薄片的表面周边部的、由彩色抗蚀剂材料的曝光显像物构成的第二框状遮光层，并且，所述第二框状遮光层的内边缘与所述第一框状遮光层的内边缘相比位于更靠近中央一侧的位置。

2.根据权利要求1所述的覆盖玻璃一体型传感器，其特征在于，所述第二框状遮光层在所述透明导电膜、所述遮光性导电膜和所述防锈功能层上作为别层形成。

3.根据权利要求1所述的覆盖玻璃一体型传感器，其特征在于，所述第二框状遮光层兼作所述防锈功能层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的覆盖玻璃一体型传感器，其特征在于，所述玻璃基板的背面和所述第二框状遮光层之间的距离为10μm～100μm。

5.根据权利要求1至3任一项所述的覆盖玻璃一体型传感器，其特征在于，所述第一框状遮光层的内边缘附近的颜色和所述第二框状遮光层的颜色为相同色或者近似颜色。

6.根据权利要求5所述的覆盖玻璃一体型传感器，其特征在于，所述第一框状遮光层的内边缘附近的颜色和所述第二框状遮光层的颜色的国际照明委员会1976JIS Z8729的L*a*b*表色系的色差ΔE为10以下。

7.根据权利要求1至3任一项所述的覆盖玻璃一体型传感器，其特征在于，所述第二框状遮光层的颜色为黑色或者白色。

8.根据权利要求1至3任一项所述的覆盖玻璃一体型传感器，其特征在于，所述第一框状遮光层的厚度为7μm～30μm，所述第二框状遮光层的厚度为2μm～25μm。

9.根据权利要求1至3任一项所述的覆盖玻璃一体型传感器，其特征在于，所述第二框状遮光层的内边缘之间尺寸和所述第一框状遮光层的内边缘之间尺寸之差为0.1mm～0.3mm。