CN103235491A - 一种抗蚀剂剥离液及其应用 - Google Patents
一种抗蚀剂剥离液及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103235491A CN103235491A CN2013101179692A CN201310117969A CN103235491A CN 103235491 A CN103235491 A CN 103235491A CN 2013101179692 A CN2013101179692 A CN 2013101179692A CN 201310117969 A CN201310117969 A CN 201310117969A CN 103235491 A CN103235491 A CN 103235491A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- anticorrosive additive
- volume ratio
- resist stripper
- stripping liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种新型的抗蚀剂剥离液，其为分析纯高氯酸和分析纯硫酸按1:6-20的体积比复配得到的混合液。使用时，将待处理的晶片投入到所述抗蚀剂剥离液中5至20分钟即可。本发明提供的抗蚀剂剥离液，与传统的过氧化氢和硫酸的混合液相比，具有更高的氧化电位，可用作剥离抗蚀剂的替代品，而不必采用高温SPM工艺。
Description
技术领域
本发明涉及化工领域，具体地说，涉及一种抗蚀剂剥离液及其应用。
背景技术
目前适用于光刻胶剥离的溶剂，例如硫酸和过氧化氢的混合液，二者配比为4-10:1，使用温度为150℃-200℃。此类溶剂可能会造成腐蚀、脱落或其它可见的硅体降解或二氧化硅腐蚀，且对环境条件要求严格，工艺流程复杂，因此，开发一种新的反提取剂，使其适于室温使用，并且在更低的温度下不会造成腐蚀、脱落或其它可见的硅体降解或二氧化硅腐蚀，以便能够有效地从半导体等表面上剥离光刻胶高分子材料。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型的抗蚀剂剥离液及其应用。
为了实现本发明目的，本发明的一种抗蚀剂剥离液，其为分析纯高氯酸和分析纯硫酸按1:6-20的体积比复配得到的混合液。
优选分析纯高氯酸和分析纯硫酸的体积比为1:15，1:10，1:20。
所述抗蚀剂剥离液的制备方法为：将重量浓度为98%的浓硫酸与浓度为60%的高氯酸水溶液（或分析纯高氯酸和分析纯硫酸）混合。首先在23℃-25℃的室温下，将重量浓度为98%的浓硫酸投入一个石英槽中，然后缓慢加入浓度为60%的高氯酸水溶液至上述石英槽中，同时盘旋搅拌该混合液3至5分钟。在两种化学试剂混合的过程中，有轻微的放热反应。根据分析纯高氯酸和分析纯硫酸按1:6-20的体积比，混合液的温度可能会在25℃-70℃的范围内。
所述抗蚀剂剥离液的使用方法为：在剥离液25℃-70℃的温度范围内，将干燥的晶片投入盛放有上述剥离液的石英槽中5至20分钟，进行均匀地剥离，随后将晶片取出。再用60℃的1号标准清洗液（SC1）清洗，然后用70℃的去离子水清洗。最后用异丙醇蒸汽（IPA vapor）烘干。
与现有技术相比，本发明至少具有下列优点及有益效果：
本发明提供的抗蚀剂剥离液，即硫酸和高氯酸混合液，与传统的过氧化氢和硫酸的混合液相比，具有更高的氧化电位，可用作剥离抗蚀剂的替代品，而不必采用高温SPM工艺，且本品可在室温或更低温度下使用，不会对硅片元件表面造成腐蚀、脱落或其它可见的硅体降解。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段，所用原料均为市售商品。
以下实施例中使用的高氯酸购自BASF公司，高氯酸水溶液的浓度为60%。
实施例1 抗蚀剂剥离液及其应用
待处理的晶片先用60℃的1号标准清洗液（SC1）清洗，然后用70℃的去离子水清洗，烘干。
在室温25下，向盛有浓度为98%的硫酸的石英材质的清洗槽中缓慢地加入60%的高氯酸水溶液，分析纯高氯酸和分析纯硫酸体积比为1:10，搅拌充分混合。然后，将经过处理的晶片浸入到上述清洗槽中。
25分钟后，将晶片取出。再用60℃的SC1清洗，然后用70℃的去离子水清洗，最后用异丙醇蒸汽（IPA vapor）烘干。
实施例2 抗蚀剂剥离液及其应用
待处理的晶片先用60℃的1号标准清洗液（SC1）清洗，然后用70℃的去离子水清洗，烘干。
在室温25下，向盛有浓度为98%的硫酸的石英材质的清洗槽中缓慢地加入60%的高氯酸水溶液，分析纯高氯酸和分析纯硫酸体积比为1:15，搅拌充分混合。然后，将经过处理的晶片浸入到上述清洗槽中。
15分钟后，将晶片取出。再用60℃的SC1清洗，然后用70℃的去离子水清洗，最后用异丙醇蒸汽（IPA vapor）烘干。
实施例3 抗蚀剂剥离液及其应用
待处理的晶片先用60℃的1号标准清洗液（SC1）清洗，然后用70℃的去离子水清洗，烘干。
在室温25下，向盛有浓度为98%的硫酸的石英材质的清洗槽中缓慢地加入60%的高氯酸水溶液，分析纯高氯酸和分析纯硫酸体积比为1:20，搅拌充分混合。然后，将经过处理的晶片浸入到上述清洗槽中。
5分钟后，将晶片取出。再用60℃的1号标准清洗液清洗，然后用70℃的去离子水清洗，最后用异丙醇蒸汽（IPA vapor）烘干。
虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
Claims (5)
1.一种抗蚀剂剥离液，其特征在于，其为分析纯高氯酸和分析纯硫酸按1:6-20的体积比复配得到的混合液。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液，其特征在于，分析纯高氯酸和分析纯硫酸的体积比为1:15。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液，其特征在于，分析纯高氯酸和分析纯硫酸的体积比为1:10。
4.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液，其特征在于，分析纯高氯酸和分析纯硫酸的体积比为1:20。
5.权利要求1-4任一项所述抗蚀剂剥离液在剥离光刻胶高分子材料中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013101179692A CN103235491A (zh) | 2013-04-07 | 2013-04-07 | 一种抗蚀剂剥离液及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013101179692A CN103235491A (zh) | 2013-04-07 | 2013-04-07 | 一种抗蚀剂剥离液及其应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103235491A true CN103235491A (zh) | 2013-08-07 |
Family
ID=48883538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013101179692A Pending CN103235491A (zh) | 2013-04-07 | 2013-04-07 | 一种抗蚀剂剥离液及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103235491A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1452019A (zh) * | 2002-04-18 | 2003-10-29 | 株式会社德成 | 使用在水溶液中具有高当量电导率的导电材料的抗蚀剂剥离剂组合物 |
| CN1574246A (zh) * | 2003-05-14 | 2005-02-02 | 利奎德技术株式会社 | 不需要单独溶剂冲冼步骤的脱除侧壁聚合物和蚀刻剂残余物的组合物 |
| CN1847382A (zh) * | 2005-04-13 | 2006-10-18 | 美格纳半导体有限会社 | 用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的方法 |
| CN101523297A (zh) * | 2006-10-24 | 2009-09-02 | 关东化学株式会社 | 光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物 |
| WO2011072188A2 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Removal of masking material |
-
2013
- 2013-04-07 CN CN2013101179692A patent/CN103235491A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1452019A (zh) * | 2002-04-18 | 2003-10-29 | 株式会社德成 | 使用在水溶液中具有高当量电导率的导电材料的抗蚀剂剥离剂组合物 |
| CN1574246A (zh) * | 2003-05-14 | 2005-02-02 | 利奎德技术株式会社 | 不需要单独溶剂冲冼步骤的脱除侧壁聚合物和蚀刻剂残余物的组合物 |
| CN1847382A (zh) * | 2005-04-13 | 2006-10-18 | 美格纳半导体有限会社 | 用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的方法 |
| CN101523297A (zh) * | 2006-10-24 | 2009-09-02 | 关东化学株式会社 | 光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物 |
| WO2011072188A2 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Removal of masking material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI376273B (en) | Semiconductor substrate process | |
| CN104377119B (zh) | 一种锗单晶抛光片的清洗方法 | |
| CN104009122B (zh) | 一种丝网印刷返工硅片的处理方法 | |
| KR101941535B1 (ko) | 오존을 함유하는 유체를 이용한 반도체 웨이퍼 표면 처리 장치 | |
| CN103537453A (zh) | 一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法 | |
| US20140116464A1 (en) | Method for cleaning metal gate semiconductor | |
| CN105914137A (zh) | 一种湿法硅片清洗方法 | |
| CN101480607B (zh) | 用于脱除重金属离子的杂化阳离子交换吸附剂及制备方法 | |
| CN103897862A (zh) | 一种光伏硅片清洁剂及其清洁方法 | |
| CN103521474A (zh) | 一种以抛代洗的蓝宝石衬底晶片表面洁净方法 | |
| CN102364697B (zh) | 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法 | |
| CN104399702A (zh) | 一种二极管芯片酸洗工艺 | |
| CN103235491A (zh) | 一种抗蚀剂剥离液及其应用 | |
| Noda et al. | Development of a photoresist removal method using ozone gas with water vapor for LCD manufacturing | |
| TW200416284A (en) | Semiconductor surface treatment and mixture used therein | |
| CN100363402C (zh) | 聚醚砜的纯化方法 | |
| CN102627972A (zh) | GaAs半导体材料刻蚀液的配方 | |
| CN104241116B (zh) | 一种锗材料表面稳定钝化的方法 | |
| JP2007214412A (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
| CN103809394A (zh) | 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液 | |
| Kashkoush et al. | Photoresist stripping using ozone/deionized water chemistry | |
| WO2014089941A1 (zh) | 一种蚀刻剂及其制备方法和应用 | |
| CN103834497A (zh) | 一种环氧树脂腐蚀剂及其在除去半导体封装料中的应用 | |
| JP3405371B2 (ja) | 半導体基板のオゾン洗浄方法 | |
| CN109712869A (zh) | Cmp聚合物去除方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130807 |