CN103242843A - 荧光体及发光装置 - Google Patents
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- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 8
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000012363 selectfluor Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
- C09K11/646—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种荧光体及发光装置,所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度,所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明的荧光体具有:峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体(A);峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体(B);峰值波长为645nm以上至655nm以下的氧氮化物荧光体(C)。荧光体(A)的配比为20质量%以上至35质量%以下,荧光体(B)的配比为50质量%以上至70质量%以下,荧光体(C)的配比为10质量%以上至20质量%以下。
Description
技术领域
本发明涉及用于LED(Light Emitting Diode,发光二极管)的荧光体和使用LED的发光装置。
背景技术
作为用于白色发光装置的荧光体,有β型赛隆和红色发光荧光体的组合(参见专利文献1),还有组合具有特定色坐标的红色发光荧光体和绿色发光荧光体而得到的荧光体(参见专利文献2)。
专利文献
专利文献1:日本特开2007-180483号公报
专利文献2:日本特开2008-166825号公报
发明内容
本发明的目的在于,提供向以往的荧光体中添加氧氮化物荧光体而得到的同时具备高亮度和高演色性的荧光体,还提供使用该荧光体的白色发光装置。
本发明是一种荧光体,其具有:峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体(A);峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体(B);峰值波长为645nm以上至655nm以下的氧氮化物荧光体(C),荧光体(A)的配比为20质量%以上至35质量%以下,荧光体(B)的配比为50质量%以上至70质量%以下,荧光体(C)的配比为10质量%以上至20质量%以下。
当将荧光体(A)和(B)的配比设为a和b时,优选荧光体的配比具有1.5≤b/a≤3.5的关系。
当将荧光体(A)、(B)和(C)的配比设为a、b和c时,优选荧光体的配比具有4.0≤(a+b)/c≤8.2的关系。
优选荧光体(B)为β型赛隆,荧光体(C)为CASN。
从本申请的其他观点看,本发明是一种发光装置,其具有上述荧光体和在发光面上搭载有该荧光体的LED。
根据本发明,能够提供具有高温特性和长期可靠性且为高亮度的荧光体以及使用该荧光体的白色发光装置。
具体实施方式
本发明是一种荧光体,其具有:峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体(A);峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体(B);峰值波长为645nm以上至655nm以下的氧氮化物荧光体(C)。
通过混合上述三种荧光体,能够得到具有高温特性和长期可靠性且为高亮度的荧光体。
荧光体(A)的配比为20质量%以上至35质量%以下,荧光体(B)的配比为50质量%以上至70质量%以下,荧光体(C)的配比为10质量%以上至20质量%以下。
本发明人发现,如果荧光体(A)的配比过少,则存在演色性变低的趋势;如果荧光体(A)的配比过多,则存在难以得到高温特性和长期可靠性的趋势,因此优选上述范围。如果荧光体(B)的配比过少,则存在难以得到高温特性和长期可靠性的趋势;如果荧光体(B)的配比过多,则存在无法获得高演色性的趋势。如果荧光体(C)的配比过少,则存在无法显示高演色性的趋势,甚至存在连白光本身也无法得到的趋势;如果荧光体(C)的配比过多,则存在亮度低,并且无法得到白光的趋势。
本发明中的荧光体(A)是峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的绿色发光硅酸盐荧光体。具体而言,有Intematix公司制造的G3161、EG2762、EG3261、EG3560、Merck公司制造的SGA-530、SGA-535。
荧光体的荧光强度是将标准试样(YAG,更具体为三菱化学株式会社制造的P46Y3)的峰值高度作为100%的相对值,并以%来表示。使用株式会社日立High-Tech制造的型号为F-7000的分光光度计,作为荧光强度的测定仪,测定方法如下。
<测定方法>
1)试样配置:在石英比色皿中填充测定试样或标准试样,在测定仪中,交替摆放试样,进行测定。以35%左右的相对填充密度充填至比色皿高度的3/4左右。
2)测定:以455nm的光激发,读取500nm至700nm的最大峰值的高度。测定5次,去除最大值、最小值,取剩余的3个值的平均值。
本发明的荧光体(B)是峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的绿色发光氧氮化物荧光体。具体而言,有β型赛隆,更具体而言,有电气化学工业株式会社的ALONBRIGHT(日本注册商标)。
本发明中的荧光体(C)是峰值波长为645nm以上至655nm以下的氧氮化物荧光体。具体而言,有缩写成CASN、并被称为カズン(CASN)的荧光体,更具体而言,有三菱化学株式会社的BR-101A(峰值波长为650nm)、Intematix公司的R6634(峰值波长为650nm)及该公司的R6733(峰值波长为655nm)。可以在该荧光体(C)中,混合有作为调节用物质且添加量小于荧光体(C)的如下物质:Intematix公司的R6436(峰值波长为630nm)或R6535(峰值波长为640nm);三菱化学株式会社的BR-102C、BR-102F(峰值波长为630nm)或BR-102D(峰值波长为620nm)。
关于荧光体(A)和荧光体(B)的配比,为了维持高可靠性,而优选使荧光体(A)的配比低于荧光体(B)的配比,当将荧光体(A)和荧光体(B)的配比分别设为a、b时,优选具有1.5≤b/a≤3.5的关系。
由于荧光体(C)自身的亮度低,因此优选荧光体(C)的配比低,但是如果过低,则会使演色性降低,因此优选荧光体(C)的配比在4.0≤(a+b)/c≤8.2的范围。
只要能够均匀地进行混合或者混合至所期望的混合程度即可,可以适当地选择出荧光体(A)、(B)以及(C)的混合方法。对于该混合方法,前提是不混入杂物,或者不使荧光体的形状、粒度发生明显变化。
从本申请的其他观点看,本发明是一种发光装置,其具有上述荧光体和在发光面上搭载有该荧光体的LED。搭载在LED的发光面上的荧光体被密封部件进行密封。作为密封部件,有树脂和玻璃,作为树脂,有有机硅树脂。作为LED,优选根据最终发出的光的颜色,对红色发光LED、蓝色发光LED、发出其他颜色光的LED进行适当选择,在蓝色发光LED的情况下,优选由氮化镓系半导体形成且峰值波长为440nm以上至460nm以下的LED,更优选峰值波长为445nm以上至455nm以下。LED的发光部的大小优选为0.5mm方形以上,对于LED芯片的大小,只要具有上述发光部的面积即可,可以适当选择,并且,LED芯片的大小优选为1.0mm×0.5mm,更优选为1.2mm×0.6mm。
实施例
使用表及比较例对本发明的实施例进行详细说明。
【表1】
表1所示的荧光体为本发明的荧光体中的荧光体(A)、(B)及(C)。在表1的荧光体(A)中,P2、P3和P4是具有权利要求1所述范围内的峰值波长及荧光强度的荧光体。在表1的荧光体(B)中,P7、P8和P9是具有权利要求1所述范围内的峰值波长及荧光强度的荧光体。在表1的荧光体(C)中,P11、P12和P13是具有权利要求1所述范围内的峰值波长的荧光体。
将上述荧光体按照表2的比例混合,得到了实施例、比较例中的荧光体。
【表2】
在实施例1的荧光体中混合有35质量%的作为荧光体(A)的表1中的P2荧光体、50质量%的作为荧光体(B)的表1中的P8荧光体以及10质量%的作为荧光体(C)的表1中的P12荧光体。在表2的荧光体的组成中P1至P14的数值均为质量%。将各荧光体进行混合时,以2.5g的总量在塑料袋内进行混合,并且利用公转自转混合机(株式会社THINKY的Awatori Rentaro ARE-310(日本注册商标)),将所得的混合物与47.5g有机硅树脂(TORAY Dow Corning株式会社的OE6656)一起进行混合。表2中的b/a以及(a+b)/c是将荧光体(A)的配比设为a、荧光体(B)的配比设为b、荧光体(C)的配比设为c时的数值。
在凹型的封装本体的底部放置LED,与基板上的电极进行引线接合后,用微量进样器注入混合后的荧光体,从而将荧光体搭载到LED上。搭载后,在120℃使其硬化后,在110℃下实施10小时的二次硬化,并进行密封。LED的发光峰值波长为448nm,并使用了1.0mm×0.5mm大小的芯片。
对表2所示的评价进行说明。
表2的初期评价采用了演色性的评价。在演色性的评价中采用了颜色再现范围,并以色坐标中的NTSC规格比的面积(%)来表示。数字越大则演色性越高。评价的合格条件为72%以上。这是针对一般的LED-TV所采用的条件。
表2的亮度是用25℃时的光束进行评价。提取施加了10分钟的60mA电流后的测定值。评价的合格条件为25lm以上。由于该值因测定仪和条件而改变,所以,为了与实施例进行相对比较,将该值设定为(实施例的下限值)×85%。
表2的高温特性是用相对于25℃时的光束的衰减性进行评价。测定50℃、100℃、150℃时的光束,并将25℃时的值作为100%。评价的合格条件如下:50℃时为97%以上、100℃时为95%以上、150℃时为90%以上。虽然该数值不是世界通用的规定值,但目前被认为是高可靠性的发光元件的基准。
表2的长期可靠性为,对于在85℃、85%RH的条件下放置500小时以及2000小时后取出并在室温干燥时的光束进行测定,得到以初期值为100%时的光束的衰减值。评价的合格条件为,在500小时的情况下为97%以上,在2000小时的情况下为94%以上。这是只有硅酸盐荧光体时无法达到的数值。
如表2所示,本发明的实施例显示了比较良好的颜色再现性、光束值,并且在高温或高温高湿下进行长期保存时的光束的衰减也比较小。
本发明的比较例1的光束值较小,同样,比较例2、3、4的颜色再现性较差。另外,在各成分荧光体的混合组成在本发明的保护范围之外的比较例5、8中,颜色再现性的NTSC规格比显著变小,同样,在比较例6中,高温特性、长期可靠性较差。其中,在荧光体B的添加量过少的比较例7中,颜色再现性、光束、高温特性、长期可靠性都较差,并难以用于白色LED背光。并且,在荧光体C的添加量过多的比较例9中,颜色再现性、光束值变小,在荧光体A/荧光体B之比在保护范围之外的比较例10中,由于在高温特性、长期可靠性实验中的光束值较低,所以得到可靠性较低的LED封装,并且无论如何也不能期望其应用于电视或监控器等产品。
产业上的可利用性
本发明的荧光体用于白色发光装置。本发明的白色发光装置用于液晶面板的背光、照明装置、信号装置、图像显示装置。
Claims (6)
1.一种荧光体,其特征在于,具有:峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体(A);峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体(B);峰值波长为645nm以上至655nm以下的氧氮化物荧光体(C),其中,荧光体(A)的配比为20质量%以上至35质量%以下;荧光体(B)的配比为50质量%以上至70质量%以下;荧光体(C)的配比为10质量%以上至20质量%以下。
2.如权利要求1所述的荧光体,其特征在于,当将荧光体(A)和(B)的配比设为a和b时,荧光体的配比具有1.5≤b/a≤3.5的关系。
3.如权利要求1或2所述的荧光体,其特征在于,当将荧光体(A)、(B)和(C)的配比设为a、b和c时,荧光体的配比具有4.0≤(a+b)/c≤8.2的关系。
4.如权利要求1或2所述的荧光体,其特征在于,荧光体(B)为β型赛隆,荧光体(C)为CASN。
5.如权利要求3所述的荧光体,其特征在于,荧光体(B)为β型赛隆,荧光体(C)为CASN。
6.一种发光装置,其特征在于,具有权利要求1至5中任一项所述的荧光体和在发光面上搭载有所述荧光体的LED。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012026586 | 2012-02-09 | ||
JP2012-026586 | 2012-02-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103242843A true CN103242843A (zh) | 2013-08-14 |
CN103242843B CN103242843B (zh) | 2015-04-29 |
Family
ID=48922725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210488685.XA Expired - Fee Related CN103242843B (zh) | 2012-02-09 | 2012-11-26 | 荧光体及发光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9309459B2 (zh) |
EP (1) | EP2813559A4 (zh) |
JP (1) | JP5697765B2 (zh) |
KR (1) | KR101650533B1 (zh) |
CN (1) | CN103242843B (zh) |
TW (1) | TWI453269B (zh) |
WO (1) | WO2013118329A1 (zh) |
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-
2012
- 2012-08-09 KR KR1020147022758A patent/KR101650533B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-09 WO PCT/JP2012/070390 patent/WO2013118329A1/ja active Application Filing
- 2012-08-09 US US14/377,071 patent/US9309459B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-09 JP JP2013557353A patent/JP5697765B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-09 EP EP12867910.7A patent/EP2813559A4/en not_active Withdrawn
- 2012-09-06 TW TW101132437A patent/TWI453269B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-11-26 CN CN201210488685.XA patent/CN103242843B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150084079A1 (en) | 2015-03-26 |
WO2013118329A1 (ja) | 2013-08-15 |
KR20140124775A (ko) | 2014-10-27 |
TW201333164A (zh) | 2013-08-16 |
US9309459B2 (en) | 2016-04-12 |
JPWO2013118329A1 (ja) | 2015-05-11 |
CN103242843B (zh) | 2015-04-29 |
KR101650533B1 (ko) | 2016-08-23 |
TWI453269B (zh) | 2014-09-21 |
EP2813559A1 (en) | 2014-12-17 |
JP5697765B2 (ja) | 2015-04-08 |
EP2813559A4 (en) | 2015-11-11 |
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Legal Events
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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