CN103226286A - 一种光屏障玻璃的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光屏障玻璃的制备方法，包括如下步骤：在玻璃基板上形成金属层；在金属层上涂覆第一光刻胶层，通过半透型掩模板对第一光刻胶层进行第一次曝光，然后对第一光刻胶层进行第一次显影处理；通过第一次刻蚀工艺去除金属层的部分区域；通过灰化工艺去除第一光刻胶层的部分厚度和部分区域；在暴露的玻璃基板上、暴露的金属层上、第一光刻胶层上和第一光刻胶层的侧壁形成绝缘层；采用光阻剥离的方法将第一光刻胶层、位于第一光刻胶层上的绝缘层以及第一光刻胶层侧壁的绝缘层去除，得到过孔；在过孔内、过孔的侧壁上和绝缘层上形成透明的像素电极图形。所述方法能够节省一道掩膜工艺，从而能够简化制备工艺，提高制备效率，降低制备成本。

Description

一种光屏障玻璃的制备方法
技术领域
本发明涉及视差屏障技术领域，特别涉及一种光屏障玻璃的制备方法。
背景技术
光屏障式3D技术也称为视差屏障技术或视差障栅技术，其原理与偏振式3D技术类似。如图1所示，实现光屏障式3D技术的装置通常包括依次设于液晶显示屏001上的下偏光片002、光屏障玻璃003和上偏光片005，且光屏障玻璃003与上偏光片005之间封闭有液晶层004。其中，液晶显示屏001内设有例如能够分别发出红光和绿光的红光像素区006和绿光像素区007。
光屏障玻璃003包括在玻璃基板上形成的金属层(图中未示出)、绝缘层(图中未示出)和透明的像素电极层008，其中像素电极层008包括多个条纹状的像素电极，且每一个条纹状像素电极的宽度为几十微米，相邻的两个条纹状的像素电极之间设有间隙。液晶显示屏001中不同的像素区发出的光依次经下偏光片002、光屏障玻璃003、液晶层004和上偏光片005照射到观察者眼中。液晶层004中的位于条纹状像素电极上方的液晶沿纵向即垂直于下偏光片002的方向取向；位于条纹状的像素电极之间的间隙上方的液晶沿横向即平行于下偏光片002的方向取向。当光线经过纵向取向的液晶时，光线的偏振方向不变，因此该光线继续传输至上偏振片005时，不能穿过上偏振片005照射到观察者的眼中。当光线经过横向取向的液晶时，光线的偏振方向发生变化，因此该光线继续传输至上偏振片005时，能够穿过上偏振片005照射到观察者的眼中。由液晶显示屏001中的同一像素区发出的光线仅能照射到观察者的一只眼中，即仅能照射到观察者的左眼009或右眼010中，而不能同时照射到观察者的两只眼中。因此，光屏障玻璃也被称为“视差障壁”。
现有技术中的光屏障玻璃的制备方法通常需要三道掩膜工艺，其制备工艺繁琐，制备效率较低，制备成本较高。
发明内容
本发明的目的是提供一种光屏障玻璃的制备方法。
本发明提供的光屏障玻璃的制备方法包括如下步骤：
在玻璃基板上形成金属层；
在所述金属层上涂覆第一光刻胶层，通过半透型掩模板对所述第一光刻胶层进行第一次曝光，然后对所述第一光刻胶层进行第一次显影处理，形成依次分别对应半透型掩模板的不透光区域、半透光区域和完全透光区域的第一光刻胶层完全保留区域、第一光刻胶层半保留区域和第一光刻胶层完全去除区域；
通过第一次刻蚀工艺去除第一光刻胶层完全去除区域对应的金属层、以及第一光刻胶层半保留区域和第一光刻胶层完全保留区域对应的金属层的部分区域，暴露出玻璃基板的部分区域；
通过灰化工艺去除第一次显影后的所述第一光刻胶层的部分厚度和部分区域，暴露出第一次刻蚀工艺后剩余的金属层的部分区域；
在暴露的所述玻璃基板上、暴露的所述金属层上、灰化工艺后的所述第一光刻胶层上和灰化工艺后的所述第一光刻胶层的侧壁形成绝缘层；
采用光阻剥离的方法将灰化工艺后的所述第一光刻胶层、位于灰化工艺后的所述第一光刻胶层上的所述绝缘层以及灰化工艺后的所述第一光刻胶层侧壁的所述绝缘层去除，得到位于所述金属层上的过孔，暴露出所述金属层的对应所述过孔的部分区域；
在所述过孔内、所述过孔的侧壁上和所述绝缘层上形成透明的像素电极图形。
优选地，所述步骤“在所述过孔内、所述过孔的侧壁上和所述绝缘层上形成透明的像素电极图形”进一步包括如下子步骤：在所述绝缘层上、所述过孔内和所述过孔的侧壁上形成透明的像素电极层；在所述像素电极层上涂覆第二光刻胶层；通过常规掩膜板对所述第二光刻胶层的部分区域进行第二次曝光；对所述第二光刻胶层进行第二次显影处理；通过第二次刻蚀工艺去除暴露的所述像素电极层；剥离剩余的所述第二光刻胶层，得到透明的像素电极图形。
优选地，所述像素电极层的材质为ITO。
优选地，第一次显影处理后的所述第一光刻胶呈中间厚、两边薄的凸起形。
优选地，第一次刻蚀工艺后剩余的所述金属层的两侧边缘呈斜坡状。
进一步优选地，第一次刻蚀后的所述金属层的宽度小于第一次显影处理后的所述第一光刻胶的宽度。
优选地，灰化工艺后的所述第一光刻胶层的剖面呈长方形。
进一步优选地，灰化工艺后的所述第一光刻胶层的宽度小于第一次刻蚀工艺后的所述金属层的宽度。
本发明具有如下有益效果：
与现有技术的制备方法相比，本发明提供的光屏障玻璃的制备方法仅需要两道掩膜工艺，能够节省一道掩膜工艺，从而能够简化制备工艺，提高制备效率，降低制备成本。
附图说明
图1为现有技术的光屏障式3D技术的剖面示意图；
图2为本发明实施例提供的光屏障玻璃的制备方法的流程图；
图3-图14为本发明实施例提供的光屏障玻璃的制备方法的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的发明内容作进一步的详细描述。
如图2所示，本实施例提供的光屏障玻璃的制备方法包括如下步骤：
S1：如图3所示，在玻璃基板1上形成一层连续的金属层2；
S2：如图4和图5所示，在金属层2上涂覆第一光刻胶层3，通过半透型掩模板(HTM-half tone mask)6对第一光刻胶层3进行第一次曝光，半透型掩模板6包括不透光区域61、半透光区域62和完全透光区域63，第一次曝光后对第一光刻胶层3进行第一次显影处理，第一次显影处理后形成对应不透光区域61的第一光刻胶层3完全保留区域31、对应半透光区域62的第一光刻胶层3半保留区域32、以及对应完全透光区域63的第一光刻胶层3完全去除区域33，第一光刻胶层3完全保留区域31的第一光刻胶完全保留，第一光刻胶层3半保留区域32的第一光刻胶被部分去除，即半保留区域32的第一光刻胶的厚度变薄，第一光刻胶层3完全去除区域33的第一光刻胶被完全去除，优选地，第一次显影处理后的第一光刻胶层3呈中间厚、两边薄的凸起形；
S3：如图6所示，通过第一次刻蚀工艺去除第一光刻胶层3完全去除区域33对应的金属层2、以及第一光刻胶层3半保留区域32和第一光刻胶层3完全保留区域31对应的金属层2的部分区域，暴露出玻璃基板1的部分区域；优选地，第一次刻蚀工艺后剩余的金属层2的两侧边缘呈斜坡状，且第一次刻蚀工艺后的金属层2的宽度小于第一次显影处理后的第一光刻胶层3的宽度；
S4：如图7所示，通过灰化工艺去除第一次显影处理后的第一光刻胶层3的部分厚度和部分区域，暴露出第一次刻蚀工艺后剩余的金属层2的部分区域，优选地，灰化工艺后的第一光刻胶层3的剖面呈长方形，且灰化工艺后的第一光刻胶层3的宽度小于第一次刻蚀工艺后的金属层2的宽度；
S5：如图8所示，在暴露的玻璃基板1上、暴露的金属层2上、灰化工艺后的第一光刻胶层3上和灰化工艺后的第一光刻胶层3的侧壁形成绝缘层4；
S6：如图9所示，采用光阻剥离(lift off)的方法将灰化工艺后的第一光刻胶层3、位于灰化工艺后的第一光刻胶层3上的绝缘层4以及灰化工艺后的第一光刻胶层3侧壁的绝缘层4去除，得到位于金属层2上的过孔7，暴露出金属层2的对应过孔7的部分区域；
S7：在过孔7内、过孔7的侧壁上和绝缘层4上形成透明的像素电极图形。
上述步骤S7进一步包括如下子步骤：
S7.1：如图10所示，在绝缘层4上、过孔7内和过孔7的侧壁上形成透明的像素电极层5，像素电极层5的材质优选为ITO(锡铟氧化物)；
S7.2：如图11所示，在像素电极层5上涂覆第二光刻胶层8；
S7.3：通过常规掩膜板对第二光刻胶层8的部分区域进行第二次曝光；
S7.4：如图12所示，第二次曝光后对第二光刻胶层8进行第二次显影处理，第二次显影处理后，第二光刻胶层8的曝光区域的第二光刻胶被完全去除，第二光刻胶层8的未曝光区域的第二光刻胶完全保留；
S7.5：如图13所示，通过第二次刻蚀工艺去除暴露的像素电极层5，即去除没有被第二次显影处理后的第二光刻胶层8覆盖的像素电极层5；
S7.6：如图14所示，剥离剩余的第二光刻胶层8，得到透明的像素电极图形，从而得到光屏障玻璃。
在本实施例中，图14仅示出了光屏障玻璃中条纹状的像素电极层5的一个条纹，实际的光屏障玻璃中的像素电极层5可以包括多个条纹。
在所述光屏障玻璃中，金属层2与外部电路(图中未示出)相电连接。金属层2通过过孔7将电压信号传输给透明的像素电极层5，通过控制像素电极层5的电压来控制液晶的翻转。由于像素电极层5跨过多条金属层2，因此需要通过绝缘层4将金属层2和像素电极层5之间绝缘。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (8)

1.一种光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：
在玻璃基板上形成金属层；
在所述金属层上涂覆第一光刻胶层，通过半透型掩模板对所述第一光刻胶层进行第一次曝光，然后对所述第一光刻胶层进行第一次显影处理，形成依次分别对应半透型掩模板的不透光区域、半透光区域和完全透光区域的第一光刻胶层完全保留区域、第一光刻胶层半保留区域和第一光刻胶层完全去除区域；
通过第一次刻蚀工艺去除第一光刻胶层完全去除区域对应的金属层、以及第一光刻胶层半保留区域和第一光刻胶层完全保留区域对应的金属层的部分区域，暴露出玻璃基板的部分区域；
通过灰化工艺去除第一次显影后的所述第一光刻胶层的部分厚度和部分区域，暴露出第一次刻蚀工艺后剩余的金属层的部分区域；
在暴露的所述玻璃基板上、暴露的所述金属层上、灰化工艺后的所述第一光刻胶层上和灰化工艺后的所述第一光刻胶层的侧壁形成绝缘层；
采用光阻剥离的方法将灰化工艺后的所述第一光刻胶层、位于灰化工艺后的所述第一光刻胶层上的所述绝缘层以及灰化工艺后的所述第一光刻胶层侧壁的所述绝缘层去除，得到位于所述金属层上的过孔，暴露出所述金属层的对应所述过孔的部分区域；
在所述过孔内、所述过孔的侧壁上和所述绝缘层上形成透明的像素电极图形。
2.如权利要求1所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤“在所述过孔内、所述过孔的侧壁上和所述绝缘层上形成透明的像素电极图形”进一步包括如下子步骤：
在所述绝缘层上、所述过孔内和所述过孔的侧壁上形成透明的像素电极层；
在所述像素电极层上涂覆第二光刻胶层；
通过常规掩膜板对所述第二光刻胶层的部分区域进行第二次曝光；
对所述第二光刻胶层进行第二次显影处理；
通过第二次刻蚀工艺去除暴露的所述像素电极层；
剥离剩余的所述第二光刻胶层，得到透明的像素电极图形。
3.如权利要求1或2所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，所述像素电极层的材质为ITO。
4.如权利要求1所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，第一次显影处理后的所述第一光刻胶呈中间厚、两边薄的凸起形。
5.如权利要求1所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，第一次刻蚀工艺后剩余的所述金属层的两侧边缘呈斜坡状。
6.如权利要求5所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，第一次刻蚀后的所述金属层的宽度小于第一次显影处理后的所述第一光刻胶的宽度。
7.如权利要求1所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，灰化工艺后的所述第一光刻胶层的剖面呈长方形。
8.如权利要求7所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，灰化工艺后的所述第一光刻胶层的宽度小于第一次刻蚀工艺后的所述金属层的宽度。
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