CN103235185B - 用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法 - Google Patents
用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103235185B CN103235185B CN201310136894.2A CN201310136894A CN103235185B CN 103235185 B CN103235185 B CN 103235185B CN 201310136894 A CN201310136894 A CN 201310136894A CN 103235185 B CN103235185 B CN 103235185B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- monitoring
- sheet resistance
- emitting electrode
- substrate
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
本发明公开了一种用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，该方法的步骤如下：1）设计光栅图形；2）制作监控片衬底；3）在监控片衬底上涂光刻胶，并且定位孔和四个探针定位孔处用同厚度的光刻胶掩盖住；4）制作监控网版；5）采用监控网版按照电池片制作工艺印刷出监控片；6）刻蚀并清洗监控片的非掩膜区；7）采用四探针测试仪，将四个探针插入相应的探针定位孔，测试监控片的非掩膜区的方阻；8）根据测试过的方阻结果，调整选择性发射电极电池的清洗参数，并重复步骤6）中的清洗步骤和步骤7），直至监控片的方阻值达标，从而确定选择性发射电极电池的清洗参数。本发明能够避免测试过程中压到栅线部分造成测试误差现象，并且测试过程快速、便捷，简化了测试流程，节省了测试时间。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法。
背景技术
目前，原选择性发射电极电池在制备过程中，掩膜后在进行清洗后需要监控非掩膜区的方阻，但是四探针测试仪（测试方阻的一种仪器）在测试时，其探针很容易压到栅线部分，造成测试误差，对后续的工艺调整及优化带来困难。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，它能够避免测试过程中压到栅线部分造成测试误差现象，并且测试过程快速、便捷，简化了测试流程，节省了测试时间。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，该方法的步骤如下：1）设计光栅图形；2）选择同批次的选择性发射电极电池的基板衬底，并在该基板衬底的中心处开定位孔，四探针测试仪的四个探针的中心位置以该定位孔的轴心为中心，在该基板衬底上分别形成四个探针相对应的探针区域，在基板衬底的四个探针区域上分别开出探针定位孔，形成监控片衬底；3）在监控片衬底上涂光刻胶，并且定位孔和四个探针定位孔处用同厚度的光刻胶掩盖住；4）采用光刻工艺，将设计好的光栅图形定义到涂好光刻胶的监控片衬底上，形成监控网版；5）将监控网版放置在印刷设备上，在监控网版上加入掩膜材料，启动印刷设备，将掩膜材料透过监控网版印刷在硅片上，然后将带有掩膜的硅片烘干，即制出监控片；6）刻蚀并清洗监控片的非掩膜区；7）采用四探针测试仪，将四个探针插入相应的探针定位孔，测试监控片的非掩膜区的方阻；8）根据测试过的方阻结果，调整选择性发射电极电池的清洗参数，并重复步骤6）中的清洗步骤和步骤7），直至监控片的方阻值达标，从而确定选择性发射电极电池的清洗参数。
进一步，所述的定位孔和探针定位孔为方形孔结构，所述的四个探针定位孔的中心均布在以定位孔中心为圆心的圆周上。
进一步，所述的定位孔和探针定位孔的每边边长控制在10毫米~15毫米，所述的圆周的半径为52毫米；
更进一步，所述的定位孔为边长12毫米的正方形孔，每个探针定位孔均为长15毫米、宽10毫米的长方形孔，并且每个探针定位孔的一侧长边正对着定位孔。
采用了上述技术方案后，本发明具有以下的有益效果：
1、电池片在四探针测试仪测试平台上，测试平台会旋转，本发明的测试方阻的方法，能够避免测试平台旋转带来的电池片滑动误差或人为放置误差而导致的误测现象。
2、本发明方法的测试过程能够非常精准的找准测试点，快速、便捷，简化了测试流程，节省了测试时间。
3、技术人员经过多次方案的配比并结合误差状况，选择了定位孔和探针定位孔大小的最优值，测试结果更加准确。
附图说明
图1为本发明的监控网版的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，
一种用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，该方法的步骤如下：1）设计光栅图形；2）选择同批次的选择性发射电极电池的基板衬底1-3，并在该基板衬底1-3的中心处开定位孔1-1，四探针测试仪的四个探针的中心位置以该定位孔1-1的轴心为中心，在该基板衬底1-3上分别形成四个探针相对应的探针区域，在基板衬底1-3的四个探针区域上分别开出探针定位孔1-2，形成监控片衬底；3）在监控片衬底上涂光刻胶，并且定位孔1-1和四个探针定位孔1-2处用同厚度的光刻胶掩盖住；4）采用光刻工艺，将设计好的光栅图形定义到涂好光刻胶的监控片衬底上，形成监控网版1；5）采用监控网版（1）将监控网版1放置在印刷设备上，在监控网版1上加入掩膜材料，启动印刷设备，将掩膜材料透过监控网版1印刷在硅片上，然后将带有掩膜的硅片烘干，即制出监控片；6）刻蚀并清洗监控片的非掩膜区；7）采用四探针测试仪，将四个探针插入相应的探针定位孔1-2，测试监控片的非掩膜区的方阻；8）根据测试过的方阻结果，调整选择性发射电极电池的清洗参数，并重复步骤6）中的清洗步骤和步骤7），直至监控片的方阻值达标，从而确定选择性发射电极电池的清洗参数。
定位孔1-1和探针定位孔1-2为方形孔结构，并且边长控制在10毫米~15毫米。
优选地，定位孔1-1为边长12毫米的正方形孔，每个探针定位孔1-2均为长15毫米、宽10毫米的长方形孔，四个探针定位孔1-2的中心均布在以定位孔1-1中心为圆心以及半径为52毫米的圆周上。每个探针定位孔1-2的一侧长边正对着定位孔1-1。
监控网版的工艺参数如下：
网版张力28N，线径23纳米，目数325目，细栅线宽度300纳米，光刻胶厚度20纳米，细栅线间距中心到中心：1.9494毫米。
本发明方法具有以下的优点：
1、电池片在四探针测试仪测试平台上，测试平台会旋转，本发明的测试方阻的方法，能够避免测试平台旋转带来的电池片滑动误差或人为放置误差而导致的误测现象。
2、本发明方法的测试过程能够非常精准的找准测试点，快速、便捷，简化了测试流程，节省了测试时间。
3、技术人员经过多次方案的配比并结合误差状况，选择了定位孔和探针定位孔大小的最优值，测试结果更加准确。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，其特征在于该方法的步骤如下：
1）设计光栅图形；
2）选择同批次的选择性发射电极电池的基板衬底（1-3），并在该基板衬底（1-3）的中心处开定位孔（1-1），四探针测试仪的四个探针的中心位置以该定位孔（1-1）的轴心为中心，在该基板衬底（1-3）上分别形成四个探针相对应的探针区域，在基板衬底（1-3）的四个探针区域上分别开出探针定位孔（1-2），形成监控片衬底；
3）在监控片衬底上涂光刻胶，并且定位孔（1-1）和四个探针定位孔（1-2）处用同厚度的光刻胶掩盖住；
4）采用光刻工艺，将设计好的光栅图形定义到涂好光刻胶的监控片衬底上，形成监控网版（1）；
5）将监控网版（1）放置在印刷设备上，在监控网版（1）上加入掩膜材料，启动印刷设备，将掩膜材料透过监控网版（1）印刷在硅片上，然后将带有掩膜的硅片烘干，即制出监控片；
6）刻蚀并清洗监控片的非掩膜区；
7）采用四探针测试仪，将四个探针插入相应的探针定位孔（1-2），测试监控片的非掩膜区的方阻；
8）根据测试过的方阻结果，调整选择性发射电极电池的清洗参数，并重复步骤6）中的清洗步骤以及步骤7），直至监控片的方阻值达标，从而确定选择性发射电极电池的清洗参数。
2.根据权利要求1所述的用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，其特征在于：所述的定位孔（1-1）和探针定位孔（1-2）为方形孔结构，所述的四个探针定位孔（1-2）的中心均布在以定位孔（1-1）中心为圆心的圆周上。
3.根据权利要求2所述的用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，其特征在于：所述的定位孔（1-1）和探针定位孔（1-2）的每边边长控制在10毫米~15毫米，所述的圆周的半径为52毫米。
4.根据权利要求3所述的用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，其特征在于：所述的定位孔（1-1）为边长12毫米的正方形孔，每个探针定位孔（1-2）均为长15毫米、宽10毫米的长方形孔，并且每个探针定位孔（1-2）的一侧长边正对着定位孔（1-1）。
5.根据权利要求1所述的用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，其特征在于：所述的光刻胶的厚度为20纳米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310136894.2A CN103235185B (zh) | 2013-04-18 | 2013-04-18 | 用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310136894.2A CN103235185B (zh) | 2013-04-18 | 2013-04-18 | 用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103235185A CN103235185A (zh) | 2013-08-07 |
| CN103235185B true CN103235185B (zh) | 2015-09-09 |
Family
ID=48883236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310136894.2A Active CN103235185B (zh) | 2013-04-18 | 2013-04-18 | 用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103235185B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103884912B (zh) * | 2014-03-14 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种方块电阻的测量方法 |
| CN106885924A (zh) * | 2017-02-13 | 2017-06-23 | 北京工业大学 | 一种用于igbt芯片表面铝金属化层方阻测量的定位装置 |
| CN112599578B (zh) * | 2020-12-11 | 2023-10-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN113030198B (zh) * | 2021-03-31 | 2023-11-14 | 深圳市溢鑫科技研发有限公司 | 一种直立石墨烯薄膜材料的品质检测分析方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102130214A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 常州天合光能有限公司 | 一种湿法刻蚀监控方法 |
| CN102185005A (zh) * | 2010-10-18 | 2011-09-14 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 一种选择性发射极电池的制作方法 |
| CN102200552A (zh) * | 2010-11-17 | 2011-09-28 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 硅片的方块电阻的测试方法及设备 |
| CN102539919A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-07-04 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种选择性扩散方阻测试的方法 |
| CN102929101A (zh) * | 2012-10-12 | 2013-02-13 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种导电光刻胶及使用该导电光刻胶的oled电极及制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001074795A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Ando Electric Co Ltd | 通信回線の抵抗測定装置、通信回線の抵抗測定方法、及び記憶媒体 |
-
2013
- 2013-04-18 CN CN201310136894.2A patent/CN103235185B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102185005A (zh) * | 2010-10-18 | 2011-09-14 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 一种选择性发射极电池的制作方法 |
| CN102200552A (zh) * | 2010-11-17 | 2011-09-28 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 硅片的方块电阻的测试方法及设备 |
| CN102130214A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 常州天合光能有限公司 | 一种湿法刻蚀监控方法 |
| CN102539919A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-07-04 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种选择性扩散方阻测试的方法 |
| CN102929101A (zh) * | 2012-10-12 | 2013-02-13 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种导电光刻胶及使用该导电光刻胶的oled电极及制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103235185A (zh) | 2013-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103235185B (zh) | 用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法 | |
| CN103163442B (zh) | 一种晶圆测试方法 | |
| CN110289224B (zh) | 一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法 | |
| DE602004009057D1 (de) | Plattenförmige sonde, prozess zu ihrer herstellung und ihrer anwendung | |
| CN102555445A (zh) | 一种晶硅太阳能电池丝网印刷测试方法 | |
| CN103874335A (zh) | 电路板蚀刻线宽控制方法 | |
| US20220221265A1 (en) | Novel direct-ink-writing method for printing strain gauge array circuit | |
| CN106597247A (zh) | 基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统 | |
| CN205767988U (zh) | 应用于太阳能电池的印刷网版 | |
| CN107037692A (zh) | 掩膜组件及对准量测方法 | |
| CN103631085A (zh) | 光学邻近校正模型的校正方法 | |
| CN102074454B (zh) | 刻蚀工艺的监控方法和监控系统 | |
| KR100573931B1 (ko) | 면저항 인증표준물질 제조방법 | |
| CN116313867A (zh) | 一种SE-TOPCon电池方块电阻测试方法 | |
| CN102130214A (zh) | 一种湿法刻蚀监控方法 | |
| CN104625262A (zh) | 基于电化学微加工的光掩模版制备装置和制备方法 | |
| CN104934301A (zh) | 一种非损伤石墨烯纳米器件的制作方法 | |
| CN209395411U (zh) | 光伏电池印刷网版 | |
| CN105758907A (zh) | 一种用于重金属离子检测的碳纳米线微阵列电极制备方法 | |
| CN105093815B (zh) | 器件设计尺寸的提取方法 | |
| CN106325004A (zh) | Ldi曝光机能量均匀性检测方法 | |
| CN202284948U (zh) | 一种pcb菲林涨缩值简易测量装置 | |
| CN103018564A (zh) | 一种测试成品电池片扩散层电阻的方法 | |
| CN102522360B (zh) | 光刻对准精度检测方法 | |
| CN206930750U (zh) | 一种用于比对电路板上pcba元件的罩板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Solar photovoltaic industry park Tianhe Road 213031 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee after: TRINA SOLAR Co.,Ltd. Address before: Solar photovoltaic industry park Tianhe Road 213031 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee before: trina solar Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Solar photovoltaic industry park Tianhe Road 213031 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee after: trina solar Ltd. Address before: Tianhe Electronic Industrial Park Road 213022 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee before: CHANGZHOU TRINA SOLAR ENERGY Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180521 Address after: 224000 No. five mountain road, Yancheng economic and Technological Development Zone, Jiangsu 101 Patentee after: YANCHENG TIANHE GUONENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: 213031 Tianhe PV Industrial Park No. 2, Xinbei District, Changzhou, Jiangsu Patentee before: TRINA SOLAR Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |